CN216929868U - 输入防冲击mos管保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种输入防冲击MOS管保护电路，包括：储能电容、MOS管、米勒平台控制电路、栅极电容放电电路、DC/DC变换器及使能控制电路；输入电源向各模块供电，储能电容的第一端与输入电源的正极连接，MOS管的漏极与储能电容的第二端连接，栅极与米勒平台控制电路连接，源极与储能电容的负极连接，栅极电容放电电路连接米勒平台控制电路，使能控制电路与输入电源的正极、MOS管的漏极和DC/DC变换器连接；输入电源上电后，控制栅极电容放电电路关断，通过米勒平台控制电路延长MOS管的米勒平台时间；使能控制电路检测MOS管的工作状态，进而控制启动DC/DC变换器。本实用新型能够使MOS管工作在安全工作区，避免MOS管热烧损而导致电源插件失去输入冲击电流限制能力。

Description

输入防冲击MOS管保护电路

技术领域

本实用新型属于电源技术领域，具体涉及到一种输入防冲击MOS管保护电路。

背景技术

在现有轨道交通(复兴号、城轨、高速磁浮列车)中，开关电源插件需要为网络、变流等控制系统提供工作电压。在设计开关电源时，为了保证网络、变流等控制系统具备输出掉电延时功能，需在开关电源内部输入端放置大容量储能电容。由于电容在上电瞬间，呈瞬间短路特性，因此，如果储能电容的充电回路中没有限流措施，就会在上电瞬间产生很大的冲击电流，其幅值大大超出电源正常工作时的额定输入电流值。此冲击电流有可能引起输入端跳闸，并且能产生电磁干扰，影响其它电子设备，同时也会降低电源板上储能电容的寿命或烧断保险管。储能电容的容量越大，则冲击电流的持续时间越长，危害也越大。

针对以上问题，采取有源钳位的控制方式，在储能充电回路里串联一个可控的金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)开关器件，在上电瞬间，通过控制MOSFET的米勒平台时间开关器件逐步导通，让储能电容缓慢充电，从而达到限制冲击电流。但在使用过程中，由于未考虑到高速列车的环境变换，如高速列车需要在工作在-40℃至85℃的高温环境、整车蓄电池电压在DC66-DC154V变化，控制电源插件内部防冲击MOSFET在高温、高压的工作环境下上电，输入防冲击MOSFET的实际热损耗超过其额定功率损耗，MOSFET的安全工作区(Safe operating area，SOA)热超标，从而导致防输入冲击MOSFET出现电气过应力(Electrical Over Stress，EOS)短路烧损，控制电源插件失去输入防冲击电流限制能力。

实用新型内容

本实用新型提供一种输入防冲击MOS管保护电路，以解决现有的输入防冲击MOS管安全工作区超标出现热烧损，控制电源插件失去输入冲击电流限制能力的问题。

基于上述目的，本实用新型实施例提供了一种输入防冲击MOS管保护电路，包括：储能电容、MOS管、米勒平台控制电路、栅极电容放电电路、DC/DC变换器以及使能控制电路；所述储能电容的第一端与输入电源的正极连接，所述MOS管的漏极与所述储能电容的第二端连接，所述MOS管的栅极与所述米勒平台控制电路连接，所述MOS管的源极与所述储能电容的负极连接，所述栅极电容放电电路与所述米勒平台控制电路连接，所述栅极电容放电电路以及所述米勒平台控制电路还与所述输入电源的正极和负极连接，所述使能控制电路与所述输入电源的正极、所述MOS管的漏极以及所述DC/DC变换器连接，所述DC/DC变换器还与所述输入电源的正极以及所述MOS管的漏极连接；所述输入电源上电后，控制所述栅极电容放电电路关断，通过所述米勒平台控制电路延长所述MOS的米勒平台时间；所述使能控制电路检测所述MOS管的工作状态，并根据所述MOS管的工作状态控制启动所述DC/DC变换器。

可选的，所述栅极电容放电电路还包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；所述第一晶体管的第一端通过所述第一电阻与所述输入电源的正极连接，并通过所述第二电阻与所述输入电源的负极连接；所述第一晶体管的第二端与所述第二晶体管的第一端连接，同时还通过所述第三电阻与所述输入电源的正极连接，并通过所述第四电阻与所述输入电源的负极连接；所述第二晶体管的第二端与所述米勒平台控制电路连接，所述第一晶体管的第三端和所述第二晶体管的第三端与所述输入电源的负极连接。

可选的，所述输入防冲击MOS管保护电路还包括：第一二极管，所述第一二极管的阳极与所述输入电源的正极以及所述第一电阻的一端连接，所述第一二极管的阴极与所述米勒平台控制电路、所述储能电容的第一端、所述DC/DC变换器以及所述第三电阻的一端连接。

可选的，所述栅极电容放电电路还包括：第二二极管和第五电阻；所述第二二极管的阳极与所述输入电源的负极连接，所述第二二极管的阴极与所述第一晶体管的第一端连接；所述第二晶体管的第二端通过所述第五电阻与所述米勒平台控制电路连接。

可选的，所述第一晶体管和所述第二晶体管为NPN三极管，第一端为基极，第二端为集电极，第三端为发射极。

可选的，所述米勒平台控制电路包括：阻容充电网络、第一电容、第六电阻、第七电阻以及第三二极管；所述第一电容的第一端与所述储能电容的第二端以及所述MOS管的漏极连接，所述第一电容的第二端通过所述第六电阻与所述MOS管的栅极以及所述阻容充电网络连接，所述第七电阻连接在所述MOS管的栅极与所述输入电源的正极之间；所述三二极管的阴极与所述MOS管的栅极连接，所述第三二极管的阳极与所述MOS管的源极以及所述输入电源的负极连接。

可选地，所述阻容充电网络包括：第四二极管和第二电容，所述第四二极管的阳极与所述MOS管的栅极连接，所述第四二极管的阴极与所述栅极电容放电电路连接，并通过所述第二电容与所述输入电源的负极连接。

可选的，所述阻容充电网络还包括第八电阻和第九电阻，所述第四二极管的阴极通过所述第八电阻与所述输入电源的负极连接，同时通过所述第九电阻与所述输入电源的正极连接。

可选的，MOS管还包括第一结电容和第二结电容，所述第一结电容为位于所述MOS管的栅极与源极之间的结电容，所述第二结电容为位于所述MOS管的栅极与漏极之间的结电容；所述输入电源上电后，通过所述第七电阻和所述第九电阻向所述第二电容充电，使所述MOS管的栅极电压逐渐升高，控制所述MOS管进入米勒平台，通过增加所述第七电阻的阻值限制所述第一结电容电压的上升速度，延长米勒平台时间，降低所述MOS管的漏源电流。

可选地，所述使能控制电路用于检测所述MOS管的漏源电压，并在检测到所述MOS管的漏源电压为0时控制启动所述DC/DC变换器。

本实用新型的有益效果是：从上面所述可以看出，本实用新型实施例提供的一种输入防冲击MOS管保护电路，包括：储能电容、MOS管、米勒平台控制电路、栅极电容放电电路、DC/DC变换器以及使能控制电路；所述储能电容的第一端与输入电源的正极连接，所述MOS管的漏极与所述储能电容的第二端连接，所述MOS管的栅极与所述米勒平台控制电路连接，所述MOS管的源极与所述储能电容的负极连接，所述栅极电容放电电路与所述米勒平台控制电路连接，所述栅极电容放电电路以及所述米勒平台控制电路还与所述输入电源的正极和负极连接，所述使能控制电路与所述输入电源的正极、所述MOS管的漏极以及所述DC/DC变换器连接，所述DC/DC变换器还与所述输入电源的正极以及所述MOS管的漏极连接；所述输入电源上电后，控制所述栅极电容放电电路关断，通过所述米勒平台控制电路延长所述MOS的米勒平台时间；所述使能控制电路检测所述MOS管的工作状态，并根据所述MOS管的工作状态控制启动所述DC/DC变换器，能够通过延长MOS管导通米勒平台时间，控制输入防冲击MOS管的开通速度及后端负载的起机速度，使MOS管工作在安全工作区，避免MOS管热烧损而导致电源插件失去输入冲击电流限制能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中的输入防冲击MOS管保护电路的结构示意图；

图2为本实用新型实施例中的输入防冲击MOS管保护电路的电路示意图；

图3为本实用新型实施例中的延长MOS管米勒平台时间减少漏源电流Ids的测试示意图；

图4为本实用新型实施例中的DC/DC变换器未做延时启动的测试示意图；

图5为本实用新型实施例中的DC/DC变换器延时启动的测试示意图。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本实用新型实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本实用新型实施例提供了一种输入防冲击MOS管保护电路。如附图1所示，输入防冲击MOS管保护电路包括：储能电容Cs、MOS管T1、米勒平台控制电路11、栅极电容放电电路12、DC/DC变换器13以及使能控制电路14。

输入电源VIN向各模块供电。储能电容Cs的第一端与输入电源VIN的正极VIN+连接，MOS管T1的漏极与储能电容Cs的第二端连接，MOS管T1的栅极与米勒平台控制电路连接，MOS管T1的源极与储能电容Cs的负极连接，栅极电容放电电路12与米勒平台控制电路11连接，栅极电容放电电路12以及米勒平台控制电路11还与输入电源VIN的正极VIN+和负极VIN-连接，使能控制电路14与输入电源VIN的正极VIN+、MOS管T1的漏极以及DC/DC变换器13连接，DC/DC变换器13还与输入电源VIN的正极VIN+以及MOS管T1的漏极连接。

输入电源VIN上电后，控制栅极电容放电电路12关断，通过米勒平台控制电路11延长MOS管T1的米勒平台时间；使能控制电路14检测MOS管T1的工作状态，并根据MOS管T1的工作状态控制启动DC/DC变换器13。

在本实用新型实施例中，参见图2，栅极电容放电电路12还包括：第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及第四电阻R4。所述第一晶体管Q1的第一端通过所述第一电阻R1与所述输入电源VIN的正极VIN+连接，并通过所述第二电阻R2与所述输入电源VIN的负极VIN-连接；所述第一晶体管Q1的第二端与所述第二晶体管Q2的第一端连接，同时还通过所述第三电阻R3与所述输入电源VIN的正极VIN+连接，并通过所述第四电阻R4与所述输入电源VIN的负极VIN-连接。所述第二晶体管Q2的第二端与所述米勒平台控制电路11连接，所述第一晶体管Q1的第三端和所述第二晶体管Q2的第三端与所述输入电源VIN的负极VIN-连接。

栅极电容放电电路12还包括：第二二极管D2和第五电阻R5；所述第二二极管D2的阳极与所述输入电源VIN的负极VIN-连接，所述第二二极管D2的阴极与所述第一晶体管Q1的第一端连接；所述第二晶体管Q2的第二端通过所述第五电阻R5与所述米勒平台控制电路11连接。第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2为NPN三极管，第一端为基极，第二端为集电极，第三端为发射极。

输入防冲击MOS管保护电路还包括：第一二极管D1，所述第一二极管D1的阳极与所述输入电源VIN的正极VIN+以及所述第一电阻R1的一端连接，所述第一二极管D1的阴极与所述米勒平台控制电路11、所述储能电容CS的第一端、所述DC/DC变换器13以及所述第三电阻R3的一端连接。

在本实用新型实施例中，米勒平台控制电路11包括：阻容充电网络111、第一电容C1、第六电阻R6、第七电阻R7以及第三二极管D3。所述第一电容C1的第一端与所述储能电容Cs的第二端以及所述MOS管T1的漏极连接，所述第一电容C1的第二端通过所述第六电阻R6与所述MOS管T1的栅极以及所述阻容充电网络111连接，所述第七电阻R7连接在所述MOS管T1的栅极与所述输入电源VIN的正极VIN+之间。所述三二极管D3的阴极与所述MOS管T1的栅极连接，所述第三二极管D3的阳极与所述MOS管T1的源极以及所述输入电源VIN的负极VIN-连接。其中，第三二极管D3优选为隧道二极管。

阻容充电网络111包括：第四二极管D3和第二电容C2。所述第四二极管D4的阳极与所述MOS管T1的栅极连接，所述第四二极管D4的阴极与所述栅极电容放电电路12连接，并通过所述第二电容C2与所述输入电源VIN的负极VIN-连接。阻容充电网络111还包括第八电阻R8和第九电阻R9。所述第四二极管D4的阴极通过所述第八电阻R8与所述输入电源VIN的负极VIN-连接，同时通过所述第九电阻R9与所述输入电源VIN的正极VIN+连接。

在本实用新型实施例中，MOS管T1还包括第一结电容Cgs和第二结电容Cgd，所述第一结电容Cgs为位于所述MOS管T1的栅极与源极之间的结电容，所述第二结电容Cgd为位于所述MOS管T1的栅极与漏极之间的结电容。

所述输入电源上电后，通过所述第七电阻R7和所述第九电阻R9向所述第二电容C2充电，使所述MOS管T1的栅极电压逐渐升高，控制所述MOS管T1进入米勒平台，通过增加所述第七电阻T7的阻值限制所述第一结电容Cgs电压的上升速度，延长米勒平台时间，降低所述MOS管T1的漏源电流Ids。使能控制电路14用于检测所述MOS管T1的漏源电压，并在检测到所述MOS管T1的漏源电压为0时控制启动所述DC/DC变换器13。

本实用新型实施例中的输入防冲击MOS管保护电路的工作原理如下：

输入电源VIN优选为蓄电池，MOS管T1为MOSFET开头器件。输入电源VIN上电时，蓄电池电流从输入电源正极VIN+流入，依次经过第一二极管D1、储能电容Cs、第一电容C1、第六电阻R6、第四二极管D4、第二电容C2，回到输入电源负极VIN-。输入电源VIN上电后第一电阻R1和第二电阻R2分压后驱动第一晶体管Q1导通，将第二晶体管Q2的基极电压拉低，使第二晶体管Q2关断。

输入电源VIN的输入电压可以通过第七电阻R7、第九电阻R9对第二电容C2充电，使MOS管T1的栅极电压逐渐升高，栅极电压升高到MOS管T1的开通Vpth门槛电压值，MOS管T1进入米勒平台工作区域，MOS管T1的阻抗开始由无穷大慢慢减小，回路电流转移经过MOS管T1继续流通。通过增大作为充电电阻的第七电阻R7的阻值，可以限制MOS管T1的第一结电容Cgs电压的上升速度，从而延长MOS管T1米勒平台时间，并维持MOS管T1工作在放大态。MOS管T1在完成米勒平台工作区后逐渐脱离放大态，进入完全导通状态。通过延长MOS管T1米勒平台时间可以减少MOS管T1的漏源电流Ids，避免防冲击MOS管T1超安全工作区SOA的范围而导致EOS短路烧损。

如图3所示，线1表示MOS管T1的漏源电流Ids，线2为DC/DC变换器13的输出电压Vout，线3为MOS管T1的漏源电压Vds，ab之间表示米勒平台。在上电瞬间，MOS管T1开通米勒平台时间延长至343ms，流过MOS管T1的漏源电流Ids只有0.5A；通过延长米勒平台时间减少漏源电流Ids，避免MOS管T1在上电瞬间SOA超标导致MOS管T1热烧损。DC/DC变换器13的使能端：使能控制电路14通过检测MOS管T1的漏源电压Vds，并在检测到漏源电压Vds＝0时输出使能控制信号至DC/DC变换器13，以控制DC/DC变换器13延时起机，如此可以避免DC/DC变换器13在MOS管T1开通米勒平台时间段启动工作，避免MOS管T1的漏源电流Ids因DC/DC变换器13启动出现尖峰电流，并导致防冲击MOS管T1超出SOA范围而出现EOS烧损的问题。

参见图4和图5，其中图4中的DC/DC变换器13未做延时启动，而图5中的DC/DC变换器13做了延时启动。如图4所示，MOS管T1在米勒平台时间内的漏源电流Ids存在尖峰电流，此时DC/DC变换器13的输出电压Vout已经建立，漏源电流Ids突然增加，加剧了MOS管T1的SOA热烧损风险。而图5中，MOS管T1在米勒平台时间内的漏源电流Ids不存在尖峰电流，同时DC/DC变换器13的输出电压Vout未建立，如此漏源电流Ids逐渐减少，减少了MOS管T1的SOA热烧损的风险。

本实用新型实施例通过增大米勒平台控制电路11中的作为MOS管T1的第一结电容Cgs的充电电阻的第七电阻R7，限制第一结电容Cgs电压的上升速度，延长MOS管T1在开通瞬间米勒平台时间，限制上电瞬间储能电容Cs充电的冲击电流，避免了MOS管T1因超出SOA范围而出现EOS烧损的现象。同时通过使能控制电路14输出使能控制信号控制DC/DC变换器13延时起机，不允许DC/DC变换器13在MOS管T1开通米勒平台时间段启动工作，此时不允许DC/DC变换器13输出电压Vout建立，避免MOS管T1的漏源电流Ids因DC/DC变换器13启动出现尖峰电流且电流增加，导致防冲击MOS管T1超出SOA范围而出现EOS烧损的现象。

本实用新型实施例的输入防冲击MOS管保护电路包括：储能电容Cs、MOS管T1、米勒平台控制电路11、栅极电容放电电路12、DC/DC变换器13以及使能控制电路14；输入电源VIN向各模块供电。储能电容Cs的第一端与输入电源VIN的正极VIN+连接，MOS管T1的漏极与储能电容Cs的第二端连接，MOS管T1的栅极与米勒平台控制电路连接，MOS管T1的源极与储能电容Cs的负极连接，栅极电容放电电路12与米勒平台控制电路11连接，栅极电容放电电路12以及米勒平台控制电路11还与输入电源VIN的正极VIN+和负极VIN-连接，使能控制电路14与输入电源VIN的正极VIN+、MOS管T1的漏极以及DC/DC变换器13连接，DC/DC变换器13还与输入电源VIN的正极VIN+以及MOS管T1的漏极连接；输入电源VIN上电后，控制栅极电容放电电路12关断，通过米勒平台控制电路11延长MOS管T1的米勒平台时间；使能控制电路14检测MOS管T1的工作状态，并根据MOS管T1的工作状态控制启动DC/DC变换器13，解决了轨道交通(复兴号动车组、地铁、磁浮列车)控制电源插件输入防冲击MOS管T1在上电瞬间烧损问题。通过控制输入防冲击MOS管T1的开通速度(延长MOS管T1导通米勒平台时间)及后端负载的起机速度，使输入防冲击MOS管T1工作在安全工作区(SOA)，避免因防输入冲击MOS管T1的SOA超范围导致热烧损，从而控制电源插件失去输入冲击电流限制能力，列车网络、变流等控制系统供电空开跳开且无法闭合。

为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然，在实施本实用新型实施例时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

本申请旨在涵盖落入本实用新型实施例的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本实用新型实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述输入防冲击MOS管保护电路包括：储能电容、MOS管、米勒平台控制电路、栅极电容放电电路、DC/DC变换器以及使能控制电路；

所述储能电容的第一端与输入电源的正极连接，所述MOS管的漏极与所述储能电容的第二端连接，所述MOS管的栅极与所述米勒平台控制电路连接，所述MOS管的源极与所述储能电容的负极连接，所述栅极电容放电电路与所述米勒平台控制电路连接，所述栅极电容放电电路以及所述米勒平台控制电路还与所述输入电源的正极和负极连接，所述使能控制电路与所述输入电源的正极、所述MOS管的漏极以及所述DC/DC变换器连接，所述DC/DC变换器还与所述输入电源的正极以及所述MOS管的漏极连接；

所述输入电源上电后，控制所述栅极电容放电电路关断，通过所述米勒平台控制电路延长所述MOS管的米勒平台时间；所述使能控制电路检测所述MOS管的工作状态，并根据所述MOS管的工作状态控制启动所述DC/DC变换器。

2.如权利要求1所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述栅极电容放电电路还包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；所述第一晶体管的第一端通过所述第一电阻与所述输入电源的正极连接，并通过所述第二电阻与所述输入电源的负极连接；所述第一晶体管的第二端与所述第二晶体管的第一端连接，同时还通过所述第三电阻与所述输入电源的正极连接，并通过所述第四电阻与所述输入电源的负极连接；所述第二晶体管的第二端与所述米勒平台控制电路连接，所述第一晶体管的第三端和所述第二晶体管的第三端与所述输入电源的负极连接。

3.如权利要求2所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述输入防冲击MOS管保护电路还包括：第一二极管，所述第一二极管的阳极与所述输入电源的正极以及所述第一电阻的一端连接，所述第一二极管的阴极与所述米勒平台控制电路、所述储能电容的第一端、所述DC/DC变换器以及所述第三电阻的一端连接。

4.如权利要求2所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述栅极电容放电电路还包括：第二二极管和第五电阻；所述第二二极管的阳极与所述输入电源的负极连接，所述第二二极管的阴极与所述第一晶体管的第一端连接；所述第二晶体管的第二端通过所述第五电阻与所述米勒平台控制电路连接。

5.如权利要求2或4所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述第一晶体管和所述第二晶体管为NPN三极管，第一端为基极，第二端为集电极，第三端为发射极。

6.如权利要求1所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述米勒平台控制电路包括：阻容充电网络、第一电容、第六电阻、第七电阻以及第三二极管；所述第一电容的第一端与所述储能电容的第二端以及所述MOS管的漏极连接，所述第一电容的第二端通过所述第六电阻与所述MOS管的栅极以及所述阻容充电网络连接，所述第七电阻连接在所述MOS管的栅极与所述输入电源的正极之间；所述三二极管的阴极与所述MOS管的栅极连接，所述第三二极管的阳极与所述MOS管的源极以及所述输入电源的负极连接。

7.如权利要求6所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述阻容充电网络包括：第四二极管和第二电容，所述第四二极管的阳极与所述MOS管的栅极连接，所述第四二极管的阴极与所述栅极电容放电电路连接，并通过所述第二电容与所述输入电源的负极连接。

8.如权利要求7所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述阻容充电网络还包括第八电阻和第九电阻，所述第四二极管的阴极通过所述第八电阻与所述输入电源的负极连接，同时通过所述第九电阻与所述输入电源的正极连接。

9.如权利要求8所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述MOS管还包括第一结电容和第二结电容，所述第一结电容为位于所述MOS管的栅极与源极之间的结电容，所述第二结电容为位于所述MOS管的栅极与漏极之间的结电容；

所述输入电源上电后，通过所述第七电阻和所述第九电阻向所述第二电容充电，使所述MOS管的栅极电压逐渐升高，控制所述MOS管进入米勒平台，通过增加所述第七电阻的阻值限制所述第一结电容电压的上升速度，延长米勒平台时间，降低所述MOS管的漏源电流。

10.如权利要求1所述的输入防冲击MOS管保护电路，其特征是，所述使能控制电路用于检测所述MOS管的漏源电压，并在检测到所述MOS管的漏源电压为0时控制启动所述DC/DC变换器。

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