CN217061636U - 低温保持器、超导磁体结构及磁共振系统 - Google Patents

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邹利军
余兴恩
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Abstract

本实用新型涉及一种低温保持器、超导磁体结构及磁共振系统。该低温保持器包括:外容器;内容器,与外容器围设成安装空间;热屏蔽层,设置于安装空间中;内容器包括沿平行于磁体孔的轴线方向延伸的第一部分和第二部分,且所述第一部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第二部分与所述磁体孔的轴线的距离不同;或者,热屏蔽层包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第三部分和第四部分,且所述第三部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第四部分与所述磁体孔的轴线的距离不同。第一部分与第二部分能够容纳部分第一支撑件,第三部分与第四部分能够容纳部分第二支撑件,这样能够减小内容器与外容器之间的间距,进而减小低温保持器的整体尺寸。

Description

低温保持器、超导磁体结构及磁共振系统
技术领域
本实用新型涉及磁共振设备技术领域,特别是涉及一种低温保持器、超导磁体结构及磁共振系统。
背景技术
磁共振系统用超导磁体通常是在低温保持器的罐体内充注液氦浸没超导线圈,使得超导线圈保持低温超导状态,线圈励磁后即产生稳定的强磁场。典型的超导磁体结构中矩形截面螺线管线圈组是目前最常见的线圈结构,它由多个内线圈和外磁体线圈组成,所有线圈绕制在金属材料的绕线架的线槽内,最后封装在中空圆筒形低温保持器中。
低温保持器一般由三层同心圆筒腔体组装而成,包括最内层的液氦容器、中间屏蔽筒和外真空容器。为了保持相对位置并固定,内容器、屏蔽筒和外容器还分别设置有若干悬挂固定件,可将内容器和屏蔽筒牢固地悬挂并固定至外容器上。
由于超导磁体的线圈重量较重,普通1.5T超导磁体线圈重达2吨,而高场超导磁体线圈的重量则超过十吨甚至达数十吨,该重力以及运输等工况产生的冲击力,将在支撑件及其固定块上产生较大的反作用力。因此,悬挂固定块需要具有一定的形状和尺寸,特别是其厚度,通常达到30mm以上,这也就要求屏蔽筒与内容器的层间间隙更大,才能容纳此对称分布的悬挂固定块,通常该间隙达到40~80mm。
通常,对于某一特定的超导磁体,其线圈设计由磁体参数(如中心磁场均匀区大小和均匀度等)决定,当磁体参数确定后,上述内外线圈的尺寸即确定,如用于全身成像的1.5T和3.0T超导磁体线圈,其线圈外径通常为1.6~2m左右,此外磁体线圈的直径显著大于内线圈,且主要分布在内容器的两端部,并靠近其外筒。此外磁体线圈在电磁设计中的作用主要是为了减小磁体逸散场(通常指强度为高斯的磁场)的范围,以降低超导磁体对安装场地的尺寸限制,通常1.5T全身成像磁共振设备以高斯逸散场为基准要求的安装场地尺寸达2.5x4m(以磁体为中心,X-Y平面,单轴),对于5T全身成像磁共振设备,其安装场地尺寸达5x6m。对于超导磁体特别是高场超导磁体的线圈设计,外磁体线圈沿容器中心轴线方向的宽度尽量宽,可一定程度上利于逸散场的缩小。
另一方面,对于确定尺寸的线圈,与之配合的内容器的尺寸也基本确定;由于悬挂固定块占据了屏蔽筒与内容器的层间间隙,则屏蔽筒以及真空外容器需要相应的扩大,即容器外径和长度等尺寸也应相应增大。但是,伴随着这些尺寸的增大,超导磁体整体外形变大,使用的材料更多,成本增加,而且还会增加安装难度如地面沉台或设置垫高平台等,不便于安装使用。
实用新型内容
基于此,有必要针对内容器与外容器之间通过悬挂支撑件连接后使得超导磁体的整体外形尺寸增加的问题,提供一种能够降低整机尺寸的低温保持器、超导磁体结构及磁共振系统。
一种低温保持器,包括:
外容器,所述外容器具有中空的磁体孔;
内容器,设置于所述外容器中,并与所述外容器围设成安装空间;以及
热屏蔽层,设置于所述安装空间中;
所述内容器包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第一部分和第二部分,且所述第一部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第二部分与所述磁体孔的轴线的距离不同;或者,热屏蔽层包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第三部分和第四部分,且所述第三部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第四部分与所述磁体孔的轴线的距离不同。
在其中一个实施例中,所述第一部分和所述第二部分距离所述磁体孔的轴线的距离差异形成第一凹陷部;
和/或,所述第三部分和所述第四部分距离所述磁体孔的轴线的距离差异形成第二凹陷部。
在其中一个实施例中,所述第一凹陷部包括第一凹陷区和/或第三凹陷区,所述第一凹陷区设置于所述内容器的中部区域,所述第三凹陷区设置于所述内容器的边缘;
所述第二凹陷部包括第二凹陷区和/或第四凹陷区,所述第二凹陷区对应所述第一凹陷区设置,所述第四凹陷区对应所述第二凹陷区设置。
在其中一个实施例中,所述第一凹陷区包括第一过渡段与第一凹陷段,所述第一凹陷段凹陷于所述内容器的表面设置,所述第一过渡段过渡连接所述第一凹陷段的两侧与所述内容器的表面;
所述第二凹陷区包括第二过渡段与第二凹陷段,所述第二凹陷段凹陷于所述内容器的表面设置,所述第二过渡段过渡连接所述第一凹陷段的两侧与所述热屏蔽层的表面。
在其中一个实施例中,所述低温保持器还包括:
支撑结构,包括第一支撑件与第二支撑件,所述第一支撑件的一端设置于所述第一凹陷部,另一端连接所述外容器,所述第二支撑件的一端设置于所述第二凹陷部,另一端连接所述外容器。
在其中一个实施例中,所述支撑结构还包括第一固定块,所述第一固定块设置于第一凹陷区,所述第一支撑件的一端连接所述第一固定块;
所述支撑结构还包括第二固定块,所述第二固定块设置于所述第二过渡段,所述第二支撑件的一端连接所述第二凹陷区。
在其中一个实施例中,所述第一凹陷区设置于所述内容器的边缘,所述第二凹陷区设置于所述热屏蔽层的边缘,所述第一支撑件的一端连接所述外容器的周侧或端部,所述第二支撑件的一端连接所述外容器的周侧或端部。
一种超导磁体结构,包括低温保持器以及磁体组件,所述磁体组件设置于所述低温保持器中,所述低温保持器包括:
外容器,所述外容器具有中空的磁体孔;
内容器,设置于所述外容器中,并与所述外容器围设成安装空间;
热屏蔽层,设置于所述安装空间中;
所述内容器包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成所述内容器的端部,所述第二部分与所述第一部分相邻设置,且所述第一部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第二部分与所述磁体孔的轴线的距离不同;或者,热屏蔽层包括第三部分和第四部分,所述第三部分形成所述热屏蔽层的端部,所述第四部分与所述第三部分相邻设置,且所述第三部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第四部分与所述磁体孔的轴线的距离不同。
在其中一个实施例中,所述磁体组件包括第一磁体线圈与第二磁体线圈,所述第一磁体线圈的外径大于所述第二磁体线圈的外径,且所述第一磁体线圈位于所述内容器的端部。
一种磁共振系统,包括超导磁体结构以及制冷机,所述制冷机设置于所述超导磁体结构,用于冷却所述超导磁体结构的励磁线圈;所述超导磁体结构包括低温保持器以及磁体组件,所述磁体组件设置于所述低温保持器中,所述低温保持器包括:
外容器,所述外容器具有中空的磁体孔;
内容器,设置于所述外容器中,并与所述外容器围设成安装空间;
热屏蔽层,设置于所述安装空间中;
所述内容器包括相邻设置的第一部分和第二部分,且所述第一部分对应的安装空间的径向尺寸与所述第二部分对应的安装空间的径向尺寸不同;或者,热屏蔽层包括相邻设置的第三部分和第四部分,且所述第三部分、第四部分在所述安装空间中径向方向的位置不同。
采用上述技术方案后,本实用新型至少具有如下技术效果:
本实用新型的低温保持器、超导磁体结构及磁共振系统,内容器的表面具有相距磁体孔的轴线距离不同的第一部分与第二部分,热屏蔽层的表面具有相距磁体孔的轴线距离不同的第三部分与第四部分,支撑结构的第一支撑件在第一部分与第二部分之间连接内容器与外容器,第二支撑件在第三部分与第四部分之间连接热屏蔽层与外容器。第一部分与第二部分之间能够容纳部分第一支撑件,第三部分与第四部分之间能够容纳部分第二支撑件,这样能够在保证第一支撑件与第二支撑件可靠支撑的同时,减小内容器与外容器之间的间距,进而减小低温保持器的整体尺寸,减少使用的材料,降低成本,降低安装难度。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的低温保持器中安装磁体组件的示意图;
图2为图1所示的低温保持器中安装磁体组件的局部放大图;
图3为本实用新型另一实施例的低温保持器中安装磁体组件的局部放大图。
其中:100、低温保持器;110、外容器;111、第一外筒;112、第一内筒;113、第一封板;120、内容器;121、第一凹陷区;1211、第一过渡段;1212、第一凹陷段;122、第三凹陷区;123、第二外筒;124、第二内筒;125、第二封板;130、热屏蔽层;131、第二凹陷区;1311、第二过渡段;1312、第二凹陷段;132、第四凹陷区;133、第三外筒;134、第三内筒;135、第三封板;140、支撑结构;141、第一支撑件;142、第二支撑件;143、第一固定块;144、第二固定块;200、磁体组件;210、第一磁体线圈;220、第二磁体线圈。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
参见图1至图3,本实用新型提供一种低温保持器100。该低温保持器100应用于磁共振系统的超导磁体结构中,能够保证超导磁体结构中励磁线圈的超导状态,保证磁共振系统的使用性能。
可以理解的,目前低温保持器的内容器与外容器、热屏蔽层与外容器之间通过悬挂支撑件与悬挂固定件的配合连接,但是悬挂支撑件与悬挂固定块占据了屏蔽筒与内容器的层间间隙,则屏蔽筒以及真空外容器需要相应的扩大,即容器外径和长度等尺寸也应相应增大。但是,伴随着这些尺寸的增大,超导磁体整体外形变大,使用的材料更多,成本增加等。
为此,本实用新型提供一种新型的低温保持器100,该低温保持器100的结构紧凑,使得其整体尺寸尽可能的小,减少使用的材料,降低成本,降低安装难度。以下详细介绍低温保持器100的具体结构。
本实用新型提供一种低温保持器,该低温保持器包括外容器110、内容器120以及热屏蔽层130,其中:外容器110环绕形成腔体;内容器120设置在腔体内;热屏蔽层130设置在外容器110与内容器120之间。内容器120表面或者热屏蔽层130的表面形成台阶型结构,以能够形成内容器120与外容器110连接悬挂支撑件的避让空间,或者形成热屏蔽层130与外容器110连接悬挂支撑件的避让空间,利于降低整机尺寸。
参见图1至图3,在一实施例中,低温保持器100包括外容器110、内容器120、热屏蔽层130以及支撑结构140。所述外容器110具有中空的磁体孔。内容器120设置于所述外容器110中,并与所述外容器110围设成安装空间。热屏蔽层130设置于所述安装空间中;所述内容器120包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第一部分和第二部分,且所述第一部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第二部分与所述磁体孔的轴线的距离不同;或者,热屏蔽层130包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第三部分和第四部分,所述第三部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第四部分与所述磁体孔的轴线的距离不同。支撑结构140包括第一支撑件141与第二支撑件142,所述第一支撑件141的一端设置于所述第一凹陷部,另一端连接所述外容器110,所述第二支撑件142的一端设置于所述第二凹陷部,另一端连接所述外容器110。
低温保持器100为多层容器结构,包括外容器110、内容器120以及热屏蔽层130。外容器110具有容腔,并环绕围设成沿轴向方向延伸的通孔。内容器120设置在外容器110的容腔中,内容器120与外容器110围设成真空环境的安装空间,热屏蔽层130设置在内容器120与外容器110之间的安装空间中。该低温保持器100中可以容纳磁体组件200,并能够内容器120与外容器110之间的真空环境隔绝外界的热量,避免磁体组件200温升过快,而且,热屏蔽层130也能够起到热屏蔽的作用,避免外界热量传递到内容器120中,进而避免磁体组件200升温,以避免磁体组件200出现超导状态。
为了保证内容器120、热屏蔽层130以及外容器110之间固定可靠,低温保持器100还包括支撑结构140,通过支撑结构140实现内容器120与热屏蔽层130固定在外容器110的容腔中,避免内容器120与热屏蔽层130的位置发生窜动。具体的,支撑结构140包括第一支撑件141与第二支撑件142,第一支撑件141的一端连接内容器120的外壁,第一支撑件141的另一端连接外容器110的固定点,通过第一支撑件141将内容器120悬挂于外容器110中,保证内容器120固定可靠。第二支撑件142的一端连接热屏蔽层130的外壁,第二支撑件142的另一端连接外容器110的固定点,通过第二支撑件142将热屏蔽层130挂在内容器120与外容器110之间的安装空间,保证热屏蔽层130固定可靠。
通常,内容器120与外容器110之间安装空间的尺寸较大,以容纳第一支撑件141与第二支撑件142,进而导致整机尺寸增加。为此,本发明在内容器120上设置第一部分与第二部分,第一部分形成内容器120的端部,第二部分与第一部分相邻设置。第一部分与第二部分沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸,且第一部分与磁体孔的轴线的距离相对第二部分与磁体孔的轴线的距离不同。如此,第一部分对应的安装空间的径向尺寸与第二部分对应的安装空间的径向尺寸不同。
也就是说,第一部分与第二部分之间沿径向方向存在一定的距离,能够容纳第一支撑件141的端部。这样,第一支撑件141连接内容器120与外容器110时,第一部分与第二部分之间能够容纳部分第一支撑件141,减小第一支撑件141沿径向方向的尺寸,相应的,能够减小安装空间的尺寸,进而减小整个低温保持器100的尺寸,以减小磁共振系统的整机尺寸。
同理,本发明在屏蔽层130上设置第三部分与第四部分。第三部分与第四部分沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸,且第三部分与磁体孔的轴线的距离相对第四部分与磁体孔的轴线的距离不同。如此,第三部分、第四部分在安装空间中径向方向的位置不同。
也就是说,第二支撑件142之间沿径向方向存在一定的距离,能够容纳第二支撑件142的端部。这样,第二支撑件142连接屏蔽层130与外容器110时,第二支撑件142之间能够容纳部分第二支撑件142,减小第二支撑件142沿径向方向的尺寸,相应的,能够减小安装空间的尺寸,进而减小整个低温保持器100的尺寸,以减小磁共振系统的整机尺寸。
需要指出的是,常规超导磁体(如1.5T场强)的外径通常只有2m左右,本实用新型的设计方案尤其适用于磁场强度在5T及以上的高场、超高场超导磁体,其外形尺寸外径至少为2.7m,为了满足现有医院的扫描间设计,高场、超高场的超导磁体对于外形尺寸的降低需求更迫切。本实用新型实施例设置的内容器120表面或者热屏蔽层130的表面所形成台阶型结构,利于形成悬挂支撑件的避让空间,从而利于降低磁共振系统的整机尺寸。
在一实施例中,所述第一部分和所述第二部分距离所述磁体孔的轴线的距离差异形成第一凹陷部;和/或,所述第三部分和所述第四部分距离所述磁体孔的轴线的距离差异形成第二凹陷部。
也就是说,第一部分与第二部分沿径向方向存在高度差,即为内容器120上设置第一凹陷部,第三部分与第四部分沿径向方向存在高度差,即在屏蔽层130上设置第二凹陷部。第一凹陷部凹陷于内容器120的外表面,并朝向内容器120的内侧凹陷设置,第二凹陷部凹陷于热屏蔽层130的外表面,并朝向内容器120所在的凹陷。这里的内侧是指内容器120的内部空间,远离热屏蔽层130的区域。第一凹陷部能够容纳部分第一支撑件141,第二凹陷部能够容纳部分第二支撑件142。这样,第一支撑件141与第二支撑件142沿径向方向的尺寸会减小,相应的,能够减小安装空间的尺寸,进而减小整个低温保持器100的尺寸,以减小磁共振系统的整机尺寸。
可选地,在内容器120上设置第一凹陷部,此时,第一支撑件141的一部分位于第一凹陷部中。也就是说,内容器120上具有直径尺寸缩小的区域,热屏蔽层130为直径尺寸一致的结构。此时,也能够减小内容器120与热屏蔽层130之间的安装空间。
可选地,在热屏蔽层130上设置第二凹陷部,此时,第二支撑件142的一部分位于第二凹陷部中。也就是说,热屏蔽层130上具有直径尺寸缩小的区域,内容器120为直径尺寸一致的结构。此时,也能够减小内容器120与热屏蔽层130之间的安装空间。
可选地,在内容器120上设置第一凹陷部,在热屏蔽层130上设置第二凹陷部,且第一凹陷部与第二凹陷部沿轴向方向上至少部分重合。第一凹陷部容纳部分第一支撑件141,第二凹陷部容纳部分第二支撑件142,这样能够减小第一支撑件141伸入内容器120的径向尺寸,减小第二支撑件142露出热屏蔽层130的径向尺寸,进而减小安装空间的尺寸,达到减小低温保持器100整体尺寸的目的。
值得说明的是,本实用新型中以内容器120具有第一凹陷部,热屏蔽层130具有第二凹陷部为例进行说明。当然,在本实用新型的其他实施方式中,也可只在内容器120上设置第一凹陷部,或者只在热屏蔽层130上设置第二凹陷部,此实施方式中第一凹陷部与第二凹陷部的结构和上述实施例中第一凹陷部与第二凹陷部中的结构实质相同,在此不一一赘述。
第一凹陷部在内容器120的位置与第二凹陷部在热屏蔽层130上的位置相对应。也就是说,第一凹陷部与第二凹陷部在轴向方向至少部分重合,这样,在缩小内容器120与外容器110之间的安装空间时,能够避免内容器120与热屏蔽层130之间发生干涉。当然,在本实用新型的其他实施方式中,第一凹陷部与第二凹陷部也可完全错开设置。
参见图1至图3,在一实施例中,外容器110包括第一内筒112、第一外筒111以及第一封板113,第一内筒112安装于第一外筒111中,第一封板113连接第一外筒111与内筒的端部并围设成容腔。可选地,外容器110采用金属或复合材料制成,进一步地,可采用碳钢或不锈钢制成。第一内筒112与第一外筒111沿径向方向由中心向外分别设置,第一内筒112与第一外筒111均为中空的圆柱形结构。第一封板113为环形,分别连接第一内筒112与第一外筒111的两端,以使第一内筒112、第一外筒111以及第一封板113之间围设成密闭的容腔,而且,第一内筒112围设成轴向延伸的通孔。
参见图1至图3,在一实施例中,在容腔内设置有内容器120,内容器120包括沿其径向方向由中心向内侧分别设置的第二内筒124和第二外筒123,第二内筒124和第二外筒123均为中空的圆柱形结构,在第二内筒124的两端分别设置有第二封板125,第二封板125为环形结构,第二封板125分别连接于第二内筒124和第二外筒123,以分别对其进行封堵。可选地,内容器120采用金属或复合材料制成,进一步地,可采用碳钢或不锈钢制成。
参见图1至图3,在一实施例中,在外容器110和内容器120之间设置有热热屏蔽层130,热热屏蔽层130包括沿其径向方向由中心向内侧分别设置的第三内筒134和第三外筒133,第三内筒134和第三外筒133均为中空的圆柱形结构,在第三内筒134的两端分别设置有第三封板135,第三封板135为环形结构,第三封板135分别连接于第三内筒134和第三外筒133,以分别对其进行封堵。具体地,第三内筒134位于第一内筒112和第二内筒124之间,第三外筒133位于第一外筒111和第二外筒123之间,第三封板135位于第一封板113和第一封板113之间。
参见图1至图3,在一实施例中,所述第一凹陷部包括第一凹陷区121和/或第三凹陷区122,所述第一凹陷区121设置于所述内容器120的中部区域,所述第三凹陷区122设置于所述内容器120的边缘。第一凹陷部包括至少一个凹陷的区域,为第一凹陷区121和/或第三凹陷区122,第一凹陷区121设置于内容器120外表面的中部区域,第三凹陷区122设置于内容器120外表面的边缘。第一凹陷区121凹陷于内容器120的外表面向内容器120的内侧凹陷,第三凹陷区122凹陷于内容器120的外表面向内容器120的内侧凹陷。第一凹陷区121能够容纳部分第一支撑件141,第三凹陷区122能够容纳部分第一支撑件141。
参见图1和图2,在本实用新型的一实施例中,内容器120的外表面的中部区域设置第一凹陷区121,此时,内容器120除第一凹陷区121的部分为第一部分,内容器120的第一部分为尺寸正常区,其尺寸为内容器120的正常外径尺寸。第一凹陷区121的外径小于内容器120尺寸正常区的外径。第一支撑件141与内容器120连接的一端设置在第一凹陷区121中,通过第一凹陷区121容纳部分第一支撑件141,以减小内容器120与外容器110之间的安装空间的尺寸。
参见图3,在本实用新型的另一实施例中,内容器120的外表面的边缘设置第三凹陷区122,此时,内容器120除第三凹陷区122的部分为第三部分,内容器120的第三部分为尺寸正常区,其尺寸为内容器120的正常外径尺寸。第三凹陷区122的外径小于内容器120尺寸正常区的外径。第一支撑件141与内容器120连接的一端设置在第三凹陷区122中,通过第三凹陷区122容纳部分第一支撑件141,以减小内容器120与外容器110之间的安装空间的尺寸。
当然,在本实用新型的其他实施方式中,内容器120的外表面上可以同时设置第一凹陷区121与第三凹陷区122,且第一凹陷区121与第三凹陷区122之间为内容器120的尺寸正常区,通过第一凹陷区121与第三凹陷区122容纳部分第一支撑件141。值得说明的是,本实用新型中分别以一实施例中具有第一凹陷区121以及另一实施例中具有第三凹陷区122为例进行说明,同一实施例中设置第一凹陷区121与第三凹陷区122的实施方式和两个实施例中分别设置第一凹陷区121与第三凹陷区122的原理实质相同,在此不一一赘述。
参见图1至图3,在一实施例中,所述第二凹陷部包括第二凹陷区131和/或第四凹陷区132,所述第二凹陷区131对应所述第一凹陷区121设置,所述第四凹陷区132对应所述第二凹陷区131设置。第二凹陷部包括至少一个凹陷的区域,为第二凹陷区131和/或第四凹陷区132,第二凹陷区131设置于热屏蔽层130外表面的中部区域,第四凹陷区132设置于热屏蔽层130外表面的边缘。第二凹陷区131凹陷于热屏蔽层130的外表面向内容器120所在的一侧凹陷,第四凹陷区132凹陷于热屏蔽层130的外表面向内容器120所在的一侧凹陷。第二凹陷区131能够容纳部分第二支撑件142,第四凹陷区132能够容纳部分第二支撑件142。
参见图1和图2,在本实用新型的一实施例中,热屏蔽层130的外表面的中部区域设置第二凹陷区131,此时,热屏蔽层130除第二凹陷区131的部分为第二部分,热屏蔽层130的第二部分为尺寸正常区,其尺寸为热屏蔽层130的正常外径尺寸。第二凹陷区131的外径小于热屏蔽层130尺寸正常区的外径。第二支撑件142与热屏蔽层130连接的一端设置在第二凹陷区131中,通过第二凹陷区131容纳部分第二支撑件142,以减小内容器120与外容器110之间的安装空间的尺寸。
参见图3,在本实用新型的另一实施例中,热屏蔽层130的外表面的边缘设置第四凹陷区132,此时,热屏蔽层130除第四凹陷区132的部分为第四部分,热屏蔽层130的第四部分为尺寸正常区,其尺寸为热屏蔽层130的正常外径尺寸。第四凹陷区132的外径小于热屏蔽层130尺寸正常区的外径。第二支撑件142与热屏蔽层130连接的一端设置在第四凹陷区132中,通过第四凹陷区132容纳部分第二支撑件142,以减小内容器120与外容器110之间的安装空间的尺寸。
当然,在本实用新型的其他实施方式中,热屏蔽层130的外表面上可以同时设置第二凹陷区131与第四凹陷区132,且第二凹陷区131与第四凹陷区132之间为热屏蔽层130的尺寸正常区,通过第二凹陷区131与第四凹陷区132容纳部分第二支撑件142。值得说明的是,本实用新型中分别以一实施例中具有第二凹陷区131以及另一实施例中具有第四凹陷区132为例进行说明,同一实施例中设置第二凹陷区131与第四凹陷区132的实施方式和两个实施例中分别设置第二凹陷区131与第四凹陷区132的原理实质相同,在此不一一赘述。
参见图1至图3,在一实施例中,所述第一凹陷区121包括第一过渡段1211与第一凹陷段1212,所述第一凹陷段1212凹陷于所述内容器120的表面设置,所述第一过渡段1211过渡连接所述第一凹陷段1212的两侧与所述内容器120的表面。可选地,所述第三凹陷区122的结构与所述第一凹陷区121的结构相同。
第一过渡段1211用于过渡连接内容器120外表面的第一部分与第一凹陷段1212。也就是说,第一过渡段1211能够过渡连接内容器120外表面的尺寸正常区与凹陷区域。如图2所示,第一过渡段1211沿竖直方向设置,第一凹陷段1212沿水平方向设置,竖直的第一过渡段1211连接内容器120外表面的尺寸正常区与第一凹陷段1212。
在第一凹陷段1212的两端分别设置一个第一过渡段1211,通过第一过渡段1211在两端连接第一凹陷段1212与内容器120外表面的尺寸正常区。此时,两个第一过渡段1211与第一凹陷段1212围设成第一容纳空间,该第一容纳空间用于容纳部分第一支撑件141,以减小内容器120与外容器110之间的尺寸。
值得说明的是,第三凹陷区122的结构与第一凹陷区121的结构实质相同,由于第三凹陷区122位于内容器120的边缘,此时,第三凹陷区122中第一过渡段1211的数量为一个,其第一凹陷段1212贯通内容器120的边缘,此时,通过第一凹陷段1212与第一过渡段1211围设成第一容纳空间。当然,在本实用新型的其他实施方式中,第三凹陷区122也可在内容器120的边缘并与边缘存在一定的间距,此时,第三凹陷区122包括两个第一过渡段1211。
参见图1至图3,在一实施例中,所述第二凹陷区131包括第二过渡段1311与第二凹陷段1312,所述第二凹陷段1312凹陷于所述内容器120的表面设置,所述第二过渡段1311过渡连接所述第一凹陷段1212的两侧与所述热屏蔽层130的表面。可选地,所述第四凹陷区132的结构与所述第二凹陷区131的结构相同。
第二过渡段1311用于过渡连接热屏蔽层130外表面的第二部分与第二凹陷段1312。也就是说,第二过渡段1311能够过渡连接热屏蔽层130外表面的尺寸正常区与凹陷区域。如图2所示,第二过渡段1311沿竖直方向设置,第二凹陷段1312沿水平方向设置,竖直的第二过渡段1311连接热屏蔽层130外表面的尺寸正常区与第二凹陷段1312。
在第二凹陷段1312的两端分别设置一个第二过渡段1311,通过第二过渡段1311在两端连接第二凹陷段1312与热屏蔽层130外表面的尺寸正常区。此时,两个第二过渡段1311与第二凹陷段1312围设成第二容纳空间,该第二容纳空间用于容纳部分第二支撑件142,以减小内容器120与外容器110之间的尺寸。
值得说明的是,第四凹陷区132的结构与第二凹陷区131的结构实质相同,由于第四凹陷区132位于热屏蔽层130的边缘,此时,第四凹陷区132中第二过渡段1311的数量为一个,其第二凹陷段1312贯通热屏蔽层130的边缘,此时,通过第二凹陷段1312与第二过渡段1311围设成第二容纳空间。当然,在本实用新型的其他实施方式中,第四凹陷区132也可在热屏蔽层130的边缘并与边缘存在一定的间距,此时,第四凹陷区132包括两个第二过渡段1311。
参见图1至图3,在一实施例中,所述第一凹陷区121的凹陷深度范围为20mm~100mm。这样能够使得第一凹陷区121容纳较长尺寸的第一支撑件141。相应的,第三凹陷区122的凹陷深度范围为20mm~100mm。
参见图1至图3,在一实施例中,所述第二凹陷区131的凹陷深度范围为20mm~100mm。这样能够使得第二凹陷区131容纳较长尺寸的第二支撑件142。相应的,第四凹陷区132的凹陷深度范围为20mm~100mm。
参见图1至图3,在一实施例中,所述支撑结构140还包括第一固定块143,所述第一固定块143设置于第一过渡段1211,所述第一支撑件141的一端连接所述第一凹陷区121,所述第一固定块143的高度小于、等于或略大于所述第一凹陷区121的凹陷深度。
第一固定块143用于实现第一支撑件141的固定安装。第一固定块143设置在第一支撑件141的两端,实现内容器120与外容器110的连接。具体的,其中一个第一固定块143设置在第一凹陷区121,另一第一固定块143设置在外容器110的内壁,第一支撑件141的一端可转动连接在第一凹陷区121的第一固定块143上,另一端可转动安装在外容器110的第一固定块143上。
第一固定块143设置在第一凹陷区121后,能够形成加强结构,加强内容器120的局部强度,进一步降低内容器120的材料厚度和尺寸。可选地,第一固定块143设置在第一过渡段1211上。当然,在本实用新型的其他实施方式中,第一固定块143也可设置在第一过渡段1211上。当然,在本实用新型的其他实施方式中,第一固定块143还可为其他能够安装第一支撑件141的安装座或其他结构。
参见图1至图3,在一实施例中,所述支撑结构140还包括第二固定块144,所述第二固定块144设置于所述第二过渡段1311,所述第二支撑件142的一端连接所述第二凹陷区131,所述第二固定块144的高度小于、等于或略大于所述第二凹陷区131的深度。
第二固定块144用于实现第二支撑件142的固定安装。第二固定块144设置在第二支撑件142的两端,实现热屏蔽层130与外容器110的连接。具体的,其中一个第二固定块144设置在第二凹陷区131,另一第二固定块144设置在外容器110的内壁,第二支撑件142的一端可转动连接在第二凹陷区131的第二固定块144上,另一端可转动安装在外容器110的第二固定块144上。
第二固定块144设置在第二凹陷区131后,能够形成加强结构,加强热屏蔽层130的局部强度,进一步降低热屏蔽层130的材料厚度和尺寸。可选地,第二固定块144设置在第二过渡段1311。当然,在本实用新型的其他实施方式中,第二固定块144也可设置在第二过渡段1311上。在本实用新型的其他实施方式中,第二固定块144还可为其他能够安装第一支撑件141的安装座或其他结构。
可选地,外容器110内壁的第一固定块143与第二固定块144可以重合设置。也就是说,采用同一个固定块连接第一支撑件141与第二支撑件142。当然,在本实用新型的其他实施方式中,外容器110内壁的第一固定块143与第二固定块144也可分开设置。
参见图1和图2,在本实用新型的一实施例中,第一凹陷部设置在内容器120的中部区域,且第一凹陷部包括第一凹陷区121,第二凹陷部设置在热屏蔽层130的中部区域,且第二凹陷部包括第二凹陷区131。内容器120的第二外筒123沿其轴线方向的中部设置有第一凹陷区121,第一凹陷区121的外径小于内容器120的第二外筒123的外径。如图2所示,第一固定块143位于第一过渡段1211,且第一固定块143的高度将不超过内容器120的第二外筒123,故内容器120与屏蔽筒的层间间隙可大大缩小。示例性地,内容器120与热屏蔽层130之间通常仅需设置为10mm,层间间隙可减小50mm。相应的,热屏蔽层130的第二固定块144设置于第二凹陷区131,可进一步减小热屏蔽层130与外容器110的层间间隙和低温保持器100整体尺寸。
本实用新型的低温保持器100相对常规磁体的设计,各层容器之间的层间间隙可减小100mm以上,低温保持器100的直径减小200mm,此时病床高度也降低100mm以上,对于5T全身成像超导磁体,病床高度可控制在1.2m以下,通常为1.1m。
参见图1和图3,在本实用新型的另一实施例中,所述第一凹陷区121设置于所述内容器120的边缘,所述第二凹陷区131设置于所述热屏蔽层130的边缘,所述第一支撑件141的一端连接所述外容器110的周侧或端部,所述第二支撑件142的一端连接所述外容器110的周侧或端部。
内容器120所设置的第三凹陷区122位于内容器120的第二外筒123的轴线方向的两端部,第一固定块143位于边缘的第一过渡段1211,第一固定块143的高度将不超过内容器120的第二外筒123,此时内容器120与热屏蔽层130层间距离同样可大大减小。热屏蔽层130所设置的第四凹陷区132位于热屏蔽层130的第三外筒133的轴线方向的两端部,第二固定块144位于边缘的第二过渡段1311,第二固定块144的高度将不超过热屏蔽层130的第三外筒133,此时热屏蔽层130与外容器110层间距离同样可大大减小。
可选地,热屏蔽层130与内容器120两端的凹陷区以及支撑结构140对称设置。可选地,外容器110上的第二固定块144与第一固定块143可以设置在外容器110的内壁,也可设置在外容器110的第一封板113。
参见图1至图3,本实用新型的低温保持器100能够采用上述的凹陷设置后,能够有效的减小内容器120与外容器110之间的距离,进而减小低温保持器100的整体尺寸,使得低温保持器100具有更小的外形、中心高度和安装尺寸。当该低温保持器100应用于5T全身扫描的磁共振系统,可以获得前述的较小容器层间间隙和较小的容器外形尺寸,同时控制病床高度不超过1.2m,此高度适用于常规磁共振设备的病床,对安装场地无特殊要求;同时阶梯型外线圈结构,可优化其5高斯逸散场范围不超过3.8x4.3m,大大节省安装场地的空间尺寸,具有一定的产品优势。
参见图1至图3,本实用新型还提供一种超导磁体结构,包括低温保持器100以及磁体组件200,所述磁体组件200设置于所述低温保持器100中,所述低温保持器100包括外容器110、内容器120、热屏蔽层130以及支撑结构140。所述外容器110具有中空的磁体孔。内容器120设置于所述外容器110中,并与所述外容器110围设成安装空间。热屏蔽层130设置于所述安装空间中;所述内容器120包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第一部分和第二部分,且所述第一部分距离所述磁体孔的轴线与所述第二部分距离所述磁体孔的轴线不同;或者,热屏蔽层130包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第三部分和第四部分,且所述第三部分距离所述磁体孔的轴线与所述第四部分距离所述磁体孔的轴线不同。
本实用新型的超导磁体结构采用的是上述实施例中低温保持器100,在此不一一赘述。该超导磁体结构采用上述的低温保持器100后,能够有效的降低超导磁体结构的尺寸,使得超导磁体结构具有更小的外形、中心高度和安装尺寸。当该超导磁体结构应用于5T全身扫描的磁共振系统,可以获得前述的较小容器层间间隙和较小的容器外形尺寸,同时控制病床高度不超过1.2m,此高度适用于常规磁共振设备的病床,对安装场地无特殊要求;同时阶梯型外线圈结构,可优化其5高斯逸散场范围不超过3.8×4.3m,大大节省安装场地的空间尺寸,具有一定的产品优势。
参见图1至图3,在一实施例中,所述磁体组件200包括主线圈和屏蔽线圈,屏蔽线圈设置在主线圈的外侧。屏蔽线圈的设计结构与内容器120表面的台阶型结构/阶梯结构相适应,屏蔽线圈包括第一磁体线圈210与第二磁体线圈220,所述第一磁体线圈210的外径大于所述第二磁体线圈220的外径,所述第一磁体线圈210、第二磁体线圈220分别设置于所述内容器120中,且所述第二磁体线圈220对应所述第一凹陷部设置。
在一实施例中,屏蔽线圈的第一磁体线圈210形成高线圈区,屏蔽线圈的第二磁体线圈220形成低线圈区。低线圈区的径向方向尺寸为高线圈区径向方向尺寸的20%~60%,以获得较好的屏蔽效果。高线圈区位于内容器120的端部,低线圈区临近内容器120的端部,位于中部区域。
在一实施例中,在容器轴线方向,屏蔽线圈的线圈区的宽度通常小于所在内容器120的宽度,且低线圈区的轴向宽度不小于高线圈区轴向宽度的50%。在5T高场超导中,屏蔽线圈的轴向长度通常超过500mm,其中:高线圈区高度通常超过50mm,低线圈区高度则通常低于25mm,即可形成深度为25mm以上的凹陷区域。这种设置可充分利用上述容器内凹形成的异形空间,同时,对于线圈电磁设计而言,高低线圈区的组合,给予了电磁逸散场的优化以更多的自由度,使得线圈设计更容易在FOV区域内获得较好的均匀度;另外,通过改变阶梯线圈尺寸或低线圈区的宽度,可大大缩小5高斯逸散场范围。
磁体组件200为超导磁体结构产生磁体的部件。由于内容器120的外表面设置第一凹陷部,该第一凹陷部会限制磁体组件200的尺寸。为此,本实用新型将磁体组件200设置成阶梯状结构,以适应内容器120的第一凹陷部与内容器120的尺寸正常区。
具体的,磁体组件200包括第一磁体线圈210与第二磁体线圈220,第一磁体线圈210与第二磁体线圈220沿轴向方向设置,且第一磁体线圈210的外径大于第二磁体线圈220的外景。第一磁体线圈210与第二磁体线圈220设置于内容器120后,第一磁体线圈210对应内容器120的尺寸正常区,第二磁体线圈220对应内容器120的第一凹陷部。
如图1和图2所示,在本实用新型的一实施例中,第一凹陷部位于内容器120的中部区域。此时,第一磁体线圈210位于左侧,对应内容器120的边缘的尺寸正常区,第二磁体线圈220位于第一磁体线圈210的右侧,对应第一凹陷区121。也就是说,第一磁体线圈210位于内容器120的尺寸正常区附近,第二磁体线圈220位于内容器120的第一凹陷区121附近。
在内容器120轴向方向,第一磁体线圈210与第二磁体线圈220的轴向宽度和小于内容器120的轴向程度,第二磁体线圈220的轴向宽度大于第一磁体线圈210的轴向宽度。这种设置可充分利用内容器120内凹形成的异形空间,同时,对于线圈电磁设计而言,第一磁体线圈210与第二磁体线圈220的高低线圈的组合,给予了电磁逸散场的优化以更多的自由度,通过改变阶梯状的第一磁体线圈210与第二磁体线圈220的尺寸或第二磁体线圈220的宽度,可大大缩小5高斯逸散场范围。特别地,对于用于全身成像的5T高场磁体,5高斯逸散场范围可缩小至3.8x4.3m的范围以下。
如图3所示,在本实用新型的另一实施例中,第二凹陷部位于内容器120的边缘。此时,第一磁体线圈210位于右侧,对应内容器120的中部区域的尺寸正常区,第二磁体线圈220位于第一磁体线圈210的左侧,对应第二凹陷区131。也就是说,第一磁体线圈210位于内容器120的尺寸正常区附近,第二磁体线圈220位于内容器120的第一凹陷区121附近。
本实用新型还提供一种磁共振系统,包括超导磁体结构以及制冷机,所述制冷机设置于所述超导磁体结构,用于冷却所述超导磁体结构的励磁线圈;所述超导磁体结构包括低温保持器100以及磁体组件200,所述磁体组件200设置于所述低温保持器100中。所述低温保持器100包括外容器110、内容器120、热屏蔽层130以及支撑结构140。所述外容器110具有中空的磁体孔。内容器120设置于所述外容器110中,并与所述外容器110围设成安装空间。热屏蔽层130设置于所述安装空间中;所述内容器120包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第一部分和第二部分,且所述第一部分距离所述磁体孔的轴线与所述第二部分距离所述磁体孔的轴线不同;或者,热屏蔽层130包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第三部分和第四部分,且所述第三部分距离所述磁体孔的轴线与所述第四部分距离所述磁体孔的轴线不同。支撑结构140包括第一支撑件141与第二支撑件142,所述第一支撑件141的一端设置于所述第一凹陷部,另一端连接所述外容器110,所述第二支撑件142的一端设置于所述第二凹陷部,另一端连接所述外容器110。
本实用新型的磁共振系统采用上述实施例的超导磁体结构后,能够有效的降低磁共振系统的外形尺寸,使得磁共振系统具有更小的外形、中心高度和安装尺寸。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种低温保持器(100),其特征在于,包括:
外容器(110),所述外容器(110)具有中空的磁体孔;
内容器(120),设置于所述外容器(110)中,并与所述外容器(110)围设成安装空间;以及
热屏蔽层(130),设置于所述安装空间中;
所述内容器(120)包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第一部分和第二部分,且所述第一部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第二部分与所述磁体孔的轴线的距离不同;或者,热屏蔽层(130)包括沿平行于所述磁体孔的轴线方向延伸的第三部分和第四部分,且所述第三部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第四部分与所述磁体孔的轴线的距离不同。
2.根据权利要求1所述的低温保持器(100),其特征在于,所述第一部分和所述第二部分距离所述磁体孔的轴线的距离差异形成第一凹陷部;
和/或,所述第三部分和所述第四部分距离所述磁体孔的轴线的距离差异形成第二凹陷部。
3.根据权利要求2所述的低温保持器(100),其特征在于,所述第一凹陷部包括第一凹陷区(121)和/或第三凹陷区(122),所述第一凹陷区(121)设置于所述内容器(120)的中部区域,所述第三凹陷区(122)设置于所述内容器(120)的边缘;
所述第二凹陷部包括第二凹陷区(131)和/或第四凹陷区(132),所述第二凹陷区(131)对应所述第一凹陷区(121)设置,所述第四凹陷区(132)对应所述第二凹陷区(131)设置。
4.根据权利要求3所述的低温保持器(100),其特征在于,所述第一凹陷区(121)包括第一过渡段(1211)与第一凹陷段(1212),所述第一凹陷段(1212)凹陷于所述内容器(120)的表面设置,所述第一过渡段(1211)过渡连接所述第一凹陷段(1212)的两侧与所述内容器(120)的表面;
所述第二凹陷区(131)包括第二过渡段(1311)与第二凹陷段(1312),所述第二凹陷段(1312)凹陷于所述内容器(120)的表面设置,所述第二过渡段(1311)过渡连接所述第一凹陷段(1212)的两侧与所述热屏蔽层(130)的表面。
5.根据权利要求4所述的低温保持器(100),其特征在于,所述低温保持器(100)还包括:
支撑结构(140),包括第一支撑件(141)与第二支撑件(142),所述第一支撑件(141)的一端设置于所述第一凹陷部,另一端连接所述外容器(110),所述第二支撑件(142)的一端设置于所述第二凹陷部,另一端连接所述外容器(110)。
6.根据权利要求5所述的低温保持器(100),其特征在于,所述支撑结构(140)还包括第一固定块(143),所述第一固定块(143)设置于第一凹陷区(121),所述第一支撑件(141)的一端连接所述第一固定块(143);
所述支撑结构(140)还包括第二固定块(144),所述第二固定块(144)设置于所述第二过渡段(1311),所述第二支撑件(142)的一端连接所述第二凹陷区(131)。
7.根据权利要求5所述的低温保持器(100),其特征在于,所述第一凹陷区(121)设置于所述内容器(120)的边缘,所述第二凹陷区(131)设置于所述热屏蔽层(130)的边缘,所述第一支撑件(141)的一端连接所述外容器(110)的周侧或端部,所述第二支撑件(142)的一端连接所述外容器(110)的周侧或端部。
8.一种超导磁体结构,其特征在于,包括低温保持器(100)以及磁体组件(200),所述磁体组件(200)设置于所述低温保持器(100)中,所述低温保持器(100)包括:
外容器(110),所述外容器(110)具有中空的磁体孔;
内容器(120),设置于所述外容器(110)中,并与所述外容器(110)围设成安装空间;
热屏蔽层(130),设置于所述安装空间中;
所述内容器(120)包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成所述内容器(120)的端部,所述第二部分与所述第一部分相邻设置,且所述第一部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第二部分与所述磁体孔的轴线的距离不同;或者,热屏蔽层(130)包括第三部分和第四部分,所述第三部分形成所述热屏蔽层(130)的端部,所述第四部分与所述第三部分相邻设置,且所述第三部分与所述磁体孔的轴线的距离相对所述第四部分与所述磁体孔的轴线的距离不同。
9.根据权利要求8所述的超导磁体结构,其特征在于,所述磁体组件(200)包括第一磁体线圈(210)与第二磁体线圈(220),所述第一磁体线圈(210)的外径大于所述第二磁体线圈(220)的外径,且所述第一磁体线圈(210)位于所述内容器(120)的端部。
10.一种磁共振系统,其特征在于,包括超导磁体结构以及制冷机,所述制冷机设置于所述超导磁体结构,用于冷却所述超导磁体结构的励磁线圈;所述超导磁体结构包括低温保持器(100)以及磁体组件(200),所述磁体组件(200)设置于所述低温保持器(100)中,所述低温保持器(100)包括:
外容器(110),所述外容器(110)具有中空的磁体孔;
内容器(120),设置于所述外容器(110)中,并与所述外容器(110)围设成安装空间;
热屏蔽层(130),设置于所述安装空间中;
所述内容器(120)包括相邻设置的第一部分和第二部分,且所述第一部分对应的安装空间的径向尺寸与所述第二部分对应的安装空间的径向尺寸不同;或者,热屏蔽层(130)包括相邻设置的第三部分和第四部分,且所述第三部分、第四部分在所述安装空间中径向方向的位置不同。
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