CN215560608U - 一种蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种蒸镀装置，包括蒸镀真空腔体，设置在所述蒸镀真空腔体底部的点蒸发源，设置在所述蒸镀真空腔内且位于所述点蒸发源正上方的基板，还包括设置在所述蒸镀真空腔体上的扰流结构，所述扰流结构包括设置在所述蒸镀真空腔体内部且环绕在所述基板周边的罩板，设置在所述蒸镀真空腔室外部且与所述罩板连通的进气管，所述罩板的内部设置有平行于基板方向喷出气流的喷嘴。本实用新型的蒸镀装置通过加入扰流装置，喷嘴喷出的流体在非基板区域将蒸镀材料横向推动，将本要沉积在腔体的蒸镀材料推移到蒸镀基板两侧后沉积成膜，弥补了蒸镀基板两侧膜厚较中间薄的问题，提高了蒸镀材料的利用率，延长了冷泵寿命和PM周期。

Description

一种蒸镀装置

技术领域

本实用新型涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种蒸镀装置。

背景技术

目前，OLED显示器件因具有制作工艺简单、颜色可调、功耗低等诸多优点，在显示和照明领域都是开发与投资的热点。随着OLED显示器件的用途愈加广泛，其制作工艺也日趋成熟。当前，OLED显示器件常用的制作方法包括蒸镀、喷墨打印、热传印等多种方式。在这些制作方法中，蒸镀方式是一种比较成熟的方法，且已经运用于量产。但是采用现有技术中这种蒸发源的场合，从其开口向上蒸发的分子会以倒圆锥形状向上扩散，使得蒸发源正上方与其周围侧的蒸发量也不相同，均匀性差，此外与在基板上成膜的材料相比，附着在周围壁上的有机分子占压倒性数量，材料利用率很低。

因此，现有技术还有待于改进。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种蒸镀装置，旨在解决现有蒸镀技术容易出现基板沉积材料中间厚两边薄的技术问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种蒸镀装置，包括蒸镀真空腔体，以及设置在所述蒸镀真空腔体内的基板，其中，还包括设置在所述蒸镀真空腔体上的扰流结构，所述扰流结构包括设置在所述蒸镀真空腔体内部且环绕在所述基板周边的罩板，所述罩板的内部设置有朝基板方向喷出气流的喷嘴，所述扰流结构还包括与所述喷嘴连通的进气管。

所述的蒸镀装置，其中，所述蒸镀真空腔体的底部设置有点蒸发源，所述罩板包括环绕设置在所述基板周边的环绕面，所述喷嘴设置在所述环绕面靠近基板的一侧；所述环绕面靠近所述点蒸发源的底端与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离小于所述基板与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离。

所述的蒸镀装置，其中，所述环绕面上的喷嘴孔径沿所述蒸镀真空腔体底部至所述蒸镀真空腔体顶部的方向逐渐增大。

所述的蒸镀装置，其中，所述进气管设置在所述蒸镀真空腔室外部，且所述进气管通过罩板与所述喷嘴连通。

所述的蒸镀装置，其中，所述蒸镀真空腔体内用于放置所述点蒸发源的位置处设置温度传感器，所述蒸镀真空腔体内设置有压力传感器，所述进气管内设置有扰流发生器，所述扰流发生器用于接收所述温度传感器和压力传感器发送的数据，并根据所述数据调节注入进气管的气流注入量。

所述的蒸镀装置，其中，所述扰流发生器包括变频风扇以及与所述变频风扇电连接的控制器，所述控制器与所述温度传感器以及所述压力传感器分别电连接。

所述的蒸镀装置，其中，所述扰流结构还包括与所述罩板连接的转轴，以及与所述转轴连接的驱动电机。

所述的蒸镀装置，其中，所述基板与所述转轴连接。

所述的蒸镀装置，其中，还包括与所述蒸镀真空腔连通的低温吸附泵。

有益效果：本实用新型提供了一种蒸镀装置，包括蒸镀真空腔体，设置在所述蒸镀真空腔内的基板，还包括设置在所述蒸镀真空腔体上的扰流结构，所述扰流结构包括设置在所述蒸镀真空腔体内部且环绕在所述基板周边的罩板，所述罩板的内部设置有朝基板方向喷出气流的喷嘴，所述扰流结构还包括与所述喷嘴连通的进气管。本实用新型的蒸镀装置通过加入扰流装置，喷嘴喷出的流体在非基板区域将蒸镀材料横向推动，将本要沉积在腔体的蒸镀材料推移到蒸镀基板两侧后沉积成膜，弥补了蒸镀基板两侧膜厚较中间薄的问题，提高了蒸镀材料的利用率，延长了冷泵寿命和PM 周期。

附图说明

图1为本实用新型的实施例1的示意图。

图2为本实用新型的实施例的俯视图。

图3为本实用新型的133结构平铺展开图。

图4为本实用新型的实施例2的示意图。

图5为本实用新型改进的133结构平铺展开图。

图6为本实用新型的实施例3的示意图。

具体实施方式

本实用新型提供了一种蒸镀装置，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

参见图1和图2，本实用新型提供一种蒸镀装置，其包括蒸镀真空腔体 10，设置在所述蒸镀真空腔体10内的基板12，其中，还包括设置在所述蒸镀真空腔体10上的扰流结构13，所述扰流结构13包括设置在所述蒸镀真空腔体10内部且环绕在所述基板12周边的罩板131，所述罩板131的内部设置有朝基板12方向喷出气流的喷嘴133，所述扰流结构13还包括与所述喷嘴133连通的进气管132。

在本实施例中，所述蒸镀真空腔体10的底部还设置有点蒸发源11，所述基板12位于所述点蒸发源11的正上方，本实施例在现有的蒸镀装置中增加了扰流结构，当加热所述点蒸发源11时，蒸镀材料111由点蒸发源向蒸镀真空腔体10上方四周喷射，当所述蒸镀材料111喷射至非基板区域时，设置在所述扰流结构的罩板131内部的喷嘴133喷出由所述进气管132进入的流体(所述流体可为氩气、氮气等不活泼气体)，所述喷嘴133喷出的流体朝基板方向喷出，从而将所述蒸镀材料111横向推动，使得本要沉积在腔体的蒸镀材料被推动至基板两侧后成膜，使得蒸镀材料的利用率大幅提升，并且在基板上也能够均匀成膜。

在一些实施方式中，如图1所示，述所述进气管132设置在所述蒸镀真空腔室10外部，且所述进气管132通过罩板131与所述喷嘴133连通。

本实施例中，从设置在所述蒸镀真空腔室外部的进气管132通入气体，所述气体通过罩板从所述喷嘴133喷出，喷出的气体朝基板方向喷出，从而将所述蒸镀材料111横向推动，使得本要沉积在腔体的蒸镀材料被推动至基板两侧后成膜，使得蒸镀材料的利用率大幅提升，并且在基板上也能够均匀成膜。

在一些实施方式中，所述罩板131包括环绕设置在所述基板12周边的环绕面，所述喷嘴133设置在所述环绕面靠近基板的一侧上；所述环绕面靠近所述点蒸发源11的底端与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离小于所述基板12与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离。作为举例，所述基板12与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离为所述蒸镀真空腔体顶部与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离的5/6，设置所述环绕面靠近所述点蒸发源11的底端与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离为所述蒸镀真空腔体顶部与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离的2/3，即可将由所述点蒸发源11喷射出的蒸镀材料全部推动至基板区域内并沉积成膜。参见图3，在本实施例中，所述喷嘴133均匀分布在所述环绕面靠近基板的一侧上。

在一些实施方式中，在所述环绕面上的喷嘴孔径沿所述蒸镀真空腔体的底部至所述蒸镀真空腔体顶部的方向逐渐增大。作为举例，沿所述蒸镀真空腔体底部至所述蒸镀真空腔体顶部的方向，所述喷嘴孔径以10％的增幅逐渐均匀增大。如图4所示，所述喷嘴1331、1332、1333由下至上均匀分布在所述罩板上，并且相邻喷嘴间的间距相同，并且所述喷嘴1332的孔径相对于所述1331的孔径增大了20％，所述喷嘴1333的的孔径相对于所述 1332的孔径增大了20％，即R₁₃₃₃＝1.2R₁₃₃₂＝1.44R₁₃₃₁。

在本实施例中，所述蒸镀材料在向上喷射时整体呈倒圆锥的形状，因此越靠近上方时，所述蒸镀材料越远离所述基板12，能沉积至基板时所需要的横向推力也就越大；越靠近下方时，所述蒸镀材料越靠近所述基板12，能沉积至基板时所需要的横向推力也就越小。因此，将所述喷嘴孔径沿所述蒸镀真空腔体的底部至所述蒸镀真空腔体顶部的方向逐渐增大可增加喷嘴喷出的流体量进而逐渐增大横向推力。

同时，因为蒸镀不同材料时材料的蒸发速率不同，所需流体推力不同，在本实施例中，在所述进气管上还设置气流调节阀门，所述气流调节阀门可以调节流体进入量的大小，可避免因流体量大导致蒸镀材料过多推向基板中间，而两侧基板材料沉积少或因流体量小无法将蒸镀材料推移到基板下方的问题，使所述蒸镀材料能够更加均匀地沉积到所述基板上的合适位置。

在一些实施方式中，如图6所示，在所述蒸镀真空腔体内用于放置点蒸发源11的位置处设置温度传感器17，在所述蒸镀真空腔体内部设置压力传感器18，并在所述进气管内部设置扰流发生器1322，所述扰流发生器1322 用于接收所述温度传感器17和压力传感器18发送的数据，并根据所述数据调节注入所述进气管132的流体量。

其中，所述扰流发生器1322包括变频风扇以及与所述变频风扇电连接的控制器，所述控制器与所述温度传感器17以及所述压力传感器18分别电连接。

在本实施例中，温度以及腔体真空度变化引起的腔体压力变化会对蒸镀速率造成影响，从而影响蒸镀材料的扩散情况以及在基板上沉积的膜厚，因此设置温度传感器以及压力传感器对于蒸镀材料的温度以及腔体的压力进行监测，将监测到的数据发送至设置于所述进气管内部的扰流发生器，所述扰流发生器根据监测到的数据对蒸镀材料的速率变化进行计算，通过控制器传输信号调节变频风扇的转动速度，从而精准保证流体的注入量，避免注入的气体影响沉积材料的纯度。

在本实用新型中，参见图1和图2，基于上述实施例，所述扰流结构 13还包括与所述罩板131连接的转轴14，以及与所述转轴14连接的驱动电机15，所述基板也与所述转轴14连接；其中，所述罩板的形状为底部开口的圆柱状。

具体的，因为所述喷嘴均匀分散于所述罩板上，喷嘴与喷嘴间有间隔，而在喷嘴喷出流体的过程中，喷嘴间隔处将无法产生气流，也就无法产生对于蒸镀材料的横向推力，因此，在所述扰流结构进行扰流的过程中，所述驱动电机驱动所述转轴转动，所述转轴在转动的过程中带动与所述转轴连接的罩板和基板，同时因为所述罩板为底部开口的圆柱状，在所述罩板转动的过程中可使由罩板底部开口处进入的蒸镀材料在非基板区域的各个位置处均能受到横向推力并均匀沉积在所述基板的合适位置上。

进一步，为了保障所述蒸镀真空腔体的真空度，本实用新型还设置了与所述蒸镀真空腔体连通的低温吸附泵16，所述低温吸附泵可以获得抽气速率最大、极限压力最低的清洁真空。同时，所述罩板在转动的过程中也可以阻挡所述蒸镀材料进入到所述低温吸附泵中，提高了所述低温吸附泵的使用寿命，也可以延长所述低温吸附泵的维护周期。

综上所述，本实用新型提供了一种蒸镀装置，包括蒸镀真空腔体，设置在所述蒸镀真空腔体底部的点蒸发源，设置在所述蒸镀真空腔内且位于所述点蒸发源正上方的基板，还包括设置在所述蒸镀真空腔体上的扰流结构，所述扰流结构包括设置在所述蒸镀真空腔体内部且环绕在所述基板周边的罩板，设置在所述蒸镀真空腔室外部且与所述罩板连通的进气管，所述罩板的内部设置有平行于基板方向喷出气流的喷嘴。本实用新型的蒸镀装置通过加入扰流装置，喷嘴喷出的流体在非基板区域将蒸镀材料横向推动，将本要沉积在腔体的蒸镀材料推移到蒸镀基板两侧后沉积成膜，弥补了蒸镀基板两侧膜厚较中间薄的问题，提高了蒸镀材料的利用率，延长了冷泵寿命和PM周期。

应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种蒸镀装置，包括蒸镀真空腔体，以及设置在所述蒸镀真空腔体内的基板，其特征在于，还包括设置在所述蒸镀真空腔体上的扰流结构，所述扰流结构包括设置在所述蒸镀真空腔体内部且环绕在所述基板周边的罩板，所述罩板的内部设置有朝基板方向喷出气流的喷嘴，所述扰流结构还包括与所述喷嘴连通的进气管。

2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀真空腔体的底部设置有点蒸发源，所述罩板包括环绕设置在所述基板周边的环绕面，所述喷嘴设置在所述环绕面靠近基板的一侧；所述环绕面靠近所述点蒸发源的底端与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离小于所述基板与所述蒸镀真空腔体底部的垂直距离。

3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述环绕面上的喷嘴孔径沿所述蒸镀真空腔体底部至所述蒸镀真空腔体顶部的方向逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述进气管设置在所述蒸镀真空腔室外部，且所述进气管通过罩板与所述喷嘴连通。

5.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述进气管上设置有气流调节阀门。

6.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀真空腔体内用于放置所述点蒸发源的位置处设置温度传感器，所述蒸镀真空腔体内设置有压力传感器，所述进气管内设置有扰流发生器，所述扰流发生器用于接收所述温度传感器和压力传感器发送的数据，并根据所述数据调节注入进气管的气流注入量。

7.根据权利要求6所述的蒸镀装置，其特征在于，所述扰流发生器包括变频风扇以及与所述变频风扇电连接的控制器，所述控制器与所述温度传感器以及所述压力传感器分别电连接。

8.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述扰流结构还包括与所述罩板连接的转轴，以及与所述转轴连接的驱动电机。

9.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，所述基板与所述转轴连接。

10.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括与所述蒸镀真空腔连通的低温吸附泵。

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