CN217104062U - 一种碳化硅涂层制备装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种碳化硅涂层制备装置，包括箱体，箱体的顶部设置有进气口，箱体的底部设置有出气口，在箱体底部支撑设置有用于放置样品的支撑架，其特征在于：所述箱体进气口处设置有一进气机构，进气机构包括设置于进气口处的进气管，在进气管的下端放射状均布有多根分气管，进气管和各根分气管连通，各根分气管的出气口和箱体内壁相对，在各根分气管的出气端转动设置有叶轮。本实用新型提供了一种碳化硅涂层制备装置，避免沉积气流的垂直作用，提高气相沉积的沉积率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种碳化硅涂层制备装置。
背景技术
碳化硅(SiC)材料具有许多优异的机械和物理化学性能,如高的比强度和比模量、低密度、耐高温、抗氧化、半导体特性等，因而在高温结构及微电子领域备受青睐，尤其在半导体生产过程中，具有碳化硅涂层的石墨板是重要的耗材。
现有技术中，化学气相沉积(Chemical VapourDeposition，CVD)是最适合制备高质量碳化硅涂层的一种工业化技术，具体的制备过程是从一个反应腔室的顶部注入气相沉积气体，使碳化硅沉积在位于腔室内的基体上，然后多余的气体从腔室的底部排出。但是，发明人在发明创造的过程中发现，现有技术存在如下技术缺陷：现有技术中的制备碳化硅涂层的装置未充分考虑反应腔室中气体流场的分布以及控制，气相沉积气体是从腔室顶部进入腔室内，气体会直接冲击待沉积碳化硅涂层的基体表面，然后从腔室的底部排出，此过程中气相沉积气体冲击基体表面后会直接弹开，然后直接从腔室底部的排气孔排出，导致沉积层失败，或者仅有少部分碳化硅能够沉积在基体的表面，沉积率非常低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术的现状，提供一种碳化硅涂层制备装置，避免沉积气流的垂直作用，提高气相沉积的沉积率。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种碳化硅涂层制备装置，包括箱体，箱体的顶部设置有进气口，箱体的底部设置有出气口，在箱体底部支撑设置有用于放置样品的支撑架，其特征在于：所述箱体进气口处设置有一进气机构，进气机构包括设置于进气口处的进气管，在进气管的下端放射状均布有多根分气管，进气管和各根分气管连通，各根分气管的出气口和箱体内壁相对，在各根分气管的出气端转动设置有叶轮。
作为改进，所述进气管转动设置于箱体的进气口处，进气管通过一驱动组件驱动转动。
再改进，所述箱体内侧壁上周向均布有多个竖向布置的扰流体。
再改进，所述箱体内壁上位于扰流体下方设置有支撑环。
再改进，所述箱体的下方设置有转动电机，转动电机和支撑架相连。
再改进，所述进气口只有一个位于箱体顶部中间位置，出气口具有多个分布于箱体底部中间位置。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型在箱体的顶部进气，从箱体底部出气，同时，在进气过程中，带有沉积材料的气体从进气管进入，再将气体分散至各根分气管，最后从各根分气管出来的气体对准箱体内壁排出，箱体内壁对气体进行阻挡，减缓气体流速，同时，位于各根分气管上的叶轮在气流的作用下转动，对气体进行扩散，之后，再流向箱体底部的支撑架方向，从而避免了气体因直接垂直向下流动对设置在支撑架上的样品产生冲击，即避免了垂直冲击在样品表面的气流影响气相沉积，提高样品的气相沉积率。
附图说明
图1是本实用新型实施例中碳化硅涂层制备装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示，本实施中的碳化硅涂层制备装置，包括箱体1、进气机构、支撑架3、扰流体4、支撑环5、驱动组件和转动电机31。
其中，箱体1的顶部设置有进气口，箱体1的底部设置有出气口11，在箱体1底部支撑设置有用于放置样品的支撑架3，箱体1进气口处设置有一进气机构，进气机构包括设置于进气口处的进气管2，在进气管2的下端放射状均布有多根分气管21，进气管2和各根分气管21连通，各根分气管21的出气口和箱体1内壁相对，在各根分气管21的出气端转动设置有叶轮211。优选地，在本实用新型实施例中，进气口只有一个位于箱体1顶部中间位置，出气口11具有多个分布于箱体1底部中间位置。
进一步地，为在气相沉积过程中实现各根分气管21进行缓慢转动，进气管2转动设置于箱体1的进气口处，进气管2通过一驱动组件驱动转动。
更进一步地，为进一步降低气体流速，避免在箱体1内出现螺旋气流，在箱体1内侧壁上周向均布有多个竖向布置的扰流体4，同时，箱体1内壁上位于扰流体4下方设置有支撑环5。从分气管21出来的气体在箱体1内壁作用后，再沿着各个箱体1内侧壁上的扰流体4流动，对速度较快的气流进行降速，同时还产生扰流作用，避免气体在箱体1内形成快速的螺旋气流，之后，再经过支撑环5的挡持作用，气体从支撑环5的中间位置向下扩散，然后沉积在样品的表面，最终多余的气体从箱体1底部的出气口11排出。
另外，在气相沉积过程中，实现样品能够缓慢转动，箱体1的下方设置有转动电机31，转动电机31和支撑架3相连。
综上，本实用新型在箱体1的顶部进气，从箱体1底部出气，同时，在进气过程中，带有沉积材料的气体从进气管2进入，再将气体分散至各根分气管21，最后从各根分气管21出来的气体对准箱体1内壁排出，箱体1内壁对气体进行阻挡，减缓气体流速，同时，位于各根分气管21上的叶轮211在气流的作用下转动，对气体进行扩散，之后，再经过扰流体4扰流作用，进一步降低气体流速，再从支撑环5的中间位置流向箱体1底部的支撑架3方向，从而避免了气体因直接垂直向下流动对设置在支撑架3上的样品产生冲击，即避免了垂直冲击在样品表面的气流影响气相沉积，提高样品的气相沉积率。
Claims (6)
1.一种碳化硅涂层制备装置，包括箱体(1)，箱体(1)的顶部设置有进气口，箱体(1)的底部设置有出气口(11)，在箱体(1)底部支撑设置有用于放置样品的支撑架(3)，其特征在于：所述箱体(1)进气口处设置有一进气机构，进气机构包括设置于进气口处的进气管(2)，在进气管(2)的下端放射状均布有多根分气管(21)，进气管(2)和各根分气管(21)连通，各根分气管(21)的出气口和箱体(1)内壁相对，在各根分气管(21)的出气端转动设置有叶轮(211)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅涂层制备装置，其特征在于：所述进气管(2)转动设置于箱体(1)的进气口处，进气管(2)通过一驱动组件驱动转动。
3.根据权利要求1所述的碳化硅涂层制备装置，其特征在于：所述箱体(1)内侧壁上周向均布有多个竖向布置的扰流体(4)。
4.根据权利要求3所述的碳化硅涂层制备装置，其特征在于：所述箱体(1)内壁上位于扰流体(4)下方设置有支撑环(5)。
5.根据权利要求1所述的碳化硅涂层制备装置，其特征在于：所述箱体(1)的下方设置有转动电机(31)，转动电机(31)和支撑架(3)相连。
6.根据权利要求1所述的碳化硅涂层制备装置，其特征在于：所述进气口只有一个位于箱体(1)顶部中间位置，出气口(11)具有多个分布于箱体(1)底部中间位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220624521.4U CN217104062U (zh) | 2022-03-21 | 2022-03-21 | 一种碳化硅涂层制备装置 |
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| CN202220624521.4U CN217104062U (zh) | 2022-03-21 | 2022-03-21 | 一种碳化硅涂层制备装置 |
Publications (1)
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| CN217104062U true CN217104062U (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=82603777
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN217104062U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116879215A (zh) * | 2023-07-18 | 2023-10-13 | 上海苏萨电子科技有限公司 | 一种非色散红外气体传感器 |
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2022
- 2022-03-21 CN CN202220624521.4U patent/CN217104062U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116879215A (zh) * | 2023-07-18 | 2023-10-13 | 上海苏萨电子科技有限公司 | 一种非色散红外气体传感器 |
| CN116879215B (zh) * | 2023-07-18 | 2024-04-09 | 上海苏萨电子科技有限公司 | 一种非色散红外气体传感器 |
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