CN216472918U - 一种电子装置壳体与电子装置 - Google Patents

Abstract

本申请适用于显示设备领域，提出一种电子装置壳体，其包括基底和设于基底一侧的颜色膜，所述基底为玻璃，所述颜色膜包括交替层叠的多层五氧化二铌层和多层二氧化硅层交替层叠，颜色膜的厚度为500nm‑800nm，通过在基底的第一表面设置8层膜层结构，在基底的第二表面设置黑色油墨层，使得玻璃基底展示出三色渐变炫丽色彩的美观外形，能够适应消费者的审美需求。本申请还提出一种电子装置。

Description

一种电子装置壳体与电子装置

技术领域

本申请涉及电子设备领域，尤其涉及一种电子装置壳体与电子装置。

背景技术

近年来，通讯飞速发展，科学技术新旧交替，手机笔电等电子产品对手机外壳的要求越来越高。金属后壳对信号有屏蔽作用，不满足5G产品的需求。玻璃后盖对信号没有屏蔽和干扰，满足轻量化和5G信号传输的需求。随着光学膜的发展，镀膜搭配油墨的方式迅速涌入市场，占据了3C产品后盖半壁江山。随着人们审美品位的不断提高，单一的颜色膜已经无法满足人们的审美需求。为了迎合人们不断提升的审美，本发明旨在制造出一种具有三种色彩渐变的玻璃盖板。

实用新型内容

本申请提供了一种电子装置壳体及电子装置，旨在使用玻璃与镀制光学膜工艺技术，旨在制造出一种具有三种色彩渐变的玻璃盖板，满足人们日益增长的审美需求。

本申请提供一种电子装置壳体，其包括基底、颜色膜和黑色油墨层，所述基底为玻璃基底，且所述基底具有第一表面和第二表面，所述基底的第一表面设置有颜色膜，所述颜色膜包括交替层叠的多层五氧化二铌层/五氧化三钛和多层二氧化硅层，所述颜色膜的厚度为500nm-800nm，所述基底的第二表面设置有黑色油墨层。光线从第一表面入射，经过颜色膜层干涉，最终反射出来的颜色是红色，L值在30到40之间，a值在20到30之间，b值在0到5之间。通过修辅掩模版，使得下一区域基板上沉积的膜层厚度增加30nm，此时光线通过玻璃基板干涉呈现的颜色为绿色，L值在30-45之间，a值在-15到0 之间，b值在-10到0之间。再次修整掩模版，使得下一区域基板上沉积的膜层厚度继续增加30nm，此时光线通过玻璃基板干涉呈现的颜色为紫色，L值在35-50之间，a值在20到30之间，b值在-40到-25之间。

所述颜色膜层共8层，包括依次设于所述基底第一表面上的第一五氧化二铌层，第一二氧化硅层，第二五氧化二铌层，第二二氧化硅层，第三五氧化二铌层，第三二氧化硅层，第四五氧化二铌层，第四二氧化硅层，厚度分别为： 100-150nm，100-150nm，20-50nm，10-100nm，100-150nm，100-150nm，20-50nm， 10-30nm。

本实施例中，所述颜色膜的厚度为500nm-800nm，所述基底的第二表面设置有黑色油墨层。当光线经过所述颜色膜，所述颜色膜呈三色渐变色彩。

在一实施例中，所述颜色膜的总厚度为550nm-750nm。

在一实施例中，所述颜色膜的总厚度为600nm-700nm。

本申请实施例还提出一种电子装置，包括如上任一实施例所述的电子装置壳体。

上述实施例的电子装置壳体包括基底和设于基底一侧的颜色膜，所述基底为玻璃，所述颜色膜包括交替层叠的多层五氧化二铌层和多层二氧化硅层交替层叠，颜色膜的厚度为500nm-800nm，通过在基底的第一表面设置8层膜层结构，在基底的第二表面设置黑色油墨层，使得玻璃基底展示出三色渐变炫丽色彩的美观外形，能够适应消费者的审美需求。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请第一实施例的电子装置壳体的示意图；

图中标记的含义为：

100、电子装置壳体；10、基底；20、颜色膜；21、第一五氧化二铌层； 22、第一二氧化硅层；23、第二五氧化二铌层；24、第二二氧化硅层；25、第三五氧化二铌层；26、第三二氧化硅层；27、第四五氧化二铌层；28、第四二氧化硅层；30、黑色油墨层。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图即实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以是直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

为了说明本实用新型所述的技术方案，下面结合具体附图及实施例来进行说明。

请参照图1，本申请的第一实施例提供一种电子装置壳体100，其包括基底10、颜色膜20和黑色油墨层30。所述基底10具有第一表面和第二表面，所述颜色膜20设于所述基底10的第一表面，所述颜色膜20包括交替层叠的多层五氧化二铌层和多层二氧化硅层，颜色膜20的厚度为500nm-800nm。

具体地，本实施例中，所述基底10为玻璃材质，在其他实施例中，基底 10也可为PET材质，但是使用玻璃材质所制成的电子装置壳体更美观，体现更高档次。PET/PI材质制成的电子装置壳体并非本申请所要保护的范围。

在一实施例中，颜色膜20为8层结构，颜色膜20包括依次设于基底10 上的第一五氧化二铌层21、第一二氧化硅层22、第二五氧化二铌层23、第二二氧化硅层24、第三五氧化二铌层25和第三二氧化硅层26、第四五氧化二铌层27和第四二氧化硅层28。

在一实施例中，所述颜色膜的厚度为500nm-800nm，具体可为，第一五氧化二铌层21的厚度为100-150nm、第一二氧化硅层22的厚度为100-150nm、第二五氧化二铌层23的厚度为20-50nm、第二二氧化硅层24的厚度为 10-100nm、第三五氧化二铌层25的厚度为100-150nm、第三二氧化硅层26的厚度为100-150nm、第四五氧化二铌层27的厚度为20-50nm、第四二氧化硅层28的厚度为10-30nm。具体地，光线从第一表面入射，经过颜色膜层干涉，最终反射出来的颜色是红色，L值在30到40之间，a值在20到30之间，b 值在0到5之间。通过修辅掩模版，使得下一区域基板上沉积的膜层厚度增加 30nm，此时光线通过玻璃基板干涉呈现的颜色为绿色，L值在30-45之间，a 值在-15到0之间，b值在-10到0之间。再次修整掩模版，使得下一区域基板上沉积的膜层厚度继续增加30nm，此时光线通过玻璃基板干涉呈现的颜色为紫色，L值在35-50之间，a值在20到30之间，b值在-40到-25之间。实现三色渐变色彩。

其中，Lab颜色空间是用数字化的方法来描述人的视觉感应。Lab颜色空间中的L分量用于表示像素的亮度，取值范围是[0,100]，表示从纯黑到纯白； a表示从红色到绿色的范围，取值范围是[127,-128]；b表示从黄色到蓝色的范围，取值范围是[127,-128]。

在一实施例中，所述颜色膜的厚度为550nm-750nm，具体可为，从玻璃表面开始依次为五氧化三钛和二氧化硅互相堆叠而成的8层结构。第一五氧化二铌层21的厚度为110-150nm、第一二氧化硅层22的厚度为110-140nm、第二五氧化二铌层23的厚度为20-50nm、第二二氧化硅层24的厚度为10-100nm、第三五氧化二铌层25的厚度为100-140nm、第三二氧化硅层26的厚度为110-140nm、第四五氧化二铌层27的厚度为20-50nm、第四二氧化硅层28的厚度为10-30nm。

在一实施例中，所述颜色膜的厚度为600nm-700nm，具体可为，从玻璃表面开始依次为五氧化三钛和二氧化硅互相堆叠而成的8层结构。第一五氧化二铌层21的厚度为110-140nm、第一二氧化硅层22的厚度为110-140nm、第二五氧化二铌层23的厚度为20-50nm、第二二氧化硅层24的厚度为10-100nm、第三五氧化二铌层25的厚度为110-140nm、第三二氧化硅层26的厚度为110-140nm、第四五氧化二铌层27的厚度为20-50nm、第四二氧化硅层28的厚度为10-30nm。在一实施例中，电子装置壳体100的制作方法包括：提供基底10；对基底10进行清洗；装片；在基底10的一个表面上通过镀膜制程依次制作交替层叠的五氧化二铌层和二氧化硅层；卸片及覆盖保护膜。

电子装置壳体100包括基底10和设于基底10一侧的颜色膜20。颜色膜 20包括交替层叠的多层五氧化二铌层和多层二氧化硅层交替层叠，颜色膜的厚度为500nm-800nm。因此，电子装置壳体100可获得三色渐变的炫丽色泽。

在本实用新型中，还可以用五氧化三钛代替五氧化二铌层同样可以获得三色渐变色彩的颜色膜。

本申请实施例同时提出一种电子装置，包括如上任一实施例的电子装置壳体100。上述电子装置可为手机、平板电脑等移动终端，但不限于此。上述电子装置包括电子装置壳体100，通过设置颜色膜20可获得比较鲜艳的颜色，外形美观，能够适应消费者的审美需求。

以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子装置壳体，其包括基底(10)、颜色膜(20)和黑色油墨层(30)，所述基底(10)具有第一表面和第二表面，所述颜色膜(20)设于所述基底的第一表面，其特征在于，所述颜色膜(20)包括交替层叠的多层五氧化二铌层/五氧化三钛和多层二氧化硅层，颜色膜(20)的厚度为500nm-800nm。

2.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述颜色膜(20)为8层结构。

3.如权利要求2所述的电子装置壳体，其特征在于，所述颜色膜(20)包括依次设于基底(10)上的第一五氧化二铌层(21)、第一二氧化硅层(22)、第二五氧化二铌层(23)、第二二氧化硅层(24)、第三五氧化二铌层(25)和第三二氧化硅层(26)、第四五氧化二铌层(27)和第四二氧化硅层(28)。

4.如权利要求3所述的电子装置壳体，其特征在于，所述颜色膜(20)包括依次设于基底(10)上的第一五氧化三钛层、第一二氧化硅层(22)、第二五氧化三钛层、第二二氧化硅层(24)、第三五氧化三钛层和第三二氧化硅层(26)、第四五氧化三钛层和第四二氧化硅层(28)。

5.如权利要求3所述的电子装置壳体，其特征在于，所述第一五氧化二铌层(21)的厚度为100-150nm，第一二氧化硅层(22)的厚度为100-150nm、第二五氧化二铌层(23)的厚度为20-50nm、第二二氧化硅层(24)的厚度为10-100nm、第三五氧化二铌层(25) 的厚度为100-150nm、第三二氧化硅层(26)的厚度为100-150nm、第四五氧化二铌层(27)的厚度为20-50nm、第四二氧化硅层(28)的厚度为10-30nm。

6.如权利要求3所述的电子装置壳体，其特征在于，所述颜色膜的总厚度为550nm-750nm。

7.如权利要求6所述的电子装置壳体，其特征在于，所述第一五氧化二铌层(21)的厚度为110-150nm，第一二氧化硅层(22)的厚度为110-140nm、第二五氧化二铌层(23)的厚度为20-50nm、第二二氧化硅层(24)的厚度为10-100nm、第三五氧化二铌层(25)的厚度为100-140nm、第三二氧化硅层(26)的厚度为110-140nm、第四五氧化二铌层(27)的厚度为20-50nm、第四二氧化硅层(28)的厚度为10-30nm。

8.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述颜色膜的总厚度为所述颜色膜的总厚度为600nm-700nm。

9.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于，所述基底(10)为玻璃基底。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的电子装置壳体。

Images