CN215547806U - 一种单晶片抛光用抛光垫 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种单晶片抛光用抛光垫，涉及单晶片加工技术领域，其技术方案要点是包括抛光层，抛光层的一侧开设有呈放射状分布的凹槽，凹槽远离抛光层中心的一侧贯穿抛光层，抛光层靠近凹槽所在的一侧喷涂有磨砂层，且磨砂层位于相邻两个凹槽所围成的区域内，效果是通过设置磨砂层，利用磨砂层对物体表面进行抛光处理，这样每次磨损的只是磨砂层，每次只需补喷磨砂颗粒即可，大大提高抛光垫的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶片加工技术领域，更具体地说，它涉及一种单晶片抛光用抛光垫。
背景技术
单晶片，一种用于制作半导体的材料，抛光垫是通过连接在相应的机器上使用的，通过机器带动抛光垫旋转对零件表面进行抛光处理。
目前，市场上的(申请号为202020844279.2的中国专利公开了一种抛光垫、抛光装置)，它通过在抛光垫的凹槽中设置填充物，随着抛光垫的厚度逐渐减小，不断清除填充物，达到凹槽深度不变的效果，提升了抛光垫的使用寿命，但是在凹槽的内部添加填充物，抛光片的厚度仍然在不断减小，需要对此类型的抛光垫进行改进，以提高抛光垫的使用寿命。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种使用寿命得到提高的单晶片抛光用抛光垫。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：一种单晶片抛光用抛光垫，包括抛光层，抛光层的一侧开设有呈放射状分布的凹槽，凹槽远离抛光层中心的一侧贯穿抛光层，抛光层靠近凹槽所在的一侧喷涂有磨砂层，且磨砂层位于相邻两个凹槽所围成的区域内。
优选地，抛光层背离磨砂层所在的一侧固定连接有弹性层，弹性层背离抛光层所在的一侧固定连接有底层。
优选地，弹性层为弹性乳胶。
优选地，抛光层靠近凹槽的一侧固定安装有呈放射状分布的挡板，距离较近的两个挡板之间围成区域的宽度与凹槽的宽度值相等。
优选地，凹槽的内部活动卡接有卡板，当卡板位于凹槽的内部时，卡板的外侧壁与凹槽的侧壁贴合。
与现有技术相比，本实用新型具备以下有益效果：
1、通过设置磨砂层，利用磨砂层对物体表面进行抛光处理，这样每次磨损的只是磨砂层，每次只需补喷磨砂颗粒即可，大大提高抛光垫的使用寿命。
2、通过设置挡板，在抛光的过程中，磨砂层逐渐变薄，当磨砂层的厚度与挡板的厚度相等时，就需要补喷磨砂颗粒，便于人们的观察。
3、在补喷磨砂颗粒时，将卡板放置在凹槽的内部，避免磨砂颗粒进入凹槽的内部垫高凹槽的高度，从而影响凹槽的正常使用。
附图说明
图1为本实用新型实施例的示意图；
图2为本实用新型实施例的卡板结构示意图；
图3为本实用新型实施例的分层结构示意图。
1、磨砂层；2、凹槽；3、挡板；4、卡板；5、底层；6、抛光层；7、弹性层。
具体实施方式
参照图1至图3对本实用新型一种单晶片抛光用抛光垫实施例做进一步说明。
见图1，一种单晶片抛光用抛光垫，包括抛光层6，抛光层6的一侧开设有呈放射状分布的凹槽2，凹槽2远离抛光层6中心的一侧贯穿抛光层6，抛光层6靠近凹槽2所在的一侧喷涂有磨砂层1，且磨砂层1位于相邻两个凹槽2所围成的区域内。每次在抛光层6的一侧喷涂磨砂颗粒，形成磨砂层1，利用磨砂层1对物体表面进行抛光处理，每次磨损的只有磨砂层1，每次只需不断喷涂磨砂颗粒即可，可大大提高该抛光垫的使用寿命。
见图3，抛光层6背离磨砂层1所在的一侧固定连接有弹性层7，弹性层7背离抛光层6所在的一侧固定连接有底层5。弹性层7的弹性较好，对物体表面一些不平整的区域进行抛光时，弹性层7的设置弥补抛光垫形貌变化对抛光效果的影响。
见图3，弹性层7为弹性乳胶。
见图1，抛光层6靠近凹槽2的一侧固定安装有呈放射状分布的挡板3，距离较近的两个挡板3之间围成区域的宽度与凹槽2的宽度值相等。通过设置挡板3，每次喷涂好磨砂颗粒形成磨砂层1后，磨砂层1背离抛光层6一侧所在的平面位于挡板3背离抛光层6一侧所在平面的前方，在抛光的过程中便于人们的观察，磨砂层1在打磨的过程中会慢慢变薄，当磨砂层1背离抛光层6一侧所在的平面与挡板3背离抛光层6一侧所在平面重合时，就需要在磨砂层1的表面喷涂磨砂颗粒，有效避免挡板3的磨损。
见图2，凹槽2的内部活动卡接有卡板4，当卡板4位于凹槽2的内部时，卡板4的外侧壁与凹槽2的侧壁贴合。在喷涂磨砂颗粒时，将卡板4放置在凹槽2的内部，避免磨砂库里进入凹槽2的内部，从而保证凹槽2可以顺利的分流液体。
工作原理：利用磨砂层1对物体表面进行抛光，磨砂层1在打磨的过程中会慢慢变薄，当磨砂层1背离抛光层6一侧所在的平面与挡板3背离抛光层6一侧所在平面重合时，此时就需要补喷磨砂颗粒，使得形成的磨砂层1的厚度大于挡板3的厚度，在喷涂磨砂颗粒时，将卡板4放置在凹槽2的内部，避免磨砂库里进入凹槽2的内部，即可。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种单晶片抛光用抛光垫，包括抛光层(6)，其特征是：抛光层(6)的一侧开设有呈放射状分布的凹槽(2)，凹槽(2)远离抛光层(6)中心的一侧贯穿抛光层(6)，抛光层(6)靠近凹槽(2)所在的一侧喷涂有磨砂层(1)，且磨砂层(1)位于相邻两个凹槽(2)所围成的区域内。
2.根据权利要求1所述的一种单晶片抛光用抛光垫，其特征是：抛光层(6)背离磨砂层(1)所在的一侧固定连接有弹性层(7)，弹性层(7)背离抛光层(6)所在的一侧固定连接有底层(5)。
3.根据权利要求2所述的一种单晶片抛光用抛光垫，其特征是：弹性层(7)为弹性乳胶。
4.根据权利要求1所述的一种单晶片抛光用抛光垫，其特征是：抛光层(6)靠近凹槽(2)的一侧固定安装有呈放射状分布的挡板(3)，距离较近的两个挡板(3)之间围成区域的宽度与凹槽(2)的宽度值相等。
5.根据权利要求1所述的一种单晶片抛光用抛光垫，其特征是：凹槽(2)的内部活动卡接有卡板(4)，当卡板(4)位于凹槽(2)的内部时，卡板(4)的外侧壁与凹槽(2)的侧壁贴合。
Priority Applications (1)
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| CN202121721977.4U CN215547806U (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 一种单晶片抛光用抛光垫 |
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| CN202121721977.4U CN215547806U (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 一种单晶片抛光用抛光垫 |
Publications (1)
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Country Status (1)
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN115008342A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-06 | 安徽禾臣新材料有限公司 | 一种晶片抛光用防崩角的无蜡垫及其生产工艺 |
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2021
- 2021-07-27 CN CN202121721977.4U patent/CN215547806U/zh active Active
Cited By (2)
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| CN115008342A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-06 | 安徽禾臣新材料有限公司 | 一种晶片抛光用防崩角的无蜡垫及其生产工艺 |
| CN115008342B (zh) * | 2022-06-15 | 2023-08-25 | 安徽禾臣新材料有限公司 | 一种晶片抛光用防崩角的无蜡垫及其生产工艺 |
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