CN216902952U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种进一步提高OLED的有效亮度的显示装置。显示装置(100)具备：基板(120)；设在基板(120)上的像素电极(174)；覆盖像素电极(174)的一部分的凸块(193)；层叠于像素电极(174)以及凸块(193)的有机层；以及层叠于有机层以及凸块(193)的阴极(138)。凸块(193)侧向阴极(138)侧突出地形成，具有相对于像素电极(174)倾斜的倾斜面。该有机层至少包括第1层以及层叠于该第1层的第2层。该第1层以及该第2层的端部位于该倾斜面上。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及显示装置。

背景技术

在包括薄膜的层叠构造在内的显示装置的制造工艺中，已知有不更换掩膜地持续形成多个层的方法(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2004-207217号公报

实用新型内容

在不更换掩膜地形成多个层的情况下，在先形成的层的形成时间点射出的薄膜材料附着于掩膜而使掩膜的开口部变窄。因此，在后形成的层的蒸镀范围变得比在先形成的层的蒸镀范围窄，在层叠构造的端部形成高低差。该高低差引起层叠构造沿着层叠方向其前端变细的锥形构造的产生。

若想不更换掩膜地形成在有机电致发光显示(EL：Electro Luminescence)中作为像素发挥功能的OLED(Organic LightEmitting Diode：有机发光二极管)的发光层所包含的多个有机层的层叠构造，则会因上述的锥形构造产生使多个有机层各自的端部露出的形态。在这种发光层进一步层叠有用于向该发光层流通电流的电极层的情况下，在锥形构造的部位电极层与多个有机层各自的端部相抵接。因此，电极层与多个有机层中的相对位于下侧的层的通电路径成立。成立的这种通电路径与期望的发光层的通电路径不同，即，与将电极层和所有有机层连通的理想的通电路径不同。形成有与这种理想的通电路径不同的通电路径的范围越大，OLED的漏电流越是增大，相对于耗电量的有效亮度降低的可能性变得越大。

本公开是鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供一种进一步提高OLED的有效亮度的显示装置。

基于本公开的一方面的显示装置具备：基板；设在基板上的第1电极；覆盖所述电极的一部分的绝缘部；层叠于所述电极以及所述绝缘部的有机层；以及层叠于所述有机层以及所述绝缘部的第2电极，所述绝缘部从所述第1电极侧向所述第2电极侧突出而形成，且具有相对于所述第1电极倾斜的倾斜面，所述有机层包括至少第1层和层叠于所述第1层的第2层，所述第1层以及所述第2层的端部位于所述倾斜面上。

作为显示装置的更优选的方式，所述绝缘部可以包括在剖视下具有将所述基板侧作为下底的梯形状的部分，所述倾斜面与所述部分中的、将所述部分的上底和所述部分的下底相连的边对应。

作为显示装置的更优选的方式，所述绝缘部可以包括在剖视下具有将所述基板侧作为底边的三角形状的部分，所述倾斜面与所述部分中的、底边以外的边对应。

作为显示装置的更优选的方式，所述部分的所述上底可以与所述第1层以及所述第2层的所述端部相比向所述第2电极侧突出。

作为显示装置的更优选的方式，所述第1层以及所述第2层的端面可以朝向所述基板的相反侧。

作为显示装置的更优选的方式，所述第1层以及所述第2层的一方的所述端部可以与所述第1电极的端部相比位于内侧。

作为显示装置的更优选的方式，所述第1电极可以在没有被所述绝缘部覆盖的位置与所述有机层相接。

作为显示装置的更优选的方式，所述绝缘部可以包括位于所述部分与所述第1电极之间的基部，所述基部在剖视下具有将所述基板侧作为下底的梯形状。

作为显示装置的更优选的方式，所述倾斜面可以包括将所述基部的上底和所述基部的下底相连的边。

附图说明

图1是表示显示装置的层叠构造的一例的剖视图。

图2是表示在工序1中的基板的上侧的构成以及掩膜的状态的示意图。

图3是表示在工序2中的基板的上侧的构成以及掩膜的状态的示意图。

图4是表示在工序3中的基板的上侧的构成以及掩膜的状态的示意图。

图5是表示具有第1方向上的两端沿与第3方向正交的平面层叠的有机层的显示装置的层叠构造的示意图。

图6是表示形成有锥形的结构和由锥形产生的非被覆部的宽度的示意图。

图7是表示在倾斜面形成了有机层的第1方向上的端部的情况下产生的非被覆部的宽度的示意图。

图8是表示实施方式1的变形例1中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

图9是表示实施方式1的变形例2中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

图10是表示实施方式1的变形例3中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

图11是表示实施方式1的变形例4中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

图12是表示实施方式2中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

图13是表示实施方式2的变形例1中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

图14是表示图13示出的两个副像素的有机层的更详细构造的剖视图。

图15是表示在分别的工序中形成的三个副像素的有机层的上下关系与该三个副像素在第1方向上的宽度的关系的一例的示意图。

图16是表示在分别的工序中形成的三个副像素的有机层的上下关系与该三个副像素在第1方向上的宽度的关系的另一例的示意图。

图17是表示实施方式2的变形例2中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

图18是表示实施方式2的变形例3中的凸块、有机层以及阴极的形状的剖视图。

其中，附图标记说明如下：

100显示装置

120基板

131、131G、131B、131R、131P、131Q第1有机层

132、132G、132B、132R、132P、133Q第2有机层

133、133G、133B、133R、132P、133Q第3有机层

174像素电极

193、1930、1930、1940、1950、1960、1970、1980、1990凸块

1931、1941、1951、1961下段部

1932、1942、1952、1962上段部

1901、1971、1972、1981、1991、1992隆起部

1902、1982平面部

1994、1903基部

200掩膜

211开口部

具体实施方式

以下，参照附图说明本公开的各实施方式。此外，公开只不过为一例，本领域技术人员容易想到的保持实用新型的主旨的适当变更当然包含在本公开的范围内。另外，为了使说明更明确，与实际的形态相比，有示意性示出附图的各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但只不过为一例，不限定对本公开的解释。另外，在本说明书和各附图中，对于关于已经出现的附图说明的同样的要素标注相同的附图标记，有时适当省略详细的说明。

(实施方式1)

图1是表示显示装置100的层叠构造的一例的剖视图。显示装置100包括基板120、对置基板150、以及在基板120与对置基板150之间形成层叠构造的多个构成。以下，从基板120观察，将对置基板150侧作为上侧。在实施方式的说明中，将基板120与对置基板150的层叠方向作为第3方向Dz。另外，将后述的第1副像素Gpix、第2副像素Bpix和第3副像素Rpix排列的方向作为第1方向Dx。另外，将与第3方向Dz和第1方向Dx这两方正交的方向作为第2方向Dy。在仅记为副像素的情况下，包括第1副像素Gpix、第2副像素Bpix和第3副像素Rpix。

在基板120之上按照包括基底层121、半导体膜122在内的半导体层、包括层间绝缘层123、栅极电极124在内的第1电极层、包括层间绝缘层125、漏极电极126、源极电极127在内的第2电极层、层间绝缘层128、平坦化层129的顺序层叠有这些构成。

基底层121、层间绝缘层123、125、128为例如包括氧化硅或氮化硅的绝缘层。另外，第1电极层以及第2电极层特别要求低电阻性，由从钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)等选择出的金属层、或者这些金属层的层叠来构成。

在基板120上，与多个副像素各自对应地，设有呈矩阵状配置的多个像素电路Sw。在从基底层121到像素电极174为止的层形成有像素电路Sw中的除了有机EL元件以外的部分。另外，半导体膜122、栅极电极124、漏极电极126、源极电极127构成与有机EL元件直接连接的薄膜晶体管。该薄膜晶体管对与包括该薄膜晶体管在内的像素电路Sw对应的副像素的发光进行控制。若平面性地观察，则半导体膜122与栅极电极124重叠。半导体膜122的与栅极电极124重叠的区域成为薄膜晶体管的沟道区域，半导体膜122的突出部分的上表面与贯穿层间绝缘层123、125的漏极电极126以及源极电极127分别相接。平坦化层129例如为丙烯酸树脂的膜，以覆盖包括薄膜晶体管在内的像素电路Sw中的主要除了有机EL元件以外的部分的方式来设置。

而且，在平坦化层129上，按顺序层叠有包括像素电极174在内的第3电极层、凸块193、包括第1有机层131G、131B、131R在内的第1有机层、包括第2有机层132G、132B、132R在内的第2有机层、包括第3有机层133G、133B、133R在内的第3有机层、阴极138、封固膜139。此外，在第3有机层133G、133B、133R与阴极138之间也可以存在以跨过各像素的方式形成的有机层或其他层。以下，在仅记为有机层的情况下，包括第1有机层、第2有机层以及第3有机层。

第3电极层是鉴于用于使有机层发光的功函数等来决定的，由从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等选出的氧化物导电材料等来构成。另外，第3电极层在为顶部发光型的情况下要求反射性，作为反射层，可以具有银(Ag)、铝(Al)等的层。

在层间绝缘层128以及平坦化层129中的漏极电极126的上方形成有接触孔1751，在该接触孔1751的底部，漏极电极126与像素电极174相接。此外，经由接触孔1751与像素电极174连接的电极可以不为漏极电极126，而是源极电极127。

在像素电极174之上设有有机层，在有机层之上设有例如包括由透明电极形成的阴极138在内的第4电极层，阴极138还由封固膜139覆盖。像素电极174、有机层以及阴极138构成将像素电极174作为阳电极、将阴极138作为阴电极的OLED。在阴极138为透明电极的情况下，第4电极层由例如ITO等的氧化物导电材料等构成。此外，在实施方式中包含在第4电极层内的构成为阴极138，因此，隔着有机层包含在第3电极层内的像素电极174为阳极。

有机层利用像素电极174和阴极138被施加电压，为通过电流流过而发光的发光层。第1副像素Gpix的有机层、第2副像素Bpix的有机层、和第3副像素Rpix的有机层使用在发光时成为峰值的光的波长分别不同的有机材料来形成。具体来说，第1副像素Gpix的有机层使用被视觉确认为绿色(G)的光的波长成为峰值的有机材料来形成。另外，第2副像素Bpix的有机层使用被视觉确认为蓝色(B)的光的波长成为峰值的有机材料来形成。另外，第3副像素Rpix的有机层使用被视觉确认为红色(R)的光的波长成为峰值的有机材料来形成。作为这种有机材料，举出有磷光材料或荧光材料。

像素电极174与有机层相接的区域配置在薄膜晶体管的正上方、更严密来说配置在使漏极电极126(或者源极电极127)与像素电极174连接的接触孔1751的上方。另外，在与像素电极174与有机层相接的区域对应的发光区域中有机层发光。

如图1所示，实施方式1中的凸块193的第1方向Dx-第3方向Dz剖面为上方的宽度变小的、所谓梯形状。具体来说，凸块193包括将基板120侧设为下底、且将阴极138侧设为上底的梯形状的部分。更具体来说，在凸块193中的、在基板120侧形成在像素电极174上方且沿着像素电极174的面与下底对应。即，凸块193的梯形状的部分是指，除了在第1方向Dx上排列的像素电极174彼此之间埋入凸块193的部分以外的部分。像这样，凸块193包括作为在剖视时将基板120侧作为下底的梯形状的部分。倾斜面H与将该部分的上底和该下底相连的边对应。在图1中对应于倾斜面H，在第1方向Dx-第3方向Dz剖面中将凸块193的上底和下底连接的两条边沿与第1方向Dx以及第3方向Dz交叉的方向延伸。在以下的说明中，有时将沿凸块193的边中的、在第1方向Dx-第3方向Dz剖面中沿与第1方向Dx以及第3方向Dz交叉的方向延伸出的边形成的凸块193的面记载为凸块193的倾斜面。此外，凸块193可以为上底被替换为顶点的三角形状。凸块193由丙烯酸树脂形成。凸块193的下表面与平坦化层129和像素电极174相接。像素电极174在沿第1方向Dx相邻的凸块193彼此之间从凸块193露出。凸块193设在沿第1方向Dx排列的多个像素电极174之间，隔着凸块193将相邻的像素电极174彼此绝缘。

有机层形成在像素电极174中的从凸块193露出的范围的上侧。另外，有机层的第1方向Dx上的两端向凸块193延伸。具体来说，例如如图1所示，有机层沿由像素电极174的上表面和凸块193的倾斜面形成的形状、即，从下侧朝向上侧末端扩张的钵状的第1方向Dx-第3方向Dz剖面形状来形成。有机层的第1方向Dx上的端部位于凸块193的倾斜面上。另外，有机层所包含的多个层中的最上层以外的一层的第1方向Dx上的端部不被有机层所包含的多个层中的在更上侧层叠的其他层覆盖。

在图1示出的例子的情况下，“有机层所包含的多个层中的最上层”是指第3有机层133G、第3有机层133B、第3有机层133R的某一层。因此，“有机层所包含的多个层中的最上层以外的一层”是指，第1有机层131G、第1有机层131B、第1有机层131R、第2有机层132G、第2有机层132B、第2有机层132R的某一层。

阴极138覆盖配置在下侧的有机层以及凸块193。有机层所包含的各层的第1方向Dx上的端部与阴极138相抵接。

在对置基板150的基板120侧的面形成有设置有黑矩阵141的滤光层145。黑矩阵141为用于遮挡从各副像素的边界漏出的光的遮光膜。在滤光层145与层叠在基板120上的封固膜139之间设有填充材料140。上述的层叠有基底层121到封固膜139的基板120与形成有滤光层145的对置基板150将由封固膜139和滤光层145夹持的填充材料140作为粘接材料而贴合在一起。此外，也可以不形成黑矩阵141或滤光层145。另外，填充材料140也可以没有形成在封固膜139的表面整体，例如，也可以沿对置基板150的基板端部形成为框状。

在图1中，有机层也可以成为利用设于滤光层145的彩色滤光片来体现各颜色的构成。在该情况下，第1副像素Gpix的有机层、第2副像素Bpix的有机层、第3副像素Rpix的有机层不个别形成，而共同设有发出共同的颜色(例如为白色光)的发光层。另外，在处于隔着黑矩阵141在第1方向Dx上相邻的位置关系的有机层的上侧，在滤光层145设有各自具有不同颜色的彩色滤光片。彩色滤光片的颜色例如为绿(G)、蓝(B)、红(R)等，但不限于此，能够适当变更。

利用各一个第1副像素Gpix、第2副像素Bpix、第3副像素Rpix的组合形成一个像素。第1副像素Gpix、第2副像素Bpix、第3副像素Rpix、分别作为副像素发挥功能。虽未图示，但在第1方向Dx上，按照第1副像素Gpix、第2副像素Bpix、第3副像素Rpix的顺序周期性排列有多个副像素。另外，在第2方向Dy上，排列有多个同色的副像素。这种副像素以及像素的布局只不过为一例子，并不限于此，能够适当变更。

如图1所示，像素电极174和有机层针对每个副像素个别设置。在第1方向Dx上相邻的副像素各自的有机层的第1方向Dx上的端部彼此通过凸块193而隔开。阴极138以由多个副像素共有的方式连续。

包含在基板120与填充材料140之间的层叠构造内的各层的形成通过利用了例如金属掩膜等的掩膜200(参照图2)的蒸镀来进行。此外，该层叠构造不需要全部通过蒸镀来进行，例如也可以针对该层叠构造的一部分采用光刻等其他形成方法。但在实施方式中，在显示装置100的制造工序中的至少有机层的形成工序中采用利用了掩膜200的蒸镀。

有机层使用相同掩膜200来形成。以下，参照图2～图4说明有机层的形成工序。以下，将形成第1有机层131的工序作为工序1。第1有机层131为第1有机层131G、第1有机层131B或者第1有机层131R的某一层。另外，将在第1有机层131的上侧形成第2有机层132的工序作为工序2。第2有机层132为第2有机层132G、第2有机层132B或者第2有机层132R的某一层。另外，将在第2有机层132的上侧形成第3有机层133的工序作为工序3。第3有机层133为第3有机层133G、第3有机层133B或者第3有机层133R的某一层。

图2是表示在工序1中的基板120的上侧的构成以及掩膜200的状态的示意图。此外，在参照图2～图4的说明中，针对形成在基板120的层叠构造的形成工序中的、在第1有机层131的形成工序之前实施的形成工序省略说明。在该说明中，利用在第1有机层131的形成工序之前实施的形成工序，形成基板120的平坦化层129以下的层叠构造，而且，设为在平坦化层129的上侧已经形成了像素电极174、凸块193、阴极接触布线195的状态。以下，在记载为“在工序1之前的工序结束的基板120”的情况下，是指该状态的基板120。另外，在图2～图4中，针对平坦化层129以下的构成省略详细的图示。

如图2所示，在第1有机层131的形成工序中，掩膜200位于开口部211位于像素电极174的上侧的位置。如图2所示，开口部211是第1方向Dx上的开口宽度为宽度D1的掩膜200的开口部。宽度D1是掩膜200的缘部201与缘部202之间的间隔。缘部201和缘部202隔着开口部211在第1方向Dx上相对置。

通过进行使用了掩膜200的蒸镀，在工序1中，构成第1有机层131的有机材料在图2示出的放射角度范围Ra内从上侧朝向下侧放射，附着于像素电极174上以及凸块193的倾斜面上，形成有第1有机层131。第1有机层131的形成范围与开口部211的宽度D1的位置以及大小、和在工序1之前的工序结束的基板120和掩膜200的位置关系对应。此外，在实施方式1中，在工序1～工序3的说明中，基板120与掩膜200的位置关系固定。另外，在实施方式1中，以使在工序1～工序3中形成的有机层所包含的各层的第1方向Dx上的两端朝向凸块193的倾斜面延伸出的方式事先决定开口部211的宽度D1的位置以及大小。

图3是表示在工序2中的基板120的上侧的构成以及掩膜200的状态的示意图。在工序2之前，通过进行了参照图2说明的工序1，在掩膜200层叠有第1有机层231。第1有机层231为通过第1有机层131的有机材料形成的层。构成第1有机层231的有机材料的大部分附着于掩膜200的上侧，但还有一部分附着于缘部201以及缘部202。由此，在工序1中缘部201和缘部202在内侧露出的开口部211为在工序2的开始时间点，缘部201和缘部202被第1有机层231覆盖的状态的开口部212。开口部212的第1方向Dx上的开口宽度为由第1有机层231覆盖的状态的缘部201和由第1有机层231覆盖的状态的缘部202之间的宽度D2。宽度D2比宽度D1小。

在工序2中，构成第2有机层132的有机材料在与开口部212的宽度D2对应的放射角度范围Rb内从上侧朝向下侧放射而附着于第1有机层131上以及凸块193上，形成第2有机层132。第2有机层132的第1方向Dx上的两端形成在利用形成在凸块193的倾斜面上的第1有机层131形成的倾斜面上。在此，开口部212的宽度D2变得比开口部211的宽度D1小，由此，在有机层中的形成完毕的层中，产生在第1方向Dx的两端侧不在第1有机层131的上侧层叠第2有机层132而使第1有机层131露出的部分。

图4是表示在工序3中的基板120的上侧的构成以及掩膜200的状态的示意图。在工序3之前，通过进行了参照图3说明的工序2，还在掩膜200层叠第2有机层232。第2有机层232为通过第2有机层132的有机材料形成的层。构成第2有机层232的有机材料的大部分附着于第1有机层231的上侧，但还有一部分附着于构成第1有机层231的有机材料附着完毕的缘部201以及缘部202。由此，在工序3中成为缘部201和缘部202被第1有机层231以及第2有机层232覆盖的状态。因此，在工序3中，掩膜200的开口部成为开口部213。开口部213的第1方向Dx上的开口宽度为由第1有机层231以及第2有机层232覆盖的状态的缘部201和由第1有机层231以及第2有机层232覆盖的状态的缘部202之间的宽度D3。宽度D3比宽度D2小。

在工序3中，构成第3有机层133的有机材料在与开口部213的宽度D3对应的放射角度范围Rc内从上侧朝向下侧放射而附着于第2有机层132上以及凸块193上，而形成第3有机层133。第3有机层133的第1方向Dx上的两端形成在利用形成在第1有机层131的倾斜面上的第2有机层132形成的倾斜面上。在此，开口部213的宽度D3变得比开口部212的宽度D2小，由此，在有机层，产生在第1方向Dx的两端侧在第2有机层132的上侧没有层叠第3有机层133而使第2有机层132露出的部分。

在形成第1副像素Gpix时，通过工序1形成第1有机层131G，通过工序2形成第2有机层132G，通过工序3形成第3有机层133G。在形成第2副像素Bpix时，通过工序1形成第1有机层131B，通过工序2形成第2有机层132B，通过工序3形成第3有机层133B。在形成第3副像素Rpix时，通过工序1形成第1有机层131R，通过工序2形成第2有机层132R，通过工序3形成第3有机层133R。设于第1副像素Gpix的有机层的形成、设于第2副像素Bpix的有机层的形成、和设于第3副像素Rpix的有机层的形成在分别的工序中进行。

如上所述，在工序2中，在第1方向Dx上的两端侧产生在第1有机层131的上侧没有层叠第2有机层132而使第1有机层131露出的部分。另外，在工序3中，在第1方向Dx上的两端侧产生在第2有机层132的上侧没有层叠第3有机层133而使第2有机层132露出的部分。因此，如上所述，有机层所包含的多个层中的最上层以外的一层在第1方向Dx上的端部不被有机层所包含的多个层中的层叠于更上侧的其他层覆盖。具体来说，第1有机层131在第1方向Dx上的端部不被第2有机层132以及第3有机层133覆盖。另外，第2有机层132在第1方向Dx上的端部不被第3有机层133覆盖。

经由工序1、工序2、工序3，第1方向Dx上的两端形成在凸块193的倾斜面上的有机层，与第1方向Dx上的两端沿与第3方向Dz正交的平面层叠的有机层相比，有机层所包含的最上层以外的层与阴极138的抵接范围变小。

图5是表示具有第1方向Dx上的两端沿与第3方向Dz正交的平面层叠的有机层的显示装置300的层叠构造的示意图。在此，假设在有机层的端部延伸到梯形状的凸块193的上底为止的情况下的显示装置300。在该情况下，如图5所示，在副像素(第1副像素Gpix、第2副像素Bpix、第3副像素Rpix)各自的第1方向Dx上的两端产生锥形TP。形成有这种锥形TP是因为，如参照图2～图4说明的那样，在使用相同掩膜200形成了第1有机层131～阴极138的情况下，形成在更上侧的层的俯视角下的大小变得比形成在其下侧的层的俯视角下的大小小。而且，在第1方向Dx上相邻的副像素彼此之间，以从上侧覆盖锥形TP的方式形成的阴极138形成为将相邻的副像素彼此连接。此外，俯视角是指，以主视方式观察与第3方向Dz正交的平面(第1方向Dx-第2方向Dy平面)的视角。

图6是表示形成有锥形TP的结构和利用锥形TP产生的非被覆部的宽度S1的示意图。在沿与第3方向Dz正交的平面F依次实施工序1、工序2、工序3而形成了第1有机层131、第2有机层132、第3有机层133的情况下，如图6所示，第1有机层131、第2有机层132以及第3有机层133各自所具有的第1方向Dx上的端部沿平面F向第1方向Dx延伸。在此，如参照图2～图4说明的那样，在掩膜200上使有机材料通过的孔(开口部211、开口部212、开口部213)的开口宽度(宽度D1、宽度D2、宽度D3)随着按照工序1～工序3的进行而逐渐变小。通过这种开口宽度的变化，与工序1中的放射角度范围Ra相比，工序2中的放射角度范围Rb变得更窄，与放射角度范围Ra以及放射角度范围Rb相比，工序3中的放射角度范围Rc变得更窄。因此，第1有机层131所具有的第1方向Dx上的端部、第2有机层132所具有的第1方向Dx上的端部、第3有机层133所具有的第1方向Dx上的端部形成台阶状的高低差。该台阶状的高低差产生锥形TP。

在锥形TP，如图5所示，第1有机层131不被第2有机层132以及第3有机层133覆盖而是延伸出的部分以及第2有机层132不被第3有机层133覆盖而是延伸出的部分与阴极138相抵接。像这样，将不被有机层所包含的多个层中的更上侧的层覆盖而延伸出且与阴极138相抵接的部分记载为非被覆部。非被覆部成为在像素电极174与阴极138之间产生的电流的导通路径中的、不通过有机层所包含的所有层的导通路径。在像这样不通过有机层所包含的所有层的导通路径流过的电流成为漏电流，进一步增大使OLED的有效亮度下降的可能性。即，成为非被覆部的范围的宽度优选为更窄。

图7是表示在倾斜面H形成了有机层的第1方向Dx上的端部的情况下产生的非被覆部的宽度S2的示意图。如图7所示，通过在沿着第1方向Dx以及第3方向Dz的剖视点在向与第1方向Dx以及第3方向Dz交叉的方向延伸的倾斜面H上形成有机层的端部，能够将有机层的端部中的、成为非被覆部的部分的宽度S2缩窄为比宽度S1窄。因此，根据参照图1～图4说明的实施方式1，能够进一步减小漏电流，进一步提高OLED的有效亮度。

与图7的倾斜面H对应的构成例如为图1示出的凸块193的倾斜面。另外，与图7的平面F对应的构成为像素电极174。

此外，有机层所包含的多个层的端部严密来说不形成为在图1～图4中示意性示出的这种平坦的形状，例如如图7示出的第1有机层131E、第2有机层132E、第3有机层133E所示，成为包括不沿着基板120的板面的细微的高低差的形状。

以上，根据实施方式1，显示装置100具备基板120、设在基板120上的第1电极(例如，像素电极174)、覆盖该第1电极的一部分的绝缘部(例如，凸块193)、层叠于该电极以及该绝缘部的有机层、层叠于有机层以及该绝缘部的第2电极(阴极138)。该绝缘部从该第1电极侧向该第2电极侧突出而形成，具有相对于该第1电极倾斜的倾斜面H。该有机层至少包括第1层和层叠于该第1层的第2层。例如在第1有机层131为第1层的情况下，第2层为第2有机层132。另外，在第2有机层132为第1层的情况下，第2层为第3有机层133。该第1层以及该第2层的端部(例如，第1有机层131E、第2有机层132E、第3有机层133E)位于该倾斜面上。由此，能够进一步减小该第2电极与该第1层的抵接范围。因此，能够进一步减小漏电流，进一步提高OLED的有效亮度。

另外，绝缘部(例如，凸块193)包括作为在剖视时将基板120侧作为下底的梯形状的部分。倾斜面H与将该部分的上底和该下底相连的边对应。因此，通过在沿与该绝缘部的梯形的脚对应的边的外周面上形成有机层的倾斜部E，能够更简便地进一步减小有机层所包含的多个层中的最上层以外的层与电极层(阴极138)的抵接范围。

另外，作为在绝缘部(例如，凸块193)的剖视下将基板120侧作为下底的梯形状的部分的上底与有机层的第1层以及第2层的端部(例如，第1有机层131E、第2有机层132E、第3有机层133E)相比向第2电极(阴极138)侧突出。由此，能够更可靠地将在第1电极(例如，像素电极174)与该绝缘部的排列方向上相邻的有机层彼此绝缘。

另外，有机层的第1层以及第2层的端面朝向基板120的相反侧。在此所说的“端面”是指，例如该第1层以及该第2层的端部(例如，第1有机层131E、第2有机层132E、第3有机层133E)彼此的排列形成的端部的连续面。利用这种端面的朝向，能够进一步减小第2电极(阴极138)与该第1层的抵接范围。因此，能够进一步减小漏电流，进一步提高OLED的有效亮度。

另外，第1层以及第2层(例如，第1有机层131E、第2有机层132E、第3有机层133E)的端部与第1电极(例如，像素电极174)的端部相比位于内侧。此外，在图1以及图5以及后述的图8以及图9中示出的例子中，该第1层以及该第2层这两方的端部与该第1电极的端部相比位于内侧，但不限于此，该第1层以及该第2层的端部的至少某一方只要与该第1电极的端部相比位于内侧即可。

另外，第1电极(例如，像素电极174)在没有被绝缘部(例如，凸块193)覆盖的位置与有机层相接。由此，能够针对每个第1电极更可靠地个别形成导通成立的有机层。

而且，显示装置100的有机层所包含的多个层能够不更换掩膜地形成。因此，与多个层各自使用专用的掩膜的情况相比，能够以更低成本制造显示装置100。而且，有机层的第1层以及第2层具有沿倾斜面H从第1电极(例如，像素电极174)侧向第2电极(阴极138)侧上升的倾斜部E(参照图7)。而且，该第1层以及该第2层的端部(例如，第1有机层131E、第2有机层132E、第3有机层133E)为倾斜部E的端部。由此，能够进一步减小该第2电极与该第1层的抵接范围。因此，能够进一步减小漏电流，进一步提高OLED的有效亮度。

(实施方式1的变形例)

接着，参照图8～图11说明实施方式1的变形例。实施方式1的变形例与参照图1～图4说明的实施方式1相比，在沿着第1方向Dx以及第3方向Dz的剖视点，在平坦化层129、像素电极174的上侧且在封固膜139的下侧形成的各种构成的形状除了不同点以外与实施方式1相同。该各种构成包括凸块(凸块193)、有机层以及阴极138。因此，在表示实施方式1的变形例的图8～图11中，仅选择并图示了在沿着第1方向Dx以及第3方向Dz的剖视点下的凸块、有机层以及阴极138的剖面形状。

(实施方式1的变形例1)

图8是表示实施方式1的变形例1中的凸块1930、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式1的变形例1中，实施方式1中的凸块193被替换为凸块1930。凸块1930包括下段部1931、上段部1932、1932。下段部1931具有梯形状的剖面形状。两个上段部1932从下段部1931的上底向上侧延伸。换言之，假设当没有上段部1932、1932时，下段部1931为梯形状。上段部1932、1932在下段部1931的上底上在第1方向Dx上排列地来设置。在第1方向Dx上排列的上段部1932彼此之间，存在作为梯形状的下段部1931的上底的一部分的平面部。在图8中例示的各上段部1932为上底在第1方向Dx上的长度极短的梯形状，但上段部1932的剖面形状不限于此。例如，上段部1932的剖面形状也可以为将在图8中例示的沿第1方向Dx以及第2方向Dy的上底替换为具有尖锐的顶点状的形状的三角形状。

下段部1931以及上段部1932与凸块193同样地，为上底比下底短的梯形状。从像素电极174的上表面连续的凸块1930的外周面形成从像素电极174朝向上侧末端扩张的钵状的剖面形状。实施方式1的变形例1的有机层层叠在这种像素电极174的上表面侧。而且，有机层的第1方向Dx上的端部形成在上段部1932的倾斜面上。此外，有机层没有延伸到上段部1932的上底为止。当然，有机层也没有向两个上段部1932彼此之间的下段部1931的平面部延伸。

更具体来说，包含在第1方向Dx上相邻的副像素的一方的有机层内的第1有机层131P位于两个上段部1932的一方的倾斜面上。另外，该有机层所包含的一层且层叠在第1有机层131P的上侧的第2有机层132P位于通过使第1有机层131P的第1方向Dx上的端部形成在上段部1932上而产生的第1有机层131P的倾斜面上。另外，该有机层所包含的一层且层叠在第2有机层132P的上侧的第3有机层133P位于通过使第2有机层132P的第1方向Dx上的端部形成在第1有机层131P的倾斜面上而产生的第2有机层132P的倾斜面上。

另外，在第1方向Dx上相邻的副像素的另一方的有机层所包含的第1有机层131Q位于两个上段部1932的另一方的倾斜面上。另外，在该有机层所包含的一层且第1有机层131Q的上侧层叠的第2有机层132Q位于通过使第1有机层131Q的第1方向Dx上的端部形成在上段部1932上而产生的第1有机层131Q的倾斜面上。另外，在该有机层所包含的一层且层叠在第2有机层132Q的上侧的第3有机层133Q位于通过使第2有机层132Q的第1方向Dx上的端部形成在第1有机层131Q的倾斜面上而产生的第2有机层132Q的倾斜面上。

第1有机层131P以及第1有机层131Q在与参照图2说明的工序1同样的工序中形成。在图8以及后述的图9～图11中，示出了与图2中的放射角度范围Ra对应的放射角度范围Pa、放射角度范围Qa。放射角度范围Pa为与在形成第1有机层131P时的掩膜200的开口部(图2示出的开口部211)对应的放射角度范围的一部分。放射角度范围Qa是与在形成第1有机层131Q时的掩膜200的开口部(图2示出的开口部211)对应的放射角度范围。

第2有机层132P以及第2有机层132Q在与参照图3说明的工序2同样的工序中形成。在图8以及后述的图9～图11中，示出了图3中的与放射角度范围Rb对应的放射角度范围Pb、放射角度范围Qb。放射角度范围Pb为与在形成第2有机层132P时的掩膜200的开口部(图3示出的开口部212)对应的放射角度范围的一部分。放射角度范围Qb为与在形成第2有机层132Q时的掩膜200的开口部(图2示出的开口部212)对应的放射角度范围。

第3有机层133P以及第3有机层133Q在与参照图4说明的工序3同样的工序中形成。在图8以及后述的图9～图11中，示出了图4中的与放射角度范围Rc对应的放射角度范围Pc、放射角度范围Qc。放射角度范围Pc为与在形成第3有机层133P时的掩膜200的开口部(图2示出的开口部213)对应的放射角度范围的一部分。放射角度范围Qc为与在形成第3有机层133Q时的掩膜200的开口部(图2示出的开口部213)对应的放射角度范围。

此外，如在图8以及后述的图9～图11所示的那样，在实施方式1的变形例中，与实施方式1同样地，阴极138以覆盖配置在下侧的有机层以及凸块1930的方式而形成。因此，实施方式1的变形例的阴极138与有机层所包含的最上层(例如，第3有机层133P、第3有机层133Q)的上表面、有机层所包含的各层的第1方向Dx上的端部、两个上段部1932的上底以及该两个上段部1932彼此之间的下段部1931的平面部相抵接。

(实施方式1的变形例2)

图9是表示实施方式1的变形例2中的凸块1940、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式1的变形例2中，实施方式1的凸块193替换为凸块1940。凸块1940包括下段部1941、和上段部1942、1942。下段部1941与下段部1931同样地，具有梯形状的剖面形状。两个上段部1942从下段部1941的上底向上侧延伸。上段部1942与上段部1932相比，上底的第1方向Dx上的宽度更大。另外，由上段部1942的倾斜面和下段部1941的上底形成的开口侧的角度变得比由上段部1932的倾斜面和下段部1931的上底形成的开口侧的角度小。通过将实施方式1的变形例1中的有机层与下段部1931以及上段部1932的关系更换为有机层与下段部1941以及上段部1942的关系，能够说明实施方式1的变形例2中的有机层的构造。除了这些特别提起的事项，实施方式1的变形例2与实施方式1的变形例1相同。

(实施方式1的变形例3)

图10是表示实施方式1的变形例3中的凸块1950、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式1的变形例3中，实施方式1的凸块193替换为凸块1950。凸块1950包括下段部1951和上段部1952。下段部1951与下段部1931同样地，具有梯形状的剖面形状。上段部1952为与上段部1942同样的形状，但与变形例2的上段部1942、1942不同，变形例3的上段部1952为一个。变形例3的第1有机层131P的第1方向Dx上的端部位于梯形状的上段部1952的倾斜面中的一方之上。变形例3的第1有机层131Q的第1方向Dx上的端部位于梯形状的上段部1952的倾斜面中的另一方之上。除了这些特别提起的事项，实施方式1的变形例3与实施方式1的变形例2相同。

(实施方式1的变形例4)

图11是表示实施方式1的变形例4中的凸块1960、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式1的变形例4中，实施方式1的凸块193替换为凸块1960。凸块1960包括下段部1961和上段部1962。下段部1961与下段部1931同样地，具有梯形状的剖面形状。上段部1962与相对于下段部1951的上段部1952同样地，从下段部1961的上表面向上侧延伸。但上段部1962的剖面形状为上段部1952的上底替换为顶点的三角形状。变形例4的第1有机层131P的第1方向Dx上的端部位于三角形状的上段部1952的倾斜面中的一方之上。变形例4的第1有机层131Q的第1方向Dx上的端部位于三角形状的上段部1952的倾斜面中的另一方之上。除了这些特别提起的事项，实施方式1的变形例4与实施方式1的变形例3相同。

以上，根据实施方式1的变形例，绝缘部(例如，凸块1930、1940、1950、1960等)包括位于具有倾斜面H(参照图7)的部分(例如，上段部1932、1942、1952、1962)与第1电极(例如，像素电极174)之间的基部(例如，下段部1931、1941、1951、1961)。该基部为在剖视时将基板120侧作为下底的梯形状。由此，能够将有机层从电极(例如，像素电极174)侧朝向该电极层侧上升的倾斜形成为2段构造。即，能够在该基部上更自由地决定具有倾斜面H(参照图7)的该部分的配置。因此，能够进一步缓和需要与该电极的配置对应设置的基于该基部的倾斜面H的配置的制约。另外，绝缘部的倾斜面如上述的各变形例那样，也可以包括将基部(例如，下段部1931、1941、1951、1961)的上底和该基部的下底相连的边。

而且，电极(例如，像素电极174)在一个方向(例如，第1方向Dx)上排列有多个。在绝缘部(例如，凸块1930、1940)，具有倾斜面H的两个部分(例如，上段部1932、1942)在该一个方向上排列。个别层叠于沿该一个方向相邻的两个该电极各自的有机层分别沿不同的部分所具有的倾斜面从该电极侧向电极层(阴极138)侧上升。由此，能够更可靠地抑制基于个别层叠于两个该电极各自的有机层彼此的抵接而产生的短路。另外，能够增大基于掩膜200的有机层的形成范围的误差允许范围。因此，能够进一步降低形成有机层所追求的精度的等级。

而且，绝缘部(例如，凸块1960)包括作为剖面形状将基板120侧作为底边的三角形状的部分(例如，上段部1962)。倾斜面H(参照图7)的位置与该部分中的、底边以外的边的位置对应。因此，沿在该绝缘部将底边和与该底边相对置的顶点连结的边的外周面形成有机层的倾斜部E，由此，能够更简便地进一步减小有机层所包含的多个层中的最上层以外的层与电极层(阴极138)的抵接范围。

(实施方式2)

接下来，参照图12说明实施方式2。实施方式2与参照图1～图4说明的实施方式1相比，在沿第1方向Dx以及第3方向Dz的剖视点，在平坦化层129、像素电极174的上侧且封固膜139的下侧形成的各种构成的形状除了不同点以外与实施方式1相同。该各种构成包括凸块(凸块193)、有机层以及阴极138。因此，在示出实施方式2的图12中，仅选择图示在沿第1方向Dx以及第3方向Dz的剖视点的凸块、有机层以及阴极138的剖面形状。

图12是表示实施方式2中的凸块1970、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式2中，实施方式1中的凸块193替换为凸块1970。凸块1970包括隆起部1971、1972、以及平面部1973。隆起部1971、1972分别具有梯形状的剖面形状。隆起部1971和隆起部1972在其间隔着平面部1973而在第1方向Dx上排列。平面部1973的上表面沿着与第3方向Dz正交的平面。平面部1973以使位于隆起部1971的梯形状的4顶点中的下底侧且靠隆起部1972侧的1顶点、与位于隆起部1972的梯形状的4顶点中的下底侧且靠隆起部1971侧的1顶点连续的方式与隆起部1971以及隆起部1972一体设置。

隆起部1971以及隆起部1972为上底比下底短的梯形状。平面部1973的上表面、隔着平面部1973与隆起部1972相对置的面侧的隆起部1971的倾斜面、和隔着平面部1973与隆起部1972相对置的面侧的隆起部1971的倾斜面形成从像素电极174朝向上侧而末端扩张的钵状的剖面形状。实施方式2的有机层的第1方向Dx上的端部向该钵的内侧延伸。

更具体来说，实施方式2的第1有机层131Q以向隆起部1971的上侧、平面部1973的上侧以及隆起部1972的倾斜面中的与隆起部1971相对置的面侧的倾斜面延伸的方式层叠。因此，实施方式2的第1有机层131Q的第1方向Dx上的一端部位于隆起部1972的倾斜面上。另外，实施方式2的第2有机层132Q以使第1方向Dx上的端部侧层叠在形成在隆起部1972的倾斜面上的第1有机层131Q的倾斜面上的方式来形成。另外，实施方式2的第3有机层133Q以第1方向Dx上的端部侧层叠于层叠在第1有机层131Q的倾斜面上的第2有机层132Q的倾斜面上的方式来形成。

此外，在图12示出的例子中，例示了用于形成包括第1有机层131Q、第2有机层132Q以及第3有机层133Q在内的有机层的工序(例如，参照图2～图4说明的工序1、工序2、工序3)与用于形成包括第1有机层131P、第2有机层132P以及第3有机层133P在内的有机层的工序1、工序2、工序3相比在先实施的情况。

实施方式2的第1有机层131P以向隆起部1972的上侧、平面部1973的上侧以及隆起部1971的倾斜面中的隆起部1972相对置的面侧的倾斜面延伸的方式来层叠。因此，第1有机层131P在平面部1973上层叠于在先层叠的第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q的更上侧。另外，实施方式2的第1有机层131P的第1方向Dx上的端部侧向隆起部1971的倾斜面中的与隆起部1972相对置的面侧的倾斜面上延伸而位于层叠的第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q的层叠构造之上。该层叠构造的上表面与隆起部1971的倾斜面中的与隆起部1972相对置的面侧的倾斜面同样地，成为倾斜面。另外，实施方式2的第2有机层132P以使第1方向Dx上的端部侧层叠于形成在该层叠构造的倾斜面上的第1有机层131P的倾斜面上的方式来形成。另外，实施方式2的第3有机层133P以第1方向Dx上的端部侧层叠于还层叠于形成在该层叠构造的倾斜面上的第1有机层131P的倾斜面上的第2有机层132P的倾斜面上的方式来形成。

实施方式2的第1有机层131P、第1有机层131Q中的至少第1有机层131P在与参照图2说明的工序1同样的工序中来形成。在图12中，示出与图2中的放射角度范围Ra对应的放射角度范围Pa。

实施方式2的第2有机层132P、第2有机层132Q中的至少第2有机层132P在与参照图3说明的工序2同样的工序中来形成。在图12中，示出了与图3中的放射角度范围Rb对应的放射角度范围Pb。

实施方式2的第3有机层133P、第3有机层133Q中的至少第3有机层133P在与参照图4说明的工序3同样的工序中来形成。在图12中，示出了与图4中的放射角度范围Rc对应的放射角度范围Pc。

此外，实施方式2的第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q可以在与参照图2～图4说明的工序1、工序2、工序3同样的工序中来形成，也可以经由其他工序来形成。即，在第1方向Dx上相邻的两个副像素的有机层中的、在平面部1973上相对层叠于下侧的有机层的形成工序不限于工序1、工序2、工序3，能够适当变更。

此外，第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q的在第1方向Dx上的端部的位置也可以不在倾斜面上。若举出具体例，则也可以在平面F(参照图6)存在第1方向Dx上的端部。这是因为，第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q由第1有机层131P、第2有机层132P、第3有机层133P覆盖其上侧，因此，不与阴极138相抵接。即，与第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q的在第1方向Dx上的端部的位置或非被覆部的大小无关地，可抑制基于第1有机层131Q、第2有机层132Q和阴极138的抵接而产生的漏电流。

如参照图12说明的那样，实施方式2与实施方式1不同，在第1方向Dx上相邻的两个副像素的有机层的一部分在平面部1973的上方在第3方向Dz上重合。在此，在平面部1973的上方相对层叠在上侧的有机层所包含的多个层各自(第1有机层131P、第2有机层132P、第3有机层133P)所具有的在第1方向Dx上的端部，与在图7中位于倾斜面H上的第1有机层131、第2有机层132、第3有机层133各自所具有的在第1方向Dx上的端部同样地，在倾斜面上形成非被覆部而与上侧的阴极138相抵接。另一方面，在平面部1973的上方相对层叠于下侧的有机层被第1方向Dx上的端部相对层叠于上侧的有机层覆盖，而不与阴极138相抵接。因此，根据实施方式2，能够与实施方式1相比进一步减小与阴极138相抵接的非被覆部。

设于发出不同颜色的光的副像素的有机层在各自不同的工序中形成。因此，在实施方式2中，发出不同颜色的光的副像素彼此根据形成顺序的前后关系而产生有机层的上下关系。例如，与参照图1说明的实施方式1同样地，在实施方式2中设置了第1副像素Gpix、第2副像素Bpix、第3副像素Rpix这3种副像素的情况下，该3种中的一个副像素最初形成，除去这一个以外的其他两个中的一方副像素在其之后形成，另一方副像素最后形成。在该情况下，上述一个副像素中的有机层所具有的第1方向Dx上的两端与图12示出的第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q所具有的第1方向Dx上的端部相同。另外，设于一方副像素中的有机层所具有的第1方向Dx上的端部中的、位于一个副像素重合的位置的一端，与图12示出的第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q所具有的第1方向Dx上的端部相同。另外，设于一方副像素的有机层所具有的第1方向Dx上的端部中的、位于与另一方副像素重合的位置的另一端，与图12示出的第1有机层131P、第2有机层132P、第3有机层133P所具有的第1方向Dx上的端部相同。另外，设于另一方副像素的有机层所具有的第1方向Dx的两端与图12示出的第1有机层131P、第2有机层132P、第3有机层133P所具有的第1方向Dx上的端部相同。因此，设于至少这3种中的除了上述一个副像素以外的其他两副像素(一方副像素和另一方副像素)的有机层在与参照图2～图4说明的工序1、工序2、工序3同样的工序中来形成。

此外，在实施方式2中，通过将参照图1说明的黑矩阵141的第1方向Dx上的位置设在平面部1973上，能够视觉却认为俯视角下的各副像素的在第1方向Dx上的宽度相同。

以上，除了这些特别提起的事项，实施方式2与实施方式1相同。根据实施方式2，电极(例如，像素电极174)在一个方向(例如，第1方向Dx)上排列有多个。分别层叠于在该一个方向上相邻的两个该电极各自的个别层在位于该两个该电极之间的绝缘部(例如，凸块1970)上重叠层叠。与该个别层中的一方(例如，第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q)隔着该绝缘部的另一方(例如，第1有机层131P、第2有机层132P、第3有机层133P)为具有倾斜部E(参照图7)的有机层。由此，能够形成该另一方与电极层(阴极138)不抵接的构造。因此，能够进一步减小漏电流，进一步提高OLED的有效亮度。此外，该一方可以为具有倾斜部E的有机层，也可以为不具有倾斜部E的有机层。即，该一方可以在平面F(参照图6)存在第1方向Dx上的端部。这是因为，该一方中的上侧被该另一方覆盖，因此，不与该电极层相抵接。

另外，绝缘部(例如，凸块1970)在具有倾斜面H(参照图7)的两个部分(例如，隆起部1971、1972)在一个方向(例如，第1方向Dx)上排列。个别层叠于在该一个方向上相邻的两个电极(例如，像素电极174)各自的有机层在位于该两个该电极之间的该绝缘部所具有的两个该部分之间(例如，平面部1973)重叠。由此，能够将由个别层叠于在该一个方向上相邻的两个该电极的每一个的个别层中的上述另一方(例如，第1有机层131P、第2有机层132P、第3有机层133P)和该绝缘部夹设的上述一方(例如，第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q)的端部以收容在该两个部分的内侧的方式来被覆，能够更可靠地抑制该端部与电极层(阴极138)相抵接。

(实施方式2的变形例)

接下来，参照图13～图18说明实施方式2的变形例。实施方式2的变形例与参照图1～图4说明的实施方式1相比，在沿第1方向Dx以及第3方向Dz的剖视点，形成在平坦化层129、像素电极174的上侧且封固膜139的下侧的各种构成的形状除了不同点以外，与实施方式1相同。该各种构成包括凸块(凸块193)、有机层以及阴极138。另外，实施方式2的变形例在沿第1方向Dx相邻的两个副像素的有机层的一部分在凸块的上方与第3方向Dz重合的点与实施方式2相同。因此，在示出实施方式2的变形例的图13～图18中，仅选择并图示了在沿第1方向Dx以及第3方向Dz的剖视点的凸块、有机层以及阴极138的剖面形状。

(实施方式2的变形例1)

图13是表示实施方式2的变形例1中的凸块1980、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式2的变形例1中，实施方式1中的凸块193替换为凸块1980。凸块1980包括隆起部1981和平面部1982。

隆起部1981具有如下的剖面形状：下侧为与在第1方向Dx上排列的两个像素电极174中的一方以及该两个像素电极174彼此之间的平坦化层129相抵接的底边、且上侧为与该底边相对置的位置的顶点的三角形状。隆起部1981的上表面形成了与形成三角形状的隆起部1981的剖面形状的上侧的顶点的两条边相对于第1方向Dx以及第3方向Dz的斜率对应的倾斜面。

平面部1982从隆起部1981向在第1方向Dx上排列的两个像素电极174中的另一方上延伸。平面部1982当将隆起部1981的剖面形状视为三角形时，在该三角形的3顶点中的底边侧的2顶点的一方且在第1方向Dx上排列的两个像素电极174中的另一方侧的1顶点的位置，与隆起部1981一体地连续。平面部1982的上表面沿着与第3方向Dz正交的平面。

如图13所示，在实施方式2的变形例1中，在第1方向Dx上相邻的两个副像素的有机层P、Q各自的一部分在凸块1980的上方与第3方向Dz重合。具体来说，有机层Q以覆盖隆起部1981的上侧的顶点以及隆起部1981所具有的两个倾斜面这两方的方式来形成。有机层Q的第1方向Dx上的端部位于隆起部1981的倾斜面上。即，有机层Q不延伸至平面部1982。另外，有机层P以覆盖平面部1982的上侧以及位于隆起部1981的倾斜面上的有机层Q的第1方向Dx上的端部的方式来形成。参照图14说明两个副像素的有机层P、Q的更详细的构造。

图14是表示图13示出的两个副像素的有机层P、Q的更详细的构造的剖视图。有机层Q包括第1有机层131Q、第2有机层132Q、第3有机层133Q。实施方式2的变形例1的第1有机层131Q以覆盖隆起部1981的上侧的顶点以及隆起部1981所具有的两个倾斜面这两方的方式来形成。第1有机层131Q的第1方向Dx上的端部位于隆起部1981的两个倾斜面中的靠平面部1982侧的倾斜面上。另外，实施方式2的变形例1的第2有机层132Q以使其第1方向Dx上的端部侧层叠于在隆起部1981的两个倾斜面上形成的第1有机层131Q的两个倾斜面中的靠平面部1982侧的倾斜面上的方式来形成。另外，实施方式2的第3有机层133Q以使其第1方向Dx上的端部侧层叠于在第1有机层131Q的两个倾斜面上形成的第2有机层132Q的两个倾斜面中的靠平面部1982侧的倾斜面上的方式来形成。

实施方式2的变形例1的第1有机层131Q在与参照图2说明的工序1同样的工序中形成。在图14中，示出与图2中的放射角度范围Ra对应的放射角度范围Qa。另外，实施方式2的变形例1的第2有机层132Q在与参照图3说明的工序2同样的工序中形成。在图14中，示出了与图3中的放射角度范围Rb对应的放射角度范围Qb。另外，实施方式2的变形例1的第3有机层133Q在与参照图4说明的工序3同样的工序中形成。在图14中，示出了与图4中的放射角度范围Rc对应的放射角度范围Qc。

有机层P包括第1有机层131P、第2有机层132P、第3有机层133P。实施方式2的变形例1的第1有机层131P以覆盖平面部1982的上侧以及位于隆起部1981的倾斜面上的第1有机层131Q、第2有机层132Q以及第3有机层133Q的第1方向Dx上的端部的方式来形成。此外，实施方式2的变形例1的第1有机层131P以不到达隆起部1981的顶点上，且使第1方向Dx上的端部位于隆起部1981的两个倾斜面中的形成有第1有机层131Q、第2有机层132Q以及第3有机层133Q的第1方向Dx上的端部的倾斜面侧的方式来形成。另外，实施方式2的变形例1的第2有机层132P以第1方向Dx上的端部侧位于覆盖第1有机层131Q、第2有机层132Q以及第3有机层133Q的第1方向Dx上的端部地形成的第1有机层131P的倾斜面上的方式层叠于第1有机层131P的上侧。另外，实施方式2的变形例1的第3有机层133P以使第1方向Dx上的端部侧位于在第1有机层131P的倾斜面上层叠的第2有机层132P的倾斜面上的方式层叠于第2有机层132P的上侧。

图15是表示在个别的工序中形成的三个副像素的有机层P、Q、T的上下关系、与该三个副像素在第1方向Dx上的宽度的关系的一例的示意图。设于发出不同颜色的光的副像素的有机层分别在不同的工序中形成。因此，在实施方式2的变形例1中，与实施方式2同样地，发出不同颜色的光的副像素彼此根据形成顺序的前后关系而产生有机层的上下关系。

在图15以及后述的图16示出的例子中，例示了第1副像素Gpix、第2副像素Bpix、第3副像素Rpix这3种副像素中的一个副像素所具有的有机层T、除了这一个副像素以外的其他两个中的一方副像素所具有的有机层Q、和另一方副像素所具有的有机层P。有机层P、Q、T按照有机层T、有机层Q、有机层P的顺序来形成。另外，在图15中，将该一个副像素作为副像素T1，将该一方副像素作为副像素Q1，将该另一方副像素作为副像素P1。

形成于在第1方向Dx上排列的像素电极174间的凸块1980中的隆起部1981和平面部1982的位置关系与有机层P、Q、T的形成位置以及形成顺序对应。具体来说，在上侧形成有有机层T的像素电极174在第1方向Dx上的两端附近，其上表面被隆起部1981覆盖。另外，在上侧形成有有机层Q的像素电极174在第1方向Dx上的一端附近，其上表面被隆起部1981覆盖，在另一端附近，其上表面由平面部1982覆盖。另外，在上侧形成有有机层P的像素电极174在第1方向Dx的两端附近，其上表面被平面部1982覆盖。

有机层T所具有的第1方向Dx上的两端与图13以及图14示出的有机层Q相同。有机层Q所具有的第1方向Dx上的端部中的位于与有机层T重合的位置的一端与图13以及图14示出的有机层Q相同。有机层Q所具有的第1方向Dx上的端部中的位于与有机层P重合的位置的另一端与图13以及图14示出的有机层P相同。有机层P所具有的第1方向Dx上的两端与图13以及图14示出的有机层P相同。

在此，在有机层P与像素电极174相抵接的范围的第1方向Dx上的宽度、有机层Q与像素电极174相抵接的范围的第1方向Dx上的宽度、和有机层T与像素电极174相抵接的范围的第1方向Dx上的宽度相等的情况下，在宽度DP1、宽度DQ1与宽度DT1之间产生差异。宽度DP1为副像素P1的第1方向Dx上的宽度。宽度DQ1为副像素Q1的第1方向Dx上的宽度。宽度DT1为副像素T1的第1方向Dx上的宽度。

宽度DP1、宽度DQ1、与宽度DT1之间的差异是由在凸块1980上重合的有机层中的层叠在上侧的有机层与层叠在下侧的有机层相比在更大的范围内与阴极138相抵接而引起的。在图15中，例示了宽度DP1比宽度DQ1以及宽度DT1大，宽度DQ1比宽度DT1大的情况。

反过来考虑，若在凸块1980上重合的有机层中的层叠在上侧的有机层与阴极138相抵接的范围在第1方向Dx上的宽度、和在凸块1980上重合的有机层中的层叠在下侧的有机层与阴极138相抵接的范围在第1方向Dx上的宽度相等，则即使采用图15示出的这种构成，也不会产生副像素P1、副像素Q1、副像素T1的大小的差异。另外，利用其他方法也能够缓和或者解消副像素P1、副像素Q1、副像素T1的大小的差异。

图16是表示在个别的工序中形成的三个副像素的有机层P、Q、T的上下关系、与该三个副像素的第1方向Dx上的宽度的关系的另一例的示意图。在图16中，将第1副像素Gpix、第2副像素Bpix、第3副像素Rpix这3种副像素中的一个副像素作为副像素T2，将该一方副像素作为副像素Q2，将该另一方副像素作为副像素P2。宽度DP2为副像素P2的第1方向Dx上的宽度。宽度DQ2为副像素Q2的第1方向Dx上的宽度。宽度DT2为副像素T2的第1方向Dx上的宽度。

在图16示出的例子中，将图15中的像素电极174替换为像素电极1741、像素电极1742或者像素电极1743。像素电极1741的第1方向Dx上的宽度比像素电极1742以及像素电极1743大。像素电极1742的第1方向Dx上的宽度比像素电极1743大。

如图16所示，通过将有机层T形成于上侧的像素电极设为像素电极1741、将有机层Q形成于上侧的像素电极设为像素电极1742、将有机层P形成于上侧的像素电极设为像素电极1743，能够使宽度DP2、宽度DQ2、宽度DT2各自的大小均匀或者成为更接近的大小。以上，除了这些特别提起的事项，实施方式2的变形例1与实施方式2相同。

根据实施方式2的变形例1，绝缘部(凸块1980)包括沿着基板120的平面部(平面部1982)，具有倾斜面H的部分(隆起部1981)和该平面部具有在一个方向(例如，第1方向Dx)上排列的非对称的剖面形状。由此，能够以使在该一个方向上相邻的两个电极(例如，像素电极174或者像素电极1741、像素电极1742或者像素电极1743)的每一个个别层叠的有机层在位于该两个该电极之间的绝缘部(例如，凸块1970)上重合的方式来层叠。因此，即使利用与实施方式2不同的构造也能够发挥与实施方式2同样的效果。

(实施方式2的变形例2)

图17是表示实施方式2的变形例2中的凸块1990、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式2的变形例2中，实施方式1中的凸块193替换为凸块1990。凸块1990包括隆起部1991、1992、平面部1993和基部1994。隆起部1991、1992与隆起部1971、1972同样地，具有梯形状的剖面形状。隆起部1991和隆起部1992在其间隔着平面部1993在第1方向Dx上排列。平面部1993与平面部1973同样地，上表面沿着与第3方向Dz正交的平面。平面部1973以使位于隆起部1991的梯形状的4顶点中的靠下底侧且隆起部1992侧的1顶点、与位于隆起部1992的梯形状的4顶点中的靠下底侧且隆起部1991侧的1顶点连续的方式与隆起部1991以及隆起部1992一体地设置，且与位于下侧的基部1994一体地设置。

基部1994具有梯形状的剖面形状。隆起部1991、1992从基部1994的上底向上侧延伸，平面部1993位于隆起部1991与隆起部1992之间。换言之，假设当没有隆起部1991、1992时，基部1994为将平面部1993作为上底的梯形状。

通过将实施方式2中的有机层与隆起部1971、1972以及平面部1973的关系更换为实施方式2的变形例2中的有机层与隆起部1991、1992以及平面部1993的关系，能够说明实施方式2的变形例2中的在平面部1993上的有机层的第1方向Dx上的端部附近的有机层彼此重合的位置关系。此外，在实施方式2的变形例2中，有机层还以位于基部1994上的方式来形成。以上，除了这些特别提起的事项，实施方式2的变形例2与实施方式2相同。

以上，根据实施方式2的变形例3，能够实现实施方式2发挥的效果、和在实施方式1的变形例中提到的2段构造发挥的效果这两方的构造。

(实施方式2的变形例3)

图18是表示实施方式2的变形例3中的凸块1900、有机层以及阴极138的形状的剖视图。在实施方式2的变形例3中，实施方式1中的凸块193替换为凸块1900。凸块1900包括隆起部1901、平面部1902、和基部1903。

隆起部1901除了下侧、即，底边侧与基部1903成为一体这一点以外，为与隆起部1981同样的构成。隆起部1901的上表面形成了与形成三角形状的隆起部1901的剖面形状的上侧的顶点的两条边的相对于第1方向Dx以及第3方向Dz的斜率对应的倾斜面。平面部1902除了下侧与基部1903成为一体这一点以外，为与平面部1982同样的构成。

基部1903具有梯形状的剖面形状。隆起部1901以及平面部1902从基部1903的上底向上侧延伸。换言之，假设当没有隆起部1991以及平面部1902时，基部1903为梯形状。

通过将实施方式2的变形例1中的有机层与隆起部1981以及平面部1982的关系更换为实施方式2的变形例3中的有机层与隆起部1901以及平面部1902的关系，能够说明实施方式2的变形例3中的有机层的第1方向Dx上的端部附近的有机层彼此重合的位置关系。此外，在实施方式2的变形例3中，有机层还以位于基部1903上的方式来形成。以上、除了这些特别提起的事项，实施方式2的变形例3与实施方式2的变形例1相同。

以上，根据实施方式2的变形例3，能够实现发挥实施方式2的变形例1发挥的效果、在实施方式1的变形例中提到的2段构造发挥的效果这两方的构造。

此外，有机层所包含的层数不限于3层，只要为2层以上即可。

另外，关于由在本实施方式中说明的方面带来的其他作用效果，从本说明书的记载可明确得出的、或者对于本领域技术人员来说可适当想到的，当然应理解为是由本公开带来的。

Claims (9)

1.一种显示装置，其具备：

基板；

设在基板上的第1电极；

覆盖所述电极的一部分的绝缘部；

层叠于所述电极以及所述绝缘部的有机层；以及

层叠于所述有机层以及所述绝缘部的第2电极，

所述显示装置的特征在于，

所述绝缘部从所述第1电极侧向所述第2电极侧突出而形成，具有相对于所述第1电极倾斜的倾斜面，

所述有机层包括至少第1层和层叠于所述第1层的第2层，

所述第1层以及所述第2层的端部位于所述倾斜面上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述绝缘部包括在剖视下具有将所述基板侧作为下底的梯形状的部分，

所述倾斜面与所述部分中的、将所述部分的上底和所述部分的下底相连的边对应。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述绝缘部包括在剖视下具有将所述基板侧作为底边的三角形状的部分，

所述倾斜面与所述部分中的、底边以外的边对应。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述部分的所述上底与所述第1层以及所述第2层的所述端部相比向所述第2电极侧突出。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述第1层以及所述第2层的端面朝向所述基板的相反侧。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述第1层以及所述第2层的一方的所述端部与所述第1电极的端部相比位于内侧。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述第1电极在没有被所述绝缘部覆盖的位置与所述有机层相接。

8.根据权利要求2或者3所述的显示装置，其特征在于，

所述绝缘部包括位于所述部分与所述第1电极之间的基部，

所述基部在剖视下具有将所述基板侧作为下底的梯形状。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

所述倾斜面包括将所述基部的上底和所述基部的下底相连的边。

Images