CN215251125U - 一种气相沉积炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及沉积炉领域，更具体的说是一种气相沉积炉，包括包括箱体、挡板、滑槽、抽取管、加热器和控制槽，挡板滑动连接在箱体上，滑槽固接在箱体上，滑槽设置有两个，两个滑槽分别设置在箱体的两端上，箱体上设置有抽取管，抽取管上连接有真空本，箱体上设置有加热器，箱体上设置有控制槽，还包括支撑板和夹块，滑槽上滑动连接有支撑板，支撑板的两端上均滑动连接有夹块，两个夹块上均套接有拉簧，支撑板设置有两个，两个支撑板分别滑动连接在两个滑槽上，通过两个夹块将被覆基板进行固定通过抽取管将箱体内抽真空，使用加热器将箱体内温度升高使待镀材料烘干，待镀材料气化后在箱体内飞行至被覆基板的表面使被覆基板表面镀膜。
Description
技术领域
本实用新型涉及沉积炉领域，更具体的说是一种气相沉积炉。
背景技术
例如申请号201922484193.3的一种气相沉积炉其技术方案要点是一种气相沉积炉包括加热炉体和料架；加热炉体具有反应空腔，加热炉体内设有布气管道，布气管道的中部还设有将布气管道的通道隔断的隔板，布气管道的两端均设有为布气管道供气的进气管道；加热炉体的两端设有与反应空腔连通的排气管道、控制排气管道开闭的排气阀，气相沉积炉还设有与排气管道连接的真空泵；料架包括旋转轴和安装于旋转轴的转筒；加热炉体还设有驱动转筒旋转的驱动电机，加热炉体还设有旋转支撑于旋转轴两端的支撑组件，所述气相沉积炉中在反应过程中反应空腔内的反应气体较为均匀，提升了纤维材料表面的沉积层的质量，但是该实用新型无法旋转待镀材料提高镀膜质量。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种气相沉积炉，可以旋转待镀材料提高镀膜质量。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：
一种气相沉积炉，包括箱体、挡板、滑槽、抽取管、加热器和控制槽，挡板滑动连接在箱体上，滑槽固接在箱体上，滑槽设置有两个，两个滑槽分别设置在箱体的两端上，箱体上设置有抽取管，抽取管上连接有真空本，箱体上设置有加热器，箱体上设置有控制槽。
还包括支撑板和夹块，滑槽上滑动连接有支撑板，支撑板的两端上均滑动连接有夹块，两个夹块上均套接有拉簧，支撑板设置有两个，两个支撑板分别滑动连接在两个滑槽上。
还包括滑道、控制轴、滑块、转轴、伸缩杆和夹板，滑道固接在箱体上，控制轴转动连接在滑道上，滑块螺纹连接在控制轴上，滑道内滑动连接有滑块，滑块上转动连接有转轴，转轴的两端上均固接有伸缩杆，两个伸缩杆上均套接有拉簧，两个伸缩杆上均固接有夹板。
本实用新型一种气相沉积炉的有益效果为：
本实用新型一种气相沉积炉，可以将被覆基板放在支撑板上，通过两个夹块将被覆基板进行固定通过抽取管将箱体内抽真空，使用加热器将箱体内温度升高使待镀材料烘干，待镀材料气化后在箱体内飞行至被覆基板的表面使被覆基板表面镀膜。
附图说明
下面结合附图和具体实施方法对本实用新型做进一步详细的说明。
图1是本实用新型的总体示意图；
图2是箱体的结构示意图；
图3是支撑板的结构示意图；
图4是转轴与伸缩杆的连接示意图；
图5是箱体与挡板的连接示意图；
图6是箱体与滑道的连接示意图；
图7是转轴的结构示意图。
图中：
箱体1；
挡板2
滑槽3；
抽取管4；
支撑板5；
夹块6；
滑道7；
控制轴8；
滑块9；
转轴10；
伸缩杆11；
夹板12；
加热器13；
控制槽14。
具体实施方式
参看图1、4、7，示出了按照本发明中对待镀材料进行旋转移动的示意图，进一步地，
转轴10转动连接在滑块9上，伸缩杆11固接在转轴10上，伸缩杆11上连接有夹板12，通过移动伸缩杆11移动夹板12使夹板12对待镀材料进行固定防止待镀材料从转轴10上脱落，移动滑块9时可以带动转轴10旋转从而带动待镀材料旋转移动。
参看图1、4、7，示出了按照本发明中对待镀材料进行旋转移动的示意图，进一步地，
伸缩杆11的固定端上连接有拉簧，拉簧的另一端连接在夹板12上，当待镀材料放置在转轴10上时推动夹板12移动使伸缩杆11伸长，伸缩杆11伸长带动拉簧伸长，使拉簧产生反向拉力带动夹板12反向移动对待镀材料进行固定防止待镀材料从转轴上脱落。
参看图1、4、7，示出了按照本发明中对待镀材料进行旋转移动的示意图，进一步地，
伸缩杆11设置有两个，两个伸缩杆11分别固接在转轴10的两端上，两个伸缩杆11分别对待镀材料的两端进行固定，使待镀材料在转轴10转动时不会因为惯性影响从转轴10上脱落。
参看图1、4、6示出了按照本发明中控制待镀材料移动的示意图，进一步地，
滑道7内滑动连接有滑块9，滑块9与控制轴8螺纹连接，控制轴8转动连接在滑道7内，通过转动控制轴8来控制滑块9移动使滑块9在滑道7内移动，以此来带动转轴10移动，使转轴10上固定的待镀材料进行移动。
参看图1、5，示出了按照本发明中对装置内进行抽真空的示意图，进一步地，
箱体1上滑动连接有挡板2，箱体1上连接有抽取管4，滑动挡板2使挡板2将箱体1进行封闭，通过抽取管4上连接的真空泵将箱体1内进行抽真空加工使箱体1内成真空状况为后续待镀材料蒸发或升华在箱体1内飞行与被覆基板接触做准备。
参看图1、2、4、5，示出了按照本发明中对大夫材料进行加热的示意图，进一步地，
加热器设置在箱体1内当箱体1内部环在因抽取管4上连接的真空泵加工下逐渐变成真空状态时，通过加热器对箱体1内进行加热使箱体1内的温度升高，通过高温将待镀材料进行烘干使待镀材料上的气体与水汽从而提高装置的成膜效率与成膜质量。
参看图1、2、4、5、6，示出了按照本发明中对被覆基板进行固定的示意图，进一步地，
箱体1内设置有滑槽3，滑槽3设置有两个，两个滑槽3分别设置在箱体1的两端上，通过两个滑槽3将被覆基板进行定位，确保被覆基板在指定位置上。
参看图3，示出了按照本发明中对被覆基板进行固定的示意图，进一步地，
支撑板5滑动连接在滑槽3上，被覆基板放置在支撑板5上，当被覆基板放在支撑板5上时推动支撑板两端的夹块6滑动，两端的夹块6与被覆基板的两端接触，使被覆基板固定在支撑板5上，抽取管4将箱体1内进行抽真空加工，转动控制轴8带动滑块9移动，滑块9移动的过程中带动转轴10旋转，加热器13启动对箱体1内进行烘烤加热，移动滑块9使转轴10上固定的待镀材料移动道加热器13前，使加热器13能够将待镀材料上残留的气体与水汽去除，以此来提高膜层纯度提高镀膜质量，待镀材料加热道一定温度后开始气化，待镀材料气化的过程中转动控制轴8带动滑块9往复移动，滑块9移动时转轴10与控制槽14接触旋转通过转轴10旋转使转轴10上逐渐气化的待镀材料在箱体1内均匀飞行，使气化的待镀材料分子能够均匀的飞行道支撑板5上的被覆基板，以此提高装置的成膜质量。
参看图3，示出了按照本发明中对被覆基板进行固定的示意图，进一步地，
夹块6的一端上连接有拉簧，拉簧的另一端连接在支撑板5上，当两个夹块6被被覆基板推动时两个拉簧伸长，使两个拉簧产生反向力推动两个夹块6反向移动对被覆基板的两端进行固定，使被覆基板可以固定在支撑板5上不会受到外力影响从支撑板5上掉落。
参看图3，示出了按照本发明中对被覆基板进行固定的示意图，进一步地，
支撑板5设置有两个，两个支撑板5分别滑动连接在两个滑槽3上，使装置能够同时对两个被覆基板进行镀膜加工，两个支撑板5将被覆基板固定在支撑板5上使两个被覆基板不会受到外力影响从支撑板5上移动，使装置不会因为被覆基板的移动而导致加工失败。
Claims (10)
1.一种气相沉积炉，包括滑块(9)、转轴(10)、伸缩杆(11)和夹板(12)，其特征在于：所述滑块(9)上转动连接由转轴(10)，转轴(10)上固接有伸缩杆(11)，伸缩杆(11)上固接有夹板(12)。
2.根据权利要求1所述的一种气相沉积炉，其特征在于：所述伸缩杆(11)上套接有拉簧。
3.根据权利要求2所述的一种气相沉积炉，其特征在于：所述伸缩杆(11)设置有两个，两个伸缩杆(11)分别固接在转轴(10)的两端上。
4.根据权利要求1所述的一种气相沉积炉，其特征在于：还包括滑道(7)和控制轴(8)，滑道(7)上转动连接有控制轴(8)，控制轴(8)上螺纹连接有滑块(9)，滑块(9)滑动连接在滑道(7)内。
5.根据权利要求4所述的一种气相沉积炉，其特征在于：还包括箱体(1)、挡板(2)和抽取管(4)，箱体(1)上滑动连接有挡板(2)，箱体(1)内设置有抽取管(4)，抽取管(4)上连接有真空泵，箱体(1)上固接有滑道(7)。
6.根据权利要求5所述的一种气相沉积炉，其特征在于：还包括加热器(13)和控制槽(14)，加热器(13)固接在箱体(1)上，控制槽(14)固接在箱体(1)上，转轴(10)转动连接在控制槽(14)上。
7.根据权利要求4所述的一种气相沉积炉，其特征在于：还包括滑槽(3)，滑槽(3)设置有两个，两个滑槽(3)分别设置在箱体(1)的两端上。
8.根据权利要求7所述的一种气相沉积炉，其特征在于：还包括支撑板(5)和夹块(6)，支撑板(5)上滑动连接有夹块(6)，夹块(6)设置有两个，两个夹块(6)分别滑动连接在支撑板(5)的两端上，支撑板(5)滑动连接在滑槽(3)上。
9.根据权利要求8所述的一种气相沉积炉，其特征在于：所述两个夹块(6)上均设置有拉簧。
10.根据权利要求9所述的一种气相沉积炉，其特征在于：所述支撑板(5)设置有两个，两个支撑板(5)分别滑动连接在两个滑槽(3)上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202121674572.XU CN215251125U (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种气相沉积炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN215251125U true CN215251125U (zh) | 2021-12-21 |
Family
ID=79493823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202121674572.XU Active CN215251125U (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种气相沉积炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN215251125U (zh) |
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2021
- 2021-07-22 CN CN202121674572.XU patent/CN215251125U/zh active Active
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