CN215277239U - 一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构；所述支撑机构顶部的一侧安装有智能控制器，所述支撑机构的顶部通过固定杆安装有隔热罐，所述隔热罐的内部设有反应罐，所述反应罐顶部的一侧设有破碎装置，所述反应罐的内部设有搅拌装置,所述隔热罐与反应罐之间设置有水腔，所述隔热罐顶部一侧设有进水口；本实用新型通过反应罐顶部一侧设置的破碎装置将固体的盐酸和硝酸在通过第一粉碎辊和第二粉碎辊啮合转动时碾碎成粉后掉落到反应罐的内部，粉状的盐酸和硝酸能够快速与水发生化学反应，再通过搅拌装置的搅拌，能够加快反应的速率，从而提高制备硅蚀刻液的生产效率。

Description

一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置

技术领域

本实用新型涉及蚀刻液制备技术领域，具体为一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置。

背景技术

蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT～LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)的蚀刻液通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。

现有的半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置存在的缺陷是：

1、现有的半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，盐酸与水反应时会产生巨大热量，造成装置外币温度过高，极容易烫伤工作人员，并且产生的热量无法利用，造成资源浪费。

2、现有的半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置在进行制备时，由于盐酸和硝酸多为固体，固体的盐酸和硝酸在与与水发生时反应速率较慢，使整个制备的过程工作效率降低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构；所述支撑机构顶部的一侧安装有智能控制器，所述支撑机构的顶部通过固定杆安装有隔热罐，所述隔热罐的内部设有反应罐，所述反应罐顶部的一侧设有破碎装置，所述反应罐的内部设有搅拌装置；

所述隔热罐与反应罐之间设置有水腔，所述隔热罐顶部一侧设有进水口，且进水口的顶部通过螺纹结构安装有保护盖，所述隔热罐底部的一侧设有出水口，且出水口的表面设有第二阀门；

所述破碎装置包括有破碎腔、第一粉碎辊、第二粉碎辊、固体进料口和第二电机，所述破碎腔的底部与反应罐连通，所述破碎腔的内部通过轴承安装第一粉碎辊和第二粉碎辊，且第一粉碎辊和第二粉碎辊相互啮合，所述破碎腔后侧与第一粉碎辊对应的位置处安装有第二电机，且第二电机的输出端通过转动轴与第一粉碎辊的一端固定连接，所述破碎腔顶部的中央位置处设有固体进料口。

优选的，所述支撑机构包括支撑杆和支撑板，且支撑板底部的四角安装有支撑杆。

优选的，所述支撑杆的底部安装有横板，且横板的底部安装有防滑垫，且防滑垫的底部表面等间距设置有凸点。

优选的，所述智能控制器的表面上下等间距设置有第一控制钮和第二控制钮，且智能控制器通过导线固定连接有插头。

优选的，所述反应罐的底部中间位置处设置有出液口，且出液口的底部表面设有第一阀门。

优选的，所述反应罐顶端远离破碎机破碎装置的一侧设置有注水口，且注水口的顶部通过螺纹结构固定连接注水盖。

优选的，所述搅拌装置包括有搅拌杆、搅拌页、连接块、连接杆和第一电机，所述反应罐的顶部中央位置处设置有第一电机，且第一电机的输出端通过转动轴安装有搅拌杆，且搅拌杆位于反应罐的内部表面设有搅拌页。

优选的，所述搅拌杆的底端设有连接块，且连接块的两侧安装有连接杆，且连接杆的底端与反应罐的内底部固定连接。

优选的，所述支撑机构的内底部放置有集液箱，且集液箱与出液口的位置相对应。

优选的，所述智能控制器通过导线分别与第一电机和第二电机电性连接与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型通过反应罐与隔热罐之间设置有水腔，水腔的内部加入冷水水，因此在盐酸和硝酸反应时产生的热量被冷水吸收，避免隔热罐外部温度过高对人员造成烫伤，同时也可以对盐酸和硝酸反应时产生的热量进行回收再利用，当隔热罐内部的冷水吸收热量变成温水时，人员可以将隔热罐内部温水放出进行使用，可以使资源得到合理利用。

2、本实用新型通过反应罐顶部一侧设置的破碎装置将固体的盐酸和硝酸在通过第一粉碎辊和第二粉碎辊啮合转动时碾碎成粉后掉落到反应罐的内部，粉状的盐酸和硝酸能够快速与水发生化学反应，再通过搅拌装置的搅拌，能够加快反应的速率，从而提高制备硅蚀刻液的生产效率。

附图说明

图1为本实用新型的正面剖视结构示意图；

图2为本实用新型的俯视结构示意图；

图3为本实用新型的图1中A处放大示意图；

图4为本实用新型的图1中B处放大示意图。

图中：1、支撑机构；101、支撑杆；102、支撑板；103、横板；104、防滑垫；2、智能控制器；201、第一控制钮；202、第二控制钮；203、插头；3、固定杆；4、隔热罐；5、反应罐；501、出液口；502、第一阀门；503、注水口；504、注水盖；6、水腔；601、进水口；602、保护盖；603、第二阀门；604、出水口；7、搅拌装置；701、搅拌杆；702、搅拌页；703、连接块；704、连接杆；705、第一电机；8、破碎装置；801、破碎腔；802、第一粉碎辊；803、第二粉碎辊；804、固体进料口；805、第二电机；9、集液箱。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参阅图1-4，本实用新型提供的一种实施例：一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构1；支撑机构1顶部的一侧安装有智能控制器2，支撑机构1的顶部通过固定杆3安装有隔热罐4，隔热罐4的内部设有反应罐5，反应罐5顶部的一侧设有破碎装置8，反应罐5的内部设有搅拌装置7；

隔热罐4与反应罐5之间设置有水腔6，隔热罐4顶部一侧设有进水口601，且进水口601的顶部通过螺纹结构安装有保护盖602，隔热罐4底部的一侧设有出水口604，且出水口604的表面设有第二阀门603；

破碎装置8包括有破碎腔801、第一粉碎辊802、第二粉碎辊803、固体进料口804和第二电机805，破碎腔801的底部与反应罐5连通，破碎腔801的内部通过轴承安装第一粉碎辊802和第二粉碎辊803，且第一粉碎辊802和第二粉碎辊803相互啮合，破碎腔801后侧与第一粉碎辊802对应的位置处安装有第二电机805，且第二电机805的输出端通过转动轴与第一粉碎辊802的一端固定连接，破碎腔801顶部的中央位置处设有固体进料口804；

具体的，如图1和图2所示，在使用该设备时，首先将支撑机构1放置到指定位置处，将反应罐5通过固定杆3安装到支撑机构1的顶部中央位置处，通过按压智能控制器2将第二电机805启动，由第二电机805通过转轴带动第一粉碎辊802和第二粉碎辊803转动，将固体盐酸和硝酸依次通过固体进料口804加入至破碎腔801的内部，在第一粉碎辊802和第二粉碎辊803的啮合作用下，将固体的盐酸和硝酸碾碎成粉末状后掉落到反应罐5的内部，在反应罐5的内部发生化学反应，在盐酸和硝酸与水发生化学反应时会释放很多的热量，隔热罐4设置，防止反应时装置外壁温度过高出现烫伤工作人员的情况，通过进水口601向水腔6的内部加入冷水水，能够利用水吸收反应罐5内部散发的热量，从而使水腔6内部的水由冷水变成温水，反应完成后通过拧开第一阀门502，反应完成后的硅蚀刻液向外排出，拧开第二阀门603，将水腔6内温水从出水口604内向外排出，进行使用。

进一步，支撑机构1包括有支撑杆101和支撑板102，且支撑板102底部的四个角安装有支撑杆101；

具体的，如图1和图2所示，支撑杆101设置在支撑板102底部的四周，能够增加装置与地面的接触面积，从而增加装置的稳定性。

进一步，支撑杆101的底部安装有横板103，且横板103的底部安装有防滑垫104，且防滑垫104的底部表面等间距设置有凸点；

具体的，如图1和图3所示，横板103的设置能够增大装置与地面的接触接触面积，并且防滑垫104的凸点设置能够增大支撑杆101与地面的摩擦力。

进一步，支撑机构1顶部的一侧设置有智能控制器2，且智能控制器2的表面上下等间距设置有第一控制钮201和第二控制钮202，且智能控制器2通过导线固定连接有插头203；

具体的，如图1和图2所示，智能控制器2表面第一控制钮201和第二控制钮202的设置，能够智能控制第一电机705和第二电机805的开启和关闭，同时插头203的设置，能够为第一电机705和第二电机805提供动力源。

进一步，反应罐5的底部中间位置处设置有出液口501，且出液口501的底端表面设有第一阀门502；

具体的，如图1和图2所示，通过出液口501可以往反应罐5的内腔内的溶液向外排出，第一阀门502设置，能够控制出液口501的开合。

进一步，反应罐5顶端远离破碎装置8的一侧设置有注水口503，且注水口503的顶部通过螺纹结构固定连接有注水盖504；

具体的，如图1和图2所示，能够注水口503向反应罐5的内部加入水，为制备溶液做准备，注水盖504的设置，能够防止反应罐5的内部发生化学反应时外溅伤人。

进一步，搅拌装置7包括有搅拌杆701、搅拌页702、连接块703、连接杆704和第一电机705，反应罐5的顶部中央位置处设置有第一电机705，且第一电机705的输出端通过转动轴安装有搅拌杆701，且搅拌杆701位于反应罐5的内部表面设有搅拌页702；

具体的，如图1和图2所示，搅拌装置7的设置，由第一电机705能够带动搅拌杆701转动，且搅拌杆701上的搅拌页702能够加速溶液的流动速率能够加速反应罐5内部的溶液反应的速率，从而加快制备溶液的生产效率。

进一步，搅拌杆701的底端设有连接块703，且连接块703的两侧安装有连接杆704，且连接杆704的底端与反应罐5的内底部固定连接；

具体的，如图1和图2所示，连接块703的设置，能够增强搅拌杆701在转动过程中的稳定性，并且连接杆704能够增强搅拌装置7在反应罐5内腔里面的稳定性。

进一步，支撑机构1的内底部放置有集液箱9，且集液箱9与出液口501的位置相对应；

具体的，如图1和图2所示，集液箱9设置能够将反应罐5内部反应后的溶液进行收集，以便工作人员后续使用。

进一步，智能控制器2通过导线分别与第一电机705和第二电机805电性连接；

具体的，如图1和图2所示，智能控制器2的设置，能够控制第一电机705和第二电机805的开启和关闭。

工作原理：如图1和图3所示，在使用该设备时，首先将支撑机构1放置到指定位置处，将反应罐5通过固定杆3安装到支撑机构1的顶部中央位置处，将插头203与外部电源连接，使智能控制器2的内部通电进行使用，按压智能控制器2表面的第一控制钮201启动第二电机805，由第二电机805通过转轴带动第一粉碎辊802和第二粉碎辊803转动，将固体盐酸和硝酸依次通过固体进料口804加入至破碎腔801的内部，在第一粉碎辊802和第二粉碎辊803的啮合作用下，将固体的盐酸和硝酸碾碎成粉末状后掉落到反应罐5的内部，在反应罐5的内部发生化学反应，通过控制第一控制钮201将第一电机705启动，由第一电机705的输出端带动搅拌杆701转动，且搅拌杆701上的搅拌页702能够加速溶液的流动速率，加快反应的速率，在盐酸和硝酸与水发生化学反应时会释放很多的热量，隔热罐4的设置防止反应时装置外壁温度过高出现烫伤工作人员的情况，通过进水口601向水腔6的内部加入冷水，能够利用冷水吸收反应罐5内部散发的热量，从而使水腔6内部的水温度升高，反应完成后通过拧开第一阀门502，反应完成后的蚀刻液向外排到集液箱9的内部，由集液箱9进行收集，留以工作人员后续使用，拧开第二阀门603，将水腔6内的温水从出水口604内向外排出，进行使用，不仅可以使资源得到合理利用，且能够增加硅蚀刻液制备的生产效率。

本实用新型未详述之处，均为本领域技术人员的公知技术。

最后所要说明的是：以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改和等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (10)

1.一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构(1)；其特征在于：所述支撑机构(1)顶部的一侧安装有智能控制器(2)，所述支撑机构(1)的顶部通过固定杆(3)安装有隔热罐(4)，所述隔热罐(4)的内部设有反应罐(5)，所述反应罐(5)顶部的一侧设有破碎装置(8)，所述反应罐(5)的内部设有搅拌装置(7)；

所述隔热罐(4)与反应罐(5)之间设置有水腔(6)，所述隔热罐(4)顶部一侧设有进水口(601)，且进水口(601)的顶部通过螺纹结构安装有保护盖(602)，所述隔热罐(4)底部的一侧设有出水口(604)，且出水口(604)的表面设有第二阀门(603)；

所述破碎装置(8)包括有破碎腔(801)、第一粉碎辊(802)、第二粉碎辊(803)、固体进料口(804)和第二电机(805)，所述破碎腔(801)的底部与反应罐(5)连通，所述破碎腔(801)的内部通过轴承安装第一粉碎辊(802)和第二粉碎辊(803)，且第一粉碎辊(802)和第二粉碎辊(803)相互啮合，所述破碎腔(801)后侧与第一粉碎辊(802)对应的位置处安装有第二电机(805)，且第二电机(805)的输出端通过转动轴与第一粉碎辊(802)的一端固定连接，所述破碎腔(801)顶部的中央位置处设有固体进料口(804)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述支撑机构(1)包括支撑杆(101)和支撑板(102)，且支撑板(102)底部的四角安装有支撑杆(101)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述支撑杆(101)的底部安装有横板(103)，且横板(103)的底部安装有防滑垫(104)，且防滑垫(104)的底部表面等间距设置有凸点。

4.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述智能控制器(2)的表面上下等间距设置有第一控制钮(201)和第二控制钮(202)，且智能控制器(2)通过导线固定连接有插头(203)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述反应罐(5)的底部中间位置处设置有出液口(501)，且出液口(501)的底部表面设有第一阀门(502)。

6.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述反应罐(5)顶端远离破碎装置(8)的一侧设置有注水口(503)，且注水口(503)的顶部通过螺纹结构固定连接注水盖(504)。

7.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述搅拌装置(7)包括有搅拌杆(701)、搅拌页(702)、连接块(703)、连接杆(704)和第一电机(705)，所述反应罐(5)的顶部中央位置处设置有第一电机(705)，且第一电机(705)的输出端通过转动轴安装有搅拌杆(701)，且搅拌杆(701)位于反应罐(5)的内部表面设有搅拌页(702)。

8.根据权利要求7所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述搅拌杆(701)的底端设有连接块(703)，且连接块(703)的两侧安装有连接杆(704)，且连接杆(704)的底端与反应罐(5)的内底部固定连接。

9.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述支撑机构(1)的内底部放置有集液箱(9)，且集液箱(9)与出液口(501)的位置相对应。

10.根据权利要求1所述的一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，其特征在于：所述智能控制器(2)通过导线分别与第一电机(705)和第二电机(805)电性连接。

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