CN215266335U - 双色红外探测器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本实用新型的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，如此保证了各波段器件的最佳性能。

Description

双色红外探测器

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，具体地讲，涉及一种双色红外探测器。

背景技术

红外辐射探测是红外技术的重要组成部分，广泛应用于热成像、卫星遥感、气体监测、光通讯、光谱分析等领域。锑化物二类超晶格(InAs/GaSb或 InAs/InAsSb)红外探测器由于具有均匀性好、俄歇复合率低、波长调节范围大等特点被认为是制备第三代红外探测器最理想的选择之一。相对于碲镉汞红外探测器(HgCdTe)，它的均匀性重复性更好、成本更低、在长波甚长波段性能更好；相对于量子阱红外探测器(QWIP)，它的量子效率更高、暗电流更小、工艺更简单。目前，锑化物二类超晶格红外探测器业已实现产业化。

此外，在长波长探测波段(8～12μm)，成熟的锑化物超晶格器件结构中基本都使用InAs/GaSb超晶格作为吸收区，因为InAs/GaSb超晶格容易找到与其匹配的异质结构，且在长波波段吸收系数大。而在中波长探测波段(3～5μm)，目前性能最佳的探测器使用的是InAs/InAsSb超晶格，因为在中波波段与InAs/GaSb 超晶格相比，InAs/InAsSb超晶格吸收系数更大，少子寿命更长。

能够同时探测两个红外波段信息的双色探测器具有更大的吸引力。双色探测器可以获得目标的绝对温度，抑制背景干扰，增加探测和识别距离，降低虚警率。双色红外探测器一般采用两个PN结背靠背放在一起的形式，每个PN结对应一个吸收波段。正偏压时一个波段工作，反偏压时另一个波段工作。对于能同时探测中波长和长波长信号的双色探测器，目前吸收区均采用的是 InAs/GaSb超晶格。然而，这样的结构会使得双色探测器探测中波的性能不能达到最佳。

实用新型内容

为了解决现有技术存在的上述技术问题，本实用新型提供了一种中波通道吸收层由P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格制作而非 InAs/GaSb超晶格制作的双色红外探测器。

根据本实用新型的实施例的一方面提供的双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型 InPSb/InAs超晶格。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述中波长红外探测器还包括中波通道接触层、中波通道连接层，所述中波通道吸收层、所述中波通道势垒层以及所述中波通道连接层依序层叠于所述中波通道接触层上；所述长波长红外探测器还包括：长波通道连接层、长波通道接触层，所述长波通道连接层、所述长波通道势垒层、所述长波通道吸收层以及所述长波通道接触层依序层叠于所述中波通道连接层上；所述双色红外探测器还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述中波通道接触层上，所述第二电极设置于所述长波通道接触层上。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述中波通道势垒层的有效带宽大于所述中波通道吸收层的有效带宽，且所述中波通道势垒层的导带与所述中波通道吸收层的导带平齐。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述长波通道势垒层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽，且所述长波通道势垒层的导带与所述长波通道吸收层的导带平齐。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述中波通道吸收层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述中波长红外探测器的中波通道接触层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述中波长红外探测器的中波通道连接层为N型InPSb/InAs超晶格。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述长波长红外探测器的长波通道连接层为N型InPSb/InAs超晶格。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述长波长红外探测器的长波通道接触层为P型InAs/GaSb超晶格。

在上述一方面提供的双色红外探测器的一个示例中，所述第一电极和/或所述第二电极为Ti/Pt/Au结构或者Ti/Pd/Au结构。

有益效果：本实用新型的双色红外探测器的中波通道吸收层均采用了 InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，保证了各波段器件的最佳性能。此外，在根据本实用新型的双色红外探测器及其制作方法中，中波通道和长波通道均采用异质结来抑制暗电流，势垒材料为 InPSb/InAs超晶格，通过能带工程，InPSb/InAs超晶格能同时作为InAs/InAsSb (或InAsP/InAsSb)超晶格和InAs/GaSb超晶格的空穴势垒，减小了设计难度。进一步地，在根据本实用新型的双色红外探测器及其制作方法中，采用PNP结构，异质结居中，吸收层被置于N型连接层的两侧，空穴势垒包括异质结势垒和PN结势垒，从而使空穴势垒最大化，最大程度上抑制了电学串扰。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本实用新型的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是根据本实用新型的实施例的双色红外探测器的结构示意图；

图2是根据本实用新型的实施例的双色红外探测器的能带示意图；

图3是根据本实用新型的实施例的双色红外探测器中的InPSb/InAs超晶格和InAs/GaSb超晶格以及InAs/InAsSb超晶格各自的导带E_C和价带E_V的相对位置比对图；

图4a至图4d是根据本实用新型的实施例的双色红外探测器的制作流程图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本实用新型的具体实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本实用新型，并且本实用新型不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本实用新型的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本实用新型的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。

如本文中使用的，术语“包括”及其变型表示开放的术语，含义是“包括但不限于”。术语“基于”、“根据”等表示“至少部分地基于”、“至少部分地根据”。术语“实施例”、“一个示例”、“一个实施例”和“一实施例”表示“至少一个实施例”。术语“另一个实施例”、“另一实施例”、“另一个示例”、“又一个示例”表示“至少一个其他实施例”。术语“第一”、“第二”等可以指代不同的或相同的对象。下面可以包括其他的定义，无论是明确的还是隐含的。除非上下文中明确地指明，否则一个术语的定义在整个说明书中是一致的。

在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本实用新型，在附图中仅仅示出了与根据本实用新型的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了关系不大的其他细节。

如背景技术中所述，现有双色探测器的吸收区均采用的是InAs/GaSb超晶格，而这样的结构会使得双色探测器探测中波的性能不能达到最佳。因此，为了解决该问题，根据本实用新型的实施例提供了一种双色红外探测器及其制作方法。在该双色红外探测器中，包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型 InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。

因此，根据本实用新型的实施例的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，如此保证了各波段器件的最佳性能。

以下结合附图来说明根据本实用新型的实施例的双色红外探测器。图1是根据本实用新型的实施例的双色红外探测器的结构示意图。

如图1所示，根据本实用新型的实施例的双色红外探测器结构包括：衬底 10以及依序层叠设置于所述衬底10上的中波通道接触层20、中波通道吸收层 30、中波通道势垒层40、中波通道连接层50、长波通道连接层60、长波通道势垒层70、长波通道吸收层80、长波通道接触层90、设置于中波通道接触层20 上的第一电极100以及设置于所述长波通道接触层90上的第二电极110。其中，作为一个示例，中波通道接触层20、中波通道吸收层30、中波通道势垒层40、中波通道连接层50构成中波长红外探测器，而长波通道连接层60、长波通道势垒层70、长波通道吸收层80、长波通道接触层90构成长波长红外探测器。

在根据本实用新型的实施例的双色红外探测器中，核心技术方案是采用P 型InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格作为中波通道吸收层30，采用P型 InAs/GaSb超晶格作为长波通道吸收层80，而采用N型InPSb/InAs超晶格分别作为中波通道势垒层40和长波通道势垒层70。在这种情况下，中波通道势垒层 40的有效带宽大于中波通道吸收层30的有效带宽，且中波通道势垒层40的导带与中波通道吸收层30的导带平齐，也就是形成了中波通道的空穴势垒。而长波通道势垒层70的有效带宽大于长波通道吸收层80的有效带宽，且长波通道势垒层70的导带与长波通道吸收层80的导带平齐，也就是形成了长波通道的空穴势垒。这样中波通道和长波通道均为单异质结结构，能够较好的抑制暗电流，并且不影响光电流的吸收，具体可以参照图2所示的根据本实用新型的实施例的双色红外探测器的能带示意图。

另外从图2可以看到，由于N型材料置于中间，P型吸收层置于两侧，这样空穴势垒包括异质结势垒和PN结势垒，从而使空穴势垒最大化，最大程度上抑制了电学串扰。

图3是根据本实用新型的实施例的双色红外探测器中的InPSb/InAs超晶格和InAs/GaSb超晶格以及InAs/InAsSb超晶格各自的导带E_C和价带E_V的相对位置比对图。

参照图3，可以看到InPSb/InAs超晶格和InAs/GaSb超晶格以及InAs/InAsSb 超晶格各自的导带E_C和价带E_V相对位置和形成空穴势垒的物理机制。由于 InPSb材料与InAs材料的价带E_V天然平齐，而InPSb/InAs超晶格形成微带后的价带E_V远低于InAs/GaSb超晶格和InAs/InAsSb超晶格的价带E_V；同时， InPSb/InAs超晶格的导带E_C可通过调节InPSb和InAs的厚度比例分别实现与 InAs/GaSb超晶格和InAs/InAsSb超晶格的导带E_C平齐，从而实现对于中波吸收层和长波吸收层的理想空穴势垒。

以下对根据本实用新型的实施例的双色红外探测器的制程进行详细说明。图4a至图4d是根据本实用新型的实施例的红外探测器的制作方法的制程图。

参照图4a，首先，提供一衬底10。

在一个示例中，衬底10为P型GaSb或InAs。优选地，衬底10为P型InAs，厚度可以为500μm，掺杂浓度可以为5×10¹⁶cm^-3。另外优选地，衬底10为P型 GaSb，厚度可以为500μm，掺杂浓度可以为2×10¹⁶cm^-3。

参照图4b，其次，在衬底10上依序层叠形成中波通道接触层20、中波通道吸收层30、中波通道势垒层40、中波通道连接层50、长波通道连接层60、长波通道势垒层70、长波通道吸收层80、长波通道接触层90。

在一个示例中，使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺作为生长工艺，生长源为TMGa、TMIn、TMSb、AsH₃和PH₃，N型掺杂源为SiH₄，P型掺杂源为DEZn，生长温度约为600℃，反应室压力为200Torr。在高温处理除去所述衬底10表面的杂质后，在所述衬底10上依次生长层叠的：

(1)中波通道接触层20。在一个示例中，中波通道接触层20为InAsP/InAsSb 超晶格，带宽为0.31eV，厚度为0.2μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为 1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，中波通道接触层20的厚度为0.5μm，掺杂源为 Zn，掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3。

(2)中波通道吸收层30。中波通道吸收层30为InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb 超晶格，带宽为0.31eV，厚度为2μm～5μm，P型掺杂，掺杂浓度为 1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。优选地，中波通道吸收层30为InAsP/InAsSb超晶格，厚度为4μm，掺杂源为Zn，掺杂浓度为5×10¹⁶cm^-3。

(3)中波通道势垒层40。中波通道势垒层40为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.5eV，导带与中波通道吸收层30保持平齐，厚度为0.1μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为5×10¹⁵cm^-3～5×10¹⁶cm^-3。优选地，中波通道势垒层40的厚度为 0.5μm，掺杂源为Zn，掺杂浓度为2×10¹⁶cm^-3。

(4)中波通道连接层50。中波通道连接层50为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.5eV，厚度为0.2μm～0.5μm，N型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，中波通道连接层50的厚度为0.5μm，掺杂源为Si，掺杂浓度为 5×10¹⁸cm^-3。

(5)长波通道连接层60。长波通道连接层60为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.55eV，厚度为0.2μm～0.5μm，N型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，长波通道连接层60厚度为0.5μm，掺杂源为Si，掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3。

(6)长波通道势垒层70。长波通道势垒层70为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.55eV，导带与长波通道吸收层80保持平齐，厚度为0.1μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为5×10¹⁵cm^-3～5×10¹⁶cm^-3。优选地，长波通道势垒层70的厚度为 0.5μm，掺杂源为Zn，掺杂浓度为2×10¹⁶cm^-3。

(7)长波通道吸收层80。长波通道吸收层80为InAs/GaSb超晶格，带宽为0.1eV，厚度为2μm～5μm，P型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。优选地，长波通道吸收层80的厚度为5μm，掺杂源为Zn，掺杂浓度为5×10¹⁶cm^-3。

(8)长波通道接触层90，长波通道接触层90为InAs/GaSb超晶格，带宽为0.1eV，厚度为0.2μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，长波通道接触层90的厚度为0.5μm，掺杂源为Zn，掺杂浓度为 1×10¹⁹cm^-3。

这里，中波通道吸收层带宽0.31eV，对应波长4μm，长波通道吸收层带宽 0.1eV，对应波长12μm，如此波长覆盖范围较大。生长采用了MOCVD工艺，能够减小成本、提高性价比，整体工艺流程比较适合制作焦平面探测器阵列。

在另一个示例中，使用分子束外延工艺(MBE)作为生长工艺，生长源为固态单质源In、Ga、As、P和Sb，N型掺杂源为Te，P型掺杂源为Be，生长温度约400℃。在高温处理除去所述衬底10表面的杂质后，在所述衬底10上依次生长层叠的：

(1)中波通道接触层20。在一个示例中，中波通道接触层20为InAsP/InAsSb 超晶格，带宽为0.25eV，厚度为0.2μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为 1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，中波通道接触层20的厚度为0.2μm，掺杂源为 Be，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3

(2)中波通道吸收层30。中波通道吸收层30为InAs/InAsSb超晶格，带宽为0.25eV，厚度为2μm～5μm，P型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。优选地，中波通道吸收层30的厚度为2μm，掺杂源为Be，掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3。

(3)中波通道势垒层40。中波通道势垒层40为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.4eV，导带与中波通道吸收层30保持平齐，厚度为0.1μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为5×10¹⁵cm^-3～5×10¹⁶cm^-3。优选地，中波通道势垒层40的厚度为 0.1μm，掺杂源为Be，掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3。

(4)中波通道连接层50。中波通道连接层50为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.4eV，厚度为0.2μm～0.5μm，N型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，中波通道连接层50的厚度为0.2μm，掺杂源为Te，掺杂浓度为 1×10¹⁸cm^-3。

(5)长波通道连接层60。长波通道连接层60为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.5eV，厚度为0.2μm～0.5μm，N型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，长波通道连接层60厚度为0.2μm，掺杂源为Te，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3。

(6)长波通道势垒层70。长波通道势垒层70为InPSb/InAs超晶格，带宽为0.5eV，导带与长波通道吸收层80保持平齐，厚度为0.1μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为5×10¹⁵cm^-3～5×10¹⁶cm^-3。优选地，长波通道势垒层70的厚度为0.1μm，掺杂源为Be，掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3。

(7)长波通道吸收层80。长波通道吸收层80为InAs/GaSb超晶格，带宽为0.12eV，厚度为2μm～5μm，P型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。优选地，长波通道吸收层80的厚度为2μm，掺杂源为Be，掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3。

(8)长波通道接触层90，长波通道接触层90为InAs/GaSb超晶格，带宽为0.12eV，厚度为0.2μm～0.5μm，P型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～1×10¹⁹cm^-3。优选地，长波通道接触层90的厚度为0.2μm，掺杂源为Be，掺杂浓度为 1×10¹⁸cm^-3。

这里，中波通道吸收层带宽0.25eV，对应波长5μm，长波通道吸收层带宽 0.12eV，对应波长10μm，是标准的中长波双色探测器波段。由于MBE工艺能形成陡峭界面，本实施例制备得到的双色红外探测器的性能较高。

参照图4c，接着，对长波通道接触层90、长波通道吸收层80、长波通道势垒层70、长波通道连接层60、中波通道连接层50、中波通道势垒层40和中波通道吸收层30进行局部刻蚀，使中波通道接触层20露出，以形成探测器台面结构A。

在一个示例中，可以采用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)工艺对长波通道接触层90、长波通道吸收层80、长波通道势垒层70、长波通道连接层60、中波通道连接层50、中波通道势垒层40和中波通道吸收层30进行局部刻蚀，使中波通道接触层20露出，以形成探测器台面结构A。

参照图4d，最后，在中波通道接触层20上形成第一电极100，且在长波通道接触层90上形成第二电极110。

在一个示例中，可以利用电子束蒸发工艺在中波通道接触层20上形成第一电极100，并在长波通道接触层90上形成第二电极110。在另一个示例中，第一电极100和第二电极110均为Ti

/Pt

/Au

组合。在又一个示例中，第一电极100和第二电极110均为Ti

/Pd

/Au

组合。

综上所述，根据本实用新型的实施例的双色红外探测器及其制作方法，中波通道吸收层均采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，保证了各波段器件的最佳性能。此外，在根据本实用新型的实施例的双色红外探测器及其制作方法中，中波通道和长波通道均采用异质结来抑制暗电流，势垒材料为InPSb/InAs超晶格，通过能带工程，InPSb/InAs超晶格能同时作为InAs/InAsSb(或InAsP/InAsSb)超晶格和 InAs/GaSb超晶格的空穴势垒，减小了设计难度。进一步地，在根据本实用新型的实施例的双色红外探测器及其制作方法中，采用PNP结构，异质结居中，吸收层被置于N型连接层的两侧，空穴势垒包括异质结势垒和PN结势垒，从而使空穴势垒最大化，最大程度上抑制了电学串扰。

在整个本说明书中使用的术语“示例性”、“示例”等意味着“用作示例、实例或例示”，并不意味着比其它实施例“优选”或“具有优势”。出于提供对所描述技术的理解的目的，具体实施方式包括具体细节。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实施这些技术。在一些实例中，为了避免对所描述的实施例的概念造成难以理解，公知的结构和装置以框图形式示出。

以上结合附图详细描述了本实用新型的实施例的可选实施方式，但是，本实用新型的实施例并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的实施例的技术构思范围内，可以对本实用新型的实施例的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的实施例的保护范围。

本说明书内容的上述描述被提供来使得本领域任何普通技术人员能够实现或者使用本说明书内容。对于本领域普通技术人员来说，对本说明书内容进行的各种修改是显而易见的，并且，也可以在不脱离本说明书内容的保护范围的情况下，将本文所定义的一般性原理应用于其它变型。因此，本说明书内容并不限于本文所描述的示例和设计，而是与符合本文公开的原理和新颖性特征的最广范围相一致。

Claims (10)

1.一种双色红外探测器，其特征在于，包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。

2.根据权利要求1所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波长红外探测器还包括中波通道接触层、中波通道连接层，所述中波通道吸收层、所述中波通道势垒层以及所述中波通道连接层依序层叠于所述中波通道接触层上；

所述长波长红外探测器还包括：长波通道连接层、长波通道接触层，所述长波通道连接层、所述长波通道势垒层、所述长波通道吸收层以及所述长波通道接触层依序层叠于所述中波通道连接层上；

所述双色红外探测器还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述中波通道接触层上，所述第二电极设置于所述长波通道接触层上。

3.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波通道势垒层的有效带宽大于所述中波通道吸收层的有效带宽，且所述中波通道势垒层的导带与所述中波通道吸收层的导带平齐。

4.根据权利要求3所述的双色红外探测器，其特征在于，所述长波通道势垒层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽，且所述长波通道势垒层的导带与所述长波通道吸收层的导带平齐。

5.根据权利要求4所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波通道吸收层的有效带宽大于所述长波通道吸收层的有效带宽。

6.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波长红外探测器的中波通道接触层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格。

7.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述中波长红外探测器的中波通道连接层为N型InPSb/InAs超晶格。

8.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述长波长红外探测器的长波通道连接层为N型InPSb/InAs超晶格。

9.根据权利要求1或2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述长波长红外探测器的长波通道接触层为P型InAs/GaSb超晶格。

10.根据权利要求2所述的双色红外探测器，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极为Ti/Pt/Au结构或者Ti/Pd/Au结构。

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