CN114277360A - 一种化学气相沉积装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

Description

一种化学气相沉积装置

技术领域

本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体而言，涉及一种化学气相沉积装置。

背景技术

在半导体材料生长领域，化学气相沉积法是一种重要且常见的生长方法，广泛应用于半导体外延片制造、太阳能电池镀膜、新型二维材料生长等方面。化学气相沉积法利用载气将反应气体输送至衬底，在合适的温度和气压条件下，反应气体在衬底表面上进行化学反应以生成薄膜。

如图1所示，图1为现有技术的化学气相沉积装置的结构示意图，该装置包括反应腔和衬托器，反应腔为圆柱结构，衬托器为三角形结构，衬底放置在衬托器的斜边上，反应腔内竖直方向上通入的反应气体浓度一致。衬托器较低位置的衬底会先与反应气体接触并进行化学气相沉积（进行化学气相沉积时会消耗反应气体），导致原料气体浓度沿气体流动方向降低，衬托器较高位置的衬底的薄膜生长速率低于衬托器较低位置的衬底的薄膜生长速率，从而造成衬底上形成的薄膜厚度不均匀的问题。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请的目的在于提供一种化学气相沉积装置，能够避免倾斜设置的衬底上形成的薄膜厚度不均匀的情况。

本申请提供了一种化学气相沉积装置，用于衬底的外延生长，其包括：

反应腔；

衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置上述衬底；

供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条上述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，上述供气组件通过上述进气气路朝上述衬托器输送的上述外延气体中的上述原料气体的浓度随高度下降而减小。

本申请提供的一种化学气相沉积装置，朝衬托器输送原料气体的浓度随高度下降而减小的外延气体，能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而避免由于位于衬托器较低位置的衬底先进行化学气相沉积而造成的衬底上方的原料气体浓度沿气体流动方向的降低的问题，位于衬托器较高位置上的衬底的薄膜生长速率与位于衬托器较低位置上的衬底的薄膜生长速率相等，衬底上形成的薄膜厚度均匀。

可选地，上述反应腔为收缩结构，上述反应腔沿上述外延气体的流动方向收缩。

本申请提供的一种化学气相沉积装置的反应腔沿外延气体的流动方向收缩，从而使外延气体的流速沿着外延气体的流动方向增大，进而及时地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

可选地，上述供气组件朝上述衬托器输送的上述外延气体中的上述原料气体的浓度随高度下降而平滑下降。

可选地，上述供气组件朝上述反应腔输送的上述外延气体中的上述原料气体的浓度随高度下降而平滑下降。

可选地，上述化学气相沉积还包括与上述反应腔一体连接的进气腔和出气腔，上述进气腔设置在上述供气组件和上述反应腔之间，上述出气腔设置在上述反应腔的另一端。

本申请提供的一种化学气相沉积装置，在供气组件和反应腔之间设置进气腔，外延气体在进气腔内形成层流，供气组件朝反应腔输送的外延气体到反应腔前先经过进气腔，进气腔能够使供气组件输送的外延气体稳定下来以避免出现局部产生湍流的情况。

可选地，上述衬托器通过安装板和旋转轴安装在上述反应腔内，上述旋转轴与上述衬托器固定连接。

本申请提供的一种化学气相沉积装置，通过安装板和旋转轴将衬托器安装在反应腔内，旋转轴与衬托器固定连接，从而可以通过旋转轴改变衬托器的倾斜程度。

可选地，上述化学气相沉积装置还包括驱动组件，上述驱动组件用于驱动上述旋转轴旋转。

可选地，上述衬底的圆心位于在上述衬托器顶面的几何中心上。

可选地，上述衬托器的长度方向与水平方向形成的夹角的角度为5-30°。

可选地，上述衬托器与上述反应腔的上内壁面和下内壁面均存在间隙。

由上可知，本申请提供的一种化学气相沉积装置，朝衬托器输送原料气体的浓度随高度下降而减小的外延气体，能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而避免由于位于衬托器较低位置的衬底先进行化学气相沉积而造成的衬底上方的原料气体浓度沿气体流动方向的降低的问题，位于衬托器较高位置上的衬底的薄膜生长速率与位于衬托器较低位置上的衬底的薄膜生长速率相等，衬底上形成的薄膜厚度均匀。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为现有技术的化学气相沉积装置的结构示意图。

图2为本申请一种实施例提供的一种化学气相沉积装置的主视图。

图3为本申请一种实施例提供的高度和原料气体的浓度的曲线图。

图4为本申请另一种实施例提供的高度和原料气体的浓度的曲线图。

图5为本申请另一种实施例提供的一种化学气相沉积装置沿竖直方向的剖面图。

图6为本申请实施例提供的一种衬托器为水平状态时反应腔俯视方向的剖面图。

附图标记：1、反应腔；2、衬托器；21、凹槽；3、供气组件；31、外延气体提供装置；32、进气气路；4、进气腔；5、出气腔；6、安装板；7、旋转轴。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如图1所示，图1为现有技术的化学气相沉积装置的结构示意图，该装置包括反应腔和衬托器，反应腔为圆柱结构，衬托器为三角形结构，衬底放置在衬托器的斜边上，反应腔内竖直方向上通入的反应气体浓度一致。竖直方向上位置较低的衬底会先与反应气体接触并进行化学气相沉积（进行化学气相沉积时会消耗反应气体），导致衬底上方的原料气体浓度沿气体流动方向降低，竖直方向上位置较高的衬底的薄膜生长速率低于竖直方向上位置较低的衬底的薄膜生长速率，从而造成衬底上形成的薄膜厚度不均匀的问题。

如图2-图6所示，本申请实施例提供了一种化学气相沉积装置，用于衬底的外延生长，其包括：

反应腔1；

衬托器2，倾斜设置在上述反应腔1内，用于放置上述衬底；

供气组件3，设置在上述反应腔1的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路32，多条上述述进气气路32分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，上述供气组件3通过上述进气气路32朝上述衬托器2输送的上述外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而减小。

其中，反应腔1包括加热组件，该加热组件能够使反应腔1内的温度达到化学气相沉积所需要的温度，当反应腔1内的温度达到化学气相沉积所需要的温度且反应腔1内存在原料气体时，衬底表面上的原料气体会发生化学反应以在衬底表面形成薄膜。衬托器2倾斜设置在反应腔1内，衬托器2的顶面设置有用于放置衬底的凹槽21。外延气体包括载气和原料气体，供气组件3包括多条沿竖直方向等距设置的进气气路32，由于进气气路32之间相互独立，多条上述进气气路32可以分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，因此可以使用不同的进气气路32输送包括不同浓度的原料气体的外延气体。本申请实施例中，在与衬托器2高度对应的多条进气气路中，高度越低的进气气路输出的外延气体中的原料气体的浓度越低。

本申请实施例的工作原理为：衬托器2和放置在衬托器2上的衬底倾斜设置在反应腔1内，供气组件3朝衬托器2输送包括浓度随高度下降减小的原料气体的外延气体。外延气体在经过衬托器2时沿着倾斜的衬托器2流动（即外延气体流经衬托器2时，会由高度较低的位置流向高度较高的位置），即使位于衬托器2较低的衬底先与原料气体接触并进行化学气相沉积，但由于原料气体浓度随着高度升高而增大（即对位于衬托器2较低位置的衬底进行化学气相沉积所消耗的原料气体进行补偿），位于衬托器2较高位置的原料气体浓度与位于衬托器2较低位置的原料气体浓度相同，从而使位于衬托器2较高位置的衬底的薄膜生长速率与位于衬托器2较低位置的衬底的薄膜生长速率相等，衬底上形成的薄膜厚度均匀。

在一些实施例中，上述供气组件3还包括外延气体提供装置31，外延气体提供装置31与多条进气气路32连接，外延气体提供装置31用于产生包含不同浓度的原料气体的外延气体并通过进气气路32朝反应腔1输送外延气体，其原理为：将相同体积的载气与不同体积的原料气体混合，外延气体中的原料气体的浓度越高，与相同体积的载气混合的原料气体的体积越大，或将不同体积的载气与相同体积的原料气体混合，外延气体中的原料气体的浓度越高，与相同体积的原料气体混合的载气的体积越小。该实施例中，由于进气气路32之间相互独立，外延气体提供装置31将载气和原料气体混合均匀以形成外延气体后，将外延气体输出给进气气路32，进气气路32可以朝反应腔1输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，从而实现供气组件3朝反应腔1输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而减小。

在一些实施例中，上述反应腔1可以为横截面的大小沿外延气体流动方向不变的结构（如圆柱、正方体、长方体等）或横截面沿外延气体流动方向收缩的结构（如漏斗形、圆台等），上述横截面的形状可以为圆形、矩形、正方形等。在一些优选实施例中，反应腔1为横截面为圆形且横截面沿外延气体流动方向收缩的结构，反应腔1沿着外延气体的流动方向收缩，由于反应腔1沿着外延气体的流动方向收缩，因此外延气体的流速沿着外延气体的流动方向增大，从而及时地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，进一步地提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

在一些实施例中，上述供气组件3朝上述衬托器2输送的外延气体中的原料气体的浓度与高度组成的函数为线性函数，该实施例中，供气组件3朝衬托器2输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而线性下降。在另一些实施例中，上述供气组件3朝上述衬托器2输送的外延气体中的原料气体的浓度与高度组成的函数为梯度函数，该实施例中，供气组件3朝衬托器2输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而梯度下降。如图3所示，在一些优选实施例中，横坐标h代表高度，纵坐标n代表原料气体的浓度，反应腔1的下端面的高度为零，h1与衬托器2最低点所在的高度位置对应，h2与衬托器2最高点所在的高度位置对应，h3与反应腔1上端面所在的高度位置对应，供气组件3朝衬托器2输送的外延气体中的原料气体的浓度与高度组成的函数为非线性函数，该优选实施例中，供气组件3朝衬托器2输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而平滑下降。只有当高度处于h1和h2之间时，原料气体的浓度才会随高度下降而减小，当高度处于零和h1之间或h2或h3之间时，原料气体的浓度不会跟随高度改变而改变，即仅当高度处于衬托器2的最高点和最低点之间时，供气组件3输送的外延气体中的原料气体的浓度才会随高度下降而减小。该优选实施例的技术方案，能够在衬底上的薄膜厚度的均匀性较好的情况下，减少化学气相沉积装置的原料气体使用量。

在一些实施例中，上述供气组件3朝上述反应腔1输送的外延气体中的原料气体的浓度与高度组成的函数为线性函数，该实施例中，供气组件3朝反应腔1输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而线性下降。在另一些实施例中，上述供气组件3朝上述反应腔1输送的外延气体中的原料气体的浓度与高度组成的函数为梯度函数，该实施例中，供气组件3朝反应腔1输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而梯度下降。如图4所示，在一些优选实施例中，横坐标h代表高度，纵坐标n代表原料气体的浓度，反应腔1的下端面的高度为零，h1与衬托器2最低点所在的高度位置对应，h2与衬托器2最高点所在的高度位置对应，h3与反应腔1上端面所在的高度位置对应，上述供气组件3朝上述反应腔1输送的上述外延气体中的原料气体的浓度与高度组成的函数为非线性函数，该优选实施例中，供气组件3朝反应腔1输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而平滑下降。该优选实施例中，当高度处于零和h3 之间时，原料气体的浓度都会随着高度的下降而平滑下降，即供气组件3朝反应腔1输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而减小。在其他反应条件均相同的情况下，该优选实施例的技术方案在衬底上形成的薄膜厚度具有最好的均匀性。

在一些实施例中，上述化学气相沉积还包括进气腔4和出气腔5，上述进气腔4设置在上述供气组件3和上述反应腔1之间，上述出气腔5设置在上述反应腔1的另一端，上述进气腔4和上述出气腔5均与上述反应腔1一体连接（具体地，进气腔4、反应腔1和出气腔5为一体成型结构）。该申请实施例中，供气组件3朝反应腔1输送的外延气体到反应腔1前先经过进气腔4，进气腔4能够使供气组件3输送的外延气体稳定下来以避免出现局部产生湍流的情况。出气腔5对反应腔1内的外延气体起到排气导向的作用，从而保证反应腔1内的外延气体单向流动。应当理解，若反应腔1为圆台结构，进气腔4和出气腔5均为圆柱结构，由于反应腔1沿外延气体流动方向收缩，因此进气腔4的横截面的半径大于出气腔5的横截面的半径。

在一些实施例中，上述衬托器2通过安装板6和旋转轴7安装在上述反应腔1内，上述旋转轴7与上述衬托器2固定连接。其中，反应腔1与安装板6固定连接，反应腔1、安装板6和衬托器2上均设置有通孔，旋转轴7位于通孔内，旋转轴7与反应腔1及安装板6滑动连接，旋转轴7与衬托器2固定连接，因此可以通过旋转旋转轴7改变衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度以适应不同的化学气相沉积要求。

在一些实施例中，上述化学气相沉积装置还包括驱动组件（图中未示出），上述驱动组件与上述旋转轴7传动连接，驱动组件可驱动旋转轴7旋转以改变衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度，该驱动组件可以伺服电机、步进电机等电机中的任意一种。在一些优选实施例中，上述化学气相沉积装置还包括传送腔和控制器，传送腔内设置有将衬底放入反应腔1内或将衬底从反应腔1内取出的机械手。控制器与机械手及驱动组件电性连接，当需要将衬底放入反应腔1内或将衬底从反应腔1内取出时，控制器控制驱动组件驱动衬托器2旋转至衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度为0°，从而方便机械手伸入反应腔1内以将衬底放入或取出。

在一些实施例中，衬托器2的长度为反应腔1长度的一半。

申请人通过多组实验发现，当反应腔1为收缩结构，衬托器2位于反应腔1的中央时，衬底的圆心到衬托器2顶面的几何中心的距离越小，衬底上形成的薄膜厚度越均匀。

为了提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性，在一些实施例中，上述衬底的圆心位于在上述衬托器2顶面的几何中心上。应当理解，当衬托器2设置有用于放置衬底的凹槽21时，凹槽21的圆心也位于上述衬托器2顶面的几何中心上。

申请人考虑到：当反应腔1为圆台结构时，若衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度或反应腔1的锥度改变，可能会使衬底上形成的薄膜厚度的均匀性发生改变。申请人先使用COMSOL软件进行仿真，分别得到衬底上形成的薄膜厚度的均匀性较好时衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度或反应腔1的锥度，然后进行仅改变衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度或仅改变反应腔1的锥度的对照实验，并使用白光干涉仪或者椭偏仪等可以检测平整度的仪器对对照实验得到的衬底上的薄膜厚度进行检测。申请人通过多组实验后发现：当其他反应条件都相同时，若衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度为5-30°时，衬底上的薄膜厚度较为均匀，当衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度为20°时，衬底上的薄膜厚度最均匀；当其他反应条件都相同时，若反应腔1的锥度为2:3-2:7时，衬底上的薄膜厚度较为均匀，当反应腔1的锥度为2:5时，衬底上的薄膜厚度最均匀。

为了提高衬底上的薄膜厚度的均匀性，在一些实施例中，上述衬托器2与水平方向形成的倾斜角（即衬托器2的长度方向与水平方向形成的夹角，该长度方向与外延气体的流动方向相同）的角度为5-30°，反应腔1的锥度为2:3-2:7。在一些优选实施例中，上述衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度为20°，反应腔1的锥度为2:5。

由于反应腔1为圆柱结构或收缩结构，靠近反应腔1上内壁面和下内壁面的位置的外延气体的流量较小，从而导致靠近反应腔1上内壁面和下内壁面的位置的化学气相沉积效果不佳。在一些实施例中，上述衬托器2与上述反应腔1的上内壁面和下内壁面均存在间隙。该实施例不仅能提高化学气相沉积效果，还能使近反应腔1上内壁面和下内壁面的位置的外延气体顺利流出反应腔1。

如图4-图6所示，在一些优选实施方式中，上述化学气相沉积装置包括：衬托器2、反应腔1、进气腔4、出气腔5和供气组件3。反应腔1沿外延气体流动方向收缩，反应腔1为圆台结构，反应腔1包括加热组件，该加热组件用于将反应腔1的温度升高至化学气相沉积所需要的温度。进气腔4和出气腔5均为圆柱结构，进气腔4能够使供气组件3输送的外气体稳定下来以避免出现局部产生湍流的情况，出气腔5对反应腔1内的外延气体起到排气导向的作用，进气腔4的横截面的半径为70cm，出气腔5的横截面的半径为30cm，反应腔的锥度为2:5，进气腔4的一端与反应腔1的一端一体连接，出气腔5与反应腔1的另一端一体连接。供气组件3与进气腔4的另一端连接供气组件3包括外延气体提供装置31和14条沿竖直方向等距设置的进气气路32，外延气体包括载气和原料气体，外延气体提供装置31用于产生包含不同浓度的原料气体的外延气体并通过进气气路32朝反应腔1输送外延气体，进气气路32之间相互独立（即不同的进气气路32能通过进气腔4朝反应腔1输送包含不同浓度的原料气体的外延气体），进气气路32输送的外延气体中的原料气体的浓度随高度下降而减小，从而实现朝反应腔1输送包括浓度随高度下降而减小的原料气体的外延气体。衬托器2的顶面设置有用于放置衬底的凹槽21，衬托器2通过安装板6和旋转轴7安装在反应腔1内，安装板6与反应腔1固定连接，旋转轴7与安装板6及反应腔1滑动连接，旋转轴7与衬托器2固定连接，衬托器2与水平方向形成的倾斜角的角度为20°。

上述实施方式的工作流程为：1.将衬底放置在衬托器2顶面的凹槽21中；2.供气组件3通过进气腔4向反应腔1输送包括浓度随高度下降而减小的原料气体的外延气体，加热组件对反应腔1进行加热。步骤2持续执行至化学气相沉积结束。该实施方式的工作原理为：供气组件3中的多条进气气路32朝反应腔1输送包括浓度随高度下降而减小的原料气体的外延气体，浓度随高度下降而减小的原料气体的外延气体能够对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，即使位于衬托器2较低的衬底先与原料气体接触并进行化学气相沉积（消耗外延气体中的原料气体），衬底上方的原料气体的浓度不变，位于衬托器2较高位置的原料气体浓度与位于衬托器2较低位置的原料气体浓度相同，且呈圆台结构的反应腔1会导致外延气体的流速沿外延气体流动方向增大以及时地对外延气体中的原料气体进行补偿，从而使位于衬托器2较高位置的衬底的薄膜生长速率与位于衬托器2较低位置的衬底的薄膜生长速率相等，衬底上形成的薄膜厚度均匀。

由上可知，本申请的一种化学气相沉积装置，朝衬托器2输送原料气体的浓度随高度下降而减小的外延气体，能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而避免由于位于衬托器2较低位置的衬底先进行化学气相沉积而造成的衬底上方的原料气体浓度沿气体流动方向的降低的问题，位于衬托器2较高位置上的衬底的薄膜生长速率与位于衬托器2较低位置上的衬底的薄膜生长速率相等，衬底上形成的薄膜厚度均匀。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种化学气相沉积装置，用于衬底的外延生长，包括反应腔（1），其特征在于，所述化学气相沉积装置还包括：

衬托器（2），倾斜设置在所述反应腔（1）内，用于放置所述衬底；

供气组件（3），设置在所述反应腔（1）的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路（32），多条所述进气气路（32）分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件（3）通过所述进气气路（32）朝所述衬托器（2）输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述反应腔（1）为收缩结构,所述反应腔（1）沿所述外延气体的流动方向收缩。

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述供气组件（3）朝所述衬托器（2）输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而平滑下降。

4.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述供气组件（3）朝所述反应腔（1）输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而平滑下降。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积装置还包括与所述反应腔（1）一体连接的进气腔（4）和出气腔（5），所述进气腔（4）设置在所述供气组件（3）和所述反应腔（1）之间，所述出气腔（5）设置在所述反应腔（1）的另一端。

6.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述衬托器（2）通过安装板（6）和旋转轴（7）安装在所述反应腔（1）内，所述旋转轴（7）与所述衬托器（2）固定连接。

7.根据权利要求6所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积装置还包括驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述旋转轴（7）旋转。

8.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述衬底的圆心位于在所述衬托器（2）顶面的几何中心上。

9.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述衬托器（2）的长度方向与水平方向形成的夹角的角度为5-30°。

10.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述衬托器（2）与所述反应腔（1）的上内壁面和下内壁面均存在间隙。

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