CN217062095U - 静电保护电路及抗静电装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种静电保护电路及抗静电装置。静电保护电路包括：三极管和发光二极管，三极管的发射极连接电源，三极管的基极用于连接需静电保护的目标元件；发光二极管的阴极接地，发光二极管的阳极连接三极管的集电极；其中，发光二极管位于静电敏感区。本申请的静电保护电路至少具有如下有益效果：通过在目标元件与静电敏感区之间设置三极管进行隔离，能够更有效地保护目标元件不被静电损坏，提高抗静电能力。

Description

静电保护电路及抗静电装置

技术领域

本申请涉及抗静电技术领域，尤其是涉及一种静电保护电路及抗静电装置。

背景技术

相关技术中，通常通过连接抗静电器件(如瞬态抑制二极管)的方式保护芯片类目标元件，但目标元件与静电敏感电路区域之间依然是电性导通的连接方式，静电较强时依然容易使得目标元件失效。

实用新型内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种静电保护电路，通过在目标元件与静电敏感区之间设置三极管进行隔离，能够更有效地保护目标元件不被静电损坏，提高抗静电能力。

本申请还提出一种具有上述静电保护电路的抗静电装置。

根据本申请的第一方面实施例的静电保护电路，包括：三极管，所述三极管的发射极连接电源，所述三极管的基极用于连接需静电保护的目标元件；发光二极管，所述发光二极管的阴极接地，所述发光二极管的阳极连接所述三极管的集电极；其中，所述发光二极管位于静电敏感区。

根据本申请实施例的静电保护电路，至少具有如下有益效果：通过在目标元件与静电敏感区之间设置三极管进行隔离，能够更有效地保护目标元件不被静电损坏，提高抗静电能力。

根据本申请的一些实施例，还包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接所述发光二极管的阳极，所述第一电阻的另一端连接所述三极管的集电极。

根据本申请的一些实施例，还包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接所述三极管的基极，所述第二电阻的另一端用于连接所述目标元件。

根据本申请的一些实施例，还包括第三电阻，所述第三电阻的一端连接所述三极管的发射极，所述第三电阻的另一端连接所述三极管的基极。

根据本申请的一些实施例，所述三极管为PNP型三极管。

根据本申请的第二方面实施例的抗静电装置，包括上述第一方面实施例的静电保护电路。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

下面结合附图和实施例对本申请做进一步的说明，其中：

图1为本申请静电保护电路一种实施例的电路图；

图2为本申请静电保护电路另一种实施例的电路图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。

本申请实施例的静电保护电路可用于具有芯片类元件的电路板中。静电是指一种处于静止状态的电荷。当电荷聚集在某个物体上或表面时就形成了静电，带静电物体接触零电位物体(接地物体)或与其有电位差的物体时就会发生电荷转移，即放电现象。通常集成芯片内部电路的元件非常小，每个元件的寄生电容也就非常小，少量的静电电荷就能在芯片上产生很高的静电电压，因此静电放电很容易破坏集成芯片。现有技术中，通常通过连接抗静电器件的方式保护芯片类目标元件，但目标元件与静电敏感电路区之间依然是电性导通的连接方式，静电较强时依然容易使得目标元件失效。

基于此，本申请提出一种静电保护电路，通过将目标元件与静电敏感区隔离，能够更有效地保护目标元件不被静电损坏，提高抗静电能力。

一些实施例，参照图1，静电保护电路包括：三极管Q1和发光二极管D1，三极管Q1的发射极连接电源，三极管Q1的基极用于连接需静电保护的目标元件；发光二极管D1的阴极接地，发光二极管D1的阳极连接三极管Q1的集电极；其中，发光二极管D1位于静电敏感区。

静电敏感区是指容易聚集电荷且发生静电放电的位置。一般绝缘体上产生的静电，电压会很高，但放电电荷量极微，而且放电电流连续时间很短。而导体上产生的静电，电压可能不是很高，但是放电电流却可能很大，而且往往是连续的电流。这样对电子元件的危害就非常大。在电路中产生的静电放电时便通常是连续的放电电流，而常用的抗静电方法中目标元件与静电敏感区之间是电性导通的，目标元件可能受静电电流影响而失效。

本申请实施例对应的电路板中，发光二极管D1附近设置有透光孔或者透光缝隙，因此发光二极管D1附近容易聚集静电电荷，形成静电敏感区。此外，三极管Q1正常工作状态为截止状态。当静电敏感区的静电电荷量较大，产生的电压较大时，发光二极管D1将被击穿。但三极管Q1被设定工作于截止状态，静电电流难以无法影响目标元件，从而实现静电保护效果。

在另一些实施例中，发光二极管D1也可以为其它发光器件。

本申请实施例的静电保护电路，至少具有如下有益效果：通过在目标元件与静电敏感区之间设置三极管Q1进行隔离，能够更有效地保护目标元件不被静电损坏，提高抗静电能力。

一些实施例，参照图2，还包括第一电阻R1，第一电阻R1的一端连接发光二极管D1的阳极，第一电阻R1的另一端连接三极管Q1的集电极。第一电阻R1用于分压。

一些实施例，参照图2，还包括第二电阻R2，第二电阻R2的一端连接三极管Q1的基极，第二电阻R2的另一端用于连接目标元件。第二电阻R2用于限流。

一些实施例，参照图2，还包括第三电阻R3，第三电阻R3的一端连接三极管Q1的发射极，第三电阻R3的另一端连接三极管Q1的基极。如图2所示的三极管Q1为PNP型三极管，当其基极为低电平时工作于导通状态，当其基极为高电平时工作于截止状态。第三电阻R3将三极管Q1的基极与电源电性接通，使得三极管Q1工作于截止状态。一个实施例，也可以通过目标芯片元件控制与三极管Q1的基极连接的引脚处于高电平状态，从而使得三极管Q1工作于截止状态。

一些实施例，三极管Q1为PNP型三极管。示意性实施例，三极管Q1也可以为NPN型三极管，NPN型三极管的基极为高电平时工作于导通状态，其基极为低电平时工作于截止状态。在本实施例中，不设置第三电阻R3。通常利用目标芯片元件控制NPN型三极管的基极处于低电平状态，使得NPN型三极管工作于截止状态。

一些实施例，抗静电装置包括上述任一实施例的静电保护电路。本申请实施例的抗静电装置至少具有如下有益效果：通过在目标元件与静电敏感区之间设置三极管进行隔离，能够更有效地保护目标元件不被静电损坏，提高抗静电能力。

本申请的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”或“示意性实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

上面结合附图对本申请实施例作了详细说明，但是本申请不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本申请宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

Claims (6)

1.静电保护电路，其特征在于，包括：

三极管，所述三极管的发射极连接电源，所述三极管的基极用于连接需静电保护的目标元件；

发光二极管，所述发光二极管的阴极接地，所述发光二极管的阳极连接所述三极管的集电极；其中，所述发光二极管位于静电敏感区。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，还包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接所述发光二极管的阳极，所述第一电阻的另一端连接所述三极管的集电极。

3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，还包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接所述三极管的基极，所述第二电阻的另一端用于连接所述目标元件。

4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，还包括第三电阻，所述第三电阻的一端连接所述三极管的发射极，所述第三电阻的另一端连接所述三极管的基极。

5.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述三极管为PNP型三极管。

6.抗静电装置，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的静电保护电路。

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