CN214753793U - 一种p型背接触式晶硅太阳能电池及太阳能电池组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触式晶硅太阳能电池及太阳能电池组件，该P型背接触式晶硅太阳能电池包括P型硅片，P型硅片的正面设置有钝化减反射层；硅片基底的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布；N+掺杂区包括设于P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅；P型硅片背面对应负电极的位置设有绒面结构，负电极对应绒面结构的位置设有与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。本实用新型提供的P型背接触式晶硅太阳能电池可以有效改善负电极与N+掺杂多晶硅的欧姆接触，提升电池效率，且实现方式简单，实现成本低。

Description

一种P型背接触式晶硅太阳能电池及太阳能电池组件

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池加工技术领域，具体涉及一种P型背接触式晶硅太阳能电池及太阳能电池组件。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳能电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。其中，P型背接触式的晶硅太阳能电池通常包括P型硅片，P型硅片的正面设置有钝化减反射层，P型硅片的背面设置有隧穿氧化层、设置于隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅、设置于P型硅片的背面并与N+掺杂多晶硅交替分布的P+掺杂区及覆盖N+掺杂多晶硅的背面钝化层，且N+掺杂多晶硅设置有负电极，P+掺杂区设置有正电极。

现有技术中，由于P型背接触式晶硅太阳能电池在隧穿氧化层制备之前都需要进行抛光处理，P型硅片的背面对应负电极的位置通过抛光面与隧穿氧化层接触，这样在隧穿氧化层之上制备的N+掺杂多晶硅及在N+掺杂多晶硅上制备的背面钝化层后均为平面结构，印刷烧结得到的负电极后与N+掺杂多晶硅通过平面接触实现欧姆接触，负电极与N+掺杂多晶硅之间欧姆接触效果差，从而影响电池效率。

实用新型内容

本实用新型提供一种P型背接触式晶硅太阳能电池，旨在解决现有技术中的P型背接触式晶硅太阳能电池的负电极与N+掺杂多晶硅之间欧姆接触效果差，从而影响电池效率的问题。

本实用新型是这样实现的，提供一种P型背接触式晶硅太阳能电池，包括P型硅片，所述P型硅片的正面设置有钝化减反射层；

所述P型硅片的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，所述P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布，所述背面钝化层覆盖所述P+掺杂区及所述N+掺杂区；

所述N+掺杂区包括设于所述P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于所述隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅，所述正电极与所述P+掺杂区形成欧姆接触，所述负电极与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触；所述P型硅片背面对应所述负电极的位置设有绒面结构，所述负电极对应所述绒面结构的位置设有与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。

优选的，所述绒面结构的宽度为80-200um。

优选的，所述N+掺杂多晶硅的方阻为50-200Ω/sqr。

优选的，所述P型硅片背面设置有与所述P+掺杂区的数量相对应的凹槽，每个所述P+掺杂区对应设置于一所述凹槽的底部。

优选的，所述凹槽的底部设置有绒面，所述正电极设置于所述绒面上，且所述背面钝化层覆盖所述绒面。

优选的，所述凹槽的宽度为300-600um，所述凹槽的深度为0.3-10um，相邻两个所述凹槽之间的距离为20-500um。

优选的，所述隧穿氧化层的厚度为1-5nm。

优选的，所述钝化减反射层和所述背面钝化层分别为氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一种或多种组合。

优选的，所述背面钝化层的厚度为60-150nm，折射率为2-2.5。

本实用新型还提供一种太阳能电池组件，所述太阳能电池组件包括上述的P型背接触式晶硅太阳能电池。

本实用新型提供的一种P型背接触式晶硅太阳能电池通过在P型硅片背面对应负电极的位置设置绒面结构，以使印刷烧结得到的负电极对应该绒面结构的位置形成与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构，这样负电极通过粗糙纹理结构与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触，增大了负电极与N+掺杂多晶硅的接触面积，从而使负电极与N+掺杂多晶硅形成良好的欧姆接触，提升电池效率；而且，只要在制备隧穿氧化层之前增加一次制绒工艺，即可使得该P型背接触式晶硅太阳能电池的P型硅片背面、隧穿氧化层、N+掺杂多晶硅及背面钝化层对应负电极的位置均可制得绒面结构，这样可以使印刷烧结后的负电极形成粗糙纹理结构来实现与N+掺杂多晶硅形成良好的欧姆接触，实现方式简单，且实现成本低。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的结构示意图；

图2为本实用新型实施例二提供的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法的流程图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型实施例提供的一种P型背接触式晶硅太阳能电池通过在P型硅片背面对应负电极的位置设置绒面结构，以使印刷烧结得到的负电极对应该绒面结构的位置形成与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构，这样负电极通过粗糙纹理结构与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触，增大了负电极与N+掺杂多晶硅的接触面积，从而使负电极与N+掺杂多晶硅形成良好的欧姆接触，提升电池效率；而且，只要在制备隧穿氧化层之前增加一次制绒工艺，即可使得该P型背接触式晶硅太阳能电池的P型硅片背面、隧穿氧化层、N+掺杂多晶硅及背面钝化层对应负电极的位置均可制得绒面结构，这样可以使印刷烧结后的负电极形成粗糙纹理结构来实现与N+掺杂多晶硅形成良好的欧姆接触，实现方式简单，且实现成本低。

实施例一

请参照图1，本实施例提供一种P型背接触式晶硅太阳能电池，包括P型硅片1，P型硅片1的正面设置有钝化减反射层2。

P型硅片1的背面设置有P+掺杂区3、N+掺杂区4、背面钝化层5、正电极6及负电极7，P+掺杂区3与N+掺杂区4交替间隔分布，背面钝化层5覆盖P+掺杂区3及N+掺杂区4。

N+掺杂区4包括设于P型硅片1背面的隧穿氧化层41、及设于隧穿氧化层41之上的N+掺杂多晶硅42，正电极6与P+掺杂区3形成欧姆接触，负电极7与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触；P型硅片1背面对应负电极7的位置设有绒面结构10，负电极7对应绒面结构10的位置设有与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触的粗糙纹理结构71。

作为本实用新型的一个实施例，钝化减反射层2和背面钝化层5分别为氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一种或多种组合。

作为本实用新型的一个实施例，钝化减反射层2包括设置于P型硅片1正面的钝化膜21、及设置于钝化膜21之上的减反射膜22，以降低有效降低硅片表面复合，且减少硅片正面对太阳光的反射。优选的，钝化膜21为氧化铝膜，减反射膜22为氮化硅膜。

作为本实用新型的一个实施例，钝化减反射层2的厚度为80-150nm，使钝化减反射层2具有良好的钝化及减反射效果。

作为本实用新型的一个优选实施例，背面钝化层5为氮化硅膜，利用氮化硅膜良好的稳定性及钝化效果，可以使硅片背面实现较好的钝化。

作为本实用新型的一个实施例，背面钝化层5的厚度为60-150nm，折射率为2-2.5，以使硅片背面实现较好的钝化，且增加硅片对光的吸收和利用。

作为本实用新型的一个实施例，P型硅片1的背面设置有与P+掺杂区3的数量相对应的凹槽11，每个P+掺杂区3对应设置于一凹槽11的底部。其中，凹槽11与P+掺杂区3的数量相等，图1中示出的P+掺杂区3与凹槽11均为4个。通过在P型硅片1的背面设置凹槽11，这样使P+掺杂区3通过凹槽11与N+掺杂区4间隔，避免P+掺杂区3与N+掺杂区4接触漏电，从而提升电池安全性能和电池效率。

在本实用新型的一个实施例中，凹槽11为圆弧形、梯形、或方形。如图1所示，在一具体实施例中，其凹槽11为方形。其中凹槽11优选设置为圆弧形或梯形，其中由于凹槽11设置为圆弧形或梯形时，其凹槽11的内壁所反射光的效果更好，同时还由于凹槽11设置为方形时，其实际生产工艺更为简单，因此根据实际使用需求可以灵活设置凹槽11的形状，在此不做具体限定。

作为本实用新型的一个实施例，凹槽11的底部设置有绒面，正电极6设置于该绒面上，背面钝化层5覆盖该绒面。其中，凹槽11底部的绒面可以通过制绒工艺制得。由于凹槽11的底部设置有绒面，正电极6与绒面形成欧姆接触，这样可以提升正电极6与P型硅片1的欧姆接触效果；而且可以使覆盖P+掺杂区3的背面钝化层5可以更加稳定地附着在P+掺杂区3，实现良好的钝化效果。

作为本实用新型的一个实施例，凹槽11的宽度为300-600um，凹槽11的深度为0.3-10um，相邻两个凹槽11之间的距离为20-500um，既使得P+掺杂区3与N+掺杂区4保持良好的隔离效果，避免P+掺杂区3与N+掺杂区4接触漏电，且便于凹槽11的加工。

作为本实用新型的一个实施例，粗糙纹理结构71可以是不规则的锯齿形型纹理、半球型纹理或金字塔状纹理。

本实用新型实施例中，通过在P型硅片1的背面对应负电极7的位置设置绒面结构10，在制备隧穿氧化层41时，隧穿氧化层41对应P型硅片1的绒面结构的位置同样会形成绒面结构；在隧穿氧化层41之上再制备N+掺杂多晶硅42时，N+掺杂多晶硅42对应隧穿氧化层41上的绒面结构位置会形成绒面结构；在制备背面钝化层5时，背面钝化层5对应N+掺杂多晶硅42上的绒面结构位置也会形成绒面结构，即对应负电极7的位置，P型硅片1的背面、隧穿氧化层41、N+掺杂多晶硅42及背面钝化层5均设置有绒面结构，这样采用银浆料丝网印刷负电极7后，银浆料通过高温烧结，银浆料高温烧蚀呈绒面的背面钝化层5，这样会使烧结后的负电极7在N+掺杂多晶硅42内部的一端形成与背面钝化层5的绒面结构的形状大致相同的粗糙纹理结构71，负电极7通过粗糙纹理结构71与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触，增大了负电极7与N+掺杂多晶硅42的接触面积，从而使负电极7与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触，提升电池效率。

而且，本实用新型实施例的P型背接触式晶硅太阳能电池只要在传统P型背接触式晶硅太阳能电池的工艺过程中的制备隧穿氧化层41之前增加制绒工艺，即可使得P型硅片1的背面、隧穿氧化层41、N+掺杂多晶硅42及背面钝化层5均制得绒面结构，这样可以使印刷烧结后的负电极7可以形成粗糙纹理结构71来实现与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触，其实现工艺简单，且实现成本低。

作为本实用新型的一个实施例，P型硅片1的背面对应负电极7位置的绒面结构10的宽度为80-200um，使隧穿氧化层41、N+掺杂多晶硅42及背面钝化层5均制得宽度为80-200um的绒面，可以使印刷烧结得到的负电极7在N+掺杂多晶硅42内部的一端形成合适宽度的粗糙纹理结构71，以进一步提升负电极7与N+掺杂多晶硅42欧姆接触的效果。

作为本实用新型的一个实施例，N+掺杂多晶硅42的厚度控制在50-350nm，确保电池良好的电池效率。

作为本实用新型的一个实施例，N+掺杂多晶硅42的方阻为50-200Ω/sqr，可以使负电极7与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触。

作为本实用新型的一个实施例，隧穿氧化层41的厚度为1-5nm，使隧穿氧化层41具有良好的钝化效果。其中，隧穿氧化层41为氧化硅层。

本实用新型实施例提供的一种P型背接触式晶硅太阳能电池通过在P型硅片1的背面对应负电极7的位置设置绒面结构10，可以使该P型背接触式晶硅太阳能电池印刷烧结得到的负电极7对应该绒面的位置形成与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触的粗糙纹理结构71，这样负电极7通过粗糙纹理结构与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触，大大增大了负电极7与N+掺杂多晶硅42的接触面积，从而使负电极7与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触，提升电池效率。而且，只要在制备隧穿氧化层41之前增加制绒工艺，即可使得该P型背接触式晶硅太阳能电池的P型硅片1的背面、隧穿氧化层41、N+掺杂多晶硅42及背面钝化层5均可制得绒面结构，这样可以使印刷烧结后的负电极7形成粗糙纹理结构来实现与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触，实现方式简单，且实现成本低。

实施例二

请结合参照图2，本实施例还提供一种用于制备上述实施例一的P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，包括：

步骤S1，抛光：选用P型硅片1，并将P型硅片1进行抛光处理；

作为本实用新型的一个实施例，将P型硅片1进行抛光处理具体包括：

使用浓度为1.5-15％的碱溶液对P型硅片1进行抛光，抛光后的P型硅片1的反射率控制在38％-45％。其中，碱溶液可以是KOH溶液或者NaOH溶液。

步骤S2，第一次制绒：在P型硅片1背面对应制备负电极7的位置进行制绒形成绒面结构10；

本实用新型实施例中，通过在P型硅片1背面对应制备负电极7的位置制绒形成绒面结构10，这样使后续制备的隧穿氧化层41、N+掺杂多晶硅42及背面钝化层5均有绒面结构，采用银浆料丝网印刷负电极7后，银浆料通过高温烧结，烧结后的负电极7在N+掺杂多晶硅42内部的一端会形成与背面钝化层5的绒面形状大致相同的粗糙纹理结构71，负电极7通过粗糙纹理结构71与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触，大大增大了负电极7与N+掺杂多晶硅42的接触面积，从而使负电极7与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触，提升电池效率。

本实用新型实施例中，经第一次制绒后的硅片减重控制在0.1g-0.3g，反射率控制在8％-12％，以便后续隧穿氧化层41的制备。

作为本实用新型的一个实施例，步骤S2具体包括：

在P型硅片1背面制备掩膜；

在P型硅片1背面对应制备负电极7的位置进行激光消融刻蚀掩膜，以露出P型硅片1；

在P型硅片1背面的激光消融区域制绒形成绒面结构10，并通过酸洗去除非激光消融区域的掩膜。

作为本实用新型的一个实施例，具体采用PECVD沉积氧化硅掩膜，掩膜厚度控制在80-200nm。

本实施例中，通过先在P型硅片1的背面制备掩膜，以对非激光消融区域进行保护，使非激光消融区域保持抛光面，确保第一次制绒工艺只在P型硅片1背面对应制备负电极7的位置进行制绒。同时，在完成制绒后，利用酸性溶液去除硅片背面的掩膜。其中，掩膜为氧化硅掩膜。该酸性溶液具体可以为HF。

步骤S3，制备隧穿氧化层41：在P型硅片1的背面制备隧穿氧化层41；

本步骤中，通过在P型硅片1硅片的背面制备隧穿氧化层41，利用隧穿氧化层41对硅片背面进行钝化，以提升电池钝化能力。具体的，隧穿氧化层41的制备可以使用湿法或热氧技术对P型硅片1的表面进行氧化得到。

作为本实用新型的一个实施例，隧穿氧化层41的厚度控制在1-5nm。其中，隧穿氧化层41具体为氧化硅层。

步骤S4，制备N+掺杂多晶硅42：在P型硅片1背面制备N+掺杂多晶硅42；

作为本实用新型的一个优选实施例，N+掺杂多晶硅42具体通过沉积工艺得到。

作为本实用新型的一个实施例，N+掺杂多晶硅42的厚度控制在50-350nm。

其中，N+掺杂多晶硅42的方阻控制在50-200Ω/sqr，可以使后续制备的负电极7与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触。

作为本实用新型的一个实施例，步骤S4具体包括：

在P型硅片1的背面沉积N+掺杂非晶硅，并将N+掺杂非晶硅高温晶化成N+掺杂多晶硅42；或，

在P型硅片1的背面沉积本征非晶硅，并对本征非晶硅进行磷扩散得到N+掺杂非晶硅，同时将N+掺杂非晶硅高温晶化成N+掺杂多晶硅42。

本实施例中，N+掺杂多晶硅42的制备可以是通过LPCVD或PECVD直接在P型硅片1的背面沉积N+掺杂非晶硅，然后将硅片通过高温退火，使N+掺杂非晶硅高温晶化成N+掺杂多晶硅42。也可以是，先通过LPCVD或PECVD在P型硅片1的背面先沉积本征非晶硅，然后再对本征非晶硅进行通磷扩散工艺得到N+掺杂非晶硅，再将硅片通过高温退火，使N+掺杂非晶硅高温晶化成N+掺杂多晶硅42。

步骤S5，第二次制绒：在P型硅片1的正面进行制绒形成绒面；

本实用新型实施例中，通过在P型硅片1的正面制绒形成绒面，以减少硅片正面对太阳光的反射。

本实用新型实施例中，经第二次制绒后的硅片减重控制在0.2g-0.5g，反射率控制在8％-12％。

作为本实用新型的一个实施例，第二次制绒的步骤还包括：

在P型硅片1的背面对应制备正电极6的位置制绒形成绒面。

本实施例中，正电极6印刷烧结后与P型硅片1背面的绒面形成欧姆接触，这样可以提升正电极6与P型硅片1的欧姆接触效果；而且可以使覆盖P+掺杂区3的背面钝化层5可以更加稳定地附着在P+掺杂区3，实现良好的钝化效果。

作为本实用新型的一个实施例，在第二次制绒步骤之前，还包括在P型硅片1背面对应制备正电极6的位置进行开槽以形成凹槽11。其中，凹槽11的数量与P+掺杂区3的数量相等。凹槽11可以是在抛光步骤之前开槽，也可以是第二次制绒步骤之前的任意步骤之前进行。

其中，凹槽11的底部用于设置P+掺杂区3，以使P+掺杂区3通过凹槽11与N+掺杂区4间隔，避免P+掺杂区3与N+掺杂区4接触漏电，从而提升电池安全性能和电池效率。其中，制备正电极6的位置为凹槽11的底部，通过在凹槽11的底部制绒形成绒面，使正电极6印刷烧结后与绒面形成欧姆接触。

作为本实用新型的一个实施例，凹槽11的宽度控制在300-600um，凹槽11的深度控制在0.3-10um，相邻凹槽11之间的距离为20-500um，既使得P+掺杂区3与N+掺杂区4保持良好的隔离效果，且便于凹槽11的加工。

作为本实用新型的一个实施例，第二次制绒的步骤具体包括：

在P型硅片1背面制备掩膜；

对P型硅片1背面的对应制备正电极进行激光局部消融刻蚀掩膜，以露出P型硅片1；

在P型硅片1的正面及P型硅片背面的激光消融区域制绒形成绒面，并通过酸洗去除非激光消融区的掩膜。

具体的，在第二次制绒过程中，P型硅片1背面的激光消融区域位于凹槽11的底部，即在凹槽11底部进行激光消融去除掩膜，以在激光消融区域进行制绒进行绒面，便于正电极6印刷在凹槽11底部的绒面上。

本实施例中，通过先在P型硅片1的背面制备掩膜，以对非第二次制绒区域进行保护，这样确保第二次制绒工艺只在P型硅片1的正面及背面的激光消融区域进行制绒。在第二次制绒工艺完成后，在P型硅片1的正面及背面的激光消融区域形成绒面。同时，在完成制绒后，利用酸性溶液去除硅片背面的掩膜。其中，该掩膜为氧化硅掩膜。该酸性溶液具体可以为HF。

步骤S6，制备钝化减反射层2和背面钝化层5：在P型硅片1的正面制备钝化减反射层2，在P型硅片1的背面制备背面钝化层5；

本实用新型实施例中，通过在P型硅片1的正面制备钝化减反射层2，降低硅片表面复合，且减小太阳光的反射。

作为本实用新型的一个实施例，钝化减反射层2的厚度控制在80-150nm。

作为本实用新型的一个实施例，背面钝化层5的厚度控制在60-150nm，折射率控制在2-2.5，以使硅片背面实现较好的钝化，且增加硅片对光的吸收和利用。

步骤S7，激光开槽：在P型硅片1背面对应制备正电极6的位置进行激光开槽，以露出P型硅片1；

本步骤中，通过在P型硅片1背面对应制备正电极6的位置进行激光开槽，利用激光刻蚀背面钝化层5，以露出P型硅片1的背面，这样使得在激光开槽位置印刷的铝浆料可以与P型硅片1形成欧姆接触。其中，激光开槽的开槽宽度为28-45um。

步骤S8，正、负电极印刷烧结：在P型硅片1背面的第一次制绒位置使用银浆料印刷负电极7，在P型硅片1背面的激光开槽位置使用铝浆料印刷正电极6，并烧结烘干，以使正电极6与P型硅片1之间形成P+掺杂区3，负电极7形成与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触的粗糙纹理结构71。

本步骤中，通过银浆料在背面钝化层5对应P型硅片1背面的第一次制绒位置进行丝网印刷负电极7，由于在P型硅片1背面对应制备负电极7的位置制绒形成绒面结构10，隧穿氧化层41、N+掺杂多晶硅42及背面钝化层5对应该P型硅片1背面绒面的位置均有绒面结构，这样采用银浆料在背面钝化层5进行丝网印刷负电极7后，银浆料通过高温烧结，烧结后的负电极7在N+掺杂多晶硅42内部会形成粗糙纹理结构71，该粗糙纹理结构可以是形成不规则的锯齿形型纹理、半球型纹理或金字塔状纹理。负电极7通过粗糙纹理结构71与N+掺杂多晶硅42形成欧姆接触，大大增大了负电极7与N+掺杂多晶硅42的接触面积，从而使负电极7与N+掺杂多晶硅42形成良好的欧姆接触，提升电池效率。

本步骤中，用于印刷正电极6的铝浆在高温烧结时，铝浆中铝原子可以按照一定比例融入P型硅片1进行掺杂，以在P型硅片1形成掺杂铝的P+掺杂区3，可以降低电池背面载流子复合，可以增大开路电压，从而提高该P型背接触式晶硅太阳能电池的光电转换效率。

作为本实用新型的一个实施例，烧结温度为300-900℃，既可以保证正电极6、负电极7的烧结，且避免高温对隧穿氧化层41及多晶硅的破坏。

本实施例提供的P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法通过在制备隧穿氧化层之前增加一次制绒工艺，即可在该P型背接触式晶硅太阳能电池的P型硅片背面、隧穿氧化层、N+掺杂多晶硅及背面钝化层对应负电极的位置均形成绒面结构，这样可以使印刷烧结后的负电极形成粗糙纹理结构，负电极利用粗糙纹理结构来实现与N+掺杂多晶硅形成良好的欧姆接触，提升了电池效率，且实现工艺简单，且实现成本低。

实施例三

本实用新型实施例还提供一种太阳能电池组件，太阳能电池组件包括上述实施例一的P型背接触式晶硅太阳能电池。

本实施例中，太阳能电池组件通过设置上述实施例一的P型背接触式晶硅太阳能电池，P型背接触式晶硅太阳能电池的负电极通过粗糙纹理结构与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触，增大了负电极与N+掺杂多晶硅的接触面积，从而使负电极与N+掺杂多晶硅形成良好的欧姆接触，提升电池效率，从而可以提升太阳能电池组件的发电效率。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型硅片，所述P型硅片的正面设置有钝化减反射层；

所述P型硅片的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，所述P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布，所述背面钝化层覆盖所述P+掺杂区及所述N+掺杂区；

所述N+掺杂区包括设于所述P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于所述隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅，所述正电极与所述P+掺杂区形成欧姆接触，所述负电极与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触；所述P型硅片背面对应所述负电极的位置设有绒面结构，所述负电极对应所述绒面结构的位置设有与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。

2.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述绒面结构的宽度为80-200um。

3.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述N+掺杂多晶硅的方阻为50-200Ω/sqr。

4.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述P型硅片背面设置有与所述P+掺杂区的数量相对应的凹槽，每个所述P+掺杂区对应设置于一所述凹槽的底部。

5.根据权利要求4所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的底部设置有绒面，所述正电极设置于所述绒面上，且所述背面钝化层覆盖所述绒面。

6.根据权利要求4或5所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的宽度为300-600um，所述凹槽的深度为0.3-10um，相邻两个所述凹槽之间的距离为20-500um。

7.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1-5nm。

8.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化减反射层和所述背面钝化层分别为氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一种或多种组合。

9.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层的厚度为60-150nm，折射率为2-2.5。

10.一种太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池组件包括如权利要求1～9任意一项所述的P型背接触式晶硅太阳能电池。

Images