CN215818591U - 扬声器 - Google Patents

Abstract

本申请提出一种扬声器。本申请的扬声器包括扬声单体与腔体。扬声单体包括磁路系统；振膜，结合于磁路系统的一端，被磁路系统驱动并发出声音；以及盆架，围绕地设置于振膜与磁路系统，盆架具有远离磁路系统的第一延伸部、靠近磁路系统的第二延伸部、连接第一与第二延伸部的连接部，以及延伸于第一延伸部的挡墙结构，其中磁路系统结合于第二延伸部，挡墙结构围绕振膜，并且振膜结合于挡墙结构。腔体，由具有第一开口的前腔体与具有第二开口的后腔体所组成，扬声单体设置于前腔体与后腔体之间。其中挡墙结构与第一延伸部抵顶于第一开口，第二延伸部抵顶于第二开口。

Description

扬声器

技术领域

本申请是关于扬声器的设计，尤其是无需使用螺丝固定扬声单体的扬声器。

背景技术

如图1所示，现今的扬声器1’设计，往往是将扬声单体2’放入具有单一开口的腔体3’之中，并透过螺丝将扬声单体2’锁固于腔体3’上。然而使用螺丝将扬声单体2’固定于腔体3’势必将造成扬声器1’正面的螺丝外露，进而影响扬声器1’之正面外观。

再者，由于扬声单体2’是由腔体3’的单一开口置入，扬声单体2’另一端的磁路系统势必将容纳于腔体3’的空间中，用于提升阻尼特性的弹波4’也是配置于腔体3’的空间中，使得扬声器1’整体的厚度不易下降。同时，扬声单体2’在运作的过程将产生庞大的热能，而容纳于腔体3’中的磁路系统将无法进行有效率的散热，进而影响声学表面，甚至造成产品使用上的安全问题。

因此，在扬声器的设计领域，无不尽力设计出能提供具有较佳外观以及较好散热效果的扬声器，以提供用户更佳的使用体验。

发明内容

有鉴于此，本申请提出一种扬声器。

本申请的扬声器特征在于包括扬声单体，包括：磁路系统；振膜，结合于磁路系统的一端，被磁路系统驱动并发出声音；以及盆架，围绕地设置于振膜与磁路系统，盆架具有远离磁路系统的第一延伸部、靠近磁路系统的第二延伸部、连接第一延伸部与第二延伸部的连接部，以及延伸于第一延伸部的挡墙结构，其中磁路系统结合于第二延伸部，挡墙结构围绕振膜，并且振膜结合于挡墙结构；以及腔体，由具有第一开口的前腔体与具有第二开口的后腔体所组成，扬声单体设置于前腔体与后腔体之间；其中挡墙结构与第一延伸部抵顶于第一开口，第二延伸部抵顶于第二开口。

在一实施例中，第一开口具有第一内缘，且前腔体具有第一内侧面，其中挡墙结构抵顶于第一内缘，第一延伸部于所述第一开口的周围抵顶于第一内侧面。

在一实施例中，第二开口具有第二内缘，且后腔体具有第二内侧面，其中磁路系统抵顶于第二内缘，第二延伸部抵顶于第二内侧面。

在一实施例中，第一开口以及第二开口是相对设置，并且皆与腔体的内部空腔连通。

在一实施例中，振膜位于第一开口，而透过第一开口与外部空气接触。

在一实施例中，磁路系统是透过第二开口与外部空气接触并进行散热。

在一实施例中，述磁路系统包括：轭铁，包含环状壁与环状壁所环绕的凸台，其中环状壁与凸台之间形成磁隙；磁铁，设置于所述凸台；以及音圈，悬空设置于磁隙中并且环绕磁铁；其中，振膜与音圈连接。

在一实施例中，振膜包含中央部以及环绕中央部的边缘部，其中，音圈与中央部连接，挡墙结构是围绕地设置于边缘部。

在一实施例中，振膜包含中央部以及环绕中央部的边缘部，其中，音圈与中央部连接，挡墙结构是围绕地设置于边缘部，并且边缘部结合于所述挡墙结构。

在一实施例中，扬声单体还包括副振膜与环绕副振膜的副边缘部，其中副振膜连接于副边缘部，挡墙结构围绕地设置于副边缘部，并且副边缘部结合于挡墙结构。

在一实施例中，副振膜的中间部份是开孔而不封闭。

在一实施例中，副振膜的边缘连接于中央部。

在一实施例中，扬声单体还包括副边缘部，副边缘部结合于挡墙结构，中央部的边缘具有第一分岔部与第二分岔部，边缘部环绕连接于第一分岔部，副边缘部环绕连接于第二分岔部。

在一实施例中，边缘部与副边缘部的至少其中之一开设漏气孔。

在一实施例中，漏气孔对应于挡墙结构配置，并且挡墙结构上相应地配置避让孔。

在一实施例中，中央部开设漏气孔。

在一实施例中，边缘部的截面沿著边缘部围绕的路径反覆地大放大缩小。

在一实施例中，轭铁以环状壁抵顶于第二开口的第二内缘。

在一实施例中，第二延伸部连接于所述环状壁。

综上所述，根据本申请的扬声器，可提供较佳的扬声器外观与散热效果，进而提升用户体验以及音频输出质量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为根据一般的扬声器的结构剖面图。

图2为根据本申请的扬声器的实施例的结构爆炸图。

图3为根据本申请的扬声器的实施例的结构剖面图。

图4至图8为根据本申请不同实施例的振膜与副振膜的的结构剖面图。

图9为根据本申请不同实施例的振膜、边缘部与副边缘部的立体剖面图。

图10为根据本申请不同实施例的振膜、边缘部与副边缘部的立体剖面图。

图11为根据本申请不同实施例的边缘部与副边缘部的立体剖面图。

图12为根据本申请不同实施例的边缘部与副边缘部的立体剖面图。

图13为根据本申请不同实施例的振膜与边缘部的俯视图。

图14为根据本申请不同实施例的振膜与边缘部的立体图。

图15为根据本申请不同实施例的边缘部的局部剖面图。

图16为只有单一边缘部的情况下，音圈在轴向位移承受的刚性系数变化曲线图。

图17为同时使用边缘部与副边缘部的情况下，音圈在轴向位移承受的刚性系数变化曲线图。

图18为单一边缘部，与同时使用边缘部222与副边缘部总谐波失真的比较曲线图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本文为了方便阅读，因此根据图式指出“上”、“下”、“左”、“右”，其目的是指出各组件之间的参考相对位置，而非用以限制本申请。

请同时参照图2与图3。图2显示的是本案的扬声器的结构爆炸图，而图3显示的是本案的扬声器的结构剖面图。如图所示，本案的扬声器1包括扬声单体2与腔体3，其中扬声单体2是设置于腔体3之中，更具体地，扬声单体2是以无螺丝锁固的方式设置于腔体3之中。

如图2与图3所示，扬声单体2包括磁路系统21、振膜22以及盆架23。如图3，磁路系统21是常规设置的扬声器磁路系统，包括音圈211、磁铁212与轭铁213。轭铁213包含环状壁2131与环状壁2131所环绕的凸台2132，环状壁2131与凸台2132之间形成磁隙214。磁铁212设置于凸台2131，而音圈211悬空设置于磁隙214中并且环绕磁铁212。磁路系统21是根据扬声器1的输入信号(未图示)以及磁铁212所产生的磁场，使音圈211于磁隙214中振荡。

振膜22结合于磁路系统21的一端，并与音圈211连接。更进一步地，振膜22可分为中央部221以及环绕中央部221的边缘部222，本案的音圈211是与振膜22的中央部221连接，于其他实施例中，音圈211亦可同时与振膜22的边缘部222连接。当音圈211振荡时，振膜22将被同步牵引振动，并发出声音。换言之，振膜22是被磁路系统21驱动所发出声音。其中，本案的扬声器1不限定音圈211与振膜22的结合方式，举例而言，音圈211可以胶合或焊接之方式与振膜22直接地相结合，音圈211也可以透过延伸件与振膜22间接地相结合，但并不以此为限。

盆架23为环状结构，围绕地设置于磁路系统21与振膜22。盆架23可分为第一延伸部231、第二延伸部232以及连接于第一延伸部231与第二延伸部232之间的连接部233。第一延伸部231是属于盆架23中较为远离磁路系统21的部分，而第二延伸部232是属于盆架23中较为接近磁路系统21的部分。此外，相较于第二延伸部232，第一延伸部231的位置是更为接近振膜22，若以图3的组件相对位置做为示范性说明，第一延伸部231的位置是高于第二延伸部232。连接部233是用于连接第一延伸部231与第二延伸部232的结构，而由于连接部233的形状是与扬声单体2的声学空间相关，设计者自可根据应用的需求变更连接部233的形状。其中，磁路系统21、振膜22以及盆架23是以常规之方式组合设置，举例而言，组合方式可为但不限于胶合、焊接或一体成形，但并不以此为限。

腔体3具有内部空腔，且是由前腔体31以及后腔体32组合而成。前腔体31具有第一开口311而后腔体32具有第二开口321。其中第一开口311以及第二开口321是相对设置皆与内部空腔连通。当扬声单体2与腔体3组合时，扬声单体2是容纳于腔体3的内部空腔之中。振膜22大致位于第一开口311，而透过第一开口311与外部空气接触并发出声音。磁路系统21，特别是轭铁21，是透过第二开口321与外部空气接触并进行散热。其中，本案的扬声器1不限定前腔体31与后腔体32的结合方式，举例而言，前腔体31与后腔体32可以胶合、焊接、铆钉或螺丝之方式相结合，但并不以此为限。

如图3所示，当本案的扬声器1是透过抵顶与卡合的方式将扬声单体2以无螺丝锁固的方式固定设置于腔体3之中。请再参考图3，盆架23更包括从第一延伸部231延伸而出的挡墙结构234，其中挡墙结构234是围绕地设置于振膜22的边缘部222，并且边缘部222通过黏合等方式结合于挡墙结构234。当扬声单体2设置于腔体3内部时，挡墙结构234是抵顶于前腔体31的第一内缘3111，因此挡墙结构234限制了扬声单体2于第一开口311中的位置，若以图3做为示范性说明，挡墙结构234限制了扬声单体2于第一开口311中的水平位置。而第一延伸部231则是于第一开口311的周围抵顶于前腔体31的第一内侧面3112，因此第一延伸部231限制了扬声单体2往发声方向的垂直移动，换言之，由于第一延伸部231抵顶于第一内侧面3112，扬声单体2将不会由第一开口311落出。换句话说，第一延伸部231与挡墙结构234共同形成卡勾结构，由腔体3内部勾扣于第一开口311的边缘。

当扬声单体2设置于腔体3内部时，磁路系统21是部分容纳于第二开口312之中，更详细地，磁路系统21的轭铁213是以环状壁2131抵顶于第二开口312的第二内缘3121，以避免扬声单体2于第二开口312之间晃动，若以图3做为示范性说明，环状壁2131抵顶于第二内缘3121的结构限制了扬声单体2于第二开口312中的水平位置。盆架23的第二延伸部232更连接于扬声单体2的局部。磁路系统21结合于第二延伸部232，在本实施例中，第二延伸部232连接于轭铁213的环状壁2131。同时，第二延伸部232是于第二开口312的边缘抵顶于后腔体32的第二内侧面3122，因此第二延伸部232限制了扬声单体2透过第二开口312往腔体3外部的垂直移动。同时，第二延伸部232还连接于换言之，由于第二延伸部232抵顶于第二内侧面3122，扬声单体2将不会由第二开口312落出。

由此可知，本案的扬声器1是使用抵顶与卡合的方式，将扬声单体2固定设置于腔体3之中。其中，磁路系统21、振膜22以及盆架23预先结合为扬声单体2，再通过前腔体31与后腔体323的组合，使得扬声单体2设置于前腔体31与后腔体32之间，同时前腔体31与后腔体323从上、下卡合盆架23，从而达成免螺丝固定扬声单体2。抵顶于第一内缘3111的挡墙结构234以及抵顶于第二内缘3121的磁路系统21，限制了扬声单体2的水平位移。抵顶于第一内侧面的3112的第一延伸部231以及抵顶于第二内侧面3122的第二延伸部232，不仅限制了扬声单体2的垂直位移，更可避免扬声单体2落出第一开口311或第二开口312。因此本案的扬声器1可在不使用任何螺丝的情况下将扬声单体2固定设置于腔体3之中。此外，轭铁213通过第二开口312裸露在扬声器1外面，从加强散热。磁路系统21、振膜22以及盆架23之间的转配组合，还可以最大限度的降低扬声器1的厚度。

如图3与图4所示，优选地，扬声单体2还包括副振膜24与环绕副振膜24的副边缘部241。副振膜24的俯视型态可以是环状，也就是副振膜24的中间部份可以是开孔而不封闭。副振膜24连接于副边缘部241，从第一延伸部231延伸而出的挡墙结构234也同时围绕地设置于副边缘部241，并且副边缘部241通过黏合等方式结合于挡墙结构234。双重振膜的配置相较于单一振膜，在高度方向的变化率可以降低，而可最大限度的降低扬声器1的高度。再如图4所示，边缘部222与副边缘部241可以是上下对称，并且是外凸的设计，边缘部222与副边缘部241上下对称结合于挡墙结构234。如图4所示，振膜22、副振膜24与音圈211可以预先黏合在一起，再将边缘部222与副边缘部241黏合到盆架23的挡墙结构234。

如图5与图6所示，是另一种振膜22与副振膜24的组合。在图3与图4中，振膜22的中央部221与副振膜24之间并不直接连接。在图5中，副振膜24的边缘可以连接于振膜22的中央部221。振膜22从边缘到中心的曲率，可以采取多段变化，以利响应频率的调整。

如图7所示，振膜22与副振膜24的上下配置可以交换，不限于振膜22在上，而使副振膜24位于振膜22朝内的一侧。如图7中，副振膜24是配置于振膜22的上方，也就是副振膜24位于振膜22朝内的一侧。

振膜22与副振膜24的组合，可以将振膜22与副振膜24厚度设计到更薄节省材料，同时可以提升整体的强度，让扬声器1获得更多高频响应。此外，边缘部222与副边缘部241是透过粘胶方式以面黏合于挡墙结构234，让边缘部222与副边缘部241可以振动以作为振膜22及/或副振膜24的一部分，让扬声器1可以获得更大的辐射面积，提升扬声器1的灵敏度。

如图8所示，在只有单一振膜22的情况下，也可以同时使用边缘部222与副边缘部241。在图7中，中央部221的边缘具有第一分岔部2211与第二分岔部2212。边缘部222环绕连接于第一分岔部2211，并且副边缘部241环绕连接于第二分岔部2212。在此种情况下，边缘部222与副边缘部241之间将形成密闭空间。在不同的实施例中，例如，副振膜24的边缘连接于中央部221的情况下，边缘部222与、边缘部241、副振膜24与中央部221之间也会形成密闭空间。

如图9所示，由于边缘部222与副边缘部241形成密闭空间，且振膜22也会使得扬声器1内部形成密闭空间。密闭空间中的气压会随著密闭空间的变形而有所变化，使得气压会影响振膜22的振动。因此，在一实施例中，边缘部222与副边缘部241的至少其中之一、中央部221分别开设漏气孔2213。漏气孔2213提供气体释放或回补，使得前述的密闭空间形成对气体的半压缩区域，减缓气压变化，以提升振膜22的稳定性。

如图10所示，在不同实施例中，边缘部222与副边缘部241的其中之一的漏气孔2213对应于挡墙结构234配置。此时，挡墙结构234上可相应地配置避让孔2341，使得漏气孔2213可以连通外界而不会被挡墙结构234遮挡、堵塞。

如图11所示，在一实施例中，边缘部222与副边缘部241是对称黏合，使得边缘部222与副边缘部241预先结合成一体，以利后续的组装至挡墙结构234。同时，边缘部222与副边缘部241不必然是外凸的结构，也可以如图11所示呈现内凹的结构。如图12所示，在不同实施例中，边缘部222与副边缘部241也可以是一体成形。此外，边缘部222与副边缘部241的截面型态不限于弧形，可以根据扬声器1的的需求调整，设计成方形、三角形、多边形。边缘部222与副边缘部241的配置，可以提升阻尼特性，省略弹波的配置并且让振膜22及/或副振膜24可以使用的更薄的材料，降低扬声器1的整体厚度。

如图13、图14与图15所示，边缘部222是围绕于中央部221设置。边缘部222的截面不需维持一致，而是可沿著围绕的路径变化。如图15所示，实线部分是图13中沿著A-A’的截面型态，虚线部分是图13中沿著B-B’的截面变化部分，边缘部222的截面沿著边缘部222围绕的路径反覆地大放大缩小，同样可以提升振膜22的整体阻尼特性，并且让振膜22及/或副振膜24可以使用的更薄的材料，降低扬声器1的整体厚度。

如图16所示，在只有单一边缘部222的情况下，音圈211在轴向X承受的刚性系数Kms，在正向位移(向外位移，即图3中的向上移动)与反向位移(向内位移，即图3中的向下移动)是不对称的，致使音圈211上下运动特性较差，影响发声效果。

如图17所示，若是如同本申请一或多个实施例中，同时使用边缘部222与副边缘部241，可以平衡正向与反向的刚性系数Kms，使得刚性系数Kms，在正向位移与反向位移是对称的，从而改善音圈211上下运动特性，提升发声效果。

如图18所示，相较于单一边缘部222(虚线表示)，同时使用边缘部222与副边缘部241(实线表示)在总谐波失真(total harmonic distortion,THD)的表现上，同时使用边缘部222与副边缘部241在20Hz至70Hz之间的THD相对较低，优于仅使用单一边缘部222的状况。

综上所述，本申请的扬声器可在未使用螺丝的情况下将扬声单体固定于腔体之中，并同时确保扬声单体的美观程度以及散热效率，进而提供使用者较佳的操作体验。同时，双重振膜的配置与双重边缘部的配置，改善了音圈211的运动特性，也有效地提升音效表现，降低总谐波失真(THD)。

虽然本申请已以实施例公开如上，然其并非用以限定本案，任何本领技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本申请的保护范围当视后附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种扬声器，其特征在于，包括：

扬声单体，包括：

磁路系统；

振膜，结合于所述磁路系统的一端，被所述磁路系统驱动并发出声音；以及

盆架，围绕地设置于所述振膜与所述磁路系统，所述盆架具有远离所述磁路系统的第一延伸部、靠近所述磁路系统的第二延伸部、连接所述第一延伸部与所述第二延伸部的连接部，以及延伸于第一延伸部的挡墙结构，其中所述磁路系统结合于所述第二延伸部，所述挡墙结构围绕所述振膜，并且所述振膜结合于所述挡墙结构；以及

腔体，由具有第一开口的前腔体与具有第二开口的后腔体所组成，所述扬声单体设置于所述前腔体与所述后腔体之间；

其中，所述挡墙结构与所述第一延伸部抵顶于所述第一开口，所述第二延伸部抵顶于所述第二开口。

2.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于：所述第一开口具有第一内缘，且所述前腔体具有第一内侧面，其中所述挡墙结构抵顶于所述第一内缘，所述第一延伸部于所述第一开口的周围抵顶于所述第一内侧面。

3.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于：所述第二开口具有第二内缘，且所述后腔体具有第二内侧面，其中所述磁路系统抵顶于所述第二内缘，所述第二延伸部抵顶于所述第二内侧面。

4.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于：所述第一开口以及所述第二开口是相对设置，并且皆与所述腔体的内部空腔连通。

5.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于：所述振膜位于所述第一开口，而透过所述第一开口与外部空气接触。

6.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于：所述磁路系统是透过所述第二开口与外部空气接触并进行散热。

7.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述磁路系统包括：

轭铁，包含环状壁与所述环状壁所环绕的凸台，其中所述环状壁与凸台之间形成磁隙；

磁铁，设置于所述凸台；以及

音圈，悬空设置于所述磁隙中并且环绕所述磁铁；

其中，所述振膜与所述音圈连接。

8.如权利要求7所述的扬声器，其特征在于：所述振膜包含中央部以及环绕所述中央部的边缘部，其中，所述音圈与所述中央部连接，所述挡墙结构是围绕地设置于所述边缘部，并且所述边缘部结合于所述挡墙结构。

9.如权利要求8所述的扬声器，其特征在于：所述扬声单体还包括副振膜与环绕所述副振膜的副边缘部，其中所述副振膜连接于所述副边缘部，所述挡墙结构围绕地设置于所述副边缘部，并且所述副边缘部结合于所述挡墙结构。

10.如权利要求9所述的扬声器，其特征在于：所述副振膜的中间部份是开孔而不封闭。

11.如权利要求9所述的扬声器，其特征在于：所述副振膜的边缘连接于所述中央部。

12.如权利要求8所述的扬声器，其特征在于：所述扬声单体还包括副边缘部，所述副边缘部结合于所述挡墙结构，所述中央部的边缘具有第一分岔部与第二分岔部，所述边缘部环绕连接于所述第一分岔部，所述副边缘部环绕连接于所述第二分岔部。

13.如权利要求9至12任一项所述的扬声器，其特征在于：所述边缘部与所述副边缘部的至少其中之一开设漏气孔。

14.如权利要求13所述的扬声器，特征在于：所述漏气孔对应于所述挡墙结构配置，并且所述挡墙结构上相应地配置避让孔。

15.如权利要求8至12任一项所述的扬声器，其特征在于：所述中央部开设漏气孔。

16.如权利要求8所述的扬声器，其特征在于：所述边缘部的截面沿着所述边缘部围绕的路径反复地放大缩小。

17.如权利要求7所述的扬声器，其特征在于：所述轭铁以所述环状壁抵顶于所述第二开口的第二内缘。

18.如权利要求7所述的扬声器，其特征在于：所述第二延伸部连接于所述环状壁。

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