CN216959666U - 高密度电源 - Google Patents

Abstract

本实用新型提出一种体积小的高密度电源，其包括壳体、风扇、PFC模块、DC/DC模块、EMI模块和主板。壳体具有并排设置的第一风道和第二风道；风扇设置于壳体内侧或者壳体外侧；PFC模块和DC/DC模块设置于第一风道；DC/DC模块包括至少一个DC/DC转换电路，每个DC/DC转换电路包括多个功率器件、变压器磁芯和变压器绕组，变压器磁芯和变压器绕组设置在第一PCB上，其中变压器磁芯和变压器绕组共同构成变压器；EMI模块横跨于第一风道和第二风道之上；主板设置于壳体内，其中PFC模块、至少一个DC/DC转换电路和EMI模块分别与主板电性连接。

Description

高密度电源

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种高密度电源。

背景技术

随着科技的发展，作为信息基础设施的数据中心承担的计算量越来越大，应用于数据中心的开关电源的功率密度也不断提高，然而对电源外观尺寸的要求逐渐走向标准化，例如通用冗余电源(CRPS,Common Redundant Power Supply)标准规定了两种尺寸的电源，分别为185mm*73.5mm*40mm和265mm*73.5mm*40mm。

以185mm长度的CRPS电源为例，2400W交流输入电源内部的器件摆放非常密集，若将电源功率提高到3KW，电源内部的器件摆放更加困难，通常不得不增大电源的体积，然而增大体积则难以达到标准规定的尺寸要求。

发明内容

本实用新型的目的在于提出一种体积小从而能达到标准规定的尺寸要求的高密度电源。

根据本实用新型的一个方面，一种高密度电源，包括壳体、风扇、PFC模块、DC/DC模块、EMI模块和主板。壳体具有并排设置的第一风道和第二风道；风扇设置于所述壳体内侧或者壳体外侧；PFC模块和DC/DC模块设置于所述第一风道；所述DC/DC模块包括至少一个DC/DC转换电路，每个所述DC/DC转换电路包括多个功率器件、变压器磁芯和变压器绕组，所述变压器磁芯和所述变压器绕组设置在第一PCB上，其中所述变压器磁芯和所述变压器绕组共同构成变压器；所述EMI模块横跨于所述第一风道和所述第二风道之上；主板设置于所述壳体内，其中所述PFC模块、所述至少一个DC/DC转换电路和所述EMI模块分别与所述主板电性连接。

根据本实用新型的一实施方式，所述DC/DC转换电路为LLC谐振电路。

根据本实用新型的一实施方式，所述第一PCB具有相对的顶侧和底侧以及相对的左侧和右侧，所述变压器磁芯由所述第一PCB的右侧向左侧延伸，并由顶侧向底侧延伸，所述多个功率器件的一部分邻近所述第一PCB底侧。

根据本实用新型的一实施方式，所述多个功率器件相对于所述第一PCB的高度不高于所述变压器磁芯相对于所述第一PCB的高度。

根据本实用新型的一实施方式，每个所述LLC谐振电路还包括设置在第一PCB上的电感磁芯和电感绕组；所述电感磁芯与所述电感绕组共同形成谐振电感。

根据本实用新型的一实施方式，所述电感磁芯与所述变压器磁芯并排设置，且所述电感磁芯位于所述变压器磁芯的左侧。

根据本实用新型的一实施方式，所述电感磁芯与所述变压器磁芯集成为一体结构。

根据本实用新型的一实施方式，所述DC/DC转换电路中的多个功率器件分别用于形成副边电路和原边电路。

根据本实用新型的一实施方式，用于形成副边电路的功率器件设置于所述第一PCB上，并位于所述变压器磁芯下方，用于形成原边电路的功率器件设置于所述第一PCB上，并位于所述变压器磁芯的左侧。

根据本实用新型的一实施方式，用于形成副边电路的功率器件设置于所述第一PCB上，并位于所述变压器磁芯下方，用于形成原边电路的功率器件设置于所述主板。

根据本实用新型的一实施方式，还包括第二PCB；所述第二PCB设置于所述主板且位于所述第一PCB的一侧，其中所述第二PCB垂直于所述主板。

根据本实用新型的一实施方式，所述PFC模块包括PFC电感，所述PFC电感设置与所述DC/DC模块的前方，且所述PFC电感与所述主板电性连接。

根据本实用新型的一实施方式，所述多个功率器件的一部分设置在所述第二PCB上，用于形成原边电路，所述多个功率器件的另一部分设置于所述第一PCB上，用于形成副边电路。

根据本实用新型的一实施方式，所述EMI模块包括第一共模电感、第一电容、第二电容和第二共模电感，其中所述第一共模电感和所述第一电容位于所述第一风道，并位于所述PFC模块的前方，所述第二共模电感和所述第二电容位于所述第二风道。

根据本实用新型的一实施方式，还包括母线电容，所述母线电容设置于所述第二风道，并位于所述第二共模电感的后方。

根据本实用新型的一实施方式，所述母线电容平行于所述主板。

根据本实用新型的一实施方式，还包括辅助供电单元，所述辅助供电单元设置于位于所述母线电容的后方。

根据本实用新型的一实施方式，所述辅助供电单元与所述第一PCB平行设置。

根据本实用新型的一实施方式，还包括与所述主板电性连接的控制板，用以控制所述DC/DC模块，所述控制板位于所述母线电容的后方，并与所述辅助供电单元平行设置。

根据本实用新型的一实施方式，还包括输出电容，所述输出电容设置于所述第二PCB的后方。

根据本实用新型的一实施方式，所述的高密度电源的尺寸为185mm*73.5mm*40mm、185mm*73.5mm*39mm或265mm*73.5mm*40mm。

本实用新型至少具有如下优点或有益效果：本实用新型高密度电源，通过使用集成了诸如LLC谐振电路的DC/DC模块，使得电源内部结构模块化，同时优化各模块和器件的摆放位置，节约了电源内部空间，有利于产品小型化，从而在达到标准规定的外观尺寸要求的前提下，有利于提升电源的功率密度。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本实用新型的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本实用新型高密度电源一实施方式的立体结构示意图；

图2是本实用新型高密度电源中各模块排列方式示意图；

图3是本实用新型高密度电源的内部结构示意图；

图4是图2所示的高密度电源中第一风道内的主要器件排布示意图；

图5是本实用新型高密度电源中的一种DC/DC模块的结构示意图；

图6是本实用新型高密度电源中的另一种DC/DC模块的结构示意图；

图7是本实用新型高密度电源中的再一种DC/DC模块的结构示意图；

图8是本实用新型高密度电源中的另一种DC/DC模块的结构示意图；

图9是本实用新型高密度电源中的再一种DC/DC模块的结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

参见图1，图1示出了本实用新型的高密度电源的一示意性实施方式的外观结构。在该实施例中，本实用新型提出的高密度电源的长L、宽W、高H分别为185mm、73.5mm、40mm，符合CRPS标准规定的185mm*73.5mm*40mm外观尺寸。当然，在其他一些实施方式中，高密度电源的外观尺寸也可以是其他尺寸，例如265mm*73.5mm*40mm、185mm*73.5mm*39mm。

参见图1、图2和图3。图2是本实用新型高密度电源中各模块排列方式示意图；图3是本实用新型高密度电源的内部结构示意图。本实用新型高密度电源包括壳体1、风扇2、PFC模块3、DC/DC模块4、EMI模块6、母线电容7和主板100等。主板100设置在壳体1内，PFC模块3、DC/DC模块4、EMI模块6和母线电容7设置于主板100上。其中PFC模块3、DC/DC模块4、EMI模块6和母线电容7均与主板100电性连接。本实用新型高密度电源还包括输入连接器5，输入连接器5设置在壳体1内侧并与所述主板100电性连接。

如图1所示，风扇2安装于壳体1的外侧，即暴露于壳体1之外，在其他一些实施方式中，风扇2也可以安装于壳体1的内侧，即风扇2被壳体1包覆其内或者部分包覆其内，其中输入连接器5与风扇2并排设置，且均位于EMI模块6的前方。在一些实施方式中，风扇2与主板100电性连接。

如图2和图3所示，壳体1内的空间定义为并排设置的第一风道11和第二风道12。EMI模块6横跨于第一风道11和第二风道12之上，对噪声耦合到电源线有屏蔽作用，而且有助于充分利用EMI模块6后方的长度空间，提高电源功率密度。详细来说，EMI模块6包括第一共模电感61、第一电容62、第二共模电感63和第二电容60，其中第一共模电感61和第一电容62位于第一风道11内，并位于PFC模块3的前方，具体地，第一共模电感61和第一电容62可以位于PFC模块3的前方；第二共模电感63和第二电容60位于第二风道12。

PFC模块3包括PFC电感31，PFC电感31设置于主板100上，并与主板100电性连接。PFC电感31位于DC/DC模块4的前方。主板100上设有第二PCB 32，第二PCB 32位于PFC电感31以及DC/DC模块4的一侧。PFC模块3还可以包括设置在第二PCB(Printed Circuit Board)32上的PFC功率器件35。PFC电感31和PFC功率器件35均与主板100电性耦接。

在其他实施方式中，PFC功率器件35可以设置在第二PCB 32之外的其他PCB上。

风扇2位于第一风道11的最前方，即位于EMI模块6中的第一共模电感61和第一电容62的前方，PFC电感31位于第一共模电感61和第一电容62的后方，DC/DC模块4位于PFC电感31的后方。

在一实施方式中，位于风扇2后方的第一共模电感61和第一电容62的高度可以小于DC/DC模块4的高度，风扇2吹出的风除了可以从各个器件之间的间隙直接吹到后方的DC/DC模块4之外，还可以从第一共模电感61和第一电容62上方的空间直接吹向DC/DC模块4，从而进一步提升散热效率。当然，本实用新型并不作特别限定，在另外一些实施方式中，第一共模电感61和第一电容62的高度可以与DC/DC模块4的高度大致相当。

在一些实施方式中，在EMI模块6的第二共模电感63的前方可以设置输入连接器5。为配合电源输出功率的提高，母线电容7一般采用大容量的Bulk电容。母线电容7平行于主板100设置且位于EMI模块6的后方，且与主板100电性连接。在第二PCB 32的后方可以设置输出电容71，该输出电容71与主板100电连接。

参见图4，图4为图2所示的高密度电源中第一风道内的主要器件排列示意图。结合图2和图4，本实施方式中的DC/DC模块4包括至少一个DC/DC转换电路。在该实施例中，DC/DC转换电路为LLC谐振电路40，如图4所示的实施方式示出了2个LLC谐振电路40，在其他一些实施方式中，LLC谐振电路40的数量也可以仅为一个或者3个、4个等等，具体可视电源的功率密度等因素确定。本领域的技术人员应当理解，在其他实施例中，DC/DC转换电路40还可采用LLC谐振电路之外的其他电路结构。

LLC谐振电路40包括多个功率器件、变压器磁芯45和变压器绕组(图中未示出)。变压器磁芯45和变压器绕组设置在第一PCB 41上。第一PCB41垂直设置于主板100。其中变压器绕组设置在第一PCB 41上，例如变压器绕组和第一PCB 41一体成型。其中功率器件例如可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor,MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)或氮化镓(GaN)，等等。设置在第一PCB 41上的功率器件以及其他器件例如陶瓷电容等均可以采用表贴型(Surface mounted device，SMD)元件；设置在第二PCB 32的多个功率器件43均可以采用SMD元件。变压器磁芯45和变压器绕组共同构成变压器，例如平面变压器；设置在第一PCB 41上的功率器件及第一PCB 41中的布线(trace)共同形成副边电路，设置在第二PCB 32上的功率器件43及第二PCB 32中的布线共同形成原边电路。

第一PCB 41可以呈矩形，具有相对的顶侧和底侧以及相对的左侧和右侧，变压器磁芯45由第一PCB 41的右侧向左侧延伸，并由顶侧向底侧延伸，功率器件可以邻近第一PCB41上底侧，即功率器件可以位于变压器磁芯45的下方。功率器件相对于第一PCB 41的高度不高于变压器磁芯45相对于第一PCB 41的高度，可以使更多的风导向变压器磁芯45下方，使第一PCB 41下方的风道得到优化，利于提升变压器磁芯45下方的功率器件的散热效果。

参见图4，在一实施方式中，LLC谐振电路40还包括设置在第一PCB 41上的电感磁芯44和电感绕组(图中未示出)，电感磁芯44与电感绕组共同形成谐振电感。其中，电感绕组可以设置在第一PCB 41上，例如电感绕组与第一PCB 41一体成型。电感磁芯44与变压器磁芯45可以并排设置，且电感磁芯44位于变压器磁芯45的左侧。功率器件可以位于电感磁芯44以及变压器磁芯45的下方。

在一些实施方式中，电感磁芯44和变压器磁芯45是两个独立的磁芯。在其他一些实施方式中，电感磁芯44和变压器磁芯45是集成在一起的磁集成结构。

在一些实施方式中，当DC/DC模块4包括多个LLC谐振电路40时，多个LLC谐振电路40的多个电感磁芯44为集成磁芯或者分立磁芯，多个LLC谐振电路40的多个变压器磁芯45为集成磁芯或多个独立的磁芯。在其他一些实施方式中，当DC/DC模块4包括多个LLC谐振电路40时，多个LLC谐振电路40的多个电感磁芯44以及多个变压器磁芯45为集成磁芯。

因此，本实施方式中，第一PCB 41上集成了谐振电感、变压器以及功率器件于一体，并且，谐振电感的绕组和变压器的绕组均形成于第一PCB 41，从而在确保功率密度的情况下，可大幅度减小电源的体积从而减小电源的外观尺寸。在一些实施方式中，电感磁芯44和变压器磁芯45为集成磁芯。在其他一些实施方式中，电感磁芯44和变压器磁芯45为相互独立的磁芯。

在其他一些实施方式中，第一PCB 41上可以仅集成变压器及功率器件于一体。

参见图5，图5示出本实用新型高密度电源中一种DC/DC模块的结构示意图。如图5所示的实施方式示出了1个LLC谐振电路40。该LLC谐振电路40包括多个功率器件、变压器磁芯45、变压器绕组(图中未示出)、电感磁芯44和电感绕组(图中未示出)。功率器件42设置于第一PCB 41上，功率器件43设置于第二PCB 32上，变压器磁芯45和变压器绕组设置在第一PCB 41上。变压器磁芯45和变压器绕组共同构成变压器，例如平面变压器；电感磁芯44与电感绕组共同形成谐振电感。

图5所示的DC/DC模块的其他结构与图4所示基本相同，这里不再赘述。

参见图6，图6示出本实用新型高密度电源中又一种DC/DC模块的结构示意图。如图6所示的实施方式示出了2个LLC谐振电路40。每个LLC谐振电路40包括变压器磁芯45、变压器绕组(图中未示出)、电感磁芯44、电感绕组(图中未示出)、多个功率器件42和43。变压器磁芯45和变压器绕组设置在第一PCB 41上。变压器磁芯45和变压器绕组共同构成变压器，例如平面变压器；电感磁芯44与电感绕组共同形成谐振电感。

如图6所示，两个LLC谐振电路40中的两个第一PCB 41并排设置，使两个第一PCB41两侧区域的风道通畅，能够保证电源获得足够的散热风流，增强散热性能。

图6所示的DC/DC模块与图4所示的不同之处在于，该LLC谐振电路40中的所有的功率器件均设置于第一PCB 41。其中，功率器件42设置于变压器磁芯45的下方，与第一PCB 41中的布线共同形成副边电路；功率器件43设置于电感磁芯44的左侧，与第一PCB 41中的布线共同形成原边电路。

参见图7，图7示出本实用新型高密度电源中再一种DC/DC模块的结构示意图。如图7所示的实施方式示出了1个LLC谐振电路40。LLC谐振电路40包括变压器磁芯45、变压器绕组(图中未示出)、电感磁芯44、电感绕组(图中未示出)、多个功率器件42和43。变压器磁芯45和变压器绕组设置在第一PCB 41上。变压器磁芯45和变压器绕组共同构成变压器，例如平面变压器；电感磁芯44与电感绕组共同形成谐振电感。该LLC谐振电路40中的所有的功率器件均设置于第一PCB 41。其中，功率器件42设置于变压器磁芯45的下方，与第一PCB 41中的布线共同形成副边电路；功率器件43设置于电感磁芯44的左侧，与第一PCB 41中的布线共同形成原边电路。

图6和图7所示的DC/DC模块的其他结构与图4所示基本相同，这里不再赘述。

参见图8，图8示出本实用新型高密度电源中又一种DC/DC模块的结构示意图。如图8所示的实施方式示出了2个LLC谐振电路40。该LLC谐振电路40包括变压器磁芯45、变压器绕组(图中未示出)、电感磁芯44、电感绕组(图中未示出)、多个功率器件42和43。变压器磁芯45和变压器绕组设置在第一PCB 41上。变压器磁芯45和变压器绕组共同构成变压器，例如平面变压器；电感磁芯44与电感绕组共同形成谐振电感。如图8所示，两个LLC谐振电路40中的两个第一PCB 41并排设置，使两个第一PCB41两侧区域的风道通畅，能够保证电源获得足够的散热风流，增强散热性能。

图8所示的DC/DC模块与图6所示的不同之处在于，该LLC谐振电路40中的功率器件42设置于第一PCB 41，并位于变压器磁芯45的下方，与第一PCB 41中的布线共同形成副边电路；功率器件43设置于主板100上，与主板100中的布线共同形成原边电路。

参见图9，图9示出本实用新型高密度电源中再一种DC/DC模块的结构示意图。如图9所示的实施方式示出了1个LLC谐振电路40。LLC谐振电路40包括变压器磁芯45、变压器绕组(图中未示出)、电感磁芯44、电感绕组(图中未示出)、多个功率器件42和43。变压器磁芯45和变压器绕组设置在第一PCB 41上。该LLC谐振电路40中的功率器件42设置于第一PCB41。其中，功率器件42设置于变压器磁芯45的下方，与第一PCB 41中的布线共同形成副边电路；功率器件43设置于主板100，与主板100中的布线共同形成原边电路。

图8和图9所示的DC/DC模块的其他结构与图4所示基本相同，这里不再赘述。

参见图3，在一些实施方式中，高密度电源还包括辅助供电单元9，该辅助供电单元9位于母线电容7的后方，可以与第一PCB 41平行设置。该辅助供电单元9垂直设置于主板100。输出电容71可以设置于第二PCB 32的后方，且位于第二PCB 32、辅助供电单元9与第一PCB 41围成的空间内。

在其他一些实施方式中，高密度电源还包括控制板8，图3示出两个控制板8。控制板8与主板100电性连接，用以控制PFC功率器件和DC/DC模块4中的功率器件动作。控制板8位于母线电容7的后方，可以与辅助供电单元9平行设置且垂直设置于主板100，这样能减小电源的空间，有效解决电源内部器件摆放困难的问题。在其他一些实施方式中，控制板8的数量可以根据实际需求进行设置，并不以此为限。

本实用新型采用上述诸如包含LLC谐振电路的DC/DC模块4，代替现有的多个独立的器件例如变压器、谐振电感、功率器件等，可以节约电源内的空间，同时优化各个器件的摆放，在效压缩电源体积的基础上，有效提升电源的功率密度。经测试，在相同的外观尺寸条件下，本实用新型的高密度电源的功率密度相比于现有的独立谐振电感和变压器的条件下可以提高30％以上。

在申请实施方式中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在申请实施方式中的具体含义。

申请实施方式的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述申请实施方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对申请实施方式的限制。

在本说明书的描述中，术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“具体实施方式”等的描述意指结合该实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于申请实施方式的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

以上仅为申请实施方式的优选实施方式而已，并不用于限制申请实施方式，对于本领域的技术人员来说，申请实施方式可以有各种更改和变化。凡在申请实施方式的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在申请实施方式的保护范围之内。

Claims (21)

1.一种高密度电源，其特征在于，包括：

壳体，具有并排设置的第一风道和第二风道；

风扇，设置于所述壳体内侧或者壳体外侧；

PFC模块，设置于所述第一风道；

DC/DC模块，设置于所述第一风道；所述DC/DC模块包括至少一个DC/DC转换电路，每个所述DC/DC转换电路包括多个功率器件、变压器磁芯和变压器绕组，所述变压器磁芯和所述变压器绕组设置在第一PCB上，其中所述变压器磁芯和所述变压器绕组共同构成变压器；

EMI模块，所述EMI模块横跨于所述第一风道和所述第二风道之上；和

主板，设置于所述壳体内，其中所述PFC模块、所述至少一个DC/DC转换电路和所述EMI模块分别与所述主板电性连接。

2.如权利要求1所述的高密度电源，其特征在于，所述DC/DC转换电路为LLC谐振电路。

3.如权利要求1所述的高密度电源，其特征在于，所述第一PCB具有相对的顶侧和底侧以及相对的左侧和右侧，所述变压器磁芯由所述第一PCB的右侧向左侧延伸，并由顶侧向底侧延伸，所述多个功率器件的部分邻近所述第一PCB底侧。

4.如权利要求3所述的高密度电源，其特征在于，所述多个功率器件相对于所述第一PCB的高度不高于所述变压器磁芯相对于所述第一PCB的高度。

5.如权利要求2所述的高密度电源，其特征在于，每个所述LLC谐振电路还包括设置在所述第一PCB上的电感磁芯和电感绕组；所述电感磁芯与所述电感绕组共同形成谐振电感。

6.如权利要求5所述的高密度电源，其特征在于，所述电感磁芯与所述变压器磁芯并排设置，且所述电感磁芯位于所述变压器磁芯的左侧。

7.如权利要求5所述的高密度电源，其特征在于，所述电感磁芯与所述变压器磁芯集成为一体结构。

8.如权利要求1所述的高密度电源，其特征在于，所述DC/DC转换电路中的多个功率器件分别用于形成副边电路和原边电路。

9.如权利要求8所述的高密度电源，其特征在于，用于形成所述副边电路的功率器件设置于所述第一PCB上，并位于所述变压器磁芯下方；用于形成所述原边电路的功率器件设置于所述第一PCB上，并位于所述变压器磁芯的左侧。

10.如权利要求8所述的高密度电源，其特征在于，用于形成所述副边电路的功率器件设置于所述第一PCB上，并位于所述变压器磁芯下方，用于形成所述原边电路的功率器件设置于所述主板。

11.如权利要求1所述的高密度电源，其特征在于，还包括第二PCB；所述第二PCB设置于所述主板且位于所述第一PCB的一侧，其中所述第二PCB垂直于所述主板。

12.如权利要求1所述的高密度电源，其特征在于，所述PFC模块包括PFC电感，所述PFC电感设置于所述DC/DC模块的前方，并且所述PFC电感与所述主板电性连接。

13.如权利要求11所述的高密度电源，其特征在于，所述多个功率器件的一部分设置在所述第二PCB上，用于形成原边电路，所述多个功率器件的另一部分设置于所述第一PCB上，用于形成副边电路。

14.如权利要求1所述的高密度电源，其特征在于，所述EMI模块包括第一共模电感、第一电容、第二电容和第二共模电感，其中所述第一共模电感和所述第一电容位于所述第一风道，并位于所述PFC模块的前方，所述第二共模电感和所述第二电容位于所述第二风道。

15.如权利要求14所述的高密度电源，其特征在于，还包括母线电容，所述母线电容设置于所述第二风道，并位于所述第二共模电感的后方。

16.如权利要求15所述的高密度电源，其特征在于，所述母线电容平行于所述主板。

17.如权利要求15所述的高密度电源，其特征在于，还包括辅助供电单元，所述辅助供电单元设置于位于所述母线电容的后方。

18.如权利要求17所述的高密度电源，其特征在于，所述辅助供电单元与所述第一PCB平行设置。

19.如权利要求17所述的高密度电源，其特征在于，还包括与所述主板电性连接的控制板，用以控制所述DC/DC模块，所述控制板位于所述母线电容的后方，并与所述辅助供电单元平行设置。

20.如权利要求11所述的高密度电源，其特征在于，还包括输出电容，所述输出电容设置于所述第二PCB后方。

21.如权利要求1-20任一项所述的高密度电源，其特征在于，所述高密度电源的尺寸为185mm*73.5mm*40mm、185mm*73.5mm*39mm或者265mm*73.5mm*40mm。

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