CN214848644U

CN214848644U - 一种电池正面副栅线图形结构

Info

Publication number: CN214848644U
Application number: CN202120368299.1U
Authority: CN
Inventors: 钱小芳; 职森森; 吴仕梁; 张凤鸣; 徐建华; 范琼
Original assignee: Jiangsu Sunport Power Corp Ltd
Current assignee: Jiangsu Sunport Power Corp Ltd
Priority date: 2021-02-08
Filing date: 2021-02-08
Publication date: 2021-11-23
Anticipated expiration: 2031-02-08

Abstract

本实用新型公开一种电池正面副栅线图形结构，所述结构包括扩散区域，所述扩散区域位于整个正面的中间位置，在所述扩散区域四周为常规区域；所述扩散区域的副栅线根数比常规区域多，且副栅线的宽度比常规区域的副栅线宽度细。本申请通过将网版中间区域，即扩散方阻偏高的区域，设计成密栅的图形，增加中间区域收集的电流，提高电池片的整体效率。

Description

一种电池正面副栅线图形结构

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池光伏技术领域，尤其涉及一种适合扩散高方阻的电池正面图形结构。

背景技术

光伏硅片尺寸直接影响下游电池片和组件尺寸，当前光伏硅片有5种主流尺寸，分别为156.75、158.75、166、182、210。大尺寸硅片通过增大硅片面积，放大组件尺寸，从而摊薄各环节加工成本。从原来上来说，硅片尺寸越大越好，然而随着硅片尺寸的增大，硅片扩散后的均匀性越来越差，即使许多厂家的扩散炉从常压扩散方式改到低压扩散方式，随着方阻的逐步提高，同一片片子上的最低方阻与最高方阻已经无法控制在5Ω以内，许多硅片的最低方阻与最高方阻差值已经到10Ω，扩散炉炉尾硅片的最低方阻与最高方阻差值已经超过了10Ω。扩散方阻不均匀性的增加，导致电池片的Rs偏高，FF偏低，如果只是整面设计成密栅的图形，会导致硅片边缘低方阻区域的遮光面积增大，收集的电流减少，导致电池片整体的效率得不到提升。

实用新型内容

解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种适合扩散高方阻的电池正面图形结构，通过将网版中间区域，即扩散方阻偏高的区域，设计成密栅的图形，增加中间区域收集的电流，提高电池片的整体效率。

本实用新型为一种电池正面副栅线图形结构，所述结构包括扩散区域，所述扩散区域位于整个正面的中间位置，在所述扩散区域四周为常规区域；所述扩散区域的副栅线根数比常规区域多，且副栅线的宽度比常规区域的副栅线宽度细。

进一步的，所述中间区域使用12膜厚、宽度27um-30um的副栅制成，中间区域的副栅线根数为39根或40根。

进一步的，所述常规区域使用430目数、13um线径、20um纱厚、10um膜厚、细栅宽度30um的网版制成。

作为本申请的一种优选实施方式，所述中间区域的副栅宽度27um，副栅线根数为39根或40根。

作为本申请的一种优选实施方式，所述中间区域的副栅宽度30um，中间区域的副栅线根数为40根。

本实用新型的有益效果包括：

本专利使用中间区域，也就是扩散方阻偏高的区域，副栅线缩窄加密的网版，正面副栅电极传输更多的电流到主栅电极，主栅电极收集更多的电流，提高了电池片效率。使用本专利生产的电池片整体Uoc比产线正常片高1mv左右，Isc比产线正常片高15mA左右，Eta比产线正常片高0.10％左右。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型中的技术方案，下面将对本实用新型中所需要使用的附图进行简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其它附图。

图1为正常网版的一种电池正面副栅线图形结构的示意图；

图2为本实用新型一种电池正面副栅线图形结构的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合说明书附图对本实用新型的实施方式做进一步地详细叙述。

如图1所示，本实用新型为一种电池正面副栅线图形结构，所述结构包括扩散区域，所述扩散区域位于整个正面的中间位置，在所述扩散区域四周为常规区域；所述扩散区域的副栅线根数比常规区域多，且副栅线的宽度比常规区域的副栅线宽度细。

实施例1：

使用166*166的背面开槽后丝网印刷前的平均方阻高10Ω方阻的单晶硅片，使用430目数、13um线径、20um纱厚、10um膜厚、细栅宽度30um，中间区域使用12膜厚、细栅宽度27um，中间区域的副栅线根数从36根增加到40根的网版。印刷硅片，烧结后测试电性能参数和副栅线高宽比。表1是实施例1生产的实验电池片数据，表2是实施例1生产的实验电池片的高宽比数据。

表1实施例1生产的实验电池片数据

实验片数据	线高	线宽	高宽比
				1	12.69	43.67	29.06％
2	12.46	43.42	28.70％
				3	13.02	42.13	30.90％
4	12.11	42.09	28.77％
				5	12.43	42.48	29.26％
平均值	12.54	42.76	29.34％

表2实施例1生产的实验电池片的高宽比数据

实施例2：

用166*166的背面开槽后丝网印刷前的平均方阻高10Ω方阻的单晶硅片，使用430目数、13um线径、20um纱厚、10um膜厚、细栅宽度30um，中间区域使用12膜厚、细栅宽度27um，中间区域的副栅线根数从36根增加到39根的网版。印刷硅片，烧结后测试电性能参数和副栅线高宽比。表3是实施例2生产的实验电池片数据，表4是实施例2生产的实验电池片的高宽比数据。

表3实施例2生产的实验电池片数据

实验片数据	线高	线宽	高宽比
				1	12.64	41.78	30.25％
2	12.51	41.53	30.12％
				3	12.89	41.19	31.29％
4	12.13	41.25	29.41％
				5	12.47	41.06	30.37％
平均值	12.53	41.362	30.29％

表4实施例2生产的实验电池片的高宽比数据

产线正常片：

用166*166的背面开槽后丝网印刷前的单晶硅片，使用产线正常网版：430目数、13um线径、20um纱厚、10um膜厚、细栅宽度30um，表5是产线生产的正常电池片电性能数据，表6是产线生产的正常电池片的高宽比数据。

表5产线生产的正常电池片数据

正常片数据	线高	线宽	高宽比
				1	12.75	45.52	28.01％
2	12.42	45.62	27.22％
				3	13.06	46.81	27.90％
4	12.27	45.82	26.78％
				5	12.64	46.13	27.40％
平均值	12.63	45.98	27.46％

表6产线生产的正常电池片的高宽比数据

上述几个实施例中电池片按照正常工艺流程制作：

制绒→扩散→SE→去PSG+碱抛→退火→背钝化(Al2O3+SiNx)→正面镀膜→激光开槽→丝网印刷烧结→测试效率→EL测试→包装。

本申请电池正面图形结构，用比正常硅片高10Ω左右方阻的硅片，使用中间区域副栅线缩窄加密的网版印刷烧结，收集更多的电流。

对比表1和表5，可以看到实例1的Uoc比正常片高1mv，Isc高10mA，Eta高0.09％；对比表3和表5，可以看到实例2的Uoc比正常片高1mv，Isc高18mA，Eta高0.12％；对比表2和表6，可以看到实例1的高宽比比正常片高1.88％；对比表4和表6，可以看到实例2的高宽比比正常片高2.83％。说明随着线宽的缩窄，电池片遮光面积的减小，电池片的Isc得到了很大的提升，导致电池片效率也增加。

上述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims

1.一种电池正面副栅线图形结构，其特征在于，所述结构包括扩散区域，所述扩散区域位于整个正面的中间位置，在所述扩散区域四周为常规区域；所述扩散区域的副栅线根数比常规区域多，且副栅线的宽度比常规区域的副栅线宽度细。

2.根据权利要求1所述的一种电池正面副栅线图形结构，其特征在于，所述常规区域使用430目数、13um线径、20 um纱厚、10um膜厚、细栅宽度30um的网版制成。

3.根据权利要求1或2所述的一种电池正面副栅线图形结构，其特征在于，所述扩散区域的副栅宽度27um，副栅线根数为39根或40根。

4.根据权利要求3所述的一种电池正面副栅线图形结构，其特征在于，所述扩散区域的副栅宽度30um，扩散区域的副栅线根数为40根。