CN216957959U - 一种半导体元器件蚀刻装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体元器件蚀刻装置，涉及半导体蚀刻领域，该蚀刻装置，包括，箱体，内有蚀刻室与净化室，蚀刻室与净化室内均内装有蚀刻液，待蚀刻的半导体元器件放置在蚀刻室内；排出组件，将蚀刻室内的蚀刻液抽入净化室内净化，排入组件，将净化室内的净化的蚀刻液输入蚀刻室内，并在排出组件输入端与排入组件输出端之间形成流动的蚀刻液，流动的蚀刻液带走半导体元器件表面残留金属；通过将半导体元器件放置在第一输出管输入端与第二输出管输出端之间，然后启动排出泵与排入泵，在第一输出管输入端与第二输出管输出端之间，形成流动的蚀刻液，流动的蚀刻液带走半导体元器件表面残留金属或金属粉尘，从而提升产品的良品率。

Description

一种半导体元器件蚀刻装置

技术领域

本实用新型涉及半导体蚀刻领域，特别涉及一种半导体元器件蚀刻装置。

背景技术

蚀刻是将金属材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除其表面附着的不需要的物质，保证其洁净纯度。

现有的蚀刻装置中，针对呈圆盘或环状的半导体硅环，通常是将硅环挂在一般的工装上，再放到蚀刻室里静止浸泡在蚀刻液中，这样清洗效果较差，容易在蚀刻件的表面上残留金属碎屑或者金属粉尘，同时这样就会造成环产品表面蚀刻不均匀，从而降低产品的良品率。

实用新型内容

本发明的目的，是解决背景中所述的技术问题，提供一种可以提升蚀刻均匀度的蚀刻装置，提升产品的良品率。

本实用新型采用的技术方案如下：一种半导体元器件蚀刻装置，包括，

箱体，内有蚀刻室与净化室，所述蚀刻室与净化室内均内装有蚀刻液，待蚀刻的半导体元器件放置在蚀刻室内；

排出组件，将所述蚀刻室内的蚀刻液抽入净化室内净化，

排入组件，将所述净化室内的净化的蚀刻液输入蚀刻室内，并在所述排出组件输入端与排入组件输出端之间形成流动的蚀刻液，流动的蚀刻液带走半导体元器件表面残留金属。

进一步的，所述箱体顶部开口处铰接有箱盖，所述箱体前表面设置有观察窗。

进一步的，所述排出组件包括排出泵，所述排出泵固定在箱体一侧，所述排出泵输入端连接有第一输出管，所述第一输出管输入端延伸至蚀刻室内，所述排出泵输出端连接有第一输入管，所述第一输入管输出端延伸至净化室内。

进一步的，所述排入组件包括排入泵，所述排入泵设置在箱体顶部，排入泵输入端连接有第二输入管，所述第二输入管输入端延伸至净化室内，所述排入泵输出端连接有第二输出管，所述第二输出管输出端延伸至蚀刻室内。

进一步的，所述第一输出管输入端与蚀刻液接触面以及第二输出管输出端与蚀刻液接触面相对面均开设有通孔，半导体元器件放置在第一输出管输入端与第二输出管输出端之间。

进一步的，所述净化室内设置有滤网，所述滤网将净化室分为上下两个部分，所述第一输入管输出端贯穿滤网，延伸至所述净化室下部分，所述第二输入管输入端位于净化室上部分。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

通过将半导体元器件放置在第一输出管输入端与第二输出管输出端之间，然后启动排出泵与排入泵，在第一输出管输入端与第二输出管输出端之间，形成流动的蚀刻液，蚀刻液流动方向，从第二输出管输出端流向第一输出管输入端，流动的蚀刻液带走半导体元器件表面残留金属或金属粉尘，提升蚀刻均匀度，从而提升产品的良品率。

附图说明

图1为本实用新型中半导体元器件蚀刻装置结构示意图；

图2为本实用新型中半导体元器件蚀刻装置内部部分结构示意图；

图3为本实用新型图2中a出放大结构示意图；

图4为本实用新型另一种半导体元器件蚀刻装置内部部分结构示意图。

其中，附图标记对应的名称为：

1、箱体；11、观察窗；12、箱盖；13、放置条；14、挡框；15、蚀刻室；16、净化室；17、滤网；2、排出组件；21、排出泵；22、第一输出管；23、第一输入管；3、排入组件；31、排入泵；32、第二输出管；33、第二输入管；4、通孔。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1

如图1所示，本实施例中所述的一种半导体元器件蚀刻装置，包括长方体的箱体1、排出组件2与排入组件3，箱体1顶部开口处铰接有箱盖12，箱体1前表面设置有观察窗11，箱体1内有蚀刻室15与净化室16，蚀刻室15与净化室16之间通过隔板隔开，蚀刻室15与净化室16内均内装有蚀刻液，待蚀刻的半导体元器件放置在蚀刻室15内；排出组件2将蚀刻室15内的蚀刻液抽入净化室16内净化，排入组件3将净化室16内的净化的蚀刻液输入蚀刻室15内，并在排出组件2输入端与排入组件3输出端之间形成流动的蚀刻液，流动的蚀刻液冲刷半导体元器件表面残留金属。

请参阅图2所示，排出组件2包括排出泵21，排出泵21固定在箱体1一侧，排出泵21输入端连接有第一输出管22，第一输出管22输入端延伸至蚀刻室15内，排出泵21输出端连接有第一输入管23，第一输入管23输出端延伸至净化室16内。

排入组件3包括排入泵31，排入泵31设置在箱体1顶部，排入泵31输入端连接有第二输入管33，第二输入管33输入端延伸至净化室16内，排入泵31输出端连接有第二输出管32，第二输出管32输出端延伸至蚀刻室15内。

请参阅图3所示，第一输出管22输入端与蚀刻液接触面以及第二输出管32输出端与蚀刻液接触面相对面均开设有通孔4，半导体元器件放置在第一输出管22输入端与第二输出管32输出端之间，如图2所示。

为方便放置半导体元器件，箱体1内设置有挡框14，挡框14顶面设置有放置条13，放置条13表面开锁有凹槽，半导体元器件边缘卡在凹槽内。

使用时，将半导体元器件放置在第一输出管22输入端与第二输出管32输出端之间，然后启动排出泵21与排入泵31，在第一输出管22输入端与第二输出管32输出端之间，形成流动的蚀刻液，蚀刻液流动方向，如图2所示，从第二输出管32输出端流向第一输出管22输入端，流动的蚀刻液带走半导体元器件表面残留金属或金属粉尘，提升蚀刻均匀度，从而提升产品的良品率。

实施例2

本实施例在实施例1基础之上进一步优化设置，为更好的净化蚀刻液，进一步提升产品良品率；如图4所示，净化室16内设置有滤网17，滤网17将净化室16分为上下两个部分，第一输入管23输出端贯穿滤网17，延伸至净化室16下部分，第二输入管33输入端位于净化室16上部分。

使用时，排出泵21将蚀刻室15内的蚀刻液抽入至滤网17下方，再经过滤网17过滤，滤除蚀刻液中的杂质。

需要说明的是，在本文中，如若存在第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种半导体元器件蚀刻装置， 箱体(1)，内有蚀刻室(15)与净化室(16)，所述蚀刻室(15)与净化室(16)内均内装有蚀刻液，待蚀刻的半导体元器件放置在蚀刻室(15)内；

其特征在于，还包括，

排出组件(2)，将所述蚀刻室(15)内的蚀刻液抽入净化室(16)内净化；

排入组件(3)，将所述净化室(16)内的净化的蚀刻液输入蚀刻室(15)内，并在所述排出组件(2)输入端与排入组件(3)输出端之间形成流动的蚀刻液，流动的蚀刻液带走半导体元器件表面残留金属。

2.根据权利要求1所述的一种半导体元器件蚀刻装置，其特征在于，所述箱体(1)顶部开口处铰接有箱盖(12)，所述箱体(1)前表面设置有观察窗(11)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体元器件蚀刻装置，其特征在于，所述排出组件(2)包括排出泵(21)，所述排出泵(21)固定在箱体(1)一侧，所述排出泵(21)输入端连接有第一输出管(22)，所述第一输出管(22)输入端延伸至蚀刻室(15)内，所述排出泵(21)输出端连接有第一输入管(23)，所述第一输入管(23)输出端延伸至净化室(16)内。

4.根据权利要求3所述的一种半导体元器件蚀刻装置，其特征在于，所述排入组件(3)包括排入泵(31)，所述排入泵(31)设置在箱体(1)顶部，排入泵(31)输入端连接有第二输入管(33)，所述第二输入管(33)输入端延伸至净化室(16)内，所述排入泵(31)输出端连接有第二输出管(32)，所述第二输出管(32)输出端延伸至蚀刻室(15)内。

5.根据权利要求4所述的一种半导体元器件蚀刻装置，其特征在于，所述第一输出管(22)输入端与蚀刻液接触面以及第二输出管(32)输出端与蚀刻液接触面的相对面均开设有通孔(4)，半导体元器件放置在第一输出管(22)输入端与第二输出管(32)输出端之间。

6.根据权利要求5所述的一种半导体元器件蚀刻装置，其特征在于，所述净化室(16)内设置有滤网(17)，所述滤网(17)将净化室(16)分为上下两个部分，所述第一输入管(23)输出端贯穿滤网(17)，延伸至所述净化室(16)下部分，所述第二输入管(33)输入端位于净化室(16)上部分。

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