CN214956856U - 一种适用于深腔的引线连接结构 - Google Patents
一种适用于深腔的引线连接结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN214956856U CN214956856U CN202121038220.5U CN202121038220U CN214956856U CN 214956856 U CN214956856 U CN 214956856U CN 202121038220 U CN202121038220 U CN 202121038220U CN 214956856 U CN214956856 U CN 214956856U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead
- lead wire
- hole
- connection structure
- deep cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Abstract
本实用新型涉及电子封装技术领域,具体涉及一种适用于深腔的引线连接结构,包括壳体,所述壳体的侧壁上设有限位孔,所述限位孔内贯穿有引线,所述引线靠近壳体内侧的一端设有引线端头,所述引线端头上设有通孔,且所述通孔内贯穿有引线柱,所述引线柱的下端焊接于固定片的上表面。本实用新型的结构简单,各部件的连接能够避开深腔键合的不便,设置的带有通孔的引线端头不仅能提供馈电功能,还可以在管壳焊接阶段起着定位引线柱的功能;具有高载流、高可靠的特性,实用性强。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子封装技术领域,具体涉及一种适用于深腔的引线连接结构。
背景技术
随着电子器件的发展,高度集成的器件,尤其是SIP封装器件的快速发展,封装结构的集成度越来越高,越来越多的芯片和器件被集成到一个外壳中。微组装技术具有微型化、高集成、高可靠性的特点,采用微组装技术的微波组件,比一般分离器件电路重量轻10~20倍,体积小4~5倍,性能和无故障时间成倍提升。键合是其中一步重要工序,是通过施加压力、机械振动、电能或热能等不同能量于接头处,把电路芯片与引线框架连接起来,形成连接接头的操作,在键合接头内金属不熔化,但是在被连接面之间发生原子扩散,即被连接面之间已达到了产生原子结合力的距离。
金丝键合是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术,金丝键合直接影响到电路的可靠性和稳定性,对电路的微波特性具有很大的影响。金丝键合的优点在于可以在狭小的空间里实现电路互联,相应地,其缺点也很显而易见,高昂的成本、细软的金丝限制了其键合长度,尤其在工况险恶的情况下,金丝易受震动影响而断裂,从而使管壳失效;此外,金丝键合对空间有一定的要求,金丝键合一般是锥形劈刀与键合点接触,劈刀下行的深度受键合点上方空间受限制。因此,快速发展的高度集成的器件带来了模块化芯片之间的连接问题,过于错综复杂的电路互联必然不适合用键合工艺,这主要是由于键合丝是裸露状态,给电路带来多方面风险。
实用新型内容
针对上述现有领域存在的问题,本实用新型的目的是提供一种结构简单、适用于深腔的引线连接结构。为实现本实用新型的目的,采用如下技术方案:
一种适用于深腔的引线连接结构,包括壳体,所述壳体的侧壁上设有限位孔,所述限位孔内贯穿有引线,所述引线靠近壳体内侧的一端设有引线端头,所述引线端头上设有通孔,且所述通孔内贯穿有引线柱,所述引线柱的下端焊接于固定片的上表面。
优选的,所述引线端头为矩形、圆形或半圆形的结构中的一种。
优选的,所述引线端头与引线一体成型。
优选的,所述通孔设置在引线端头的中央。
优选的,所述固定片的材料为陶瓷。
优选的,所述引线柱的高度不低于引线端头距离固定片的高度。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的结构简单,各部件的连接能够避开深腔键合的不便,设置了带有通孔的引线端头,不仅能提供馈电功能,还可以在管壳焊接阶段起着定位引线柱的功能;装配完成后焊点牢固可靠,满足了高载流、高可靠的特性,适用于航空航天等对管壳可靠性要求较高的领域。
附图说明
图1为本实用新型一种适用于深腔的引线连接结构的整体结构示意图;
图2为本实用新型中引线及引线端头的结构;
图中,1-壳体,2-限位孔,3-引线,4-引线端头,5-通孔,6-引线柱,7-固定片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
具体实施例1
图1为本实用新型一种适用于深腔的引线连接结构的整体结构示意图,并且结合图2,从中可以看出,本实用新型的一种适用于深腔的引线连接结构,包括壳体1,其侧壁上设有限位孔2,限位孔2内贯穿有引线3,该引线3靠近壳体1内侧的一端设有矩形结构的引线端头4,该引线端头4与引线3一体成型,在引线端头4的中央设有通孔5,用于贯穿固定引线柱6,且该引线柱的下端焊接于固定片7的上表面,该固定片7的材料为陶瓷,且引线柱6的高度高于引线端头4距离固定片7的高度。
具体实施例2
本实用新型的一种适用于深腔的引线连接结构,包括壳体1,其侧壁上设有限位孔2,限位孔2内贯穿有引线3,该引线3靠近壳体1内侧的一端设有圆形结构的引线端头4,该引线端头4与引线3一体成型,在引线端头4的中央设有通孔5,用于贯穿固定引线柱6,且该引线柱的下端焊接于固定片7的上表面,该固定片7的材料为陶瓷,且引线柱6的高度等于引线端头4距离固定片7的高度。
具体实施例3
本实用新型的一种适用于深腔的引线连接结构,包括壳体1,其侧壁上设有限位孔2,限位孔2内贯穿有引线3,该引线3靠近壳体1内侧的一端设有半圆形结构的引线端头4,该引线端头4与引线3一体成型,在引线端头4的中央设有通孔5,用于贯穿固定引线柱6,且该引线柱的下端焊接于固定片7的上表面,该固定片7的材料为陶瓷,且引线柱6的高度高于引线端头4距离固定片7的高度。
在各实施例的实施过程中,封口面距离键合面4.15mm深,键合点到边距离1.3mm,劈刀很难下去,而且键合深度过深,键合时容易打颤拉断金丝,对键合起负面作用。采用各实施例中的引线连接结构,用金锡焊料将引线柱与通孔、引线柱与固定片的表面位点焊接住,使得2mm长、0.45mm直径的圆柱引线焊接成为可能,将空间连接方式由原本的金丝键合改为现在的金锡焊接,降低连接成本的同时,也使得管壳可靠性得以提高。
从本实用新型的以上各实施例可看出,本实用新型的结构简单,各部件的连接能够避开深腔键合的不便,设置了带有通孔的引线端头,不仅能提供馈电功能,还可以在管壳焊接阶段起着定位引线柱的功能;装配完成后焊点牢固可靠,满足了高载流、高可靠的特性,适用于航空航天等对管壳可靠性要求较高的领域。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本实用新型所揭露的技术范围内,可理解想到的变换或更替,都应涵盖在本实用新型的包含范围之内,因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种适用于深腔的引线连接结构,其特征在于:包括壳体(1),所述壳体(1)的侧壁上设有限位孔(2),所述限位孔(2)内贯穿有引线(3),所述引线(3)靠近壳体(1)内侧的一端设有引线端头(4),所述引线端头(4)上设有通孔(5),且所述通孔(5)内贯穿有引线柱(6),所述引线柱的下端焊接于固定片(7)的上表面。
2.根据权利要求1所述适用于深腔的引线连接结构,其特征在于:所述引线端头(4)为矩形、圆形或半圆形的结构中的一种。
3.根据权利要求1或2所述适用于深腔的引线连接结构,其特征在于:所述引线端头(4)与引线(3)一体成型。
4.根据权利要求1所述适用于深腔的引线连接结构,其特征在于:所述通孔(5)设置在引线端头(4)的中央。
5.根据权利要求1所述适用于深腔的引线连接结构,其特征在于:所述固定片(7)的材料为陶瓷。
6.根据权利要求1所述适用于深腔的引线连接结构,其特征在于:所述引线柱(6)的高度不低于引线端头(4)距离固定片(7)的高度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202121038220.5U CN214956856U (zh) | 2021-05-15 | 2021-05-15 | 一种适用于深腔的引线连接结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202121038220.5U CN214956856U (zh) | 2021-05-15 | 2021-05-15 | 一种适用于深腔的引线连接结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN214956856U true CN214956856U (zh) | 2021-11-30 |
Family
ID=79060637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202121038220.5U Active CN214956856U (zh) | 2021-05-15 | 2021-05-15 | 一种适用于深腔的引线连接结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN214956856U (zh) |
-
2021
- 2021-05-15 CN CN202121038220.5U patent/CN214956856U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9117815B2 (en) | Method of fabricating a packaged semiconductor | |
US6908794B1 (en) | Method of making a semiconductor package device that includes a conductive trace with recessed and non-recessed portions | |
JP3573133B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP5959386B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
TWI722362B (zh) | 壓合電力模組及相關方法 | |
US6653217B1 (en) | Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip | |
JP2009505389A (ja) | マイクロ部品用チップ・スケール・パッケージ | |
JPH08510358A (ja) | 集積回路チップと基板との相互接続 | |
JP2003243442A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JPH10242360A (ja) | 半導体装置 | |
CN214956856U (zh) | 一种适用于深腔的引线连接结构 | |
US7009309B1 (en) | Semiconductor package device that includes an insulative housing with a protruding peripheral portion | |
CN210042212U (zh) | 一种mems麦克风 | |
KR100343150B1 (ko) | 금속터미널을구비하는전력반도체모쥴,전력반도체모쥴의금속터미널제조방법및전력반도체모쥴의제조방법 | |
JP2012243943A (ja) | ワイヤボンディング構造及び電子装置とその製造方法 | |
CN111370572A (zh) | 一种气密性电流传感器倒扣焊封装结构 | |
JP2007073763A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100422608B1 (ko) | 적층칩패키지 | |
CN212257372U (zh) | 一种qfn封装结构 | |
KR100351920B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JPH08139241A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 | |
JP2009200771A (ja) | 圧電デバイス | |
KR100639700B1 (ko) | 칩 스케일 적층 칩 패키지 | |
JP3127948B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその実装方法 | |
KR20040045696A (ko) | 반도체 패키지 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |