CN215048712U - 一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，包括加料仓、烘干段、煅烧一段、煅烧二段和冷却段；加料仓连接在烘干段入口，烘干段出口与煅烧一段入口相连，煅烧一段出口与煅烧二段入口相连，煅烧二段出口与冷却段入口相连，其中，煅烧二段的煅烧温度大于煅烧一段的煅烧温度。本实用新型通过连续多段温区控制烧制过程，工序衔接紧密，降低能耗损失，低、高温烧制控制，烧制过程可调可控，能够有效的防止防止大颗粒球形碳酸钴在烧制成四氧化三钴的过程中球体表面开裂。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置。具体的说，是用在防止颗粒粒径在15-18um左右的球形四氧化三钴烧制过程中球体表面开裂的装置。
背景技术
大颗粒前驱体碳酸钴因其颗粒较大，结构紧密，在其烧制成四氧化三钴的过程中，会产生大量的二氧化碳气体。大量气体快速通过晶体表面时产生的动能极易造成大颗粒四氧化三钴结构开裂。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，通过多段温区控制烧制过程，在低温区段减缓烧制过程中二氧化碳的溢出速率，降低其动量防止其破坏四氧化三钴的晶体结构。
为实现上述目的，本实用新型的技术方案是：
一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，包括加料仓、烘干段、煅烧一段、煅烧二段和冷却段；加料仓连接在烘干段入口，烘干段出口与煅烧一段入口相连，煅烧一段出口与煅烧二段入口相连，煅烧二段出口与冷却段入口相连，其中，煅烧二段的煅烧温度大于煅烧一段的煅烧温度。
使用时，物料通过加料仓螺旋给料到烘干煅去除水分，使物料流动性提高，不易烧结，烘干后的物料进入煅烧一段，低温煅烧使物料缓缓分解出二氧化碳，防止表面开裂，再通过煅烧二段来控制煅烧后的产品品位、比表等参数使得产品符合各项指标。
作为本实用新型的一种改进，所述的烘干段的烘干温度为150℃至200℃。
作为本实用新型的一种改进，所述的煅烧一段的煅烧温度为300℃至350℃。
作为本实用新型的一种改进，所述的煅烧二段的煅烧温度为650℃至750℃。
本实用新型与现有技术相比，其有益效果在于：
本实用新型通过连续多段温区控制烧制过程，工序衔接紧密，降低能耗损失，低、高温烧制控制，烧制过程可调可控，能够有效的防止防止大颗粒球形碳酸钴在烧制成四氧化三钴的过程中球体表面开裂。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
附图标记说明：1-加料仓；2-烘干段；3-煅烧一段；4-煅烧二段；5-冷却段。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1所示，一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，包括加料仓1、烘干段2、煅烧一段3、煅烧二段4和冷却段5。
加料仓1连接在烘干段2入口，烘干段2出口与煅烧一段3入口相连，煅烧一段3出口与煅烧二段4入口相连，煅烧二段4出口则与冷却段5入口相连，煅烧一段3用于低温煅烧，煅烧二段4用于高温煅烧。
其中，烘干段2的烘干温度为150℃至200℃，煅烧一段3的煅烧温度为300℃至350℃，煅烧二段4的煅烧温度为650℃至750℃。
工作时，物料通过加料仓1螺旋给料到烘干煅2去除水分，使物料流动性提高才不易烧结。烘干后的物料进入煅烧一段3，低温煅烧使物料缓缓分解出二氧化碳，防止表面开裂，再通过煅烧二段4来控制煅烧后的产品品位、比表等参数使得产品符合各项指标。
本实用新型的装置，通过连续多段温区控制烧制过程，工序衔接紧密，降低能耗损失，低高温烧制控制，烧制过程可调可控，能够有效的防止防止大颗粒球形碳酸钴在烧制成四氧化三钴的过程中球体表面开裂。
上列详细说明是针对本实用新型可行实施例的具体说明，该实施例并非用以限制本实用新型的专利范围，凡未脱离本实用新型所为的等效实施或变更，均应包含于本案的专利范围中。
Claims (4)
1.一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，其特征在于：包括加料仓(1)、烘干段(2)、煅烧一段(3)、煅烧二段(4)和冷却段(5)；加料仓(1)连接在烘干段(2)入口，烘干段(2)出口与煅烧一段(3)入口相连，煅烧一段(3)出口与煅烧二段(4)入口相连，煅烧二段(4)出口与冷却段(5)入口相连，其中，煅烧二段(4)的煅烧温度大于煅烧一段(3)的煅烧温度。
2.根据权利要求1所述的一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，其特征在于：所述的烘干段(2)的烘干温度为150℃至200℃。
3.根据权利要求1所述的一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，其特征在于：所述的煅烧一段(3)的煅烧温度为300℃至350℃。
4.根据权利要求1所述的一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置，其特征在于：所述的煅烧二段(4)的煅烧温度为650℃至750℃。
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| CN202121413665.7U CN215048712U (zh) | 2021-06-24 | 2021-06-24 | 一种防止大颗粒四氧化三钴煅烧过程中开裂的装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114541157A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-05-27 | 华文煜 | 一种无纺全棉墙布的制作工艺 |
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2021
- 2021-06-24 CN CN202121413665.7U patent/CN215048712U/zh active Active
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