CN217009126U - 一种硅晶片自动测量接触角机构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种硅晶片自动测量接触角机构,涉及硅晶片生产加工技术领域,包括固定架,所述固定架的内侧开设有加工槽,且固定架的底部固定安装有均匀分布的支撑底座。该硅晶片自动测量接触角机构,通过伺服电机和电动伸缩柱以及整平盘的配合使用,使得该机构能够将待加工的硅晶片放置于下方的整平盘上,之后启动伺服电机和电动伸缩柱,整平盘在电动伸缩柱驱动轴的作用下相互靠近,并将硅晶片包裹,同时下方的整平盘将硅晶片吸附固定,上方伺服电机的输出轴带动电动伸缩柱和整平盘旋转并对硅晶片的上表面和外圈进行打磨,之后上方的整平盘将硅晶片吸附固定,下方的整平盘旋转并完成整平工作。
Description
技术领域
本实用新型硅晶片生产加工技术领域,具体为一种硅晶片自动测量接触角机构。
背景技术
高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶片,硅晶片生产线以8英寸和12英寸为主,硅晶片的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片硅晶片,随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得硅晶片加工出现了新的数据特点。
硅晶片在生产加工的过程中往往需要对其触角进行测量,检测其是否符合要求,而检测工作进行前,往往需要先通过整平机构将硅晶片的表面整平,但是常见的整平机构在使用时仍然存在一定的不足,一般情况下需要先对硅晶片的外圈进行打磨,之后再对硅晶片的上下面进行整平,装置的工作效率仍然存在较大的提升空间,为此,我们设计了一种硅晶片自动测量接触角机构来解决上述问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种硅晶片自动测量接触角机构,解决了上述背景技术中提出的问题。
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种硅晶片自动测量接触角机构,包括固定架,所述固定架的内侧开设有加工槽,且固定架的底部固定安装有均匀分布的支撑底座,所述固定架的内部活动套装有均匀分布的电动伸缩柱,且固定架的上下两侧固定套装有伺服电机,所述伺服电机的输出轴延伸至固定架的内部并与电动伸缩柱固定连接,所述电动伸缩柱的输出轴延伸至加工槽的内侧并固定套装有整平盘,所述整平盘的内部开设有与硅晶片相匹配的加工槽,且整平盘的内部设置有与硅晶片外圈相匹配的斜面。
进一步的,所述整平盘的外部活动套装有负压环,且整平盘的内部开设有均匀分布的吸附孔。
进一步的,所述整平盘的内部开设有与负压环相匹配的负压腔,所述负压环的外部开设有与负压腔相连通的连通孔。
进一步的,所述固定架的顶部固定安装有位于伺服电机后方的负压风机,所述负压风机与负压环之间固定连接有连通管。
进一步的,所述固定架的顶部固定安装有与负压风机相对应的卷绕装置,所述连通管盘绕于卷绕装置的内部。
进一步的,所述伺服电机与电动伸缩柱之间一一对应,所述固定架的背面固定安装有与伺服电机相对应的散热板,两个所述电动伸缩柱驱动轴的长度值之和大于加工槽的高度值。
本实用新型提供了一种硅晶片自动测量接触角机构,具备以下有益效果:
1、该硅晶片自动测量接触角机构,通过伺服电机和电动伸缩柱以及整平盘的配合使用,使得该机构能够将待加工的硅晶片放置于下方的整平盘上,之后启动伺服电机和电动伸缩柱,整平盘在电动伸缩柱驱动轴的作用下相互靠近,并将硅晶片包裹,同时下方的整平盘将硅晶片吸附固定,上方伺服电机的输出轴带动电动伸缩柱和整平盘旋转并对硅晶片的上表面和外圈进行打磨,之后上方的整平盘将硅晶片吸附固定,下方的整平盘旋转并完成整平工作,提升了该机构的整平效率。
2、该硅晶片自动测量接触角机构,通过负压风机和连通管以及负压环的配合使用,使得该机构在对硅晶片进行加工的过程中,上方的负压风机先启动并通过连通管改变负压环内部的负压,从而使得硅晶片的上表面被吸附孔吸附,便于对硅晶片的下表面和外圈进行整平加工,之后下方的负压风机再启动,重复上述动作,将硅晶片的下表面吸附固定,便于对硅晶片的上表面进行整平加工,从而保证硅晶片在加工过程中的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型背面的结构示意图;
图3为本实用新型伺服电机和电动伸缩柱外部的结构示意图;
图4为本实用新型整平盘内部的结构示意图。
图中:1、固定架;2、加工槽;3、伺服电机;4、负压风机;5、卷绕装置;6、连通管;7、电动伸缩柱;8、整平盘;9、支撑底座;10、散热板;11、负压环;12、负压腔;13、吸附孔;14、连通孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
请参阅图1至图3,本实用新型提供一种技术方案:一种硅晶片自动测量接触角机构,包括固定架1,固定架1的内侧开设有加工槽2,且固定架1的底部固定安装有均匀分布的支撑底座9,固定架1的内部活动套装有均匀分布的电动伸缩柱7,且固定架1的上下两侧固定套装有伺服电机3,伺服电机3的输出轴延伸至固定架1的内部并与电动伸缩柱7固定连接,伺服电机3与电动伸缩柱7之间一一对应,伺服电机3启动后能够通过其输出轴带动电动伸缩柱7和整平盘8快速旋转,继而使得整平盘8对硅晶片的外表面进行摩擦,从而实现硅晶片的整平,固定架1的背面固定安装有与伺服电机3相对应的散热板10,伺服电机3工作时会产生热量,为了保证伺服电机3的工作效率,所以设置了散热板10来辅助伺服电机3的散热,两个电动伸缩柱7驱动轴的长度值之和大于加工槽2的高度值,为了保证上方和下方对应的两个整平盘8在工作时能够将硅晶片包裹稳定,所以两个电动伸缩柱7驱动轴的长度值之和需要大于加工槽2的高度值,电动伸缩柱7的输出轴延伸至加工槽2的内侧并固定套装有整平盘8,整平盘8的内部开设有与硅晶片相匹配的加工槽,且整平盘8的内部设置有与硅晶片外圈相匹配的斜面。
请参阅图3至图4,整平盘8的外部活动套装有负压环11,且整平盘8的内部开设有均匀分布的吸附孔13,负压环11能够通过吸附孔13将位于整平盘8内部的硅晶片进行吸附固定,从而便于对硅晶片的另一面进行整平加工,整平盘8的内部开设有与负压环11相匹配的负压腔12,负压环11与整平盘8之间为活动连接,因此整平盘8旋转时负压环11难以跟随整平盘8旋转,负压环11的外部开设有与负压腔12相连通的连通孔14,负压环11在通过负压风机4改变负压后能够通过连通孔14改变负压腔12内部的负压,继而通过负压腔12和吸附孔13将硅晶片的表面吸附固定,固定架1的顶部固定安装有位于伺服电机3后方的负压风机4,负压风机4与负压环11之间固定连接有连通管6,负压风机4能够通过连通管6改变负压环11内部的负压,继而通过负压环11、负压腔12、连通孔14、吸附孔13将硅晶片吸附固定,便于后续整平工作的进行,固定架1的顶部固定安装有与负压风机4相对应的卷绕装置5,虽然整平盘8与负压环11之间为活动连接关系,但整平盘8和负压环11之间存在摩擦,负压环11难免跟随整平盘8偏转,连通管6盘绕于卷绕装置5的内部,为了限制负压环11的位置,所以在设置卷绕装置5来盘绕连通管6,保持连通管6的紧绷状态,使得连通管6既能够跟随整平盘8和电动伸缩柱7的位置进行伸缩,又能够防止负压环11偏转。
综上,该硅晶片自动测量接触角机构,使用时,将待加工的硅晶片放置于下方的整平盘8上,启动伺服电机3和电动伸缩柱7,整平盘8在电动伸缩柱7驱动轴的作用下相互靠近,并将硅晶片包裹,启动上方的负压风机4,负压风机4通过连通管6改变上方负压环11内部的负压,负压环11通过连通孔14带动负压腔12内部的负压改变,继而使得硅晶片的上表面被吸附孔13吸附,同时下方的伺服电机3启动,伺服电机3的输出轴带动下方的电动伸缩柱7和整平盘8旋转并对硅晶片的下表面和外圈进行打磨,之后下方的负压风机4启动,重复上述动作,将硅晶片的下表面吸附固定,对硅晶片的上表面进行整平加工,完成整个机构的工作过程,即可。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制;术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性,此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种硅晶片自动测量接触角机构,包括固定架(1),其特征在于:所述固定架(1)的内侧开设有加工槽(2),且固定架(1)的底部固定安装有均匀分布的支撑底座(9),所述固定架(1)的内部活动套装有均匀分布的电动伸缩柱(7),且固定架(1)的上下两侧固定套装有伺服电机(3),所述伺服电机(3)的输出轴延伸至固定架(1)的内部并与电动伸缩柱(7)固定连接,所述电动伸缩柱(7)的输出轴延伸至加工槽(2)的内侧并固定套装有整平盘(8),所述整平盘(8)的内部开设有与硅晶片相匹配的加工槽,且整平盘(8)的内部设置有与硅晶片外圈相匹配的斜面。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶片自动测量接触角机构,其特征在于:所述整平盘(8)的外部活动套装有负压环(11),且整平盘(8)的内部开设有均匀分布的吸附孔(13)。
3.根据权利要求2所述的一种硅晶片自动测量接触角机构,其特征在于:所述整平盘(8)的内部开设有与负压环(11)相匹配的负压腔(12),所述负压环(11)的外部开设有与负压腔(12)相连通的连通孔(14)。
4.根据权利要求2所述的一种硅晶片自动测量接触角机构,其特征在于:所述固定架(1)的顶部固定安装有位于伺服电机(3)后方的负压风机(4),所述负压风机(4)与负压环(11)之间固定连接有连通管(6)。
5.根据权利要求4所述的一种硅晶片自动测量接触角机构,其特征在于:所述固定架(1)的顶部固定安装有与负压风机(4)相对应的卷绕装置(5),所述连通管(6)盘绕于卷绕装置(5)的内部。
6.根据权利要求1所述的一种硅晶片自动测量接触角机构,其特征在于:所述伺服电机(3)与电动伸缩柱(7)之间一一对应,所述固定架(1)的背面固定安装有与伺服电机(3)相对应的散热板(10),两个所述电动伸缩柱(7)驱动轴的长度值之和大于加工槽(2)的高度值。
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