CN215818075U - 一种具有高稳定性的石英晶体谐振器 - Google Patents
一种具有高稳定性的石英晶体谐振器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，包括石英芯片、陶瓷基座和上盖，所述的陶瓷底座上端安装有金属环，该金属环上安装有上盖，所述的陶瓷底座上端位于金属环内安装有内部电极以及与内部电极相连的石英芯片，所述的石英芯片包括板状石英素片和用于激励石英素片产生压电效应的激励电极，所述的激励电极与内部电极相连，所述的激励电极包括叠层布置的内层膜和外层膜，所述的外层膜为耐热导电合金膜。本实用新型能有效提高耐热性能，降低了受热后产生的应力，同时降低了石英芯片由于镀膜后产生的力频效应对超高频产品频率的影响，使得石英晶体谐振器频率更稳定。
Description
技术领域
本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域，特别是涉及一种具有高稳定性的石英晶体谐振器。
背景技术
在互联网技术日益发达的今天，WiFi5、WiFi6、云计算、物联网、车联网等新技术层出不穷，这些新技术让互联网技术快速的发展。同时对于石英晶体谐振器要求更高，需要有更高的传输速度，更强的射频信号。
目前因WiFi5、WiFi6的市场需求，需要开发更高频的石英晶体谐振器。但随着产品高频后，频率的长期稳定性差，频率偏移量>10ppm/year，导致产品使用过程中讯号连接不稳定，无法满足要求。因此需要优化石英晶体谐振器的内部结构，使得石英晶体谐振器频率更稳定。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，能有效提高耐热性能，降低了受热后产生的应力，同时降低了石英芯片由于镀膜后产生的力频效应对超高频产品频率的影响，使得石英晶体谐振器频率更稳定。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，包括石英芯片、陶瓷基座和上盖，所述的陶瓷底座上端安装有金属环，该金属环上安装有上盖，所述的陶瓷底座上端位于金属环内安装有内部电极以及与内部电极相连的石英芯片，所述的石英芯片包括板状石英素片和用于激励石英素片产生压电效应的激励电极，所述的激励电极与内部电极相连，所述的激励电极包括叠层布置的内层膜和外层膜，所述的外层膜为耐热导电合金膜，所述的内层膜为介质层。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的上盖下端布置有一圈金属焊环，该金属焊环与金属环之间通过高温金属熔接。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的石英芯片为AT切割的水晶片。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的陶瓷底座上端位于金属环内的一侧安装有两个前后相对布置的内部电极，每个内部电极上端均安装有导电银胶，所述的石英芯片与两个导电银胶相连，所述的陶瓷底座上端位于金属环内的另一侧安装有支架，该支架上涂抹有环氧树脂胶。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的内部电极通过陶瓷底座内部的线路与陶瓷底座下端设置的外部电极相连。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的内层膜为Cr膜或者Ni膜。
有益效果：本实用新型涉及一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，将激励电极设计成内层膜和外层膜相结合的结构，外层膜为耐热导电合金膜，相对以往的纯Ag膜而言，耐热导电合金膜由Ag、Ti和C组成的合金制成的膜，能有效改善原纯Ag膜不耐热的缺点，降低了薄膜受热后产生的应力，同时降低了石英芯片由于镀膜后产生的力频效应对超高频产品频率的影响，使得石英晶体谐振器频率更稳定。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型所述的石英芯片的剖视图。
图示：1、石英芯片，2、支架，3、激励电极，4、陶瓷基座，5、上盖，6、导电银胶，7、内部电极，8、外部电极，9、金属环，10、金属焊环，11、板状石英素片，12、内层膜，13、外层膜。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
本实用新型的实施方式涉及一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，如图1-2所示，包括石英芯片1、陶瓷基座4和上盖5，所述的陶瓷底座4上端安装有金属环9，该金属环9上安装有上盖5，所述的陶瓷底座4上端位于金属环9内安装有内部电极7以及与内部电极7相连的石英芯片1，所述的石英芯片1包括板状石英素片11和用于激励石英素片产生压电效应的激励电极3，所述的激励电极3与内部电极7相连，所述的激励电极3包括叠层布置的内层膜12和外层膜13，，所述的内层膜12为介质层，所述的外层膜13为耐热导电合金膜，该耐热导电合金膜由Ag、Ti和C组成的合金制成的膜，合金的配比为Ag为98％，Ti为1％，C为1％，供应商为Toshima，是直接能够购买到的，属于现有的合金。
将激励电极3设计成内层膜12和外层膜13相结合的结构，外层膜13为耐热导电合金膜，相对以往的纯Ag膜而言，耐热导电合金膜由Ag、Ti和C组成的合金制成的膜，能有效改善纯Ag膜不耐热的缺点，降低了薄膜受热后产生的应力，同时降低了石英芯片由于镀膜后产生的力频效应对超高频产品频率的影响，使得石英晶体谐振器频率更稳定。
所述的上盖5下端布置有一圈金属焊环10，该金属焊环10与金属环9之间通过高温金属熔接。
所述的石英芯片1为AT切割的水晶片。
所述的陶瓷底座4上端位于金属环9内的一侧安装有两个前后相对布置的内部电极7，每个内部电极7上端均安装有导电银胶6，所述的石英芯片1与两个导电银胶6相连，所述的陶瓷底座4上端位于金属环9内的另一侧安装有支架2，该支架2上涂抹有环氧树脂胶。
所述的内部电极7通过陶瓷底座4内部的线路与陶瓷底座4下端设置的外部电极8相连。
所述的内层膜12为Cr膜或者Ni膜。
Claims (5)
1.一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，包括石英芯片(1)、陶瓷基座(4)和上盖(5)，其特征在于：所述的陶瓷底座(4)上端安装有金属环(9)，该金属环(9)上安装有上盖(5)，所述的陶瓷底座(4)上端位于金属环(9)内安装有内部电极(7)以及与内部电极(7)相连的石英芯片(1)，所述的石英芯片(1)包括板状石英素片(11)和用于激励石英素片产生压电效应的激励电极(3)，所述的激励电极(3)与内部电极(7)相连，所述的激励电极(3)包括叠层布置的内层膜(12)和外层膜(13)，所述的外层膜(13)为耐热导电合金膜，所述的内层膜(12)为介质层。
2.根据权利要求1所述的一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，其特征在于：所述的上盖(5)下端布置有一圈金属焊环(10)，该金属焊环(10)与金属环(9)之间通过高温金属熔接。
3.根据权利要求1所述的一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，其特征在于：所述的陶瓷底座(4)上端位于金属环(9)内的一侧安装有两个前后相对布置的内部电极(7)，每个内部电极(7)上端均安装有导电银胶(6)，所述的石英芯片(1)与两个导电银胶(6)相连，所述的陶瓷底座(4)上端位于金属环(9)内的另一侧安装有支架(2)，该支架(2)上涂抹有环氧树脂胶。
4.根据权利要求1所述的一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，其特征在于：所述的内部电极(7)通过陶瓷底座(4)内部的线路与陶瓷底座(4)下端设置的外部电极(8)相连。
5.根据权利要求1所述的一种具有高稳定性的石英晶体谐振器，其特征在于：所述的内层膜(12)为Cr膜或者Ni膜。
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| CN202121342513.2U CN215818075U (zh) | 2021-06-17 | 2021-06-17 | 一种具有高稳定性的石英晶体谐振器 |
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Publications (1)
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ID=80176896
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2021
- 2021-06-17 CN CN202121342513.2U patent/CN215818075U/zh active Active
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