CN215909875U - 封接装置 - Google Patents

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蒋安国
丁力伟
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Hunan Zhuangyao Photoelectric Technology Co ltd
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Hunan Zhuangyao Photoelectric Technology Co ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种封接装置,封接装置包括机体、驱动件及热熔件,机体上设有用于放置待热熔件的封接工位,驱动件配接于所述机体,热熔件与驱动件传动连接,热熔件用于热熔待热熔件,其中,在驱动件的作用下,热熔件朝向封接工位的热熔面上各个位置产生的热熔压力相同。本实用新型提供的封接装置能够均匀施压。

Description

封接装置
技术领域
本实用新型涉及激光陀螺技术领域,特别是涉及一种封接装置。
背景技术
激光陀螺包括主体、阴极及铟圈,在激光陀螺制造的过程中,阴极最初是固定在铟圈上的,通过热熔铟圈,使得铟圈能够附着于主体,进而,铟圈与阴极可共同实现对主体的封接。
传统的封接装置在热熔铟圈的过程中,封接装置施加于铟圈各个部分的压力大小不一,稳定性较差,则铟圈在熔融后附着于主体上时也呈现厚薄不一的状况,如此,导致激光陀螺较差的密封性能。
实用新型内容
基于此,有必要针对上述问题,提供一种能够均匀施力的封接装置。
一种封接装置,包括:
机体,其上设有用于放置待热熔件的封接工位;
驱动件,配接于所述机体;以及
热熔件,与所述驱动件传动连接,所述热熔件用于热熔所述待热熔件;
其中,在所述驱动件的作用下,所述热熔件朝向所述封接工位的热熔面上各个位置产生的热熔压力相同。
在其中一实施例中,所述热熔件具有与所述待热熔件抵接并向所述待热熔件施压的施压位置、以及与所述待热熔件分离的分离位置,所述驱动件驱动所述热熔件在所述施压位置与所述分离位置之间滑动。
在其中一实施例中,所述驱动件为气缸或者液压缸中的任意一种,所述驱动件包括缸体及与所述缸体连接的活塞,所述活塞具有伸出所述气缸的第一端,所述第一端与所述热熔件传动连接,所述第一端沿所述第一方向伸缩驱动所述热熔件在所述施压位置与所述分离位置之间切换。
在其中一实施例中,还包括限位件,所述限位件配接于所述机体或所述驱动件上,并用于在所述热熔件处于所述施压位置时提供一阻止所述热熔件朝向所述待热熔件滑动的限位力。
在其中一实施例中,还包括隔热件,所述隔热件连接于所述热熔件与所述驱动件之间。
在其中一实施例中,所述热熔件包括热熔部及与所述驱动件传动连接的传导部,所述传导部具有热熔腔,所述热熔部配接于所述热熔腔内并通过所述传导部传热。
在其中一实施例中,还包括输气件,所述传导部上开设进气孔及出气孔,所述进气孔、所述热熔腔及所述出气孔依次连通形成冷却通道,所述输气件配接于所述机体并用于向所述冷却通道输送冷却气流。
在其中一实施例中,还包括温度检测件及控制器,所述温度检测件及所述控制器均配接于所述机体,且所述温度检测件及所述热熔件均与所述控制器电连接;
所述温度检测件用于检测所述热熔件的实际温值,所述控制器用于在所述实际温值大于预设温度范围的最大值时控制所述热熔件关闭,并在所述实际温值小于所述预设温度范围的最小值时控制所述热熔件启动。
在其中一实施例中,所述控制器与所述驱动件电连接,所述控制器用于在所述实际温值处于所述预设温度范围内时,控制所述驱动件恒压作用于所述热熔件。
在其中一实施例中,还包括至少两个控制开关,每个所述控制开关与所述控制器电连接,当所述控制器同步接收到至少两个所述控制开关发射的启动信号时,所述控制器控制所述热熔件及所述驱动件启动。
上述封接装置,由于在驱动件的作用下,热熔件朝向封接工位的热熔面上各个位置产生的热熔压力相同,则当热熔件与待热熔件抵接时,热熔面能够向待热熔件均匀施压,因此,当待热熔件被热熔件压紧于封接工位时,待热熔件受力均匀,从而可防止待热熔件在热熔的过程中出现厚薄不一的情况。由此可见,本申请中的封接装置具有能够均匀施力的特点。
附图说明
图1为本实用新型一实施例中封接装置的正视图;
图2为图1所示的封接装置的侧视图。
附图说明:100、封接装置;10、机体;11、封接工位;12、安装板;13、支撑板;14、安装座;15、支撑杆;20、驱动件;21、缸体;22、第一活塞杆;221、第一端;23、第二活塞杆;232、第二端;30、热熔件;31、传导部;312、进气孔;314、出气孔;40、限位件;50、隔热件;60、控制开关;70、控制器;200、待热熔件;300、阴极;400、主体。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
请一并参阅图1及图2,本申请提供一种封接装置100,封接装置100包括机体10、驱动件20及热熔件30,机体10用于为驱动件20及热熔件30提供安装基础,驱动件20用于向热熔件30施力,以使得热熔件30能够向待热熔件200均匀施压,且热熔件30用于热熔待热熔件200。
机体10上设有用于放置待热熔件200的封接工位11,驱动件20配接于机体10,热熔件30与驱动件20传动连接并用于热熔待热熔件200,其中,在驱动件20的作用下,热熔件30朝向封接工位11的热熔面上各个位置产生的热熔压力相同。因此,当待热熔件200被热熔件30压紧于封接工位11时,热熔件30的热熔面与待热熔件200朝向热熔件30的作用面贴合,热熔面上与作用面接触的位置产生的热熔压力均匀地作用于作用面上,以向待热熔件200均匀施压,因此,待热熔件200可均匀地向其四周扩散,从而可防止其出现厚薄不一的情况。由此可见,本申请中的封接装置100具有能够均匀施力的特点。
可以理解地,热熔件30由于驱动件20的作用而可向待热熔件200均匀施压。具体为,驱动件20朝向热熔件30的表面上各个位置产生的抵压力相同,各个位置的抵压力作用于热熔件30上,以使得热熔件30的热熔面上各个位置产生的热熔压力相同,且驱动件20朝向热熔件30的表面上每个位置产生的抵压力与热熔面上每个位置产生的热熔压力相同。
可选地,待热熔件200可以为铟圈,或者也可以为其他可热熔的金属件、塑料件等等。以下实施例均以待热熔件200为铟圈,封接装置100用于将铟圈封接于激光陀螺的主体400为例进行说明。
具体地,激光陀螺包括主体400、铟圈及阴极300,主体400具有谐振腔,主体400上开设有与谐振腔连通的封接口,激光陀螺的阴极300最初是配接于铟圈上的。在进行封接之前,先将主体400安装于机体10上,铟圈位于机体10的封接工位11并覆盖于封接口处,而后启动封接装置100,驱动件20驱动热熔件30将铟圈压紧于封接工位11,且热熔件30对铟圈进行加热并融化铟圈。在热熔的过程中,由于热熔件30的热熔面能够向铟圈背向主体400的作用面均匀施压,因此,当铟圈被热熔件30压紧于封接工位11时,铟圈受力均匀,使得铟圈能够均匀的向其四周扩散,则在冷却后,铟圈各个位置的厚度也是相等的。冷却后的铟圈能够牢靠的附着于主体400上,从而使得阴极300能够稳定地固定于主体400上。
具体地,主体400具有朝向热熔件30的安装面,阴极300配接于铟圈上并与铟圈中部的开口对齐,安装面、作用面与热熔面任意两个均为平行设置,且热熔面在安装面上的投影完全覆盖作用面。封接时,热熔面与作用面贴合,使得热熔件30上的热量可传递至铟圈上。为保证能够均匀施压,热熔面的面积大于作用面,热熔件30沿投影方向压紧铟圈。在热熔件30的作用下,铟圈可沿着热熔面与安装面之间的间隙扩散,且最后冷却形成的新的铟圈也是位于热熔面与安装面之间的,且冷却后的铟圈的厚度等于热熔面与安装面之间的间隙距离。
可选地,热熔件30的位置可以为固定的,通过变换主体400与铟圈的位置,可实现热熔件30与铟圈的抵接。或者,也可以主体400与铟圈的位置为固定的,通过变换热熔件30的位置可实现热熔件30与铟圈的抵接。
在一实施例中,热熔件30具有与待热熔件200抵接并向待热熔件200施压的施压位置、以及与待热熔件200分离的分离位置,驱动件20驱动热熔件30在施压位置与分离位置之间滑动。热熔件30处于施压位置时,热熔面向待热熔件200均匀施压,使得待热熔件200于主体400与热熔件30之间向四周均匀扩散,且冷却后各个位置处的厚度均较为统一,而且,在施压位置时,热熔件30的热熔面上每个位置产生的热熔压力可根据需要设定为变化值或者恒定值;热熔件30处于分离位置时,热熔件30与待热熔件200分离,如此,可切断待热熔件200与热熔件30之间的热传导,从而以便于待热熔件200冷却定型。而驱动件20通过驱动热熔件30滑动以使得热熔件30在施压位置与分离位置之间滑动的方式相较于其他例如曲线运动、直线与曲线运动的复合运动等方式而言,该种方式操作效率更高且更简单。
具体地,机体10包括安装板12、支撑板13、支撑杆15及安装座14,底板与支撑板13相对且间隔设置,支撑杆15连接并支撑于安装板12与支撑板13之间,安装座14设置于安装板12上,主体400配接于安装座14上,待热熔件200设于主体400上,并位于机体10的封接工位11,驱动件20安装于支撑板13,热熔件30传动连接于驱动件20。驱动件20驱动热熔件30滑动,即可实现热熔件30上的热熔面抵压或远离铟圈的作用面。
可选地,驱动件20可以为伸缩气缸、液压缸、伸缩杆等等,在一实施例中,驱动件20为气缸或者液压缸中的任意一种,驱动件20包括缸体21及与缸体21连接的活塞,活塞具有伸出气缸的第一端221,第一端221与热熔件30传动连接,第一端221沿第一方向伸缩驱动热熔件30在施压位置与分离位置之间切换。可以理解地,第一方向即为上述提到的投影方向,以图1为例,第一方向即为封接装置100安装于水平面上时垂直于水平面的竖直方向。具体地,活塞包括活塞板(图未示)、第一活塞杆22及第二活塞杆23,活塞板收容于缸体21内,第一活塞杆22及第二活塞杆23均沿第一方向延伸,第一活塞杆22设置于活塞板朝向热熔件30的一侧,第二活塞杆23设置于活塞板背向热熔件30的一侧,第一活塞杆22及第二活塞板均部分收容于缸体21内,第一活塞杆22及第二活塞杆23分别具有相互远离的第一端221及第二端232,第一端221伸出缸体21并与热熔件30连接,第二端232伸出缸体21远离热熔件30的一端。
活塞板沿第一方向滑动,可调整缸体21内活塞板所受到的压力值,进而可调整第一活塞杆22作用于热熔件30上的压力值,以最终使得热熔件30作用于待热熔件200上的热熔压力发生变化。
下面,以驱动件20为气缸为例进行说明。
缸体21呈中空机构,具有气腔(图未示)。活塞板收容于气腔内,并将气腔分隔形成第一气腔(图未示)及第二气腔(图未示),第一气腔位于第二气腔的下侧,且第一气腔及第二气腔内均填充有气体,封接装置100还包括气源(图未示)、第一气阀(图未示)及第二气阀(图未示),气源通过不同的管道(图未示)分别与第一气腔及第二气腔连通,第一气阀用于控制气源与第一气腔的通断,第二气阀用于控制气源与第二气腔的通断。第一活塞杆22贯穿第一气腔,并伸出第一气腔外,第二活塞杆23贯穿第二气腔,并伸出第二气腔外。
当第一气阀关闭,第二气阀打开时,气源可向第二气腔内充气,随着气体量增加,第二气腔内的气压逐渐增大至大于第一气腔内的气压,并在活塞板的两侧产生气压差,活塞板被气压推动并向下滑动,第一活塞杆22沿第一方向伸长,且伸出缸体21的部分增多。在第一活塞杆22逐渐伸出第一气腔的过程中,热熔件30逐渐靠近待热熔件200进而与待热熔件200的作用面抵接,以使得待热熔件200能够与主体400压紧,热熔件30切换至施压位置,并对待热熔件200进行均匀施压。应当理解地是,活塞板的两侧形成的气压差等于热熔件30的热熔面上每个位置施加于待热熔件200上的热熔压力,且随着气体不断输入至第二气腔内,活塞板的气压差逐渐增大,热熔件30施加于待热熔件200上的热熔压力也逐渐增大,但可以保证的是,热熔件30始终对待热熔件200进行均匀施压。为进一步提升热熔件30均匀施压的稳定性,第一活塞杆22的中心线与热熔件30的中心线重合。在热熔件30抵压待热熔件200并进行滑动的过程中,热熔件30将热量传递至待热熔件200上以热熔待热熔件200,因此,待热熔件200可向其四周扩散,且厚度逐渐减薄。
当热熔件30滑动至施压位置中的一特定位置时,待热熔件200的厚度达到预设厚度值,通过打开第一气阀并向第一气腔内充气且排出第二气腔内的至少部分气体的方式,使得活塞板向上滑动,进而可驱动热熔件30与待热熔件200分离,热熔件30切换至分离位置,以防止热熔件30继续滑动而导致待热熔件200的厚度不符合要求。
需要说明的是,在其他一些实施例中,也可以通过驱动热熔件30移动,或者驱动待热熔件200及与待热熔件200封接的主体400同步移动,以使得热熔件30与待热熔件200错位设置,从而可防止热熔件30继续沿朝向待热熔件200的方向滑动而与待热熔件200接触。
可以理解地,若热熔件30与待热熔件200抵接后不再移动,则施压位置包括一个位置,且该位置也即为特定位置;若热熔件30与待热熔件200抵接后继续沿靠近待热熔件200的方向滑动,则施压位置包括多个位置,多个位置中的某一个位置即为特定位置,在特定位置处,待热熔件200的厚度达到预设厚度值,满足用户需求。
通过设置驱动件20为气缸或者液压缸中的一种,通过活塞滑动来带动热熔件30滑动以实现位置切换的方式,不仅操作更简单,且还可提升热熔件30滑动的稳定性,使得热熔件30作用于待热熔件200上的热熔压力更稳定。
为提升热熔效率,在驱动件20驱动热熔件30移动的过程中,热熔件30启动,以使得驱动件20与待热熔件200抵压时,热熔件30可热熔待热熔件200。当然,在其他一些实施例中,热熔件30也可以先于驱动件20启动,或者,热熔件30也可以在与待热熔件200抵压之后再启动。
进一步地,封接装置100还包括限位件40,限位件40配接于机体10或驱动件20上,并用于在热熔件30处于施压位置时提供一阻止热熔件30朝向待热熔件200滑动的限位力。通过设置限位件40,当热熔件30滑动至特定位置时,表明待热熔件200的厚度达到了预设厚度值,此时,在限位件40的限位力的作用下,热熔件30停止滑动,从而可防止热熔件30进一步滑动而导致待热熔件200厚度过薄。由此可见,通过设置限位件40,使得封接装置100具有较佳的封接精准度。
可选地,限位件40可设置于驱动件20或者机体10上,在一实施例中,活塞具有与第一端221相对设置且伸出气缸的第二端232,限位件40设置于第二端232,当热熔件30滑动至特定位置时,限位件40与缸体21背向热熔件30的一侧抵接,以使得活塞、第一活塞杆22及第二活塞杆23均停止滑动,进而可阻止热熔件30继续滑动。可选地,限位件40可以为限位块、限位板或者其他限位结构。
当然,值得一提的是,限位件40的位置可根据用户需求进行变化。当需要的待热熔件200的厚度较小时,限位件40可远离活塞板设置,当需要的待热熔件200的厚度较大时,限位件40可靠近活塞板设置。
封接装置100还包括隔热件50,隔热件50连接于热熔件30与驱动件20之间,具体地,设置于第一活塞杆22的第一端221与热熔件30之间。通过设置隔热件50,可防止热熔件30的热量传递至驱动件20上而导致驱动件20故障。可选地,隔热件50可以由氟塑料、或者硅胶等材质制作。
热熔件30包括热熔部(图未示)及与驱动件20传动连接的传导部31,传导部31具有热熔腔(图未示),热熔部配接于热熔腔内并通过传导部31传热。可选地,热熔部可以为电热熔件30,例如洛铁芯。热熔部收容于传导部31的热熔腔内,热熔部启动后,热量可通过传导部31传递至待热熔件200上。通过设置传导部31,传导部31可保护热熔部,以防止热熔部受损,从而使得热熔件30具有较长的使用寿命。可以理解地,传导部31背向第一端221的表面即为热熔面。
可选地,传导部31使用具有较佳的热传导性能的黄铜材质制作,传导部31沿第一方向延伸并与第一活塞杆22传动连接。第一活塞杆22沿第一方向滑动的过程中,驱动传导部31带动热熔部滑动。而且,值得一提的是,传导部31的热熔面上还设置有避位口,在传导部31抵压于待热熔件200的过程中,阴极300与避位口位置对齐,以防止热熔件30与阴极300接触。
进一步地,封接装置100还包括输气件(图未示),传导部31上开设进气孔312及出气孔314,进气孔312、热熔腔及出气孔314依次连通形成冷却通道,输气件配接于机体10并用于向冷却通道输送冷却气流。由于在每次使用封接装置100进行封接之前,均需要提前将热熔件30进行冷却,若冷却的时间过长,将极大的降低封接装置100的封接效率。通过设置输气件,输气件从进气口处向冷却通道输入冷却气流,而后,冷却气流通过热熔腔后从出气口流出,如此,可有效提升热熔件30的冷却速度,以便于加快封接装置100的封接效率。
封接装置100还包括温度检测件(图未示)及控制器70,温度检测件及控制器70均配接于机体10,且温度检测件及热熔件30均与控制器70电连接;温度检测件用于检测热熔件30的实际温值,控制器70用于在实际温值大于预设温度范围的最大值时控制热熔件30关闭,并在实际温值小于预设温度范围的最小值时控制热熔件30启动。通过设置温度检测件及控制器70,可使得热熔件30的温度维持在预设温度范围内,进而可防止热熔件30温度过高而将热量传递至铟圈、阴极300及主体400上,导致阴极300及主体400也发生熔融,且还可防止热熔件30温度过低而无法对铟圈进行有效熔融。此外,控制器70与温度检测件电连接还可实现热熔件30温度的自动控制。
进一步地,控制器70还与驱动件20电连接,控制器70用于在实际温值处于预设温度范围内时,控制驱动件20恒压作用于热熔件30。如此,即可防止待热熔件200因热熔压力过大而导致形成的厚度过薄无法满足用户需求,也可防止待热熔件200因热熔压力过小而无法有效的附着于主体400上。因此,通过设置控制器70与驱动件20进行电连接,可进一步提升封接装置100封接的可靠性。在本申请中,以驱动件20为气缸为例,可通过调节第一气阀及第二气阀的开度来保证热熔件30对待热熔件200施加的热熔压力为恒压。
此外,当实际温值大于预设温度范围的最大值,在控制热熔件30停止加热的同时还可向热熔件30内输入冷却气流,与此同时,可将热熔件30切换至分离位置。当实际温值小于预设温度范围的最小值时,热熔件30与待热熔件200抵接并处于施压位置,且在其温度升高至预设温度范围内时热熔待热熔件200。
进一步地,控制器70还与输气件、气源、第一气阀及第二气阀电连接,控制器70用于控制输气件启动或关闭,且用于控制气源启动或关闭,控制第一气阀启动或关闭,并控制第二气阀启动或关闭。如此,可进一步实现封接装置100的自动化控制。
封接装置100还包括至少两个控制开关60,每个控制开关60与控制器70电连接,当控制器70同步接收到至少两个控制开关60发射的启动信号时,控制器70控制热熔件30及驱动件20启动。具体地,当用户至少同时操作两个控制开关60时,每个控制开关60可向控制器70发送启动信号,控制器70同步接收到至少两个控制开关60的启动信号时,才会启动热熔件30及驱动件20。由于在操作的过程中,存在部分违规操作者喜欢将手部放置于热熔件30下而导致手部被压伤。通过设置至少两个控制开关60,因此,操作者在操作时必须两个手部分别握持两个不同的控制开关60才能触发热熔件30及驱动件20启动,从而可有效提升封接装置100的安全性。需要说明的是,只有在操作者按压控制开关60的过程中,控制器70才会控制热熔件30及驱动件20维持启动,若操作者松开控制开关60,则控制器70控制热熔件30及驱动件20关闭。因此,为保障热熔件30及驱动件20能够持续启动,操作者的手部需持续按压控制开关60。
此外,控制器70控制热熔件30及驱动件20启动时,还控制温度检测件启动,控制器70控制热熔件30及驱动件20关闭时,还控制温度检测件关闭。
上述封接装置100,由于在驱动件20的作用下,热熔件30朝向封接工位的热熔面上各个位置产生的热熔压力相同,则当热熔件30与待热熔件200抵接时,热熔面能够向待热熔件200均匀施压,因此,当待热熔件200被热熔件30压紧于封接工位11时,待热熔件200受力均匀,从而可防止待热熔件200在热熔的过程中出现厚薄不一的情况。由此可见,本申请中的封接装置100具有能够均匀施力的特点。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种封接装置,其特征在于,包括:
机体,其上设有用于放置待热熔件的封接工位;
驱动件,配接于所述机体;以及
热熔件,与所述驱动件传动连接,所述热熔件用于热熔所述待热熔件;
其中,在所述驱动件的作用下,所述热熔件朝向所述封接工位的热熔面上各个位置产生的热熔压力相同。
2.根据权利要求1所述的封接装置,其特征在于,所述热熔件具有与所述待热熔件抵接并向所述待热熔件施压的施压位置、以及与所述待热熔件分离的分离位置,所述驱动件驱动所述热熔件在所述施压位置与所述分离位置之间滑动。
3.根据权利要求2所述的封接装置,其特征在于,所述驱动件为气缸或者液压缸中的任意一种,所述驱动件包括缸体及与所述缸体连接的活塞,所述活塞具有伸出所述气缸的第一端,所述第一端与所述热熔件传动连接,所述第一端沿所述第一方向伸缩驱动所述热熔件在所述施压位置与所述分离位置之间切换。
4.根据权利要求2所述的封接装置,其特征在于,还包括限位件,所述限位件配接于所述机体或所述驱动件上,并用于在所述热熔件处于所述施压位置时提供一阻止所述热熔件朝向所述待热熔件滑动的限位力。
5.根据权利要求1所述的封接装置,其特征在于,还包括隔热件,所述隔热件连接于所述热熔件与所述驱动件之间。
6.根据权利要求1所述的封接装置,其特征在于,所述热熔件包括热熔部及与所述驱动件传动连接的传导部,所述传导部具有热熔腔,所述热熔部配接于所述热熔腔内并通过所述传导部传热。
7.根据权利要求6所述的封接装置,其特征在于,还包括输气件,所述传导部上开设进气孔及出气孔,所述进气孔、所述热熔腔及所述出气孔依次连通形成冷却通道,所述输气件配接于所述机体并用于向所述冷却通道输送冷却气流。
8.根据权利要求1所述的封接装置,其特征在于,还包括温度检测件及控制器,所述温度检测件及所述控制器均配接于所述机体,且所述温度检测件及所述热熔件均与所述控制器电连接;
所述温度检测件用于检测所述热熔件的实际温值,所述控制器用于在所述实际温值大于预设温度范围的最大值时控制所述热熔件关闭,并在所述实际温值小于所述预设温度范围的最小值时控制所述热熔件启动。
9.根据权利要求8所述的封接装置,其特征在于,所述控制器与所述驱动件电连接,所述控制器用于在所述实际温值处于所述预设温度范围内时,控制所述驱动件恒压作用于所述热熔件。
10.根据权利要求8所述的封接装置,其特征在于,还包括至少两个控制开关,每个所述控制开关与所述控制器电连接,当所述控制器同步接收到至少两个所述控制开关发射的启动信号时,所述控制器控制所述热熔件及所述驱动件启动。
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