CN215976034U - 一种ald淀积系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及ALD淀积技术领域,尤其为一种ALD淀积系统,包括壳体和连接管,所述壳体的下方固定连接有支撑脚,且壳体的内部开设有螺纹槽,所述连接管位于螺纹槽的内部,且连接管的上方固定连接有连接盘,所述连接盘的上方固定连接有密封垫,所述连接管的下方水平安设有固定管,且固定管的下方固定连接有第一通道,所述第一通道的下方水平安设有安装罩,且安装罩的内部活动连接有过滤网,所述安装罩的下方固定连接有第二通道,且第二通道的下方水平安设有脉冲室,该装置能够对气相物质进行过滤,对气相物质中的杂质进行处理,从而保证其沉积的效果,同时该装置结构简单,便于使用者对其内部进行清洁与更换,从而提高装置的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及ALD淀积技术领域,具体为一种ALD淀积系统。
背景技术
ALD是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法,当前驱体达到沉积基体表面,它们会在其表面化学吸附并发生表面反应,在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗,原子层沉积的表面反应具有自限制性,实际上这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础,不断重复这种自限制反应就形成所需要的薄膜。
现在有的ALD淀积技术,在沉积时,气相物质在沉积基体的过程中,由于气相物质中的杂质无法被阻挡,使得在进行沉积基体上化学吸附并反应时,不能够使其均匀的进行反应,从而影响沉积的效果。
因此需要一种ALD淀积系统对上述问题做出改善。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种ALD淀积系统,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种ALD淀积系统,包括壳体和连接管,所述壳体的下方固定连接有支撑脚,且壳体的内部开设有螺纹槽,所述连接管位于螺纹槽的内部,且连接管的上方固定连接有连接盘,所述连接盘的上方固定连接有密封垫,所述连接管的下方水平安设有固定管,且固定管的下方固定连接有第一通道,所述第一通道的下方水平安设有安装罩,且安装罩的内部活动连接有过滤网,所述安装罩的右侧固定连接有卡块,且卡块的后端开设有卡槽,所述安装罩的下方固定连接有第二通道,且第二通道的下方水平安设有脉冲室,所述脉冲室的下方水平安设有沉积基体,且沉积基体的下方水平安设有固定座,所述固定座的内部开设有定位槽,且定位槽的内部活动连接有定位块,所述定位块的下方固定连接有橡胶块。
作为本实用新型优选的方案,所述连接管的上表面与连接盘的下表面之间紧密贴合,且连接盘的中轴线与密封垫的中轴线相重合。
作为本实用新型优选的方案,所述第一通道呈等距状安置于固定管的下表面,且第一通道的下表面与安装罩的上表面之间紧密贴合。
作为本实用新型优选的方案,所述安装罩的中轴线与过滤网的中轴线相重合,且卡块呈对称状安置于安装罩的左右两侧。
作为本实用新型优选的方案,所述卡块的外部尺寸与卡槽的内部尺寸相吻合,且安装罩通过卡块与卡槽构成滑动结构。
作为本实用新型优选的方案,所述固定座的下表面与壳体的内表面之间紧密贴合,且定位槽呈对称状安置于固定座的内部。
作为本实用新型优选的方案,所述定位块的上表面与沉积基体的下表面之间紧密贴合,且定位块的中轴线与橡胶块的中轴线相重合。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中,通过设置的连接管、连接盘、封垫、固定管、第一通道和安装罩之间的配合设置,连接管通过焊接与连接盘进行固定,并且密封垫能够起到密封的作用,同时第一通道按一定的数量固定在固定管下方,使得第一通道能够均匀的将气相物质输出。
2、本实用新型中,通过设置的安装罩、过滤网、卡块和卡槽之间的配合设置,过滤网能够对气相物质中的杂质进行过滤,同时安装罩能够在卡块与卡槽的滑动配合下,从壳体的内部取出,便于使用者对过滤网进行清洁与更换。
3、本实用新型中,通过设置的壳体、固定座、定位槽、定位块和橡胶块之间的配合设置,固定座通过螺栓固定在壳体的内部,沉积基体通过定位块安装在定位槽的内部,从而对沉积基体起到限位的作用。
附图说明
图1为本实用新型的立体图;
图2为本实用新型的主视剖视结构示意图;
图3为本实用新型的图2中A处放大结构示意图;
图4为本实用新型的侧视结构示意图。
图中:1、壳体;2、支撑脚;3、螺纹槽;4、连接管;5、连接盘;6、密封垫;7、固定管;8、第一通道;9、安装罩;10、过滤网;11、卡块;12、卡槽;13、第二通道;14、脉冲室;15、沉积基体;16、固定座;17、定位槽;18、定位块;19、橡胶块。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关对本实用新型进行更全面的描述。给出了本实用新型的若干实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1-4,本实用新型提供一种ALD淀积系统技术方案:
实施例1,请参照图1、2、3和4,一种ALD淀积系统,包括壳体1和连接管4,壳体1的下方固定连接有支撑脚2,且壳体1的内部开设有螺纹槽3,连接管4位于螺纹槽3的内部,且连接管4的上方固定连接有连接盘5,连接盘5的上方固定连接有密封垫6,连接管4的下方水平安设有固定管7,且固定管7的下方固定连接有第一通道8,第一通道8的下方水平安设有安装罩9,且安装罩9的内部活动连接有过滤网10,安装罩9的右侧固定连接有卡块11,且卡块11的后端开设有卡槽12,安装罩9的下方固定连接有第二通道13,且第二通道13的下方水平安设有脉冲室14,脉冲室14的下方水平安设有沉积基体15,且沉积基体15的下方水平安设有固定座16,固定座16的内部开设有定位槽17,且定位槽17的内部活动连接有定位块18,定位块18的下方固定连接有橡胶块19。
实施例2,请参照图1、2、3和4,连接管4的上表面与连接盘5的下表面之间紧密贴合,且连接盘5的中轴线与密封垫6的中轴线相重合,第一通道8呈等距状安置于固定管7的下表面,且第一通道8的下表面与安装罩9的上表面之间紧密贴合,连接管4、连接盘5、密封垫6、固定管7、第一通道8和安装罩9之间的配合设置,连接管4通过焊接与连接盘5进行固定,并且密封垫6能够起到密封的作用,同时第一通道8按一定的数量固定在固定管7下方,使得第一通道8能够均匀的将气相物质输出。
实施例3,请参照图1、2、3和4,安装罩9的中轴线与过滤网10的中轴线相重合,且卡块11呈对称状安置于安装罩9的左右两侧,卡块11的外部尺寸与卡槽12的内部尺寸相吻合,且安装罩9通过卡块11与卡槽12构成滑动结构,安装罩9、过滤网10、卡块11和卡槽12之间的配合设置,过滤网10能够对气相物质中的杂质进行过滤,同时安装罩9能够在卡块11与卡槽12的滑动配合下,从壳体1的内部取出,便于使用者对过滤网10进行清洁与更换。
实施例4,请参照图1、2、3和4,固定座16的下表面与壳体1的内表面之间紧密贴合,且定位槽17呈对称状安置于固定座16的内部,定位块18的上表面与沉积基体15的下表面之间紧密贴合,且定位块18的中轴线与橡胶块19的中轴线相重合,壳体1、固定座16、定位槽17、定位块18和橡胶块19之间的配合设置,固定座16通过螺栓固定在壳体1的内部,沉积基体15通过定位块18安装在定位槽17的内部,从而对沉积基体15起到限位的作用。
工作原理:使用时,使用者将连接管4旋转至壳体1内部的螺纹槽3内,将安装罩9通过卡块11安装至卡槽12内,将固定座16通过螺栓固定在壳体1的内部,将沉积基体15通过定位块18安装至定位槽17的内部,将设备通过连接盘5与连接管4进行固定,当使用者使用装置是,使用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗,其次气相物质经连接盘5流至固定管7的内部,并且通过第一通道8均匀的流至安装罩9的内部,在此过程中,过滤网10对气相物质中的杂质进行过滤,过滤后的气相物质通过第二通道13经脉冲室14,通入反应室进行反应,最后落在沉积基体15上,进行化学吸附并反应而形成沉积膜,这就是该一种ALD淀积系统的工作原理。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种ALD淀积系统,包括壳体(1)和连接管(4),其特征在于:所述壳体(1)的下方固定连接有支撑脚(2),且壳体(1)的内部开设有螺纹槽(3),所述连接管(4)位于螺纹槽(3)的内部,且连接管(4)的上方固定连接有连接盘(5),所述连接盘(5)的上方固定连接有密封垫(6),所述连接管(4)的下方水平安设有固定管(7),且固定管(7)的下方固定连接有第一通道(8),所述第一通道(8)的下方水平安设有安装罩(9),且安装罩(9)的内部活动连接有过滤网(10),所述安装罩(9)的右侧固定连接有卡块(11),且卡块(11)的后端开设有卡槽(12),所述安装罩(9)的下方固定连接有第二通道(13),且第二通道(13)的下方水平安设有脉冲室(14),所述脉冲室(14)的下方水平安设有沉积基体(15),且沉积基体(15)的下方水平安设有固定座(16),所述固定座(16)的内部开设有定位槽(17),且定位槽(17)的内部活动连接有定位块(18),所述定位块(18)的下方固定连接有橡胶块(19)。
2.根据权利要求1所述的一种ALD淀积系统,其特征在于:所述连接管(4)的上表面与连接盘(5)的下表面之间紧密贴合,且连接盘(5)的中轴线与密封垫(6)的中轴线相重合。
3.根据权利要求1所述的一种ALD淀积系统,其特征在于:所述第一通道(8)呈等距状安置于固定管(7)的下表面,且第一通道(8)的下表面与安装罩(9)的上表面之间紧密贴合。
4.根据权利要求1所述的一种ALD淀积系统,其特征在于:所述安装罩(9)的中轴线与过滤网(10)的中轴线相重合,且卡块(11)呈对称状安置于安装罩(9)的左右两侧。
5.根据权利要求1所述的一种ALD淀积系统,其特征在于:所述卡块(11)的外部尺寸与卡槽(12)的内部尺寸相吻合,且安装罩(9)通过卡块(11)与卡槽(12)构成滑动结构。
6.根据权利要求1所述的一种ALD淀积系统,其特征在于:所述固定座(16)的下表面与壳体(1)的内表面之间紧密贴合,且定位槽(17)呈对称状安置于固定座(16)的内部。
7.根据权利要求1所述的一种ALD淀积系统,其特征在于:所述定位块(18)的上表面与沉积基体(15)的下表面之间紧密贴合,且定位块(18)的中轴线与橡胶块(19)的中轴线相重合。
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