CN216488132U

CN216488132U - 一种led封装体及显示装置

Info

Publication number: CN216488132U
Application number: CN202122978350.3U
Authority: CN
Inventors: 马刚
Original assignee: Xiamen Xinying Display Technology Co ltd
Current assignee: Xiamen Xinying Display Technology Co ltd
Priority date: 2021-11-30
Filing date: 2021-11-30
Publication date: 2022-05-10
Anticipated expiration: 2031-11-30

Abstract

本实用新型提供一种LED封装体以及LED显示装置，该LED封装体包括绝缘基板；位于所述基板上的驱动芯片；位于所述基板上的LED芯片，所述LED芯片位于所述驱动芯片的周围，通过引线与所述驱动芯片连接，所述LED芯片包括至少一组像素点，每一个所述像素点均与所述驱动芯片连接。本实用新型的LED封装体将用于有源驱动的驱动芯片与LED芯片封装为一体，作为一个自带像素点来使用，提高了LED芯片的集成度，并且在后续形成显示装置时能够简化线路板上的驱动电路布线，提高显示器的灰阶度、刷新率等显示效果。

Description

一种LED封装体及显示装置

技术领域

本实用新型涉及LED封装及显示技术领域，特别涉及一种LED封装体及显示装置。

背景技术

LED以发光效率高、使用寿命长、安全可靠和环保节能的特点受到广泛的重视。LED显示屏作为信息传播的一种重要手段，其应用领域也越来越广。现有led显示屏，包括microLED显示屏，主要有以下两种结构方式：

1.micro LED芯片直接贴附到TFT基板或CMOS上，驱动原理是利用基板上内置的CMOS电路作为面内驱动，利用外部IC提供的source和gate信号作为输入信号，完成显示画面的控制。这种方式的优点是原材料使用比较节省，理论上成本较低。生产上可以使用巨量转移技术，生产效率高，理论上可以达到传统的led贴片速度的100-1000倍。驱动方案借鉴OLED的驱动方案，比较成熟。缺点是micro LED到TFT基板的转移和返修技术不够成熟，良品率低。Micro LED芯片转移前无法做EL(光电特性检测)，芯片良率和色度不好掌控。TFT基板上的COMS电路不如硅基CMOS好，参数分散，一致性差。而采用CMOS驱动基板，价格较高，且不能实现大尺寸显示。

2.LED芯片，包括micro LED芯片，先通过封装的方式，做成分立的封装体，然后经过测试，混Bin，贴片等制程，贴附到TFT基板或者PCB基板上。这种方式的优点是制程贴近传统工艺，返修比较容易，易于量产。缺点是传统工艺生产效率低，且如果使用TFT基板驱动，同样面临CMOS电路参数分散，一致性不好的问题。如果使用PCB，则需要使用无源驱动方式，大量的无源驱动IC，成本比较高。PCB要采用多层板，成本比TFT基板高很多。且受无源驱动IC的驱动方式和体积动的限制，分辨率和刷新率没办法做到很高。

实用新型内容

鉴于现有技术中LED显示屏存在的上述问题，本实用新型提供一种LED封装体及包括该LED封装体的显示装置，该LED封装体将可用于有源驱动的芯片与LED芯片封装为一体，作为自带驱动的像素点使用。

根据本实用新型的一个实施例，提供一种LED封装体，该LED封装体包括：

绝缘基板；

位于所述基板上的驱动芯片；

位于所述基板上的LED芯片，所述LED芯片位于所述驱动芯片的周围，通过引线与所述驱动芯片连接，所述LED芯片包括至少一组像素点，每一个所述像素点均与所述驱动芯片连接。

可选地，所述LED封装体还包括位于所述驱动芯片及所述LED芯片周围的封装胶体，所述封装胶体包裹所述驱动芯片及所述LED芯片。

可选地，所述LED封装体还包括位于所述封装胶体及所述驱动芯片和所述LED芯片上方的反射结构。

可选地，所述反射结构包括第一DBR堆栈以及形成在所述第一DBR堆栈上方的第二DBR堆栈，其中，所述第一DBR堆栈包括5～13对材料层，所述第二DBR堆栈包括5～15对材料层。

可选地，所述第一DBR堆栈及所述第二DBR堆栈中的所述材料层包括第一材料层及第二材料层，在所述第一DBR堆栈中，所述第一材料层的厚度介于40nm～60nm，所述第二材料层的厚度介于70nm～90nm；在所述第二DBR堆栈中，所述第一材料层的厚度介于50nm～80nm，所述第二材料层的厚度介于90nm～110nm。

可选地，所述LED封装体还包括焊盘，所述焊盘包括分别与所述驱动芯片的电极结构连接的驱动焊盘，以及分别与所述LED芯片的电极连接的LED焊盘。

可选地，所述LED封装体还包括位于所述绝缘基板上方的粘结层，所述驱动芯片及所述 LED芯片通过所述粘结层粘附于所述绝缘基板上。

可选地，所述LED封装体还包括位于所述驱动芯片及所述LED芯片周围的封装胶体，所述封装胶体包裹所述驱动芯片及所述LED芯片，并且所述封装胶体在所述LED芯片的上方形成透镜结构，所述封装胶体在所述LED芯片的周围形成倾斜侧壁。

可选地，所述LED封装体还包括封装胶体，所述封装胶体包括第一封装胶体及第二封装胶体，所述第一封装胶体形成为位于所述驱动芯片的四周及上方，所述第一封装胶体包括吸光胶体。

可选地，所述LED封装体还包括通讯芯片，所述通讯芯片位于所述驱动芯片的周围，并且与所述驱动芯片电性连接。

根据本实用新型的另一实施例，提供一种LED封装体，该LED封装体包括：

绝缘基板；

位于所述基板上的驱动芯片；

位于所述基板上的LED芯片，所述LED芯片位于所述驱动芯片的周围，通过引线与所述驱动芯片连接，所述LED芯片包括至少一组像素点，每一个所述像素点均与所述驱动芯片连接；

其中，所述驱动芯片包括硅基衬底以及形成在所述硅基衬底上的CMOS器件。

根据本实用新型的另一实施例，提供一种LED显示装置，该LED显示装置包括：

电路基板；以及

位于所述电路基板上的发光器件，所述发光器件通过所述线路层焊接至所述基板，其中所述发光器件包括本实用新型提供的所述的LED封装体。

如上所述，本实用新型的LED封装体以及LED显示装置，具有以下有益效果：

本实用新型的LED封装体将用于有源驱动的驱动芯片与LED芯片封装为一体，作为一个自带像素点来使用，提高了LED芯片的集成度，并且在后续形成显示装置时能够简化线路板上的驱动电路布线，提高显示器的灰阶度、刷新率等显示效果。本实用新型的LED封装体的电极采用光刻和蒸镀等制程形成，因此，LED封装体的电极更加精细化，同时有利于减小 LED封装体的尺寸。上述LED封装体中形成有反射结构，例如双堆栈的DBR结构，通过合理设计双堆栈DBR结构中材料层的层数以及不同材料层的厚度，使得DBR结构的反射波长能够涵盖R、G、B三色光，因此该反射结构能够增加LED芯片的出光效率，减小LED出光角度。同时还可以在LED芯片上方形成透镜结构，覆盖LED芯片的封装胶体在LED芯片的四周形成倾斜侧壁，也有利于增加LED芯片的出光效率，减小出光角度。另外，本实用新型中可以采用吸光材料，例如黑色封装胶覆盖驱动LED芯片，从而避免LED发出的光与驱动芯片产生损伤或者影响，由此能够提高LED封装体的使用寿命。

本实用新型开可以在LED封装体中集成通讯芯片，例如可以集成通讯用的红外芯片，来实现触摸、遥控或者通讯功能。

本实用新型将LED的TFT面内驱动电路做成为硅基的CMOS电流，替代原有的TFT驱动电路，能够带来更高的参数一致性和稳定性。另外，本实用新型的发光装置可以集成在PCB 线路板上，使得在PCB线路板上做有源驱动成为现实。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例一提供的LED封装体的结构示意图。

图2显示为形成图1所示的封装体时提供的绝缘基板的结构示意图。

图3和图4显示为采用弹性黏膜转移方式将芯片转移至绝缘基板上的示意图。

图5显示为芯片转移至绝缘基板上的结构示意图。

图6显示为芯片转移至绝缘基板的平面示意图。

图7显示为图6中圆圈A所示结构的放大图。

图8显示为图6所示结构的剖面图。

图9显示为形成封装胶体的结构示意图。

图10显示为在图9所示结构上方形成反射结构的结构示意图。

图11显示为在图10所示的结构中形成焊盘窗口的结构示意图。

图12显示为在图11所示的结构中形成焊盘的结构示意图。

图13显示为图12所示形成焊盘后的结构平面图。

图14显示在图13所示的结构上形成切割道的结构示意图。

图15显示为实施例一所示的封装体的电路原理图。

图16显示为向封装体施加的驱动信号示意图。

图17显示为一可选实施例提供的LED封装体中芯片的结构示意图。

图18显示为另一可选实施例提供的LED封装体中芯片的结构示意图。

图19显示为本实用新型实施例二提供的LED封装体的结构示意图。

图20显示为本实用新型实施例三提供的LED封装体的结构示意图。

图21显示为本实用新型实施例四提供的显示装置的结构示意图。

元件标号说明

100 绝缘基板 1041 第一DBR堆栈

101 粘结层 1042 第二DBR堆栈

102 芯片 105 焊盘

1021 LED芯片 1051 第一焊盘

1021-1 红光芯片 1052 第二焊盘

1021-2 绿光芯片 1053 第三焊盘

1021-3 蓝光芯片 1054 第一源极焊盘

1022 驱动芯片 1055 第二源极焊盘

1022-1 第一电极 1056 第三源极焊盘

1022-2 第二电极 1057 栅极焊盘

1022-3 第三电极 1058 接地焊盘

1022-4 第一源电极 106 光刻胶层

1022-5 第二源电极 1060 焊盘窗口

1022-6 第三源电极 1081 纵向切割道

1022-7 栅电极 1082 横向切割道

1022-8 接地电极 200 临时载板

1023 通讯芯片 300 弹性黏膜

103 封装胶体 400 显示装置

1030 透镜 401 面罩

1031 第一封装胶体 402 电路基板

1032 第二封装胶体 403 LED显示灯

104 反射结构

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

实施例一

本实施例提供一种LED封装体，如图1所示，该LED封装体包括基板，该基板为绝缘基板100，以及位于基板上的芯片。该芯片分为驱动芯片1022及LED芯片1021，其中LED 芯片1021位于驱动芯片1022，并且通过引线与驱动芯片连接。驱动芯片1022及LED芯片 1021通过粘结层101粘附至绝缘基板100。在可选实施例中，绝缘基板可以选择玻璃、陶瓷等绝缘基板，绝缘基板的厚度优选介于0.2mm～0.5mm。并且优选地，上述绝缘基板100为黑色基板，以降低LED芯片的暗态亮度，提高后续LED芯片的对比度。粘结层101可以是 UV硅胶膜等适合固定芯片的粘结剂。在可选实施例中，该粘结层的厚度大约为100μm。

在可选实施例中，上述驱动芯片为硅基CMOS芯片，其包括硅基衬底以及形成在硅基衬底上的CMOS器件。例如，该硅基CMOS芯片包括P型硅衬底，以及形成在该P型硅衬底上方的N型源极和漏极，以及形成在源极和漏极之间的栅极。上述LED芯片1021可以是 microLED芯片，该LED芯片1021包括至少一组像素点，每一个像素点均与驱动芯片1022 连接。在可选实施例中，可参照图7，每一组像素点包红光芯片(R)1021-1、绿光芯片(G) 1021-2及蓝光芯片(B)1021-3。本实施例中，如图7所示，LED芯片的像素点设置在驱动芯片的一侧，可以理解的是，LED芯片的位置可以根据封装体的尺寸、形状等要求进行布置，并不限于本实施例所示的情况。

同样参照图7，驱动芯片1022的电极结构包括连接红光芯片(R)1021-1的电极的第一电极1022-1，连接绿光芯片(G)1021-2的电极的第二电极1022-2，连接蓝光芯片(B)1021-3的电极的第三电极1022-3；用于分别向红光芯片(R)1021-1、绿光芯片(G)1021-2及蓝光芯片(B)1021-3提供显示信号的第一源电极1022-4、第二源电极1022-5及第三源电极 1022-6；栅电极1022-7以及接地电极1022-8。

上述LED芯片1021及驱动芯片1022由封装胶体103进行封装。该封装胶体103位于驱动芯片及LED芯片的四周，包裹驱动芯片及LED芯片。在可选实施例中，上述封装胶体103可以是环氧树脂，其厚度大约为10μm～50μm。优选地，可参照图9，该封装胶体的上表面与驱动芯片及LED芯片的上表面齐平，并且暴露驱动芯片及LED芯片的电极结构，以便于后续形成LED封住体的电极结构。

仍然参照图1，在封装胶体103上方形成有反射结构104，该反射结构对LED芯片1021 发出的光进行反射、折射，增加LED芯片的出光效率，较小出光角度。由于上述LED芯片1021包括RGB三色芯片，因此在可选实施例中，上述反射结构优选形成为双堆栈反射结构，例如可以是双堆栈DBR结构。参照1及图10，双堆栈DBR结构包括第一DBR堆栈1041及位于第一DBR堆栈1041上方的第二DBR堆栈1042，第一DBR堆栈1041包括5～13对材料层，第二DBR堆栈1042包括5～15对材料层。上述材料层均包括具有不同折射率的第一材料层和第二材料层。在第一DBR堆栈1041中，第一材料层的厚度介于40nm～60nm，第二材料层的厚度介于70nm～90nm；在第二DBR堆栈1042中，第一材料层的厚度介于50nm～80 nm，第二材料层的厚度介于90nm～110nm。在可选实施例中，上述第一材料层为SiO₂层，第二材料层为TiO₂层。上述双堆栈结构能够涵盖RGB三色，有效增加LED芯片的出光效率，减小出光角度。

仍然参见图1，本实施例的LED封装体还包括焊盘105。同时参照图13，该焊盘包括驱动焊盘及LED芯片焊盘。驱动焊盘与驱动芯片的电极结构电性连接，LED芯片焊盘与LED芯片的电极结构电性连接。上述焊盘105与电路基板连接，实现驱动芯片与LED芯片的外接。参照图7及图13，上述焊盘105包括连接红光芯片(R)1021-1的另一电极第一焊盘1051，连接绿光芯片(G)1021-2的另一电极的第二焊盘1052，连接蓝光芯片(B)1021-3的另一电极的第三焊盘1053；分别连接第一源电极1022-4、第二源电极1022-5及第三源电极1022-6 的第一源极焊盘1054、第二源极焊盘1055及第三源极焊盘1055；连接栅电极1022-7的栅极焊盘1057以及连接接地电极1022-8的接地焊盘1058。

本实施例的LED封装体的原理图如图15所示，其中G为驱动芯片(CMOS器件)的栅极信号源，负责控制MOS管的通断，三个源极信号S(R)、S(G)及S(B)分别为红光芯片、绿光芯片及蓝光芯片的驱动数据信号源，为像素电路提供显示信号。VDD(R)、VDD (G)及VDD(B)分别为红光芯片、绿光芯片及蓝光芯片的驱动功率源。本实施例的LED 封装体的驱动信号如图16所示，当栅极信号源为高时，CMOS电路被打开，三个源极信号被写入电路中的存储电容，控制与LED芯片串联的CMOS管的通断。同时LED芯片的功率源向LED芯片提供电流使得LED芯片发光，完成画面的显示。

如上所述，本实施例将有源驱动芯片与micro LED芯片集成封装为一分封装体，由此这样做可以简化线路板上的驱动电路布线，提高显示器的灰阶熟，刷新率等显示效果。

本实施例的上述封装体可以采用如下方法形成：

参见图2，首先，提供一基板，该基板优选为绝缘基板100，该绝缘基板可以选择玻璃、陶瓷等绝缘基板，并且优选地，上述绝缘基板100为黑色基板，以降低LED芯片的暗态亮度，提高后续LED芯片的对比度。同时在该绝缘基板上旋涂粘结层101，在可选实施例中，在绝缘基板100的表面旋涂约100μm的UV硅胶膜作为粘结层101。然后，采用弹性黏膜转移方式，将驱动芯片和LED芯片转移至图2所示的基板上。如图3所示，首先在临时载板200上排布芯片102，然后将弹性黏膜300向下压，粘附至芯片102，将芯片粘起，放置在绝缘基板 100表面上并下压，使芯片与粘结层101粘结。然后如图4所示，将弹性黏膜300向上提起，由于弹性黏膜的粘度较差，向上提起时，仅弹性黏膜300被提起，芯片粘结在粘结层101，如图5所示，完成芯片的转移。完成转移之后，对UV硅胶模过UV固化，将芯片固定至绝缘基板100上。

芯片转移至绝缘基板的平面图如图6所示，其中每一组芯片均包括驱动芯片1021及LED 芯片1022。在可选实施例中，上述驱动芯片为硅基CMOS芯片，其包括硅基衬底以及形成在硅基衬底上的CMOS器件。例如，该硅基CMOS芯片包括P型硅衬底，以及形成在该P型硅衬底上方的N型源极和漏极，以及形成在源极和漏极之间的栅极。上述LED芯片1021可以是micro LED芯片，该LED芯片1021包括至少一组像素点，每一个像素点均与驱动芯片 1022连接。在可选实施例中，参照图7所示的图6中一组芯片的放大图，每一组像素点包红光芯片(R)1021-1、绿光芯片(G)1021-2及蓝光芯片(B)1021-3，每一个像素点均包括两个电极其中一个电极与驱动芯片连接，另一电极用于外接信号源。驱动芯片1022的电极结构包括连接红光芯片(R)1021-1的电极的第一电极1022-1，连接绿光芯片(G)1021-2的电极的第二电极1022-2，连接蓝光芯片(B)1021-3的电极的第三电极1022-3；用于分别向红光芯片(R)1021-1、绿光芯片(G)1021-2及蓝光芯片(B)1021-3提供显示信号的第一源电极1022-4、第二源电极1022-5及第三源电极1022-6；栅电极1022-7以及接地电极1022-8。

图6所述结构的剖面图如图8所示。之后，如图9所示，在图8所示的结构上方形成封装胶体103，在可选实施例中，在图8所示结构上方喷涂一层环氧树脂，该环氧树脂的高度介于10μm～50μm表面，并且使得该环氧树脂的表面高于驱动芯片及LED芯片的表面，包裹驱动芯片及LED芯片，然后将环氧树脂在120℃下固化30分钟使其固化。环氧树脂固化后对其进行研磨打薄，以暴露出驱动芯片和LED芯片的电极，便于后续形成封装体的焊盘。

然后，如图10所示，在如9所示结构上方形成反射结构104。为了使得反射结构涵盖R、 G、B三色光，本实施例的可选实施例中，形成双堆栈的反射结构。例如形成双堆栈的DBR反射结构。首先在如9所示的结构上方蒸镀交替蒸镀第一材料层和第二材料层形成第一DBR堆栈1041。可选实施例中，交替蒸镀5～13对第一材料层和第二材料层，其中，第一材料层的厚度介于40nm～60nm，第二材料层的厚度介于70nm～90nm。然后在第一DBR堆栈1041 上方交替蒸镀第一材料层和第二材料层形成第二DBR堆栈1042。可选实施例中，交替蒸镀 5～15对第一材料层和第二材料层，其中，第一材料层的厚度介于50nm～80nm，第二材料层的厚度介于90nm～110nm。在可选实施例中，上述第一材料层为SiO₂层，第二材料层为TiO₂层。上述双堆栈结构能够涵盖RGB三色，有效增加LED芯片的出光效率，减小出光角度。

形成上述反射结构之后，如图11所示，在反射结构104上方形成图案化的光刻胶层106，经图案化的光刻胶层106在需要形成电极的位置形成焊盘窗口1060。然后，如图12所示，在焊盘窗口1060中沉积电极金属，形成焊盘105。采用光刻和蒸镀等半导体制程来制作上述焊盘，可以制作更精细化的电极，可以有效减小封装体的尺寸。形成焊盘后的结构平面图如图13所示，焊盘105包括连接红光芯片(R)1021-1的另一电极第一焊盘1051，连接绿光芯片(G)1021-2的另一电极的第二焊盘1052，连接蓝光芯片(B)1021-3的另一电极的第三焊盘1053；分别连接第一源电极1022-4、第二源电极1022-5及第三源电极1022-6的第一源极焊盘1054、第二源极焊盘1055及第三源极焊盘1055；连接栅电极1022-7的栅极焊盘1057 以及连接接地电极1022-8的接地焊盘1058。最后，如图14所示，沿纵向切割道1081及横向切割道1082对上述结构进行切割，形成图1所示的LED封装体。形成上述LED封装体之后，可以对其进行分选和混bin，并进行编带，由此可以降低后续显示器由于亮度不均匀造成的痕迹现象，降低显示器的补偿难度。

在本实施例的可选实施例中，如图17所示，一个封装体包括一个驱动芯片及四组LED 芯片，四组LED芯片分别位于驱动芯片的四个侧面。相应地，驱动芯片具有分别连接每一组 LED芯片的电极结构。

在另一可选实施例中，如图18所示，一个封装体中，除了集成有LED芯片1021、驱动芯片1022之外，还集成有通讯芯片1023，该通讯芯片1023可以是红外芯片。封装体可以在实现显示功能之外，能够实现触摸、传感或者遥控功能。扩大了封装体的应用范围。

本实施例中，LED封装体将用于有源驱动的驱动芯片与LED芯片封装为一体，作为一个自带像素点来使用，提高了LED芯片的集成度，并且在后续形成显示装置时能够简化线路板上的驱动电路布线，提高显示器的灰阶度、刷新率等显示效果。本实用新型的LED封装体的电极采用光刻和蒸镀等制程形成，因此，LED封装体的电极更加精细化，同时有利于减小LED 封装体的尺寸。上述LED封装体中形成有反射结构，例如双堆栈的DBR结构，通过合理设计双堆栈DBR结构中材料层的层数以及不同材料层的厚度，使得DBR结构的反射波长能够涵盖R、G、B三色光，因此该反射结构能够增加LED芯片的出光效率，减小LED出光角度。同时还可以在LED芯片上方形成透镜结构，覆盖LED芯片的封装胶体在LED芯片的四周形成倾斜侧壁，也有利于增加LED芯片的出光效率，减小出光角度。

实施例二

本实施例同样提供一种LED封装体，与实施例一的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图19所示，本实施例中，封装胶体103在LED芯片1021上方形成透镜1030，并且焊盘105形成在绝缘基板的背面。该透镜1031聚拢LED芯片发出的光，减小LED芯片的出光角，提高LED芯片的出光效率。

实施例三

本实施例同样提供一种LED封装体，与实施例二的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图20所示，本实施例中，封装体的封装胶体103包括第一封装胶体1031及第二封装胶体1032，第一封装胶体1031在LED芯片1021上方形成透镜1030，并且焊盘105形成在绝缘基板的背面。该透镜1031聚拢LED芯片发出的光，减小LED芯片的出光角，提高LED 芯片的出光效率。第二封装胶体1032为吸光胶体，例如可以是黑色丙烯酸酯胶水固化后形成的黑色封装胶体。该黑色封装胶体能够有效吸收LED芯片发出的光，有效保护驱动芯片不受 LED芯片发出的光的干扰或者损伤。

实施例四

本实施例提供一种显示装置，如图21所示，本实施例的显示装置400包括面罩401、电路基板402以及多个LED显示灯403。LED显示灯403设置在电路基板402上。图21示出了LED显示灯在电路基板402上呈矩形阵列式排布，此处仅仅是示例性的并非限定性的， LED显示灯403可以以各种适合或者需要的形成排布在电路基板402上。上述LED显示灯403为本实用新型实施例一至实施例三所述的任意LED封装体。LED封装体经分选和混bin，通过焊盘连接至电路基板402。电路基板402可以是TFT基板也可以是PCB电路板。上述 LED封装体将TFT基板上的面内驱动COMS采用性能更优硅基的CMOS来替代，使得显示器的一致性更好，功耗更小，更容易控制；由于上述电路基板可以是PCB电路板，因此在PCB 电路板上实现了与TFT基板相同的有源驱动方案。在PCB电路板情形下，不需要使用无源驱动线路，仅使用少量的源极和漏极电路就可以，这样，一方面可以节省大量的无源电路的成本，另一方面可以在PCB电路板上实现与TFT基板同样的高灰阶、高刷新率及高分辨率的显示。另外，对于PCB电路板，上述LED封装体使得PCB电路板的线路相对简单，PCB 的层数较少，进一步降低成本。

本实施例的显示装置还包括底壳(未详细示出)，电路基板夹持在面罩和底壳之间，面罩和底壳相互固定形成容纳电路基板及LED显示灯的腔体。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims

1.一种LED封装体，其特征在于，包括：

绝缘基板；

位于所述基板上的驱动芯片；

2.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，还包括位于所述驱动芯片及所述LED芯片周围的封装胶体，所述封装胶体包裹所述驱动芯片及所述LED芯片。

3.根据权利要求2所述的LED封装体，其特征在于，还包括位于所述封装胶体及所述驱动芯片和所述LED芯片上方的反射结构。

4.根据权利要求3所述的LED封装体，其特征在于，所述反射结构包括第一DBR堆栈以及形成在所述第一DBR堆栈上方的第二DBR堆栈，其中，所述第一DBR堆栈包括5～13对材料层，所述第二DBR堆栈包括5～15对材料层。

5.根据权利要求4所述的LED封装体，其特征在于，所述第一DBR堆栈及所述第二DBR堆栈中的所述材料层包括第一材料层及第二材料层，在所述第一DBR堆栈中，所述第一材料层的厚度介于40nm～60nm，所述第二材料层的厚度介于70nm～90nm；在所述第二DBR堆栈中，所述第一材料层的厚度介于50nm～80nm，所述第二材料层的厚度介于90nm～110nm。

6.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，还包括焊盘，所述焊盘包括分别与所述驱动芯片的电极结构连接的驱动焊盘，以及分别与所述LED芯片的电极连接的LED芯片焊盘。

7.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，还包括位于所述绝缘基板上方的粘结层，所述驱动芯片及所述LED芯片通过所述粘结层粘附于所述绝缘基板上。

8.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，还包括位于所述驱动芯片及所述LED芯片周围的封装胶体，所述封装胶体包裹所述驱动芯片及所述LED芯片，并且所述封装胶体在所述LED芯片的上方形成透镜结构，所述封装胶体在所述LED芯片的周围形成倾斜侧壁。

9.根据权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，还包括封装胶体，所述封装胶体包括第一封装胶体及第二封装胶体，所述第一封装胶体形成为位于所述驱动芯片的四周及上方，所述第一封装胶体包括吸光胶体。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的LED封装体，其特征在于，还包括通讯芯片，所述通讯芯片位于所述驱动芯片的周围，并且与所述驱动芯片电性连接。

11.一种LED封装体，其特征在于，包括：

绝缘基板；

位于所述基板上的驱动芯片；

12.一种LED显示装置，其特征在于，包括：

电路基板；以及

位于所述电路基板上的发光器件，所述发光器件通过焊盘焊接至所述基板，其中所述发光器件包括权利要求1～11中任意一项所述的LED封装体。