CN216354191U - 智能功率模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种智能功率模块,所述智能功率模块包括:电路板、引线框架和封装件,电路板上设有元器件,电路板的外周缘设有第一侧板,引线框架包括框架、设在框架上的引脚和设在框架一侧的第二侧板,第一侧板和第二侧板拼接连接形成为环形,电路板、第一侧板和第二侧板限定出灌胶腔,电路板设在灌胶腔内,引脚的一端与电路板连接,封装件填充在灌胶腔内。根据本实用新型的智能功率模块,通过将电路板与引线框架的引脚连接,电路板的第一侧板与第二侧板拼接成环形,可以省去热固性塑封过程,避免出现裂纹和分层的问题同时由于采用了灌封的工艺,使加工工序少,加工简单可控,可以提高智能功率模块的合格率,提高生产效率,降低生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种智能功率模块。
背景技术
相关技术中,智能功率模块半包封的封装方式结构复杂,通过锡膏回流焊接将引线框架与电路板焊接,在智能功率模块注塑的过程中极易出现绝缘层破裂或分层的现象,使绝缘层耐压能力下降,影响了智能功率模块的可靠性,并且注塑成型需要塑封机和模具,生产效率低,成本高。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种智能功率模块,所述智能功率模块具有可靠性高、生产成本低的优点。
根据本实用新型实施例的智能功率模块,包括:电路板,所述电路板上设有元器件,所述电路板的外周缘设有第一侧板;引线框架,所述引线框架包括框架、设在框架上的引脚和设在所述框架一侧的第二侧板,所述第一侧板和所述第二侧板拼接连接形成为环形,所述电路板、所述第一侧板和所述第二侧板限定出灌胶腔,所述元器件设在所述灌胶腔内,所述引脚的一端与所述电路板连接;封装件,所述封装件填充在所述灌胶腔内。
根据本实用新型实施例的智能功率模块,通过将电路板与引线框架的引脚连接,电路板的第一侧板与第二侧板拼接成环形,使电路板、第一侧板和第二侧板限定出灌装腔,将封装件填充在封装空间内,省去了热固性塑封过程,使智能功率模块可以避免出现裂纹和分层的问题,提高了智能功率模块的安全性和可靠性,同时由于采用了灌封的工艺,使加工工序少,加工简单可控,可以提高智能功率模块的合格率,提高生产效率,降低生产成本。
根据本实用新型的一些实施例,所述第一侧板包括相对设置的第一板和第二板,所述第二侧板包括相对设置的第三板和第四板,所述第三板位于所述第一板的一端和所述第二板的一端之间,所述第四板位于所述第一板的另一端和所述第二板的另一端之间。
在本实用新型的一些实施例中,所述第三板和所述第四板的远离所述电路板的一端设有朝向所述灌胶腔中心延伸的延伸板,所述延伸板长度方向的两端延伸至所述第一板和所述第二板的远离所述电路板的一侧。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一板和所述第二板的远离所述电路板的表面的长度方向的两端均设有凸起,所述延伸板长度方向的两端设有避让所述凸起的避让缺口。
在本实用新型的一些实施例中,所述避让缺口位于两个所述延伸板的远离彼此的一侧。
在本实用新型的一些实施例中,所述引脚为间隔开的多个,多个所述引脚中的部分与所述第一板相对设置,另一部分与所述第二板相对。
根据本实用新型的一些实施例,所述电路板包括依次层叠设置的金属基板、第一绝缘层和第一铜箔层,所述元器件与所述第一铜箔层连接。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一侧板包括金属板,所述金属板与所述金属基板为一体件。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一侧板还包括:第二绝缘层和第二铜箔层,所述第二铜箔层、所述第二绝缘层和所述金属板依次层叠设置,所述第二铜箔层和所述第一铜箔层为一体件,所述第二绝缘层和所述第一绝缘层为一体件。
根据本实用新型的一些实施例,所述电路板包括依次层叠设置的陶瓷基板和第一铜箔层,所述元器件与所述第一铜箔层连接,所述第一侧板包括陶瓷板,所述陶瓷板与所述陶瓷基板为一体件。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一侧板还包括与所述陶瓷板层叠设置的第二铜箔层,所述第二铜箔层与所述第一铜箔层为一体件。
根据本实用新型的一些实施例,所述第一侧板的远离所述电路板的一端设有绝缘件,所述引线框架搭接在所述绝缘件上。
根据本实用新型的一些实施例,所述第二侧板与所述电路板之间以及所述第一侧板和所述第二侧板之间设有密封胶。
根据本实用新型的一些实施例,所述引线框架为一体件。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本实用新型实施例的智能功率模块的示意图;
图2是根据本实用新型实施例的电路板和引线框架的装配图;
图3是根据本实用新型实施例的电路板的立体图;
图4是根据本实用新型实施例的引线框架的立体图。
附图标记:
100、智能功率模块;
1、电路板;11、第一侧板;111、第一板;112、第二板;113、凸起;114、第二绝缘层;115、第二铜箔层;116、金属板;12、金属基板;13、第一绝缘层;14、第一铜箔层;
2、引线框架;21、框架;22、引脚;23、第二侧板;231、第三板;232、第四板;24、延伸板;241、避让缺口;25、镂空部;26、纵梁;
3、封装件;
4、元器件;41、有源元件;42、无源元件;43、金属键合线;
5、绝缘件。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面参考附图描述根据本实用新型实施例的智能功率模块100。
如图1-图4所示,根据本实用新型一个实施例的智能功率模块100,包括:电路板1、引线框架2和封装件3。
如图1所示,电路板1上设有元器件4,电路板1的外周缘设有第一侧板11。通过将元器件4设在电路板1上,使元器件4组成电路板1上电路结构的一部分。
具体地,如图1所示,电路板1大体形成为长方形,电路板1上可以设有多个元器件4,多个元器件4可以通过焊接的方式固定在电路板1上。焊接连接具有工艺简单和加工效率高的优点,通过焊接连接可以实现元器件4与电路板1的可靠连接,此外,在保证元器件4与电路板1连接可靠的同时还可以降低成本。
其中,在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上。例如,多个元器件4可以为两个、三个、四个、五个等。多个元器件4的具体数量,可以根据智能功率模块100的具体规格型号调整设计,本实用新型对此不作限定。
如图2和图4所示,引线框架2包括框架21、设在框架21上的引脚22和设在框架21一侧的第二侧板23,第一侧板11和第二侧板23拼接连接形成为环形,电路板1、第一侧板11和第二侧板23限定出灌胶腔,元器件4设在灌胶腔内,引脚22的一端与电路板1连接。这样设置使引脚22与电路板1连接后,引线框架2与电路板1可以一起进行连接,减少了工序。
具体地,引线框架2的第二侧板23与电路板1上的第一侧板11拼接连接形成环形,并与电路板1共同限定出顶端敞开的灌胶腔,元器件4设在灌装腔内,引脚22的一端与框架21连接,另一端设在灌装腔内,并与电路板1连接,实现电连接。
其中,引脚22与电路板1的连接可以通过锡膏焊接连接,也可以通过热压焊、银胶等方式实现连接。
如图1所示,封装件3填充在灌胶腔内,从而将元器件4封装在电路板1上。
现有技术中,智能功率模块采用的是热固性塑封料注塑成型工艺,在塑封过程中合模力作用在引脚上,电路板由于复位针的定位作用固定不动,导致引脚与基板连接的焊点处成为应力集中点,进而造成引脚焊点处出现碎裂、分层的问题,使智能功率模块存在安全隐患,导致智能功率模块无法批量生产。本申请可以直接将封装件3填充在灌胶腔内,使引线框架2的引脚22与电路板1回流焊接时没有外力的作用,避免出现合模力和碎裂、分层的问题,提高了智能功率模块100的安全性和可靠性,同时也可以省去热固性塑封过程并且由于本申请工序少且简单可控,从而降低了生产成本,大大提高了生产效率。
其中,封装件3可以为环氧树脂,也可以为灌封胶,例如硅橡胶灌封胶水、聚氨酯灌封胶水、UV灌封胶水或热熔性灌封胶水等。当封装件3为环氧树脂时,封装件3的导热系数是0.5W/mK-4.0W/mK。例如,封装件3的导热系数可以为0.5W/mK、0.6W/mK、0.7W/mK、0.8W/mK、0.9W/mK、1.0W/mK、2.0W/mK、3.0W/mK或4.0W/mK等。
根据本实用新型的实施例的智能功率模块100,通过将电路板1与引线框架2的引脚22连接,电路板1的第一侧板11与第二侧板23拼接成环形,使电路板1、第一侧板11和第二侧板23限定出灌装腔,将封装件3填充在封装空间内,省去了热固性塑封过程,使智能功率模块100可以避免出现裂纹和分层的问题,提高了智能功率模块100的安全性和可靠性,同时由于采用了灌封的工艺,使加工工序少,加工简单可控,可以提高智能功率模块100的合格率,提高生产效率,降低生产成本。
根据本实用新型的一些实施例,如图2-图4所示,第一侧板11包括相对设置的第一板111和第二板112,第二侧板23包括相对设置的第三板231和第四板232,第三板231位于第一板111的一端和第二板112的一端之间,第四板232位于第一板111的另一端和第二板112的另一端之间。具体地,第一板111和第二板112分别位于电路板1相对的两侧,第三板231和第四板232分别位于引脚22的两侧,电路板1与引线框架2连接后,第三板231位于第一板111的一端和第二板112的一端之间,第四板232位于第一板111的另一端和第二板112的另一端之间,则第三板231和第四板232位于电路板1相对的两侧。这样设置便于对电路板1进行加工,同时结构简单,使电路板1与引线框架2的连接方便。
例如,在图2-图4所示的实施例中,第一板111位于电路板1的左侧,第二板112位于电路板1的右侧,第三板231位于引脚22的前侧,第四板232位于引脚22的后侧,当第一侧板11和第二侧板23拼接连接后,第三板231位于电路板1的前侧,第四板232位于电路板1的后侧,使第一侧板11、第二侧板23和电路板1限定出灌胶腔。
根据本实用新型的一些实施例,如图2和图4所示,第三板231和第四板232的远离电路板1的一端设有朝向灌胶腔中心延伸的延伸板24,延伸板24长度方向的两端延伸至第一板111和第二板112的远离电路板1的一侧。这样设置更便于电路板1与引线框架2的连接。
例如,在图2和图4所示的实施例中,第三板231和第四板232的上端设有朝向灌胶中心延伸的延伸板24,当电路板1与引线框架2连接时,延伸板24与第一板111和第二板112的上表面相接触,延伸板24的左端延伸至第一板111的上侧,延伸板24的右端延伸至第二板112的上侧。
根据本实用新型的一些实施例,如图2-图4所示,第一板111和第二板112的远离电路板1的表面的长度方向的两端均设有凸起113,延伸板24长度方向的两端设有避让凸起113的避让缺口241。这样设置可以通过第一板111与第二板112上的凸起113和延伸板24上的避让缺口241,对电路板1与引线框架2的安装位置进行限定,结构简单,便于工作人员进行装配。
根据本实用新型的一些实施例,如图2和图4所示,避让缺口241位于两个延伸板24的远离彼此的一侧。这样设置可以实现引线框架2和电路板1之间的有效限位,且便于对延伸板24进行加工,同时也使电路板1与引线框架2的安装更简单。
例如,在图2和图4所示的实施例中,第一板111和第二板112的上表面的前后方向的两端均设有凸起113,延伸板24的左右两端设有避让凸起113的避让缺口241,前侧的延伸板24上的避让缺口241设在延伸板24的前侧,后侧延伸板24上的避让缺口241设在延伸板24的后侧,当电路板1与引线框架2连接时,将引脚22与电路板1焊接,再将第一板111和第二板112上的凸起113与延伸板24上的避让缺口241相配合从而可以将电路板1与引线框架2连接在一起,其中,第一板111和第二板112上的凸起113安装后的上表面与延伸板24的上表面平齐。
根据本实用新型的一些实施例,如图1、图2和图4所示,引脚22为间隔开的多个,多个引脚22中的部分与第一板111相对设置,另一部分与第二板112相对。由于引脚22的一端与电路板1连接,当在灌胶腔内填充封装件3时,封装件3可以流入相邻两个引脚22之间的间隙中,从而可以保证各个引脚22之间的绝缘性,提高了智能功率模块100的可靠性。其中,多个引脚22可以为两个、三个、四个、五个、六个、七个等,本实用新型对此不作限定。
例如,在图1和图2所示的实施例中,引线框架2的左右两侧均设有多个间隔开的引脚22,
根据本实用新型的一些实施例,电路板1包括依次层叠设置的金属基板12、第一绝缘层13和第一铜箔层14,元器件4与第一铜箔层14连接。具体地,金属基板12、第一绝缘层13和第一铜箔层14层叠设置,元器件4设在电路板1的具有第一铜箔层14的一侧且与第一铜箔层14连接。以金属基板12为衬底,可以将智能功率模块100的热量传递到金属基板12上使芯片降温,防止瞬间过热导致芯片烧毁,第一绝缘层13可以使的第一铜箔层14和金属基板12绝缘,避免第一铜箔层14上的电路结构短路,保证了智能功率模块100工作的可靠性。其中,绝缘层的内部填料可以选自二氧化硅、氧化铝、氮化硼、氮化铝、碳化硅中的一种。
例如,在图1所示的实施例中,金属基板12为智能功率模块100的衬底,第一绝缘层13设在金属基板12的上表面,第一铜箔层14设在第一绝缘层13的上表面,多个元器件4设在第一铜箔层14的上表面,多个元器件4包括有源元件41和无源元件42,有源元件41之间连接有金属键合线43,有源元件41和无源元件42与第一铜箔层14可以通过金属回流焊连接在一起,有源元件41和无源元件42与第一铜箔层14形成电路结构。其中,将电路板1、多个元器件4和金属键合线43通过绑线机连接为一体,可以加工为半成品模块,将引线框架2上的引脚22通过焊接的方式与铜箔层的上表面贴合,再将封装件3灌封在灌胶腔内,从而制成智能功率模块100,降低了智能功率模块100的装配难度,也提高了智能功率模块100的装配效率。
其中,金属键合线43可以为铝件、铜件或金件。
根据本实用新型的一些实施例,金属基板12为铝基板或铜基板。使用铝基板和铜基板可以提高智能功率模块100的散热性。由于铝基板的重量轻,导热性更好,优选地,金属基板12为铝基板。
根据本实用新型的一些实施例,绝缘层的厚度为0.05-0.3mm。这样设置可以更好地实现第一铜箔层14和金属基板12之间的绝缘,可以避免第一绝缘层13被击穿,提高了智能功率模块100的安全性。例如,第一绝缘层13的厚度可以为0.05mm、0.08mm、0.1mm、0.18mm、0.15mm、0.155mm、0.18mm、0.2mm、0.25mm、0.255mm、0.28mm或0.3mm等。
其中,第一绝缘层13的导热系数是1.0W/mK-12.0W/mK。例如第一绝缘层13的导热系数可以为1.0W/mK、2.0W/mK、3.0W/mK、4.0W/mK、5.0W/mK、6.0W/mK、7.0W/mK、8.0W/mK、9.0W/mK、10.0W/mK、11.0W/mK或12.0W/mK等。由于第一绝缘层13的导热性好,从而可以将芯片中的热量传递到金属基板12上使芯片降温,提高了智能功率模块100的导热能力。
根据本实用新型的一些实施例,第一铜箔层14的厚度为1-6OZ。这样设置可以保证智能功率模块100的工作的稳定性。例如,第一铜箔层14的厚度可以为1OZ、2OZ、3OZ、4OZ、5OZ或6OZ等。
根据本实用新型的一些实施例,金属基板12的厚度为0.5-2.5mm。例如,金属基板12的厚度可以为0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm、2mm、2.2mm、2.4mm或2.5mm等。
根据本实用新型的一些实施例,第一侧板11包括金属板116,金·属板116与金属基板12为一体件。这样设置使智能功率模块100中元器件4的发热可以通过金属基板12和第一侧板11进行散热,大大提高了智能功率模块100的散热效率,使智能功率模块100可以使用导热较低的封装件3,也使元器件4的集成密度可以进一步提高,为高性能、多功能的智能功率模块100的进一步开发提供了技术支持,同时也可以保证第一侧板11和金属基板12之间连接结构、性能稳定,并且成型方便、制造简单,而且可以省去多余的装配件和工序,提高了智能功率模块100的加工效率,降低了成本。
其中,第二侧板23也可以为金属件,这样设施可以更进一步地提高智能功率模块100的散热效率,由于金属的强度较高,也可以提高智能功率模块100的整体强度,提高抗跌落性能。
根据本实用新型的一些实施例,如图1所示,第一侧板11还包括:第二绝缘层114和第二铜箔层115,第二铜箔层115、第二绝缘层114和金属板116依次层叠设置,第二铜箔层115和第一铜箔层14为一体件,第二绝缘层114和第一绝缘层13为一体件。由此可以简化智能功率模块100的结构。具体地,第一板111包括层叠设置的金属板116、第二绝缘层114和第二铜箔层115,第二板112也包括层叠设置的金属板116、第二绝缘层114和第二铜箔层115。设置这样设置可以更好地将智能功率模块100的热量传递到金属基板12上使芯片降温,提高了智能功率模块100工作的可靠性和安全性。其中,第一铜箔层14和第二铜箔层115为一体件,第一铜箔层14和第二铜箔层115的厚度可以一致,可以为1-6OZ。第二绝缘层114和第一绝缘层13为一体件,第二绝缘层114的厚度与导热系数与第一绝缘层13可以一致,厚度可以一致且为0.05-0.3mm,导热系数可以为1.0W/mK-12.0W/mK。
例如,在图1所示的实施例中,在第一板111处,第二绝缘层114设在金属板116的右侧表面,第二铜箔层115设在第二绝缘层114的右侧表面,在第二板112处,第二绝缘层114设在金属板116的左侧表面,第二铜箔层115设在第二绝缘层114的左侧表面。
根据本实用新型的一些实施例,电路板1包括依次层叠设置的陶瓷基板和第一铜箔层14,元器件4与第一铜箔层14连接,第一侧板11包括陶瓷板,陶瓷板与陶瓷基板为一体件。采用电绝缘的陶瓷基板,使基板可以省略第一绝缘层14,降低了电路板1的厚度,从而可以降低智能功率模块100的厚度,同时陶瓷基板的导热性好,更有利智能功率模块100的散热,可以避免智能功率模块100瞬间过热导致芯片被烧毁。
例如,在本实用新型的一个实施例中,陶瓷基板为智能功率模块100的衬底,第一铜箔层14设在陶瓷基板的上表面,多个元器件4设在第一铜箔层14的上表面,多个元器件4包括有源元件41和无源元件42,有源元件41之间连接有金属键合线43,有源元件41和无源元件42与第一铜箔层14通过金属回流焊接连接在一起,有源元件41和无源元件42与铜箔层形成电路结构。
根据本实用新型的一些实施例,第一侧板11还包括与陶瓷板层叠设置的第二铜箔层115,第二铜箔层115与第一铜箔层14为一体件。具体地,第一板111包括层叠设置的陶瓷板和第二铜箔层115,第二板112包括层叠设置的陶瓷板和第二铜箔层115。设置这样设置可以由此可以简化智能功率模块100的结构,更好地将智能功率模块100的热量传递到陶瓷基板上使芯片降温,提高了智能功率模块100工作的可靠性和安全性。其中,第一铜箔层14和第二铜箔层115为一体件,第一铜箔层14和第二铜箔层115的厚度可以一致,可以为1-6OZ。
根据本实用新型的一些实施例,如图1所示,第一侧板11的远离电路板1的一端设有绝缘件5,引线框架2搭接在绝缘件5上。这样设置使引线框架2与电路板1之间为绝缘连接,提高了智能功率模块100的可靠性。
例如,在图1所示的实施例中,第一侧板11的上端设有绝缘件5,当引线框架2与电路板1连接时,引线框架2的引脚22与基板之间为绝缘连接。
根据本实用新型的一些实施例,第二侧板23与电路板1之间以及第一侧板11和第二侧板23之间设有密封胶。这样设置可以避免在灌胶腔内填充封装件3时,灌胶腔不会发生泄漏,提高了灌胶腔的密封性。可选地,密封胶可以为环氧树脂固化物、氨基树脂固化物、酚醛树脂和有机硅树脂中的一种。
例如,在图2所示的实施例中,在第一侧板11的凸起113与延伸板24左右两侧的避让缺口241相配合时,可以将密封胶涂在凸起113和避让缺口241的连接处,提高智能功率模块100的密封性。
需要说明的是,当电路板1和引线框架2的加工精度够高,可以省去涂胶过程。
根据本实用新型的一些实施例,引线框架2为一体件。具体地,框架21、引脚22、第二侧板23和延伸板24为一体件。这样设置可以保证框架21、引脚22、第二侧板23和延伸板24之间连接结构、性能稳定,而且可以省去多余的装配件和工序,提高了智能功率模块100的加工效率,降低了成本。
例如,在图2和图3所示的实施例中,框架21形成为长方形,框架21上设有镂空部25,框架21上还设有两个纵梁26,两个纵梁26将镂空部25分为间隔开的三个,延伸板24的左右两端与两个纵梁26相连接,其中,由于引脚22的长度较长,两个纵梁26也可以对引脚22起支撑作用。
下面参考附图描述根据本实用新型一个具体实施例的智能功率模块100。
如图1-图4所示,智能功率模块100包括电路板1、引线框架2、元器件4、封装件3和绝缘件5。
参考图2和图3,电路板1包括层叠设置的金属基板12、第一绝缘层13和第一铜箔层14,第一侧板11包括相对设置的第一板111和第二板112,第一板111和第二板112设在金属基板12的左右两侧,第一板111和第二板112均包括层叠设置的金属板116、第二绝缘层114、第二铜箔层115,第一板111和第二板112的上表面的前后两端均设有凸起113。其中,金属板116与金属基板12为一体件,第一铜箔层14和第二铜箔层115为一体件,第一绝缘层13和第二绝缘层114为一体件。
参考图2和图4,引线框架2包括框架21、引脚22、第二侧板23和延伸板24。框架21形成为长方形,框架21上设有镂空部25和两个纵梁26,两个纵梁26将镂空部25分为间隔开的三个,引脚22为间隔开的多个,引脚22的一端与框架21连接,另一端与电路板1通过回流焊接,第一侧板11和第二侧板23拼接连接形成为环形,电路板1、第一侧板11和第二侧板23共同限定出灌胶腔,第二侧板23包括相对设置的第三板231和第四板232,第三板231位于第一板111的前端和第二板112的前端,第四板232位于第一板111的后端和第二板112的后端,第三板231和第四板232的远离电路板1的一端设有朝向灌胶腔中心延伸的延伸板24,延伸板24左右方向的两端延伸至第一板111和第二板112的远离电路板1的一侧,并与纵梁26连接,同时延伸板24上还设有与凸起113相配合的避让缺口241,避让缺口241位于两个延伸板24的远离彼此的一侧。
参考图1,元器件4包括有源元件41和无源元件42,有源元件41之间连接有金属键合线43,有源元件41和无源元件42与第一铜箔层14通过金属回流焊连接在一起,有源元件41和无源元件42与第一铜箔层14形成电路结构。
参考图1,封装件3填充在灌胶腔内,将元器件4和引脚22封装在电路板1上。
参考图1,第一侧板11的上端设有绝缘件5,引线框架2搭接在绝缘件5上与电路板1实现绝缘。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (14)
1.一种智能功率模块,其特征在于,包括:
电路板,所述电路板上设有元器件,所述电路板的外周缘设有第一侧板;
引线框架,所述引线框架包括框架、设在框架上的引脚和设在所述框架一侧的第二侧板,所述第一侧板和所述第二侧板拼接连接形成为环形,所述电路板、所述第一侧板和所述第二侧板限定出灌胶腔,所述元器件设在所述灌胶腔内,所述引脚的一端与所述电路板连接;
封装件,所述封装件填充在所述灌胶腔内。
2.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一侧板包括相对设置的第一板和第二板,所述第二侧板包括相对设置的第三板和第四板,所述第三板位于所述第一板的一端和所述第二板的一端之间,所述第四板位于所述第一板的另一端和所述第二板的另一端之间。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述第三板和所述第四板的远离所述电路板的一端设有朝向所述灌胶腔中心延伸的延伸板,所述延伸板长度方向的两端延伸至所述第一板和所述第二板的远离所述电路板的一侧。
4.根据权利要求3所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一板和所述第二板的远离所述电路板的表面的长度方向的两端均设有凸起,所述延伸板长度方向的两端设有避让所述凸起的避让缺口。
5.根据权利要求4所述的智能功率模块,其特征在于,所述避让缺口位于两个所述延伸板的远离彼此的一侧。
6.根据权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述引脚为间隔开的多个,多个所述引脚中的部分与所述第一板相对设置,另一部分与所述第二板相对。
7.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述电路板包括依次层叠设置的金属基板、第一绝缘层和第一铜箔层,所述元器件与所述第一铜箔层连接。
8.根据权利要求7所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一侧板包括金属板,所述金属板与所述金属基板为一体件。
9.根据权利要求8所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一侧板还包括:第二绝缘层和第二铜箔层,所述第二铜箔层、所述第二绝缘层和所述金属板依次层叠设置,所述第二铜箔层和所述第一铜箔层为一体件,所述第二绝缘层和所述第一绝缘层为一体件。
10.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述电路板包括依次层叠设置的陶瓷基板和第一铜箔层,所述元器件与所述第一铜箔层连接,所述第一侧板包括陶瓷板,所述陶瓷板与所述陶瓷基板为一体件。
11.根据权利要求10所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一侧板还包括与所述陶瓷板层叠设置的第二铜箔层,所述第二铜箔层与所述第一铜箔层为一体件。
12.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述第一侧板的远离所述电路板的一端设有绝缘件,所述引线框架搭接在所述绝缘件上。
13.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述第二侧板与所述电路板之间以及所述第一侧板和所述第二侧板之间设有密封胶。
14.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述引线框架为一体件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122978812.1U CN216354191U (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 智能功率模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122978812.1U CN216354191U (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 智能功率模块 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN216354191U true CN216354191U (zh) | 2022-04-19 |
Family
ID=81156894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202122978812.1U Active CN216354191U (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 智能功率模块 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN216354191U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115966542A (zh) * | 2023-01-31 | 2023-04-14 | 海信家电集团股份有限公司 | 功率模块和具有其的电子设备 |
-
2021
- 2021-11-30 CN CN202122978812.1U patent/CN216354191U/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115966542A (zh) * | 2023-01-31 | 2023-04-14 | 海信家电集团股份有限公司 | 功率模块和具有其的电子设备 |
CN115966542B (zh) * | 2023-01-31 | 2023-10-13 | 海信家电集团股份有限公司 | 功率模块和具有其的电子设备 |
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