CN217215048U - 一种混合型介质滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种混合型介质滤波器，包括介质体，所述介质体上分别设有介质谐振器R2、R3、R4、R5，介质体的两侧分别设有介质谐振器R1和R6，R1和R2通过C2进行耦合；R5和R6通过C6进行耦合，R2、R3、R4、R5通过介质体内部的电场或磁场进行耦合；介质谐振器R1的端部连接信号输入端口P1，介质谐振器R6的端部连接信号输出端口P2，P1和R1之间连接耦合电容C1。本实用新型通过在滤波器的设计中滤波器局部采用一体成型技术，另一部分采用单一谐振器拼接，一体成型的部分可以在不增加体积的情况下实现非相邻的谐振器的叉耦合，单一谐振器的部分可以对滤波器二次谐波有较大的抑制。
Description
技术领域
本实用新型涉及微波元器件技术领域，尤其涉及一种混合型介质滤波器。
背景技术
介质滤波器是由多个介质谐振器通过一定的耦合结构组合成的微波滤波器。
现有的介质滤波器实现方式通常有两种形式：
1、由单一的介质谐振器拼接而成，谐振器与谐振器之间通过电容或者电感耦合，进而得到需要的微波滤波器，其结构图如图1所示。
2、通过粉末成型技术把多个谐振器压制在一块。谐振器与谐振器之间通过电场或者磁场耦合，进而得到需要的微波滤波器。其结构图如图2所示。
上述方案1中的缺点是非相邻的谐振器之间很难实现交叉耦合，如需实现交叉耦合需额外增加相关的电路，这样会增大滤波器的体积，不利于滤波器的小型化。
上述方案2中的缺点是滤波器的二次谐波抑制很小，二次谐波抑制是滤波器的一个很重要指标，实用中一般希望二次谐波抑制越大越好，采用方案2很难对二次谐波做到较大的抑制。
现实应用中希望找到一种在不增加体积的情况下既能实现交叉耦合，又能对二次谐波有较大的抑制。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种混合型介质滤波器。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种混合型介质滤波器，包括介质体，所述介质体上分别设有介质谐振器R2、R3、R4、R5，介质体的两侧分别设有介质谐振器R1和R6，R1和R2通过C2进行耦合；R5和R6通过C6进行耦合，R2、R3、R4、R5通过介质体内部的电场或磁场进行耦合；
介质谐振器R1的端部连接信号输入端口P1，介质谐振器R6的端部连接信号输出端口P2，P1和R1之间连接耦合电容C1，P2和R6之间连接耦合电容C7。
优选地，所述介质谐振器R2、R3、R4、R5通过粉末成型技术一体成型。
优选地，所述介质体材质为陶瓷。
优选地，所述介质谐振器R1和R6均单一独立设置。
优选地，所述介质体上设置至少两个介质谐振器。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在滤波器的设计中滤波器局部采用一体成型技术，另一部分采用单一谐振器拼接，一体成型的部分可以在不增加体积的情况下实现非相邻的谐振器的叉耦合，单一谐振器的部分可以对滤波器二次谐波有较大的抑制。
附图说明
为了更具体直观地说明本发明实施例或者现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简要介绍。
图1为单一的介质谐振器拼接的介质滤波器结构示意图；
图2为利用粉末成型技术把多个谐振器压制制备的介质滤波器结构示意图；
图3为图1和图2组合制成的介质滤波器结构示意图；
图4为图1中的介质滤波器电路仿真图；
图5为图2中的介质滤波器电路仿真图；
图6为图3中的介质滤波器电路仿真图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例一
参照图3，一种混合型介质滤波器，包括介质体，介质体上分别设有介质谐振器R2、R3、R4、R5，介质体的两侧分别设有介质谐振器R1和R6，R1和R2通过C2进行耦合；R5和R6通过C6进行耦合，R2、R3、R4、R5通过介质体内部的电场或磁场进行耦合；
介质谐振器R1的端部连接信号输入端口P1，介质谐振器R6的端部连接信号输出端口P2，P1和R1之间连接耦合电容C1，P2和R6之间连接耦合电容C7；
此结构中介质谐振器R2、R3、R4、R5之间可实现交叉耦合，C1、R1、C2组成的谐振单元及C6、R6、C7组成的谐振单元可对介质谐振器R2、R3、R4、R5产生的二次谐波起到一定的抑制作用。
参照图6，采用本方案制备的6阶滤波器仿真结果，从仿真结果上可以看出其各项指标都比较均衡，即对二次谐波有良好的抑制，又可以在近端实现交叉耦合，其抑制效果明显优于实施例二和三。
实施例二
参照图4，由单一的介质谐振器拼接而成，谐振器与谐振器之间通过电容或者电感耦合，进而得到需要的微波滤波器，该方法制备的6阶滤波器仿真结果，从仿真结果上可以看出其二次谐波抑制很大，有-90.34db，本滤波器的中心频率为1600MHz，二次谐波抑制指的是2倍中心频率处的抑制，即3200MHz处的抑制。
实施例三
参照图5，通过粉末成型技术把多个谐振器压制在一块，谐振器与谐振器之间通过电场或者磁场耦合，进而得到需要的微波滤波器，该方法制备的6阶滤波器仿真结果，从仿真结果上可以看出其二次谐波抑制较小，但1500MHz和1750MHz由于交叉耦合的引入，其抑制效果明显优于实施例二。
本实施方案中，介质谐振器R2、R3、R4、R5通过粉末成型技术一体成型，介质体材质为陶瓷，介质谐振器R1和R6均单一独立设置，介质体上设置至少两个介质谐振器。
本案中，在滤波器的设计中滤波器局部采用一体成型技术，另一部分采用单一谐振器拼接，一体成型的部分可以在不增加体积的情况下实现非相邻的谐振器的叉耦合，单一谐振器的部分可以对滤波器二次谐波有较大的抑制。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种混合型介质滤波器，包括介质体，其特征在于，所述介质体上分别设有介质谐振器R2、R3、R4、R5，介质体的两侧分别设有介质谐振器R1和R6，R1和R2通过C2进行耦合；R5和R6通过C6进行耦合，R2、R3、R4、R5通过介质体内部的电场或磁场进行耦合；
介质谐振器R1的端部连接信号输入端口P1，介质谐振器R6的端部连接信号输出端口P2，P1和R1之间连接耦合电容C1，P2和R6之间连接耦合电容C7。
2.根据权利要求1所述的一种混合型介质滤波器，其特征在于，所述介质谐振器R2、R3、R4、R5通过粉末成型技术一体成型。
3.根据权利要求2所述的一种混合型介质滤波器，其特征在于，所述介质体材质为陶瓷。
4.根据权利要求3所述的一种混合型介质滤波器，其特征在于，所述介质谐振器R1和R6均单一独立设置。
5.根据权利要求4所述的一种混合型介质滤波器，其特征在于，所述介质体上设置至少两个介质谐振器。
Priority Applications (1)
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| CN202220794484.1U CN217215048U (zh) | 2022-04-06 | 2022-04-06 | 一种混合型介质滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202220794484.1U CN217215048U (zh) | 2022-04-06 | 2022-04-06 | 一种混合型介质滤波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN217215048U true CN217215048U (zh) | 2022-08-16 |
Family
ID=82759306
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202220794484.1U Active CN217215048U (zh) | 2022-04-06 | 2022-04-06 | 一种混合型介质滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217215048U (zh) |
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2022
- 2022-04-06 CN CN202220794484.1U patent/CN217215048U/zh active Active
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