CN214846435U - 基准电压产生电路和振荡器 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。
Description
技术领域
本申请涉及电路技术领域，尤其涉及一种基准电压产生电路和振荡器。
背景技术
随着科学技术的不断发展，电子设备的大规模普及应用，模拟集成电路应用的场景也越来越广。振荡器作为模拟集成电路中不可或缺的部分，是许多电子设备中的重要组成部分，因此，对振荡器的研究具有重要意义。
振荡器包括基准电压产生电路和振荡产生电路，其中，基准电压产生电路用于为振荡产生电路提供基准电压，振荡产生电路用于根据基准电压产生振荡信号；为了满足低电压低功耗的要求，目前，振荡器中的基准电压产生电路多采用带隙基准电压源电路实现。
随着集成电路技术的微型化发展需求，对基准电压产生电路的电路面积也提出了更高的要求，但是，目前的振荡器中的基准电压产生电路面积普遍比较大。
实用新型内容
有鉴于此，本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，用于减小基准电压产生电路的面积。
为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种基准电压产生电路，包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：
对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；
第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；
最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。
在第一方面的一种可能的实施方式中，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过电容接地。
通过电容可以对输出的基准电压进行稳压和滤波，提高输出的基准电压的平稳性。
在第一方面的一种可能的实施方式中，各N沟道耗尽型MOS管的阈值电压存在比例关系。这样可以方便电路设计。
在第一方面的一种可能的实施方式中，各N沟道耗尽型MOS管的阈值电压相等。这样可以更加方便电路设计。
在第一方面的一种可能的实施方式中，限流电阻为千欧级电阻。这样可以方便基准电压的计算，从而可以方便电路设计；而且也可以提升N沟道耗尽型MOS管的源极电压，从而就可以产生更高的基准电压。
第二方面，本申请实施例提供一种振荡器，包括：第一方面所述的基准电压产生电路、电流镜电路和振荡生成电路；
基准电压产生电路用于为振荡生成电路提供基准电压，并为电流镜电路提供基准电流；
电流镜电路用于根据基准电流为振荡生成电路提供充电电流；
振荡生成电路用于根据基准电压和充电电流产生振荡信号。
在第二方面的一种可能的实施方式中，电流镜电路包括第一P沟道增强型MOS管和第二P沟道增强型MOS管；
第一P沟道增强型MOS管的源极用于连接电源，第一P沟道增强型MOS管的栅极分别与第一P沟道增强型MOS管的漏极和第二P沟道增强型MOS管的栅极连接，第一P沟道增强型MOS管的漏极与基准电压产生电路中第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；
第二P沟道增强型MOS管的源极用于连接电源，第二P沟道增强型MOS管的漏极与振荡生成电路连接，用于为振荡生成电路提供充电电流。
上述实施方式中，采用P沟道MOS管实现电流镜电路，可以降低成本。
在第二方面的一种可能的实施方式中，振荡生成电路包括充放电单元、比较单元和逻辑单元；
充放电单元分别与电流镜电路和比较单元连接，用于接收充电电流，并为比较单元提供比较电压；
比较单元分别与基准电压产生电路和逻辑单元连接，用于接收基准电压和比较电压，并根据基准电压和比较电压，向逻辑单元输出电平信号；
逻辑单元与充放电单元连接，用于根据电平信号控制充放电单元充放电。
在第二方面的一种可能的实施方式中，充放电单元包括充放电电容和N沟道增强型MOS管；
充放电电容的一端分别与电流镜电路的镜像电流输出端、比较单元的比较电压输入端和N沟道增强型MOS管的漏极连接，充放电电容的另一端接地；
N沟道增强型MOS管的栅极与逻辑单元连接，N沟道增强型MOS管的源极接地。
上述实施方式中，充放电单元采用场效应管实现，可以提高振荡频率的稳定性。
本申请实施例提供的基准电压产生电路和振荡器，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压Vref，由于N沟道耗尽型MOS管的面积很小，且制造成本也较低，因而可以有效的减小电路面积，降低电路成本；另外，各N沟道耗尽型MOS管的相邻MOS管之间采用如下方式级联：前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接，该级联方式在低压下可以产生比较精准的基准电压，因而可以更好的适用于低压环境，而且，基于该级联方式和串联的限流电阻，可以简化输出的基准电压与N沟道耗尽型MOS管的阈值电压之间的关系，更加方便电路的设计，同时由于限流电阻的限流作用，该基准电压产生电路的功耗较低。
附图说明
图1为现有的一种振荡器的电路原理示意图；
图2为本申请实施例提供的振荡器的电路模块示意图；
图3为本申请实施例提供的振荡器的电路原理示意图。
具体实施方式
图1为现有的一种振荡器的电路原理示意图，如图1所示，P沟道增强型金属氧化物半导体型场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOS)P1、P2和P3组成一个电流镜结构，其中，P沟道增强型MOS管P1、P2和P3的源极均连接电源VCC，P沟道增强型MOS管P1的栅极分别与P沟道增强型MOS管P1的漏极、P沟道增强型MOS管P2的栅极和P沟道增强型MOS管P3的栅极连接。
P沟道增强型MOS管P1的漏极与N沟道耗尽型MOS管N1的漏极连接，N沟道耗尽型MOS管N1的栅极接地，N沟道耗尽型MOS管N1的源极通过电阻R1接地；P沟道增强型MOS管P2的漏极通过电阻R2接地，且作为基准电压输出端与振荡产生电路中比较单元的基准电压输入端连接；P沟道增强型MOS管P3的漏极分别与充放电电容C的一端、比较单元的比较电压输入端和N沟道增强型MOS管N2的漏极连接；充放电电容C的另一端和N沟道增强型MOS管N2的源极均接地，逻辑单元分别与比较单元的输出端和N沟道增强型MOS管N2的栅极连接。
其中，N沟道耗尽型MOS管N1的阈值电压Vth为负值，最终流过N1的电流I1为：
P沟道增强型MOS管P1、P2和P3组成的电流镜结构使得I1＝I2＝I3，I3作为恒定的电流源向充放电电容C中充电，充放电电容C与比较单元连接的一端为比较单元提供比较电压Vcom，P沟道增强型MOS管P2的漏端提供基准电压Vref。当充放电电容C充电至比较电压Vcom等于基准电压Vref时比较单元反转，逻辑单元控制N沟道增强型MOS管N2导通使充放电电容C放电；当充放电电容C放电后，比较电压Vcom小于基准电压Vref，比较单元再次反转，逻辑单元控制N沟道增强型MOS管N2截止使充放电电容C充电，如此循环实现振荡器功能。
在实际应用中，基准电压Vref通常几倍于N沟道耗尽型MOS管N1的阈值电压Vth，设Vref＝nVth，则R2＝nR1。
电阻越大所占用的电路面积越大，考虑到上述电路中电阻R2会占用较大面积，且I2所在支路也会产生功耗，本申请实施例提供另一种振荡器，通过采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压Vref，来省去I2所在支路，以减小电路面积，降低功耗。下面结合图2和图3来说明该振荡器的电路结构。
图2为本申请实施例提供的振荡器的电路模块示意图，图3为本申请实施例提供的振荡器的电路原理示意图。如图2和图3所示，本实施例提供的振荡器可以包括：基准电压产生电路10、电流镜电路20和振荡生成电路30。
其中，基准电压产生电路10可以为振荡生成电路30提供基准电压VREF，并可以为电流镜电路20提供基准电流。如图3所示，基准电压产生电路10具体可以包括级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中，对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，其具体可以与电流镜电路20连接，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极可以作为基准电压输出端输出基准电压VREF，其具体可以与振荡生成电路30连接；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻R0接地。
其中，N沟道耗尽型MOS管的数量可以根据需要进行设置，图3中示例性的示出了4个N沟道耗尽型MOS管：MN1、MN2、MN3和MN4，N沟道耗尽型MOS管MN1即为第一级N沟道耗尽型MOS管，N沟道耗尽型MOS管MN4即为最后一级N沟道耗尽型MOS管。
限流电阻R0用于限制基准电压产生电路10的电流，其可以为千欧级电阻，具体大小可以根据需要设定，本实施例对此不做特别限定。
基准电压输出端(即第一级N沟道耗尽型MOS管MN1的源极)可以通过电容C0接地，以对输出的基准电压Vref进行稳压和滤波，提高输出的基准电压Vref的平稳性。其中，电容C0的电容量等参数可以根据需要设置，此处不做特别限定。
电流镜电路20可以将基准电流按比例镜像到镜像电流输出端，通过镜像电流输出端为振荡生成电路30提供充电电流，该充电电流即为镜像电流。如图3所示，电流镜电路20具体可以包括第一P沟道增强型MOS管MP1和第二P沟道增强型MOS管MP2，其中，第一P沟道增强型MOS管MP1的源极可以连接电源VCC，第一P沟道增强型MOS管MP1的栅极分别与第一P沟道增强型MOS管MP1的漏极和第二P沟道增强型MOS管MP2的栅极连接，第一P沟道增强型MOS管MP1的漏极与基准电压产生电路10中第一级N沟道耗尽型MOS管MN1的漏极连接；第二P沟道增强型MOS管MP2的源极连接电源VCC，第二P沟道增强型MOS管MP2的漏极作为镜像电流输出端与振荡生成电路30连接，为振荡生成电路30提供充电电流。
其中，镜像电流与基准电流的比例关系(即镜像比例)可以根据需要设置。具体实现时，可以通过调整第一P沟道增强型MOS管MP1和第二P沟道增强型MOS管MP2的沟道尺寸来调整镜像比例，也可以通过调整第一P沟道增强型MOS管MP1和第二P沟道增强型MOS管MP2所包含的P沟道增强型MOS管的数量来调整镜像比例，例如，第一P沟道增强型MOS管MP1可以采用1个P沟道增强型MOS管实现，第二P沟道增强型MOS管MP1可以采用2个并联的P沟道增强型MOS管实现，以使镜像电流2倍于基准电流。
电流镜电路20采用P沟道MOS管实现，成本较低，可以理解的是，电流镜电路20也可以采用N沟道MOS管实现，本实施例对此不做特别限定。
振荡生成电路30可以根据基准电压VREF和充电电流产生振荡信号，其具体可以包括：充放电单元31、比较单元32和逻辑单元33。
其中，充放电单元31分别与电流镜电路20的镜像电流输出端和比较单元32的比较电压输入端连接，其可以根据电流镜电路20提供的充电电流充电，以便为比较单元32提供比较电压VCOM。比较单元32分别与基准电压产生电路10和逻辑单元33连接，其可以根据基准电压产生电路10提供的基准电压VREF和充放电单元31提供的比较电压VCOM，向逻辑单元33输出电平信号。逻辑单元33与充放电单元31连接，其可以根据逻辑单元33输出的电平信号控制充放电单元31充放电。
具体的，充放电单元31可以采用场效应管实现，以提高振荡频率的稳定性。例如图3所示，充放电单元31可以包括：充放电电容C1和N沟道增强型MOS管MN5，充放电电容C1的一端分别与电流镜电路20的镜像电流输出端、比较单元32的比较电压输入端和N沟道增强型MOS管MN5的漏极连接，充放电电容C1的另一端接地；N沟道增强型MOS管MN5的栅极与逻辑单元33连接，N沟道增强型MOS管MN5的源极接地。
充放电电容C1充放电时，其与比较单元32连接的一端的电位会发生变化，从而为比较单元32的比较电压输入端提供变化的比较电压VCOM。
可以理解的是，充放电单元31也可以采用其他电路结构，例如LC电路或其他晶体管振荡电路，N沟道增强型MOS管MN5也可以采用P沟道增强型MOS管代替，在具体实现时都可以根据需要选择，本实施例对此不做特别限定。
比较单元32具体可以根据比较电压VCOM与基准电压VREF的大小关系输出高电平或低电平信号，例如可以在比较电压VCOM大于或等于基准电压VREF时输出高电平信号，在比较电压VCOM小于基准电压VREF时输出低电平信号。
对应的，逻辑单元33可以在接收到比较单元32输出的高电平信号时，向N沟道增强型MOS管MN5提供一个高于MN5阈值电压的电信号，使N沟道增强型MOS管MN5导通，以使充放电电容C1放电；在接收到比较单元32输出的低电平信号时，向N沟道增强型MOS管MN5提供一个低于MN5阈值电压的电信号，使N沟道增强型MOS管MN5截止，以使充放电电容C1充电。
其中，比较单元32和逻辑单元33的具体结构可以采用目前的相关电路结构，本实施例对此不做特别限定。
下面以图3中的电路结构为例对振荡器的工作原理进行说明。
如图3所示，基准电压产生电路10包括4个级联的N沟道耗尽型MOS管，其中，流经N沟道耗尽型MOS管MN4的电流I为：
I＝1/2UnCOXW/L(VG-VS-VTH)2
其中，Un为N沟道耗尽型MOS管MN4的载流子迁移率，COX为N沟道耗尽型MOS管MN4的单位面积的栅氧化层电容，W为N沟道耗尽型MOS管MN4导通沟道的宽度，L为N沟道耗尽型MOS管MN4导通沟道的长度；VG为N沟道耗尽型MOS管MN4的栅极电压，VS为N沟道耗尽型MOS管MN4的源极电压，VTH为N沟道耗尽型MOS管MN4的阈值电压。
由于电源VCC的供电电压为低压(例如6V)，电路中限流电阻R0的阻值相对比较大(千欧级)，所以流经基准电压产生电路10中的电流I就比较小，可以近似为0处理；由于N沟道耗尽型MOS管MN4的栅极接地，因此其栅极电压VG为0，另外，N沟道耗尽型MOS管的阈值电压VTH为负值，所以上式中
即N沟道耗尽型MOS管MN4的源极电压近似为N沟道耗尽型MOS管MN4的阈值电压的绝对值。
同理，N沟道耗尽型MOS管MN3的源极电压近似为N沟道耗尽型MOS管MN3和MN4的阈值电压的绝对值之和，N沟道耗尽型MOS管MN2的源极电压近似为N沟道耗尽型MOS管MN2～MN4的阈值电压的绝对值之和，N沟道耗尽型MOS管MN1的源极电压近似为N沟道耗尽型MOS管MN1～MN4的阈值电压的绝对值之和，该电压即为输出给振荡产生电路中比较单元32的基准电压VREF。
基准电压产生电路10在输出基准电压VREF的同时，为P沟道增强型MOS管MP1和MP2所组成的电流镜电路20提供了基准电流(即上述电流I)，电流镜电路20对该基准电流进行镜像后在P沟道增强型MOS管MP2的漏极输出镜像电流，向振荡产生电路中的充放电电容C1充电；充放电电容C1与比较单元32连接的一端为比较单元32提供比较电压VCOM，当充放电电容C1充电至比较电压VCOM等于基准电压VREF时比较单元32反转，逻辑单元33控制N沟道增强型MOS管MN5导通使充放电电容C1放电；当充放电电容C1放电后，比较电压VCOM小于基准电压VREF，比较单元32再次反转，逻辑单元33控制N沟道增强型MOS管MN5截止使充放电电容C1充电，如此循环实现振荡过程。
本实施例中，各N沟道耗尽型MOS管的阈值电压可以具有预设的比例关系，作为一种可选的实施方式，各N沟道耗尽型MOS管的阈值电压相等，以便于电路设计。
另外，限流电阻R0也可以采用阻值较小的电阻，本实施例中优选采用千欧级电阻，这样可以方便基准电压的计算，从而可以方便电路设计；而且也可以提升N沟道耗尽型MOS管的源极电压，这样就有利于产生更高的基准电压。
可以理解的是，本实施例中的基准电压产生电路10也可以应用于振荡电路之外的其他低压电路。
图1所示的电路中采用电阻R2产生基准电压，而本实施例中，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，MOS管的面积远远小于电阻所占的面积，且MOS管的制造成本也比电阻的制造成本低很多，因此本实施例中的基准电压产生电路10可以大大的节省电路面积和制造成本；而且，本实施例中的基准电压产生电路10也省去了图1中电阻R2所在支路，因而也进一步的降低了功耗；此外，各N沟道耗尽型MOS管的相邻MOS管之间采用如下方式级联：前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接，该级联方式在低压下就可以产生比较精准的基准电压，因而可以更好的适用于低压环境，而且，基于该级联方式和串联的限流电阻，可以简化输出的基准电压与N沟道耗尽型MOS管的阈值电压之间的关系，更加方便电路的设计。
综上，本实施例提供的振荡器，基准电压产生电路通过采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压Vref，可以有效的减小电路面积，降低电路成本和功耗，并可以更好的适用于低压电路，简化电路设计。
在本申请的描述中，需要理解的是，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
在本申请的描述中，除非另有说明，“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系，例如，A/B可以表示A或B；本申请中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。
并且，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个。“以下至少一项”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
此外，在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“相连”等应做广义理解，例如可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定、对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请说明书中描述的基准“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都基准相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种基准电压产生电路，其特征在于，包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：
对于任意相邻的两级所述N沟道耗尽型MOS管，前一级所述N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级所述N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；
第一级所述N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；
最后一级所述N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。
2.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，第一级所述N沟道耗尽型MOS管的源极通过电容接地。
3.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，各所述N沟道耗尽型MOS管的阈值电压存在比例关系。
4.根据权利要求3所述的基准电压产生电路，其特征在于，各所述N沟道耗尽型MOS管的阈值电压相等。
5.根据权利要求1-4任一项所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述限流电阻为千欧级电阻。
6.一种振荡器，其特征在于，包括：如权利要求1-5任一项所述的基准电压产生电路、电流镜电路和振荡生成电路；
所述基准电压产生电路用于为所述振荡生成电路提供基准电压，并为所述电流镜电路提供基准电流；
所述电流镜电路用于根据所述基准电流为所述振荡生成电路提供充电电流；
所述振荡生成电路用于根据所述基准电压和所述充电电流产生振荡信号。
7.根据权利要求6所述的振荡器，其特征在于，所述电流镜电路包括第一P沟道增强型MOS管和第二P沟道增强型MOS管；
所述第一P沟道增强型MOS管的源极用于连接电源，所述第一P沟道增强型MOS管的栅极分别与所述第一P沟道增强型MOS管的漏极和所述第二P沟道增强型MOS管的栅极连接，所述第一P沟道增强型MOS管的漏极与所述基准电压产生电路中第一级所述N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；
所述第二P沟道增强型MOS管的源极用于连接电源，所述第二P沟道增强型MOS管的漏极与所述振荡生成电路连接，用于为所述振荡生成电路提供充电电流。
8.根据权利要求6或7所述的振荡器，其特征在于，所述振荡生成电路包括充放电单元、比较单元和逻辑单元；
所述充放电单元分别与所述电流镜电路和所述比较单元连接，用于接收所述充电电流，并为所述比较单元提供比较电压；
所述比较单元分别与所述基准电压产生电路和所述逻辑单元连接，用于接收所述基准电压和所述比较电压，并根据所述基准电压和所述比较电压，向所述逻辑单元输出电平信号；
所述逻辑单元与所述充放电单元连接，用于根据所述电平信号控制所述充放电单元充放电。
9.根据权利要求8所述的振荡器，其特征在于，所述充放电单元包括充放电电容和N沟道增强型MOS管；
所述充放电电容的一端分别与所述电流镜电路的镜像电流输出端、所述比较单元的比较电压输入端和所述N沟道增强型MOS管的漏极连接，所述充放电电容的另一端接地；
所述N沟道增强型MOS管的栅极与所述逻辑单元连接，所述N沟道增强型MOS管的源极接地。
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| CN202120751339.0U CN214846435U (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 基准电压产生电路和振荡器 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN115202430A (zh) * | 2021-04-13 | 2022-10-18 | 拓尔微电子股份有限公司 | 基准电压产生电路和振荡器 |
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2021
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| CN115202430A (zh) * | 2021-04-13 | 2022-10-18 | 拓尔微电子股份有限公司 | 基准电压产生电路和振荡器 |
| CN115202430B (zh) * | 2021-04-13 | 2024-05-24 | 拓尔微电子股份有限公司 | 基准电压产生电路和振荡器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: B201, zero one square, Xi'an Software Park, 72 Keji 2nd Road, high tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province, 710000 Patentee after: Xi'an Tuoer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: B201, zero one square, Xi'an Software Park, 72 Keji 2nd Road, high tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province, 710000 Patentee before: XI'AN TUOER MICROELECTRONICS Co.,Ltd. Address after: B201, zero one square, Xi'an Software Park, 72 Keji 2nd Road, high tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province, 710000 Patentee after: Tuoer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: B201, zero one square, Xi'an Software Park, 72 Keji 2nd Road, high tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province, 710000 Patentee before: Xi'an Tuoer Microelectronics Co.,Ltd. |
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