CN217069906U - 一种半导体电路基板清洗系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体，密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置；密闭腔体的顶部设有密封盖板，密封盖板设于双层冷凝装置的上方，密封盖板的板面设有若干自动入口，若干自动入口分别对应下方各装置，自动入口设有红外感应装置，每两个自动入口之间的上方设有可移动的机械手。本方案解决了传统半导体封装器件清洗系统密封性不高、清洗效果单一的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子器件的清洗系统技术领域，特别是一种半导体电路基板清洗系统。
背景技术
目前，半导体封装器件主要是以浸泡、超声波、蒸汽等多种清洗方法组合清洗，其中使用超声波清洗半导体封装器件的主要步骤依次是热浸泡预洗、超声波粗洗、超声波精洗、蒸汽漂洗以及冷冻干燥，这些步骤均在各自的区域里进行，而且各自的区域内只能设置一个装置使用，这种超声波清洗的方式就十分的单一，难以达到多样的清洗效果；同时，半导体封装器件的清洗装置是各自放置在室内进行密封处理的，但室内密封相比于密封装置密封，密封性不高，容易造成清洗剂挥发的问题。
实用新型内容
针对上述缺陷，本实用新型的目的在于提出一种半导体电路基板清洗系统，目的在于解决传统半导体封装器件清洗系统密封性不高、清洗效果单一的问题。
为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体，所述密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，所述浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，所述超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，所述超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，所述蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；所述密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置，所述双层冷凝装置用于给所述密闭腔体制冷；
所述密闭腔体的顶部设有密封盖板，所述密封盖板设于所述双层冷凝装置的上方，所述密封盖板的板面设有若干自动入口，所述若干自动入口分别对应下方的所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置，所述自动入口设有红外感应装置，每两个所述自动入口之间的上方设有可移动的机械手，所述机械手用于把半导体电路基板放入相应的装置中。
优选地，所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回流装置均设有溢流口和回液口；
所述浸泡粗洗装置的溢流口与所述超声波粗洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波粗洗装置的溢流口与所述超声波精洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波精洗装置的溢流口与所述蒸馏回流装置的回液口通过管道连通，所述蒸馏回流装置的溢流口与所述浸泡粗洗装置的回液口通过管道连通。
优选地，所述浸泡粗洗装置包括第一清洗槽，所述超声波粗洗装置包括第二清洗槽，所述超声波精洗装置包括第三清洗槽；
所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽均设有单边溢流口，所述单边溢流口用于排除清洗剂表面的漂浮物，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽的槽底均呈漏斗倾斜状。
优选地，所述超声波粗洗装置包括第一超声波发生器，所述超声波精洗装置包括第二超声波发生器；所述第一超声波发生器和所述第二超声波发生器产生的超声波的频率为40Hz且震动方式为底震。
优选地，所述浸泡粗洗装置包括第一温度控制组件，所述超声波粗洗装置包括第二温度控制组件，所述超声波精洗装置包括第三温度控制组件；
所述第一温度控制组件、所述第二温度控制组件和所述第三温度控制组件均包括加热板，所述加热板贴合设置于所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽的外侧。
优选地，所述浸泡粗洗装置包括第一回收槽，所述超声波粗洗装置包括第二回收槽，所述超声波精洗装置包括第三回收槽；所述第一回收槽、所述第二回收槽、所述第三回收槽均为封闭结构。
优选地，所述蒸馏回收装置包括第四回收槽和加热恒温组件；
所述第四回收槽的槽底呈锥型结构，并且槽体内设置有掏渣口，所述掏渣口用于隔离清洗后溶液表面的残留物；
所述加热恒温组件包括加热棒和储液槽，所述加热棒放置在所述储液槽内，所述储液槽用于存储过滤后的清洗溶液。
优选地，还设置有热风干燥装置，所述热风干燥装置位于所述密闭腔体的外部，所述热风干燥装置用于让所述密闭腔体外的空气保持干燥。
优选地，所述浸泡粗洗装置包括第一循环过滤器，所述超声波粗洗装置包括第二循环过滤器，所述超声波精洗装置包括第三循环过滤器；所述第一循环过滤器、所述第二循环过滤器以及所述第三循环过滤器均用于过滤掉清洗后溶液的漂浮物。
优选地，所述超声波精洗装置还包括冷冻干燥器，所述冷冻干燥器用于冷却和干燥清洗后的半导体电路基板。
本申请实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
1、通过设置多个浸泡粗洗装置、超声波粗洗装置以及超声波精细装置，实现多种半导体电路基板清洗的组合方式，多种的组合方式有利于灵活应用于多种清洗情况；
2、通过将各装置设置在封闭腔体内实现空间的全封闭，能有效防止清洗剂的挥发；
3、通过在浸泡清洗装置、超声波粗洗装置、超声波精细装置以及蒸馏回收装置之间相互溢流实现清洗剂的循环利用，降低成本。
附图说明
图1是本实用新型一种半导体电路基板清洗系统的结构示意图；
图2是第一清洗槽的结构示意图。
其中：1、密闭腔体；2、浸泡粗洗装置；3、超声波粗洗装置；4、超声波精细装置；5、蒸馏回收装置；6、双层冷凝装置；7、红外感应装置；8、热风干燥装置；9、机械手；11、密封盖板；21、第一清洗槽；22、第一温度控制组件；23、第一回收槽；24、第一循环过滤器；31、第二清洗槽；32、第一超声波发生器；33、第二循环过滤器；34、第二温度控制组件；35、第二回收槽；41、第三清洗槽；42、第二超声波发生器；43、第三循环过滤器；44、第三温度控制组件；45、冷冻干燥器；46、第三回收槽；51、第四回收槽；52、加热恒温组件；110、自动入口；210、单边溢流口。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“中”、“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“拼接”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体1，所述密闭腔体1内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，所述浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置2，所述超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置3，所述超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置4，所述蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置5；所述密闭腔体1的上区域设有双层冷凝装置6，所述双层冷凝装置6用于给所述密闭腔体1制冷；
所述密闭腔体1的顶部设有密封盖板11，所述密封盖板11设于所述双层冷凝装置6的上方，所述密封盖板11的板面设有若干自动入口110，所述若干自动入口110分别对应下方的所述浸泡粗洗装置2、所述超声波粗洗装置3、所述超声波精洗装置4以及所述蒸馏回收装置5，所述自动入口110设有红外感应装置7，每两个所述自动入口110之间的上方设有可移动的机械手9，所述机械手9用于把半导体电路基板放入相应的装置中。
现有技术中，使用超声波清洗半导体封装器件的主要步骤依次是热浸泡预洗、超声波粗洗、超声波精洗、蒸汽漂洗以及冷冻干燥，这些步骤均在各自的区域里进行，而且各自的区域内只能设置一个装置使用，这种超声波清洗的方式就十分的单一，难以达到多样的清洗效果；同时，半导体封装器件的清洗装置是各自放置在室内进行密封处理的，但室内密封相比于密封装置密封，密封性不高，容易造成清洗剂挥发的问题。
具体地，如图1，本方案中的一种半导体电路基板清洗系统，包括密封腔体1，密闭腔体1内依次设置有浸泡粗洗装置2、超声波粗洗装置3、超声波精洗装置4以及蒸馏回收装置5，进一步说明，浸泡粗洗装置2、超声波粗洗装置 3以及超声波精洗装置4可以是多个，这样可选择的半导体电路基板清洗的组合方式就有多种，多种的组合方式有利于实现各种清洗效果。例如，半导体电路基板可经过一个浸泡粗洗装置，两个超声波精洗装置和一个蒸馏回收装置来达到清洗精度较高的效果。
密封腔体1的上区域设有一个双层冷凝装置6，双层冷凝装置6用于给密封腔体1制冷，能有效防止各装置里面的清洗剂挥发，减轻空气的污染。
密闭腔体1的顶部设有密封盖板11，密封盖板11设于双层冷凝装置6的上方，进一步说明，密封盖板是不锈钢材质。密封盖板11的板面设有若干自动入口110，分别对应下方的浸泡粗洗装置2、超声波粗洗装置3、超声波精洗装置4以及蒸馏回收装置5，自动入口110设有红外感应装置7，红外感应装置7 的设置可实现自动入口110的自动打开和关闭，每两个自动入口110之间的上方设有可移动的机械手9，当机械手9需要将半导体电路基板放置到对应装置里时，红外感应装置7会打开自动入口110，当放置完半导体电路基板后，机械手9会伸出密封盖板11，红外感应装置7会关闭自动入口110，从而实现封闭空间，进一步说明，机械手9的设置能有效减轻工作人员的劳动强度，实现工作程序的自动化。
本申请的一种半导体电路基板清洗系统，通过密封腔体1的设置以及多个清洗装置的排列组合实现半导体电路基板清洗系统的封闭性和灵活应用于各种清洗情况，解决了传统半导体封装器件清洗系统密封性不高、清洗效果单一的问题。
优选地，所述浸泡粗洗装置2、所述超声波粗洗装置3、所述超声波精洗装置4以及所述蒸馏回流装置5均设有溢流口和回液口；
所述浸泡粗洗装置2的溢流口与所述超声波粗洗装置3的回液口通过管道连通，所述超声波粗洗装置3的溢流口与所述超声波精洗装置4的回液口通过管道连通，所述超声波精洗装置4的溢流口与所述蒸馏回流装置5的回液口通过管道连通，所述蒸馏回流装置5的溢流口与所述浸泡粗洗装置2的回液口通过管道连通。
具体地，如图1，浸泡粗洗装置2、超声波粗洗装置3、超声波精洗装置4 以及蒸馏回收装置5均设置有溢流口和回液口，一个装置的溢流口与另一个装置的回液口通过管道连通，使清洗剂可以依次流经各装置，图1中的箭头为清洗剂的流动方向，浸泡粗洗装置2内的清洗剂由超声波粗洗装置3溢流而来，再溢流到蒸馏回收装置5；超声波粗洗装置3内的清洗剂由超声波精洗装置4 溢流而来，再溢流到浸泡粗洗装置2；超声波精洗装置4内的清洗剂由蒸馏回收装置5溢流而来，再溢流到超声波粗洗装置3；蒸馏回收装置5内的清洗剂由浸泡粗洗装置2溢流而来，再溢流到超声波精细装置4。
本实施例中，各装置通过相互溢流实现清洗剂的循环利用，降低了清洗剂的使用成本。进一步说明，各装置使用的清洗介质是溶液型的清洗剂。更进一步说明，经过一次循环后的清洗溶剂从浸泡粗洗装置2流回蒸馏回收装置5中，通过加热蒸馏将含有杂质的清洗溶剂汽化，然后通过双层冷凝装置6液化形成干净的清洗溶剂，接着将干净的清洁溶剂输送给超声波精洗装置4，继续下一次的循环利用，最后统一处理残留的污染物，这样能保证各装置中清洗溶剂的质量，达到更好的清洗效果。
优选地，所述浸泡粗洗装置2包括第一清洗槽21，所述超声波粗洗装置3 包括第二清洗槽31，所述超声波精洗装置4包括第三清洗槽41；
所述第一清洗槽21、所述第二清洗槽31和所述第三清洗槽41均设有单边溢流口，所述单边溢流口用于排除清洗剂表面的漂浮物，所述第一清洗槽21、所述第二清洗槽31和所述第三清洗槽41的槽底均呈漏斗倾斜状。
具体地，第一清洗槽21、第二清洗槽31和第三清洗槽41的结构一致，均设有单边溢流口，如图2，第一清洗槽21设有单边溢流口210，可迅速将清洗剂表面的漂浮物清除；优选的，如图2，各清洗槽的槽底均呈漏斗倾斜状，漏斗倾斜状结构由锥型漏斗结构和倾斜排料管组成，倾斜排料管的倾斜角度与锥形漏斗结构的锥形面倾斜角度一致，与传统漏斗的排量管不一样，本方案的漏斗排料管呈倾斜状，使出料时清洗剂更快速地排出；进一步说明，各清洗槽的槽底均设有排水管，清洗剂通过排水管统一排进总排水管中。更进一步说明，各清洗槽的上方设有蒸汽浴洗装置，当半导体电路基板放置在第一清洗槽21 时，可通过加热产生的蒸汽会对半导体电路基板的表面进行依附凝聚清洗；当半导体电路基板放置在第二清洗槽31或者第三清洗槽41时，可通过蒸汽和超声波震动来清洗半导体电路基板上面残留的松香、氧化物及其它影响到绑线的污染物。
优选地，所述超声波粗洗装置3包括第一超声波发生器32，所述超声波精洗装置4包括第二超声波发生器42；
所述第一超声波发生器32和所述第二超声波发生器42产生的超声波的频率为40Hz且震动方式为底震。
具体地，如图1，第一超声波发生器32和第二超声波发生器42产生的超声波的频率为40Hz，震动方式为底震，这样方便超声波发生器的装配，使发生器不易受到损坏，有利于达到更好的清洗效果。
优选地，所述浸泡粗洗装置2包括第一温度控制组件23，所述超声波粗洗装置3包括第二温度控制组件34，所述超声波精洗装置4包括第三温度控制组件44；
所述第一温度控制组件23、所述第二温度控制组件34和所述第三温度控制组件44均包括加热板，所述加热板贴合设置于所述第一清洗槽21、所述第二清洗槽31和所述第三清洗槽41的外侧。
具体地，如图1，各清洗槽的外侧贴合设置有加热板，通过加热板直接向清洗槽进行导热，加热的效果会更好，有利于产生蒸汽对半导体电路基板进行清洗。
优选地，所述浸泡粗洗装置2包括第一回收槽24，所述超声波粗洗装置3 包括第二回收槽35，所述超声波精洗装置4包括第三回收槽46；所述第一回收槽24、所述第二回收槽35、所述第三回收槽46均为封闭结构。
具体地，如图1，各回收槽通过管道与各自对应的清洗槽槽体连通，当整个半导体电路基板清洗系统停止工作时，待各清洗槽槽体内的清洗剂冷却后可将清洗剂回收至各自对应的回收槽内，各回收槽为全封闭结构，能有效防止清洗剂挥发。
优选地，所述蒸馏回收装置5包括第四回收槽51和加热恒温组件52；
所述第四回收槽51的槽底呈锥型结构，并且槽体内设置有掏渣口，所述掏渣口用于隔离清洗后溶液表面的残留物；
所述加热恒温组件52包括加热棒和储液槽，所述加热棒放置在所述储液槽内，所述储液槽用于存储过滤后的清洗溶液。
具体地，如图1，第四回收槽51的槽底呈锥型结构，方便清洗剂的快速排出；第四回收槽的槽体内设置有掏渣口，掏渣口可隔离清洗后溶液表面的残留物，并且容易拆卸，方便日后系统维修。
加热恒温组件52包括加热棒和储液槽，加热棒内置于储液槽，通过控制加热功率来调节加热棒的温度，从而达到更好的加热效果，提高清洗剂的蒸馏回收效果。
优选地，还设置有热风干燥装置8，所述热风干燥装置8位于所述密闭腔体1的外部，所述热风干燥装置8用于让所述密闭腔体1外的空气保持干燥。
具体地，如图1，封闭腔体1外部设置有热风干燥装置8，热风干燥装置8 让所述密闭腔体1外部的空气保持干燥，保证上料或者出料时的半导体电路基板能够保持干燥状态；此外，热风干燥装置8是通过气缸驱动实现水平位置的移动，这样不容易产生粉末从而造成空气污染，并且运行过程中会相对稳定。进一步说明，热风干燥装置8内设置有空气过滤器，可高效过滤掉空气中的杂质，有效保证空气的过滤效果。
优选地，所述浸泡粗洗装置2包括第一循环过滤器22，所述超声波粗洗装置3包括第二循环过滤器33，所述超声波精洗装置4包括第三循环过滤器43；
所述第一循环过滤器22、所述第二循环过滤器33以及所述第三循环过滤器43均用于过滤掉清洗后溶液的漂浮物。
具体地，如图1，第一循环过滤器22、第二循环过滤器33以及第三循环过滤器43均设于各自清洗槽的下方，可过滤掉清洗后溶液的漂浮物，实现清洗剂溶液的可循环利用。
优选地，所述超声波精洗装置4还包括冷冻干燥器45，所述冷冻干燥器用于冷却和干燥清洗后的半导体电路基板。
具体地，如图1，超声波精洗装置4还包括冷冻干燥器45，当半导体电路基板清洗完毕后，机械手9将半导体电路基板提升至冷凝干燥器45内进行冷却和干燥。
以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：包括密闭腔体，所述密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，所述浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，所述超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，所述超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，所述蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；所述密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置，所述双层冷凝装置用于给所述密闭腔体制冷；
所述密闭腔体的顶部设有密封盖板，所述密封盖板设于所述双层冷凝装置的上方，所述密封盖板的板面设有若干自动入口，所述若干自动入口分别对应下方的所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置，所述自动入口设有红外感应装置，每两个所述自动入口之间的上方设有可移动的机械手，所述机械手用于把半导体电路基板放入相应的装置中。
2.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置均设有溢流口和回液口；
所述浸泡粗洗装置的溢流口与所述超声波粗洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波粗洗装置的溢流口与所述超声波精洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波精洗装置的溢流口与所述蒸馏回收装置的回液口通过管道连通，所述蒸馏回收装置的溢流口与所述浸泡粗洗装置的回液口通过管道连通。
3.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一清洗槽，所述超声波粗洗装置包括第二清洗槽，所述超声波精洗装置包括第三清洗槽；
所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽均设有单边溢流口，所述单边溢流口用于排除清洗剂表面的漂浮物，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽的槽底均呈漏斗倾斜状。
4.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述超声波粗洗装置包括第一超声波发生器，所述超声波精洗装置包括第二超声波发生器；
所述第一超声波发生器和所述第二超声波发生器产生的超声波的频率为40Hz且震动方式为底震。
5.根据权利要求3所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一温度控制组件，所述超声波粗洗装置包括第二温度控制组件，所述超声波精洗装置包括第三温度控制组件；
所述第一温度控制组件、所述第二温度控制组件和所述第三温度控制组件均包括加热板，所述加热板贴合设置于所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽的外侧。
6.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一回收槽，所述超声波粗洗装置包括第二回收槽，所述超声波精洗装置包括第三回收槽；
所述第一回收槽、所述第二回收槽、所述第三回收槽均为封闭结构。
7.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述蒸馏回收装置包括第四回收槽和加热恒温组件；
所述第四回收槽的槽底呈锥型结构，并且槽体内设置有掏渣口，所述掏渣口用于隔离清洗后溶液表面的残留物；
所述加热恒温组件包括加热棒和储液槽，所述加热棒放置在所述储液槽内，所述储液槽用于存储过滤后的清洗溶液。
8.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：还设置有热风干燥装置，所述热风干燥装置位于所述密闭腔体的外部，所述热风干燥装置用于让所述密闭腔体外的空气保持干燥。
9.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一循环过滤器，所述超声波粗洗装置包括第二循环过滤器，所述超声波精洗装置包括第三循环过滤器；
所述第一循环过滤器、所述第二循环过滤器以及所述第三循环过滤器均用于过滤掉清洗后溶液的漂浮物。
10.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述超声波精洗装置还包括冷冻干燥器，所述冷冻干燥器用于冷却和干燥清洗后的半导体电路基板。
Priority Applications (1)
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| CN202220555532.1U CN217069906U (zh) | 2022-03-15 | 2022-03-15 | 一种半导体电路基板清洗系统 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115318746A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-11-11 | 苏州泰拓精密清洗设备有限公司 | 一种气相清洗设备及清洗方法 |
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2022
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