CN216162678U - 一种射频功率放大器 - Google Patents

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赵宇霆
郭嘉帅
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Abstract

本实用新型实施例公开了一种射频功率放大器，包括依次串联的输入匹配网络、第一级双路放大电路、级间匹配网络、第二级双路放大电路以及输出匹配网络；其中，所述输入匹配网络包括一个第一变压器T1，所述级间匹配网络包括一个第二变压器T2，所述输出匹配网络包括一个第三变压器T3，所述第一变压器T1用于将单端的所述射频输入信号RFin变为一对差分信号并输入给第一级双路放大电路，所述第二变压器T2位于第一级双路放大电路和第二级双路放大电路之间，所述第三变压器T3用于将两路差分信号合成为一路射频信号输出，通过上述方式，能够降低匹配难度，提高射频功率放大器的输出功率。

Description

一种射频功率放大器
技术领域
本实用新型涉及功率放大器技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器。
背景技术
5G通信技术目标是高数据吞吐率、低延时、低成本节能、更高的系统容量和大规模的设备连接，其中下载速度是4G通信的100倍，传输时延低于1ms，信道带宽达到400MHz，并且有更高的数据传输速率，其速率为20Gbps。在5G通信的收发机中，功率放大器(PA)对整个收发机的性能影响非常大，其作用是将输出信号进行放大，由天线将被放大的信号发出。因此，功率放大器将直接决定了收发机系统的各个性能指标，进而影响整个5G无线通信系统的各项性能指标。现有的传统匹配结构多为由电容电感组合成的“Π型”、“T型”、“L型”匹配网络，可将功率放大器的输入输出端口与50欧姆端口连接时实现阻抗变化，根据不同设计指标的不同需求，可选择最适合的匹配结构和匹配器件。
功率放大器的输出功率直接决定了信号发射到空间的强度，即无线通信的有效覆盖面积，高输出功率是射频功率放大器设计的基本要求，而5G通信系统需射频功率放大器有更大的输出功率。提高射频功率放大器的输出功率可通过提高其输出电流摆幅或者输出电压摆幅进行，而提高输出电流摆幅可通过增大单个晶体管面积或将多个晶体管并联来实现，然而这会使得晶体管的输入和输出阻抗减小，增加了匹配的难度。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种射频功率放大器，能够降低匹配难度，提高射频功率放大器的输出功率。
为了解决上述技术问题，本实用新型一方面提供一种种射频功率放大器，包括输入匹配网络、第一级双路放大电路、级间匹配网络、第二级双路放大电路以及输出匹配网络；
其中，所述输入匹配网络包括一个第一变压器T1，所述级间匹配网络包括一个第二变压器T2，所述输出匹配网络包括一个第三变压器T3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第一电感L1；
所述第一变压器T1的两个输入端分别连接射频输入信号RFin和地端，所述第一变压器T1的两个输出端分别连接所述第一级双路放大电路的两个输入端，以将单端的所述射频输入信号RFin变为一对差分信号，所述第一级双路放大电路的两个输出端分别连接所述第二变压器T2的两个输入端，所述第二变压器T2的两个输出端分别连接所述第二级双路放大电路的两个输入端，所述第二级双路放大电路的两个输出端分别连接所述第三变压器T3的两个输入端，其中所述第一电容C1和第二电容C2的一端分别与所述第三变压器T3的两个输入端连接，所述第一电容C1和第二电容C2的另一端接地，所述第三电容C3的一端和所述第四电容C4的一端均与所述第三变压器T3的一个输出端连接，所述第三电容C3的另一端接地，所述第四电容C4的另一端、所述第五电容C5的一端以及所述第一电感L1的一端相连接，所述第五电容C5的另一端接地，所述第一电感L1的另一端输出射频输出信号RFout，所述第三变压器T3的另一个输出端接地。
更进一步地，所述输入匹配网络还包括第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9以及第二电感L2；
所述第六电容C6和第七电容C7的一端分别与所述第一变压器T1的两个输入端连接，所述第六电容C6和第七电容C7的另一端接地，所述第二电感L2串联在所述第一变压器T1的与地连接的输入端和地端之间，所述第八电容C8串联在所述第一变压器T1的一个输出端和所述第一级双路放大电路的一个输入端之间，所述第九电容C9串联在所述第一变压器T1的另一个输出端和所述第一级双路放大电路的另一个输入端之间。
更进一步地，所述级间匹配网络还包括第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第三电感L3以及第四电感L4；
所述第三电感L3串联在所述第一级双路放大电路的一个输出端和所述第二变压器T2的一个输入端之间，所述第十电容C10的一端连接在所述第三电感L3的一端和与所述第三电感L3连接的第一级双路放大电路的输出端之间，所述第十电容C10的另一端接地，所述第四电感L4串联在所述第一级双路放大电路的另一个输出端和所述第二变压器T2的另一个输入端之间，所第十一电容C11的一端连接在所述第四电感L4的一端和与所述第四电感L4连接的第一级双路放大电路的输出端之间，所述第十一电容C11的另一端接地，所述第十二电容C12串联在所述第二变压器T2的一个输出端和所述第二级双路放大电路的一个输入端之间，所述第十三电容C13串联在所述第二变压器T2的另一个输出端和所述第二级放大电路的另一个输入端之间。
更进一步地，所述第一级双路放大电路包括两个第一晶体管Q1，所述第二级双路放大电路包括两个第二晶体管Q2；
所述两个第一晶体管Q1的基极分别为所述第一级双路放大电路的两个输入端，所述两个第一晶体管Q1的集电极分别为所述第一级双路放大电路的两个输出端，所述两个第一晶体管Q1的发射极接地；所述两个第二晶体管Q2的基极分别为所述第二级双路放大电路的两个输入端，所述两个第二晶体管Q2的集电极分别为所述第二级双路放大电路的两个输出端，所述两个第二晶体管Q2的发射极接地。
更进一步地，所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2的基极还连接有偏置电路；
所述偏置电路包括第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及第十四电容C14；
所述第三晶体管Q3的基极和集电极、所述第四晶体管Q4的基极、所述第一电阻R1的一端以及所述第十四电容C14的一端相连接；所述第一电阻R1的另一端连接供电电压Vreg，所述第三晶体管Q3的发射极、所述第五晶体管Q5的集电极和基极相连接，所述第五晶体管Q5的发射极与第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端接地，所述第十四电容C14的另一端接地，所述第四晶体管Q4的集电极连接供电电压Vbat，所述第四晶体管Q4的发射极与第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与对应的第一晶体管Q1或第二晶体管Q2的基极连接。
更进一步地，所述第一变压器T1、第二变压器T2以及第三变压器T3均为对称互绕式变压器。
有益效果：本实用新型的射频功率放大器中，包括输入匹配网络、第一级双路放大电路、级间匹配网络、第二级双路放大电路以及输出匹配网络；其中，所述输入匹配网络包括一个第一变压器T1，所述级间匹配网络包括一个第二变压器T2，所述输出匹配网络包括一个第三变压器T3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第一电感L1；所述第一变压器T1的两个输入端分别连接射频输入信号RFin和地端，所述第一变压器T1的两个输出端分别连接所述第一级双路放大电路的两个输入端，以将单端的所述射频输入信号RFin变为一对差分信号，所述第一级双路放大电路的两个输出端分别连接所述第二变压器T2的两个输入端，所述第二变压器T2的两个输出端分别连接所述第二级双路放大电路的两个输入端，所述第二级双路放大电路的两个输出端分别连接所述第三变压器T3的两个输入端，所述第三变压器T3与所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第一电感L组成输出变压器匹配网络将射频输出信号RFout输出，通过上述方式，可以避免多个晶体管并联导致的输入输出阻抗减小而造成匹配困难问题，可以降低各级匹配网络的匹配难度，有利于提高输出功率。
附图说明
下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是本实用新型实施例提供的射频功率放大器的电路图；
图2是本实用新型实施例提供的偏置电路的电路图；
图3是本实用新型的射频功率放大器的增益仿真波形图；
图4是本实用新型的射频功率放大器的增益和增益压缩的对比波形图；
图5是本实用新型的射频功率放大器的功率附加效率的仿真波形图。
具体实施方式
请参照图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，本实用新型的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本实用新型具体实施例，其不应被视为限制本实用新型未在此详述的其它具体实施例。
参阅图1，本实用新型实施例提供的射频功率放大器100中，包括依次串联连接的输入匹配网络11、第一级双路放大电路12、级间匹配网络13、第二级双路放大电路14以及输出匹配网络15。
其中，所述输入匹配网络11包括一个第一变压器T1，所述第一级双路放大电路12包括两个输入端和两个输出端，一个输入端和对应的一个输出端形成一路放大电路，所述级间匹配网络13包括一个第二变压器T2，所述第二级双路放大电路14包括输入端和两个输出端，一个输入端和对应的一个输出端形成一路放大电路，所述输出匹配网络15包括一个第三变压器T3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第一电感L1。
本实用新型的实施例中，第一至第三变压器均为对称互绕式变压器。此外，所述第一级双路放大电路12和第二级双路放大电路14均采用HBT晶体管实现，其中，第一级双路放大电路12包括两个第一晶体管Q1，所述第二级双路放大电路14包括两个第二晶体管Q2。所述两个第一晶体管Q1的基极分别为所述第一级双路放大电路12的两个输入端，所述两个第一晶体管Q1的集电极分别为所述第一级双路放大电路12的两个输出端，所述两个第一晶体管Q1的发射极接地；所述两个第二晶体管Q2的基极分别为所述第二级双路放大电路14的两个输入端，所述两个第二晶体管Q2的集电极分别为所述第二级双路放大电路14的两个输出端，所述两个第二晶体管Q2的发射极接地。当然，在其他实施方式中，第一级双路放大电路和第二级双路放大电路也可以采用COMS管或者其他功率管实现。为了便于说明，在以下描述中，以第一晶体管Q1和第二晶体管Q2为HBT晶体管为例进行说明。
所述第一变压器T1的两个输入端分别连接射频输入信号RFin和地端，所述第一变压器T1的两个输出端分别连接所述两个第一晶体管Q1的基极，以将单端的所述射频输入信号RFin变为一对差分信号分别输出给两个第一晶体管Q1进行放大，其中该一对差分信号大小相同相位相差180°。所述两个第一晶体管Q1的集电极分别连接所述第二变压器T2的两个输入端，所述两个第一晶体管Q1的发射极分别接地。所述第二变压器T2的两个输出端分别连接所述两个第二晶体管Q2的基极，因该第二变压器T2为双入双出结构，因此第一级双路放大电路12输出的两路差分输出信号在经过该第二变压器T2之后，继续以两路差分信号输入第二级双路放大电路14中。
所述两个第二晶体管Q2的集电极分别连接所述第三变压器T3的输入端，所述两个第二晶体管Q2的发射极分别接地。其中所述第一电容C1和第二电容C2的一端分别与所述第三变压器T3的两个输入端连接，所述第一电容C1和第二电容C2的另一端接地，所述第三电容C3的一端和所述第四电容C4的一端均与所述第三变压器T3的一个输出端连接，所述第三电容C3的另一端接地，所述第四电容C4的另一端、所述第五电容C5的一端以及所述第一电感L1的一端相连接，所述第五电容C5的另一端接地，所述第一电感L1的另一端输出射频输出信号RFout，所述第三变压器T3的另一个输出端接地。因此，第三变压器T3为差分信号转为单端信号的变压器，经过两个第二晶体管Q2的两个相差180°的差分信号，经过该第三变压器T3将再次产生180°的相位差，此时的相位差为360°即0°，由此将两路差分信号转为一路单端信号，完成功率合成，以此获得高输出功率。
此外，通过第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第一电感L1以及第三变压器T3共同组成输出匹配网络15，可以实现将高阻抗匹配至低阻抗，从而完成输出匹配功能。其中，第一电容C1和第二电容C2可以采用相同的电容元件实现，两者大小相同。
本实施例中，本实用新型的射频功率放大器100可适用于5G通信中的N77(3.3～4.2GHz)的功率放大器，通过在输入匹配网络11、级间匹配网络13以及输出匹配网络14采用变压器匹配的方式实现，能够显著的提高功率放大器的增益、输出功率，并解决了放大电路级间匹配较难的问题。参阅图3、图4和图5，其中图3是本实用新型的射频功率放大器的增益仿真波形图；图4是本实用新型的射频功率放大器的增益和增益压缩的对比波形图，其中曲线a表示增益，曲线b表示增益压缩；图5是本实用新型的射频功率放大器的功率附加效率的仿真波形图，通过图中的仿真波形图表明，在N77工作频段内，本实用新型的射频功率放大器增益为34～36dBm，输出功率1dB压缩点为37dBm，输出功率1dB压缩点处的功率附加效率为52.5％，输出功率回退至28.5dBm处的功率附加效率为18.9％、相邻频道泄漏比为-36.2dBc，具有较优的性能。
需要说明的是，本实用新型实施例中，第一级双路放大电路12采用两个第一晶体管Q1分别实现两路放大电路，在其他实时方式中，第一级双路放大电路12的每一路放大电路可以采用多个并联的第一晶体管Q1实现，每一路中多个并联的第一晶体管Q1的基极并联在一起，集电极并联在一起，发射极接地。同理地，图1所示的实施例中，第二级双路放大电路14也采用两个第二晶体管Q2分别实现两路放大电路，在其他实时方式中，第二级双路放大电路14的每一路放大电路也可以采用多个并联的第二晶体管Q2实现，每一路放大电路中的多个并联的第二晶体管Q2的基极并联在一起，集电极并联在一起，发射极均接地。
本实用新型实施例中，所述输入匹配网络11还包括第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9以及第二电感L2。所述第六电容C6和第七电容C7的一端分别与所述第一变压器T1的两个输入端连接，所述第六电容C6和第七电容C7的另一端接地，所述第二电感L2串联在所述第一变压器T1的与地连接的输入端和地端之间，所述第八电容C8串联在所述第一变压器T1一个输出端和一个所述第一晶体管Q1的基极之间，所述第九电容C9串联在所述第一变压器T1的另一个输出端和另一个所述第一晶体管Q1的基极之间。因此，第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第二电感L2以及第二变压器T2共同组成输入匹配网络11，其中第八电容C8和第九电容C9可以采用相同的电容元件实现，两者大小相同，由此可确保两路信号为等大反相的，并且第八电容C8和第九电容C9可以调节第一级双路放大电路12的增益趋势，以及起到隔直电容的作用；而第六电容C6、第七电容C7以及第二电感L2可以调节和增加变压器的带宽，并且降低其插损。
进一步地，所述级间匹配网络13还包括第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第三电感L3以及第四电感L4。所述第三电感L3串联在一个所述第一晶体管Q1的集电极和所述第二变压器T2的一个输入端之间，所述第十电容C10的一端和与所述第三电感L3连接的第一晶体管Q1的集电极连接，所述第十电容C10的另一端接地，所述第四电感L4串联在另一个所述第一晶体管Q1的集电极和所述第二变压器T2的另一个输入端之间，所第十一电容C11的一端和与所述第四电感L4连接的第一晶体管Q1的集电极连接，所述第十一电容C11的另一端接地，所述第十二电容C12串联在所述第二变压器T2的一个输出端和一个所述第二晶体管Q2的基极之间，所述第十三电容C13串联在所述第二变压器T2的另一个输出端和另一个所述第二晶体管Q2的基极之间。
由此，第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第三电感L3、第四电感L4以及第二变压器T2共同组成级间匹配网络13，同理地，其中两个电容C12和C13大小相同，可确保两路信号为等大反相的，并且电容C12和C13可以调节第二级放大电路14的增益趋势，以及起到隔直电容的作用；电容C10、C11和电感L3、L4可以调节和增加变压器的带宽，并且降低其插损。此外，电容C10和电容C11可以采用相同电容元件实现，两者大小相同。
本实用新型的实施例中，每个所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的基极还连接有偏置电路，如图1所示，第一晶体管Q1的基极连接有第一偏置电路161，第二晶体管Q2的基极连接有第二偏置电路162，其中第一偏置电路161和第二偏置电路162的结构可以相同也可以不相同，只要能提供合适的偏置电压即可。本实施例中，以第一偏置电路161和第二偏置电路162的结构相同为例，参阅图2，偏置电路的结构具体包括第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及第十四电容C14。
所述第三晶体管Q3的基极和集电极、所述第四晶体管Q4的基极、所述第一电阻R1的一端以及所述第十四电容C14的一端相连接；所述第一电阻R1的另一端连接供电电压Vreg，所述第三晶体管Q3的发射极、所述第五晶体管Q5的集电极和基极相连接，所述第五晶体管Q5的发射极与第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端接地，所述第十四电容C14的另一端接地，所述第四晶体管Q4的集电极连接供电电压Vbat，所述第四晶体管Q4的发射极与第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与对应的第一晶体管Q1或第二晶体管Q2的基极连接。
其中，第一电阻R1和第二电阻R2为分压电阻，第三电阻R3为热效应抑制电阻，I1、I2为电流，第十四电容C14为滤波电容。第三晶体管Q3和第五晶体管Q5构成钳位电压，使得电流I2为稳定电流，调节第一电阻R1和第二电阻R2的大小可调节I2的大小。第三晶体管Q3和第四晶体管Q4组成电流镜，由于第四晶体管Q4的放大功能，第四晶体管Q4的发射极电流被镜像放大，因I2为稳定电流，故I1＝βI2。当输入功率增大，功率放大器处于大功率工作状态时，第一晶体管Q1或第二晶体管Q2的直流电流增加，因晶体管自热效应和二极管整流特性，第一晶体管Q1或第二晶体管Q2的基极电位会下降，射频线路上信号泄露进偏置电路。由于第十四电容C14的存在，信号依次经过第四晶体管Q4的发射极和基极、第十四电容C14到地。因此第四晶体管Q4的基极电位保持不变，从而功率放大器100的线性度得到有效提高。第四晶体管Q4的基极和发射极由于整流作用，该基极和发射极之间的电压降低，而由于第四晶体管Q4的基极电位保持不变，因此对第一晶体管Q1或第二晶体管Q2的基极电压降低进行有效补偿，使得第一晶体管Q1或第二晶体管Q2在高输入、输出功率状态下，保持静态工作点不变，因此增益压缩得到有效抑制。
通过本实施例的射频功率放大器，可以优化级间匹配和整体匹配的插入回波损耗，提高射频功率放大器的输出功率，并且使得射频功率放大器的相邻频道泄漏比较好，在输出功率为28.5dBm处，相邻频道泄漏比小于-36.2dBc。
以上对本实用新型实施例所提供的一种射频功率放大器进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (6)

1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括输入匹配网络、第一级双路放大电路、级间匹配网络、第二级双路放大电路以及输出匹配网络；
其中，所述输入匹配网络包括一个第一变压器T1，所述级间匹配网络包括一个第二变压器T2，所述输出匹配网络包括一个第三变压器T3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第一电感L1；
所述第一变压器T1的两个输入端分别连接射频输入信号RFin和地端，所述第一变压器T1的两个输出端分别连接所述第一级双路放大电路的两个输入端，以将单端的所述射频输入信号RFin变为一对差分信号，所述第一级双路放大电路的两个输出端分别连接所述第二变压器T2的两个输入端，所述第二变压器T2的两个输出端分别连接所述第二级双路放大电路的两个输入端，所述第二级双路放大电路的两个输出端分别连接所述第三变压器T3的两个输入端，其中所述第一电容C1和第二电容C2的一端分别与所述第三变压器T3的两个输入端连接，所述第一电容C1和第二电容C2的另一端接地，所述第三电容C3的一端和所述第四电容C4的一端均与所述第三变压器T3的一个输出端连接，所述第三电容C3的另一端接地，所述第四电容C4的另一端、所述第五电容C5的一端以及所述第一电感L1的一端相连接，所述第五电容C5的另一端接地，所述第一电感L1的另一端输出射频输出信号RFout，所述第三变压器T3的另一个输出端接地。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述输入匹配网络还包括第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9以及第二电感L2；
所述第六电容C6和第七电容C7的一端分别与所述第一变压器T1的两个输入端连接，所述第六电容C6和第七电容C7的另一端接地，所述第二电感L2串联在所述第一变压器T1的与地连接的输入端和地端之间，所述第八电容C8串联在所述第一变压器T1的一个输出端和所述第一级双路放大电路的一个输入端之间，所述第九电容C9串联在所述第一变压器T1的另一个输出端和所述第一级双路放大电路的另一个输入端之间。
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述级间匹配网络还包括第十电容C10、第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第三电感L3以及第四电感L4；
所述第三电感L3串联在所述第一级双路放大电路的一个输出端和所述第二变压器T2的一个输入端之间，所述第十电容C10的一端连接在所述第三电感L3的一端和与所述第三电感L3连接的第一级双路放大电路的输出端之间，所述第十电容C10的另一端接地，所述第四电感L4串联在所述第一级双路放大电路的另一个输出端和所述第二变压器T2的另一个输入端之间，所第十一电容C11的一端连接在所述第四电感L4的一端和与所述第四电感L4连接的第一级双路放大电路的输出端之间，所述第十一电容C11的另一端接地，所述第十二电容C12串联在所述第二变压器T2的一个输出端和所述第二级双路放大电路的一个输入端之间，所述第十三电容C13串联在所述第二变压器T2的另一个输出端和所述第二级双路放大电路的另一个输入端之间。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一级双路放大电路包括两个第一晶体管Q1，所述第二级双路放大电路包括两个第二晶体管Q2；
所述两个第一晶体管Q1的基极分别为所述第一级双路放大电路的两个输入端，所述两个第一晶体管Q1的集电极分别为所述第一级双路放大电路的两个输出端，所述两个第一晶体管Q1的发射极接地；所述两个第二晶体管Q2的基极分别为所述第二级双路放大电路的两个输入端，所述两个第二晶体管Q2的集电极分别为所述第二级双路放大电路的两个输出端，所述两个第二晶体管Q2的发射极接地。
5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2的基极还连接有偏置电路；
所述偏置电路包括第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及第十四电容C14；
所述第三晶体管Q3的基极和集电极、所述第四晶体管Q4的基极、所述第一电阻R1的一端以及所述第十四电容C14的一端相连接；所述第一电阻R1的另一端连接供电电压Vreg，所述第三晶体管Q3的发射极、所述第五晶体管Q5的集电极和基极相连接，所述第五晶体管Q5的发射极与第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端接地，所述第十四电容C14的另一端接地，所述第四晶体管Q4的集电极连接供电电压Vbat，所述第四晶体管Q4的发射极与第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与对应的第一晶体管Q1或第二晶体管Q2的基极连接。
6.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一变压器T1、第二变压器T2以及第三变压器T3均为对称互绕式变压器。
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