CN216156016U - 半导体级硅单晶炉的底部加热器 - Google Patents
半导体级硅单晶炉的底部加热器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN216156016U CN216156016U CN202122181851.9U CN202122181851U CN216156016U CN 216156016 U CN216156016 U CN 216156016U CN 202122181851 U CN202122181851 U CN 202122181851U CN 216156016 U CN216156016 U CN 216156016U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- base
- single crystal
- silicon single
- furnace body
- grade silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
本实用新型公开了半导体级硅单晶炉的底部加热器，包括底座，底座内设置有加热管，加热管与底座之间通过隔热板隔热固定，底座上设置有铜板，铜板与加热管接触贴合，铜板上设置有内置孔，铜板上放置有炉体，炉体的下端设置有贯穿底座的出料口，出料口与内置孔滑动贯穿，底座内设置有隔热层。通过加热管的通电加热能够从炉体的底部对炉体内的材料进行加热，配合铜板，使得加热更加均匀，且底座与炉体方便装配，便于定期检修加热管。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体级硅单晶炉技术领域，具体为半导体级硅单晶炉的底部加热器。
背景技术
单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位，处于新材料发展的前沿。
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。
目前的炉体结构多数以炉壁部分加热位置，通过热量传递实现对多晶熔化，但是，炉体的底部由于需要排放熔化后的产物，所以一般不设置有加热结构，导致整个炉体的加热增加，受热达不到最佳均匀状态。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供半导体级硅单晶炉的底部加热器，以解决炉体底部加热的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：半导体级硅单晶炉的底部加热器，包括底座，所述底座内设置有加热管，所述加热管与底座之间通过隔热板隔热固定，所述底座上设置有铜板，所述铜板与加热管接触贴合，所述铜板上设置有内置孔，所述铜板上放置有炉体，所述炉体的下端设置有贯穿底座的出料口，所述出料口与内置孔滑动贯穿，所述底座内设置有隔热层，加热管为电热管结构，通过导线插头与室内220V电源插排插接通电。
优选的，所述底座上固定有对位块，所述炉体的两侧均固定有与对位块滑动套设的对位座，便于炉体和加热管的定位对接。
优选的，所述对位块上设置有凹槽，凹槽内滑动套设有卡销，卡销与凹槽通过弹簧连接，保证卡销的伸缩复位稳定。
优选的，所述对位座上设置有通孔，所述卡销与通孔滑动套设，便于炉体与底座的装配和分离。
优选的，所述铜板上固定嵌入有螺纹套，所述底座上设置有螺纹孔，配合螺纹旋钮能够将铜板与底座固定。
优选的，所述螺纹套和螺纹孔通过螺纹旋钮螺纹对接，螺纹旋钮为蝶形结构，便于铜板与底座的装配和拆卸。
优选的，所述隔热板和隔热层均由石膏板材料制成，能够起到良好隔热的效果。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过加热管的通电加热能够从炉体的底部对炉体内的材料进行加热，配合铜板，使得加热更加均匀，且底座与炉体方便装配，便于定期检修加热管。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图；
图2为本实用新型的底座内部结构示意图；
图3为本实用新型的加热管形状示意图；
图4为本实用新型的卡销部分局部放大示意图；
图5为本实用新型的螺纹旋钮部分局部放大示意图。
图中：1、底座；11、加热管；12、隔热板；13、铜板；14、内置孔；15、炉体；16、出料口；17、隔热层；2、对位座；21、对位块；3、凹槽；31、卡销；32、弹簧；33、通孔；4、螺纹套；41、螺纹槽；42、螺纹旋钮。
具体实施方式
请参阅图1、图2和图3，半导体级硅单晶炉的底部加热器，包括底座1，底座1内设置有加热管11，加热管11与底座1之间通过隔热板12隔热固定，底座1上设置有铜板13，铜板13与加热管11接触贴合，铜板13上设置有内置孔14，铜板13上放置有炉体15，炉体15的下端设置有贯穿底座1的出料口16，出料口16与内置孔14滑动贯穿，底座1内设置有隔热层17，加热管11为电热管结构，通过导线插头与室内220V电源插排插接通电。
参阅图1和图4，底座1上固定有对位块21，炉体15的两侧均固定有与对位块21滑动套设的对位座2，便于炉体15和加热管11的定位对接。
参阅图1和图4，对位块21上设置有凹槽3，凹槽3内滑动套设有卡销31，卡销31与凹槽3通过弹簧32连接，保证卡销31的伸缩复位稳定。
参阅图1和图4，对位座2上设置有通孔33，卡销31与通孔33滑动套设，便于炉体15与底座1的装配和分离。
参阅图1和图5，铜板13上固定嵌入有螺纹套4，底座1上设置有螺纹孔41，配合螺纹旋钮42能够将铜板13与底座1固定。
参阅图1和图5，螺纹套4和螺纹孔41通过螺纹旋钮42螺纹对接，螺纹旋钮42为蝶形结构，便于铜板13与底座1的装配和拆卸。
参阅图1和图2，隔热板12和隔热层17均由石膏板材料制成，能够起到良好隔热的效果。
本方案的工作原理是：当需要将底座1与炉体15进行装配时，通过对位块21插入到对位座2内，使得两者能够定位，当卡销31的位置与通孔33的位置对应时，通过弹簧32的复位效果，使得卡销31弹入到通孔33内，从而完成炉体15与底座1的固定。
当需要对炉体15的底部进行加热时，接通加热管11的电源，通过电加热的方式，对炉体15的底部进行加热，加热管11通过热量传递，使得铜板13受热，铜板13导热效果好，与炉体15底部均匀贴合，保证加热的均匀性。
当需要检修加热管11时，通过螺纹旋钮42分别与螺纹套4和螺纹槽41螺纹脱开，完成铜板13的拆卸。
Claims (7)
1.半导体级硅单晶炉的底部加热器，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)内设置有加热管(11)，所述加热管(11)与底座(1)之间通过隔热板(12)隔热固定，所述底座(1)上设置有铜板(13)，所述铜板(13)与加热管(11)接触贴合，所述铜板(13)上设置有内置孔(14)，所述铜板(13)上放置有炉体(15)，所述炉体(15)的下端设置有贯穿底座(1)的出料口(16)，所述出料口(16)与内置孔(14)滑动贯穿，所述底座(1)内设置有隔热层(17)。
2.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述底座(1)上固定有对位块(21)，所述炉体(15)的两侧均固定有与对位块(21)滑动套设的对位座(2)。
3.根据权利要求2所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述对位块(21)上设置有凹槽(3)，凹槽(3)内滑动套设有卡销(31)，卡销(31)与凹槽(3)通过弹簧(32)连接。
4.根据权利要求3所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述对位座(2)上设置有通孔(33)，所述卡销(31)与通孔(33)滑动套设。
5.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述铜板(13)上固定嵌入有螺纹套(4)，所述底座(1)上设置有螺纹孔(41)。
6.根据权利要求5所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述螺纹套(4)和螺纹孔(41)通过螺纹旋钮(42)螺纹对接，螺纹旋钮(42)为蝶形结构。
7.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述隔热板(12)和隔热层(17)均由石膏板材料制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122181851.9U CN216156016U (zh) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 半导体级硅单晶炉的底部加热器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122181851.9U CN216156016U (zh) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 半导体级硅单晶炉的底部加热器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216156016U true CN216156016U (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=80847764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202122181851.9U Active CN216156016U (zh) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 半导体级硅单晶炉的底部加热器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN216156016U (zh) |
-
2021
- 2021-09-03 CN CN202122181851.9U patent/CN216156016U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102244051B (zh) | 一种高性能定向导热铜基金刚石复合材料及其制备方法 | |
| CN210974929U (zh) | 碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 | |
| CN204570091U (zh) | 具有补温导流筒的单晶炉 | |
| CN105202801A (zh) | 一种制冷装置 | |
| CN216156016U (zh) | 半导体级硅单晶炉的底部加热器 | |
| WO2019148519A1 (zh) | 一种管式pecvd的电极机构 | |
| CN104264213A (zh) | 一种大尺寸掺杂蓝宝石晶体的efg生长装置及其生长工艺 | |
| WO2023185696A1 (zh) | 一种降低功耗的异型石墨电极柱 | |
| CN201948793U (zh) | 一种电热水壶 | |
| CN202499930U (zh) | 直拉法制作硅单晶的加热器 | |
| CN106488590A (zh) | 一种安全性能高的防爆电加热器 | |
| CN1947910A (zh) | 交直流两用节能防静电恒温氮化硅电烙铁 | |
| CN210030955U (zh) | 连接电极和热场装置 | |
| CN203007471U (zh) | 一种单晶炉 | |
| CN201564302U (zh) | 一种烧烤炉 | |
| CN207498509U (zh) | 用于单晶炉的快捷化料机构 | |
| CN210318075U (zh) | 一种新型分体式加热器的连接装置 | |
| CN206695924U (zh) | 一种多晶炉热电偶的安装结构 | |
| CN206602674U (zh) | 一种ptc加热器用加热管结构 | |
| CN221254769U (zh) | 简易的液相电阻法增加碳化硅单晶生长速度的结构 | |
| CN2868523Y (zh) | 交直流两用节能防静电恒温氮化硅电烙铁 | |
| CN203653744U (zh) | 一种单晶炉导气管 | |
| CN203602750U (zh) | 一种用于扩宽区熔单晶炉内线圈缝的工具 | |
| CN108517565A (zh) | 坩埚处理系统 | |
| CN205090656U (zh) | 一种制冷装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221201 Address after: 201807 Building 1 and 9, No. 220, Xiaodong Street, Jiading Industrial Zone, Jiading District, Shanghai Patentee after: Shanghai Qiqi Glass Products Co.,Ltd. Address before: 223400 No. 55, group 5, Xinhe village, Chamiao Town, Lianshui County, Huai'an City, Jiangsu Province Patentee before: Gu Hailang |