CN214753784U - 一种太阳能电池叠层钝化结构以及太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种太阳能电池叠层钝化结构以及太阳能电池，所述太阳能电池叠层钝化结构包括：从硅衬底的背表面至外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层、第四介电层和第五介电层；所述第四介电层的电荷密度大于所述第三介电层的电荷密度。本实用新型提供的太阳能电池背面叠层钝化结构具有非常好的化学钝化及场钝化效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种太阳能电池叠层钝化结构以及太阳能电池。
背景技术
太阳能是一种可再生能源，在太阳能的有效利用当中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。
单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。对于传统P型全铝背场太阳电池，背表面金属和硅接触区的复合即背表面全铝掺杂所形成全铝背场是限制效率进一步提升的关键因素，同时全铝背场的长波反射率较低，光学损失较高。
为了解决此问题，通过引入背表面钝化膜及局域铝背场技术对高效电池表面的钝化处理及结构改进，在减少金属与硅接触界面的复合同时提高了背表面长波反射，极大的提高了电池的开路电压及短路电流，使太阳电池光电转换效率提升1％以上，即现有的P型PERC((Passivated Emitterand Rear Cell))电池。该电池的工艺路径相对简单且兼容现有的电池生产线。因此得到了快速的大面积推广应用，目前PERC电池的市场占有率达到90％以上，量产PERC电池转换效率达到23％左右。
但目前产业化的PERC电池采用基于背表面氧化铝和氮化硅叠层钝化的结构，而氮化硅的正电荷量会影响氧化铝薄膜的场钝化效果，同时氮化硅薄膜的沉积功率较氧化铝薄膜高，沉积过程中会破坏氧化铝薄膜的钝化效果。
因此，需要开发一种场钝化效果有所提高的技术。
实用新型内容
鉴于现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种太阳能电池叠层钝化结构以及太阳能电池，所述太阳能电池叠层钝化结构具有良好的化学钝化效果、场钝化效果及背面光反射能力，且其制备工艺相对简单，适合产业化PERC电池。
为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
第一方面，本实用新型提供一种太阳能电池叠层钝化结构，所述太阳能电池叠层钝化结构包括：从硅衬底的背表面至外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层、第四介电层和第五介电层；所述第五介电层的电荷密度大于所述第三介电层的电荷密度。
本实用新型提供的太阳能电池叠层钝化结构中，第一介电层可降低悬挂键的密度，能够很好地控制界面陷阱，起到化学钝化作用；第二介电层的薄膜中有大量的氢存在，可以对硅片表面形成化学钝化，而且所述第二介电层与硅的接触面具有高的固定负电荷密度，可以通过屏蔽P型硅表面的少数载流子-电子表现出良好的场钝化特性；第三介电层与第五介电层能够起到与第二介电层类似的作用。而且本实用新型中所述第三介电层的电荷密度小于所述第五介电层的电荷密度，第三介电层和第四介电层能够一起减弱第五介电层对第二介电层的负电荷的影响，即减弱对场钝化效果的影响。
以下作为本实用新型优选的技术方案，但不作为对本实用新型提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本实用新型的技术目的和有益效果。
优选地，所述第二介电层中含有氢。
本实用新型的第二介电层的薄膜在沉积过程中，使薄膜中含有大量的氢存在，可以对硅片表面形成化学钝化，第二介电层中的氢以氢原子和/或氢离子形式存在。
优选地，所述第三介电层和第五介电层中含有氢原子和/或氢离子。
本实用新型的第三介电层和第五介电层中含有大量游离的氢原子和/或氢离子，这些氢原子和/或氢离子能够扩散到硅-氧化硅界面处，与界面处的硅悬挂键结合，降低表面的界面态密度，从而降低表面复合速率，达到对电池表面进行钝化的效果；同时氢原子和/或氢离子也会扩散到硅片体内，对硅片体内的缺陷及杂质进行钝化。
本实用新型提供的背面叠层钝化结构中含有大量的氢离子和/或者原子，会在后续电池制备的退火工艺或是烧结工艺中注入硅片的表面和内部，对复合中心进行钝化，该叠层钝化膜场钝化效应强，具有良好的钝化效果。
优选地，所述第三介电层的折射率小于第五介电层的折射率。
优选地，所述第三介电层的折射率大于第二介电层的折射率。
本实用新型中第三介电层的折射率介于第二介电层和第五介电层之间，这样的膜层设计能更好的增加背面的光反射，提升电流。
优选地，所述第一介电层为厚度1-10nm的氧化硅层和/或氮氧化硅层，例如可以是1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或10nm等。
本实用新型中进一步优选控制第一介电层的厚度，如果第一介电层的厚度过薄，会导致化学钝化效果不稳定；如果第一介电层的厚度过厚，会屏蔽第二介电层的负电荷，导致其场钝化效应减弱。
优选地，所述第二介电层为厚度1-60nm的氧化铝层，例如可以是1nm、5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm或60nm等。
本实用新型中进一步优选控制第二介电层的厚度，如果第二介电层的厚度过薄，会导致场钝化效果减弱或者不稳定；如果第二介电层的厚度过厚，会导致叠层膜背反射效果减弱，同时也增加生产成本。
优选地，所述第三介电层为厚度1-80nm的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层或碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合，例如可以是1nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm或80nm等。
本实用新型中进一步优选控制第三介电层的厚度，如果第三介电层的厚度过厚，则导致背面激光开槽时需要用高能量激光才能打开，激光的高能量导致硅片体寿命降低，降低电池转换效率。第三介电层的厚度过厚或者过薄，同时也会导致背反射效果减弱。
优选地，所述第三介电层的折射率为1.7-2.3，例如可以是1.7、1.8、1.9、2.0、2.1、2.2或2.3等。
本实用新型进一步控制第三介电层的折射率范围，如果第三介电层的折射率过高或过低，均会降低背面的光反射效果。
优选地，所述第三介电层为不同折射率材料叠加组成的叠层结构。
优选地，所述第四介电层为厚度1-10nm的氧化铝层，例如可以是1nm、2nm、3nm、5nm、7nm或10nm等。
本实用新型中进一步优选控制第四介电层的厚度，如果第四介电层的厚度过薄，会导致场钝化效果减弱或者不稳定；如果第四介电层的厚度过厚，会导致叠层膜背反射效果减弱，同时也增加生产成本。
优选地，所述第五介电层厚度为1-150nm的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合，例如可以是1nm、5nm、10nm、20nm、25nm、40nm、50nm、60nm、80nm、100nm、120nm或150nm等。
本实用新型中进一步优选控制第五介电层的厚度，如果第五介电层厚度过薄，会导致薄膜对背面铝浆或者银浆的腐蚀性的阻挡作用减弱，影响叠层膜的钝化效果。如果第五介电层的厚度过厚，则导致背面激光开槽时需要用高能量激光才能打开，激光的高能量导致硅片体寿命降低，降低电池转换效率。薄膜过厚或者过薄同时也会导致背反射效果减弱。
优选地，所述第五介电层的折射率为1.8-2.4，例如可以是1.8、1.9、2.0、2.1、2.2、2.3或2.4等。
本实用新型进一步控制第五介电层的折射率范围，如果第三介电层的折射率过高或过低，均会降低背面的光反射效果。
优选地，所述第五介电层为不同折射率材料叠加组成的叠层结构。
作为本实用新型优选的技术方案，所述第一介电层为厚度1-10nm的氧化硅层，所述第二介电层为厚度1-60nm的氧化铝层，所述第三介电层为厚度1-80nm的氮氧化硅层，所述第四介电层为厚度1-10nm的氧化铝层，所述第五介电层为厚度1-150nm的氮化硅层。
第二方面，本实用新型提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括第一方面所述的太阳能电池叠层钝化结构。
本实用新型第二方面提供的太阳能电池由于提升了场钝化效果，因此太阳能电池的光电转换效率得到提升。
优选地，所述太阳能电池还包括硅衬底，以及从硅衬底的正表面至外依次设置的N++重扩散区、N+轻扩散区、第五介电层和第六介电层。
优选地，所述第六介电层为氧化硅层。
优选地，所述第六介电层的厚度为1-10nm，例如可以是1nm、2nm、3nm、5nm、7nm或10nm等。
优选地，所述第七介电层为氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层或碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合。
优选地，所述第七介电层的厚度为20-150nm，例如可以是20nm、25nm、30nm、40nm、50nm、60nm、80nm、100nm、110nm、120nm或150nm等。
优选地，所述太阳能电池还包括贯穿第七介电层和第六介电层，并置入N++重扩散区的正面电极。
优选地，所述太阳能电池还包括依次贯穿第五介电层、第四介电层、第三介电层、第二介电层和第一介电层，并置入硅衬底的铝背场。
本实用新型第一方面所述的太阳能电池叠层钝化结构的制备方法包括如下步骤：在硅衬底的背表面生成第一介电层，再在所述第一介电层上依次生成第二介电层、第三介电层、第四介电层和第五介电层。
本实用新型所述太阳能电池叠层钝化结构的制备方法操作简单，流程短，成本低廉，易于进行大规模产业化生产，可以使得第一方面提供的太阳能电池叠层钝化结构具有良好的产业化前景。
优选地，所述第一介电层的生成方法包括热氧化法、溶液法或等离子体增强化学气相沉积法中的任意一种或至少两种的组合。
本实用新型中第一介电层如为氧化硅膜，其生长方法可以为热氧化法、溶液法或等离子体增强化学气相沉积法；若第一介电层为含有氧化硅膜的氧化硅/氮氧化硅，氧化硅膜的生长方法可以为热氧化法，溶液法或者等离子体增强化学气相沉积法；氮氧化硅膜的生长方法为等离子体增强化学气相沉积法。
优选地，所述第二介电层的生成方法包括等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或原子层沉积法(ALD)。
优选地，所述第三介电层的生成方法为等离子体增强化学气相沉积法。
优选地，所述第四介电层的生成方法为等离子体增强化学气相沉积法或原子层沉积法。
优选地，所述第五介电层的生成方法为等离子体增强化学气相沉积法。
本实用新型提供第二方面所述的太阳能电池的制备方法包括第一方面所述的太阳能电池叠层钝化结构的制备方法。
优选地，所述太阳能电池的制备方法还包括：制备N++重扩散区和N+轻扩散区以及沉积第六介电层和第七介电层。
优选地，所述第六介电层的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积法。
优选地，所述第七介电层的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积法。
优选地，所述太阳能电池的制备方法包括以下步骤：P型硅衬底依次经第一碱性溶液去除机械损伤层和经第二碱性溶液晶型表面腐蚀，在所述P型硅衬底的正面形成金字塔结构；所述P型硅衬底的正面再经扩散形成N+轻扩散区，经激光掺杂得到N++重扩散区；所述P型硅衬底的背面经抛光后，再经氧化在背面生成第一介电层，正面生成第六介电层；再在所述第一介电层上依次生成第二介电层、第三介电层、第四介电层和第五介电层；在所述第六介电层上沉积第七介电层；印刷背面Ag电极烘干后，再印刷背面铝浆料，形成铝背场，印刷正面Ag电极。
与现有技术相比，本实用新型至少具有以下有益效果：
(1)本实用新型提供的太阳能电池叠层钝化结构通过设置五层介电层能有效发挥薄膜负电荷的场钝化效果，界面薄膜化学钝化效果好，相较于未设置第一介电层、第二介电层或第四介电层的方案，本实用新型提供的太阳能电池叠层钝化结构的转化效率提升情况可达0.11％以上，电流密度可提升0.09mA/cm2以上，开路电压可提升2.3mV以上；
(2)本实用新型提供的太阳能电池叠层钝化结构还可进一步通过各介电层折射率的优化来增强电池背面光反射的效果。
附图说明
图1A-1I是本实用新型实施例1的制备方法不同阶段中太阳能电池的示意图。
图2是本实用新型实施例1提供的太阳能电池的截面示意图。
图3是本实用新型实施例1提供的太阳能电池的叠层钝化结构截面示意图。
图4是对比例1提供的太阳能电池的叠层钝化结构截面示意图。
图5是对比例2提供的太阳能电池的叠层钝化结构截面示意图。
图6是对比例3提供的太阳能电池的叠层钝化结构截面示意图。图中：1-P型硅衬底；2-第一介电层；3-第二介电层；4-第三介电层；5-第四介电层；6-第五介电层；7-第七介电层；8-N++重扩散区；9-N+轻扩散区；10-第六介电层；11-Ag电极；12-铝背场。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
下面对本实用新型进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本实用新型的简易例子，并不代表或限制本实用新型的权利保护范围，本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
一、实施例
实施例1
本实施例提供一种太阳能电池叠层钝化结构，如图2和图3所示，所述太阳能电池叠层钝化结构包括：从P型硅衬底1的背表面至外依次设置的第一介电层2、第二介电层3、第三介电层4、第四介电层5和第五介电层6；所述第三介电层4的电荷密度小于所述第五介电层6的电荷密度；所述第三介电层4的折射率小于第五介电层6的折射率；所述第三介电层4的折射率大于第二介电层3的折射率。
本实施例提供的太阳能电池叠层钝化结构中，第一介电层2为氧化硅膜，厚度为2nm；第二介电层3为氧化铝膜，厚度为10nm，折射率为1.6；第三介电层4为氮氧化硅膜，厚度为20nm，折射率为1.8；第四介电层5为氧化铝膜，厚度为2nm；第五介电层6为氮化硅膜，厚度为60nm，折射率为2.1。
本实施例还提供包括所述太阳能电池叠层钝化结构的太阳能电池，如图2和图3所示，所述太阳能电池还包括P型硅衬底1，以及从P型硅衬底1的正表面至外依次设置的N++重扩散区8、N+轻扩散区9、第五介电层6和第六介电层10；所述太阳能电池还包括贯穿第七介电层7和第六介电层10，并置入N++重扩散区8的正面电极；所述太阳能电池还包括依次贯穿第五介电层6、第四介电层5、第三介电层4、第二介电层3和第一介电层2，并置入P型硅衬底1的铝背场12，所述太阳能电池的正面为绒面结构，为简单示意特画为平面。
本实施例中N+轻扩散区9的扩散方阻为150ohm/sq，N++重扩散区8的扩散方阻为75ohm/sq，第六介电层10为氧化硅膜，厚度为2nm，第七介电层7为氮化硅膜，厚度为75nm，折射率为2.0。
本实施例还提供所述太阳能电池叠层钝化结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)如图1A所示的P型硅衬底1经质量浓度为2％的KOH溶液去除机械损伤层1.5μm，再经质量浓度为3％的KOH溶液进行表面腐蚀，形成尺寸为1.5μm的金字塔结构；
(2)步骤(1)具有所述金字塔结构的P型硅衬底1经POCl3液态扩散，液态扩散的温度为810℃，液态扩散的时长为90min，形成N+轻扩散区9，如图1B所示；
(3)将液态扩散后的P型硅衬底1中的磷原子进行激光SE掺杂，，所述激光SE掺杂的功率为30W，形成局部N++重扩散区8，如图1C所示；
(4)链式清洗机去除背结，并对P型硅衬底1的背面进行3.5μm的抛光，去除周边的p-n结；
(5)热氧化在P型硅衬底1的背面、正面和边缘生成薄的氧化硅膜，热氧化的温度为780℃，时间为10min，气氛为O2，为第一介电层2和第六介电层10，厚度均为2nm，如图1D所示。
(6)PECVD沉积背面氧化铝薄膜，为第二介电层3，如图1E所示，其中PECVD沉积的气源为TMA和N2O，流量为70sccm和300sccm，温度为330℃；PECVD沉积背面氮氧化硅膜，为第三介电层4，如图1F所示，其中PECVD沉积的气源为SiH4、NH3和N2O，流量为600sccm、900sccm和9000sccm，温度为400℃；
PECVD沉积背面氧化铝薄膜，为第四介电层5，如图1G所示，其中PECVD沉积的气源为TMA和N2O，流量为70sccm和300sccm，温度为330℃；；
PECVD沉积背面氮化硅膜，为第五介电层6，如图1H所示，其中PECVD沉积的气源为SiH4和NH3，流量为1300sccm及10000sccm，温度为400℃；
(7)PECVD法沉积正面氮化硅膜，为第七介电层7，如图1I所示，其中PECVD沉积的气源为SiH4和NH3，流量为800sccm及14500sccm，温度为500℃；
(8)采用532nm的纳秒激光器在背面叠层膜上进行局部开槽，打开叠层钝化膜；
(9)印刷背面Ag浆料烘干后，再印刷背面Al浆料烘干后，印刷正面Ag浆料并在875℃快速烧结，形成良好的欧姆接触，得到Ag电极11，制得所述太阳能电池。
实施例2
本实施例提供一种太阳能电池叠层钝化结构，所述太阳能电池叠层钝化结构参照实施例1的结构，区别在于，第一介电层为氧化硅/氮氧化硅叠层膜，厚度为3nm；第四介电层为氧化铝膜，厚度为5nm。
本实施例还提供包括所述太阳能电池叠层钝化结构的太阳能电池，所述太阳能电池的结构参照实施例1，其区别在于，第六介电层的厚度为3nm。
本实施例还提供所述太阳能电池叠层钝化结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)P型硅衬底经质量浓度为2％的KOH溶液去除机械损伤层1.5μm，再经质量浓度为3％的KOH溶液进行表面腐蚀，形成尺寸为1.5μm的金字塔结构；
(2)步骤(1)具有所述金字塔结构的P型硅衬底经POCl3液态扩散，液态扩散的温度为810℃，液态扩散的时长为90min，形成N+轻扩散区；
(3)将液态扩散后的P型硅衬底中的磷原子进行激光SE掺杂，，所述激光SE掺杂的功率为30W，形成局部N++重扩散区；
(4)链式清洗机去除背结，并对P型硅衬底的背面进行3.5μm的抛光，去除周边的p-n结；
(5)热氧化在P型硅衬底的背面、正面和边缘生成薄的氧化硅膜，热氧化的温度为780℃，时间为15min，气氛为O2，为第一介电层2和第六介电层10，厚度均为3nm。
(6)PECVD沉积背面氧化铝薄膜，为第二介电层，其中PECVD沉积的气源为TMA和N2O，流量为70sccm和300sccm，温度为330℃；
PECVD沉积背面氮氧化硅膜，为第三介电层，其中PECVD沉积的气源为SiH4、NH3和N2O，流量为600sccm、900sccm和9000sccm，温度为400℃；
PECVD沉积背面氧化铝薄膜，为第四介电层，其中PECVD沉积的气源为TMA和N2O，流量为70sccm和300sccm，温度为330℃；
PECVD沉积背面氮化硅膜，为第五介电层，其中PECVD沉积的气源为SiH4和NH3，流量为1300sccm及10000sccm，温度为400℃；
(7)PECVD法沉积正面氮化硅膜，为第七介电层，其中PECVD沉积的气源为SiH4和NH3，流量为800sccm及14500sccm，温度为500℃；
(8)采用532nm的纳秒激光器在背面叠层膜上进行局部开槽，打开叠层钝化膜；
(9)印刷背面Ag浆料烘干后，再印刷背面Al浆料烘干后，印刷正面Ag浆料并在875℃快速烧结，形成良好的欧姆接触，制得所述太阳能电池。
实施例3
本实施例提供的太阳能电池叠层钝化结构参照实施例1，区别在于，第一介电层为氧化硅膜，膜的厚度为2nm，第二介电层为氧化铝膜，厚度为10nm，折射率为1.6，第三介电层为氮氧化硅膜，厚度为20nm，折射率为1.9，第四介电层为氧化铝膜，厚度为5nm，第五介电层为两层氮化硅膜，厚度分别为20nm及40nm，折射率分别为2.0及2.1。
本实施例还提供一种太阳能电池，所述太阳能电池的结构参照实施例1，区别在于，N+轻扩散区的扩散方阻为150ohm/sq，N++重扩散区的扩散方阻为75ohm/sq，第六介电层为氧化硅膜，厚度为2nm，第七介电层为氮化硅膜，厚度为75nm，折射率为2.0。
实施例4
本实施例提供的太阳能电池叠层钝化结构参照实施例1，区别在于，第四介电层的厚度为20nm。
实施例5
本实施例提供的太阳能电池叠层钝化结构参照实施例1，区别在于，第四介电层的厚度为0.5nm。
本实用新型制备方法的工艺参数并不限于实施例1和实施例2中的工艺参数，可采用本领域技术人员熟知可用于介电层制备、Ag电极和铝背场制备的方法和工艺参数。
对比例1
本对比例与实施例1的区别在于，本对比例提供的太阳能电池叠层钝化结构中不设有第一介电层，如图4所示。
对比例2
本对比例与实施例1的区别在于，本对比例提供的太阳能电池叠层钝化结构中不设有第三介电层和第四介电层，如图5所示。
对比例3
本对比例与实施例1的区别在于，本对比例提供的太阳能电池叠层钝化结构中不设有第四介电层，如图6所示。
电池效率测试为标准测试条件:Irrdiance 1000W/m2，Cell Temperature 25℃，Air Mass AM1.5，不同方案电池的结果如表1所示。
表1
从表1可以看出如下几点：
(1)对比例1因为不设有第一介电层，导致其化学钝化效果减弱，电池开路电压Voc比实施例1低3.4mV，效率偏低，比实施例1低0.17％。
(2)对比例2因为不设有第三介电层，导致第二介电层的场钝化效应减弱，同时背面光反射效果也减弱，电池开路电压偏低，比实施例1低2.3mV，电流密度比实施例1低0.09mA/cm2，效率比实施例1低0.15％。
(3)对比例3因为不设有第四介电层，导致第二介电层的场钝化效应减弱，同时背面光反射效果也减弱，电池开路电压及短路电流偏低，最终导致电池转换效率比实施例1下降0.11％。
(4)综合实施例1和实施例4～5可以看出，实施例4中第三介电层氮化硅膜的折射率与第五介电层的折射率相同，导致第二介电层的场钝化减弱，并降低了背反射效果，导致电池开路电压比实施例1低0.6mV，短路电流低，比实施例1低0.16mA/cm2，效率比实施例1低0.14％，实施例5中第三介电层氮化硅膜的折射率与第二介电层相同，开路电压、短路电流和转化效率均较实施例1有所下降，由此表明，本实用新型进一步优选将第三介电层的折射率设置在第二介电层和第五介电层之间，更有利于提高转换效率。
(5)综合实施例1和实施例6～7可以看出，实施例6中第四介电层厚度为20nm时，最终背面激光开槽时需要用高能量激光才能打开，激光的高能量将导致硅片体寿命降低，降低了电池转换效率；而实施例7中第四介电层厚度为0.5nm时，导致第二介电层的场钝化因受第五介电层的影响导致减弱，最终电池的开路电压及短路电流降低，使电池效率比实施例1下降0.18％，由此表明，本实用新型进一步优选将第四介电层的厚度控制在特定范围内，提高了电池转化效率、开路电压及短路电流。
综上所述，本实用新型提供的太阳能电池叠层钝化结构通过五层介电层的设置，且设置第三介电层的电荷密度小于所述第五介电层的电荷密度，能够一起减弱第五介电层对第二介电层的负电荷的影响，即减弱对场钝化效果的影响，提高了电池的转换效率和开路电压，电池的转换效率可达22.5％以上，在较优条件下可达23％以上，开路电压可达689.4mV以上，在较优条件下可达693mV以上，短路电流在40.34mA/cm2以上，较优条件下可达40.77mA/cm2以上。
申请人声明，本实用新型通过上述实施例来说明本实用新型的详细结构特征，但本实用新型并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本实用新型必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本实用新型的任何改进，对本实用新型所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述太阳能电池叠层钝化结构包括：从硅衬底的背表面至外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层、第四介电层和第五介电层；
所述第三介电层的电荷密度小于所述第五介电层的电荷密度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第一介电层为厚度1-10nm的氧化硅层和/或氮氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层为厚度1-60nm的氧化铝层。
4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层为厚度1-80nm的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层或碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层为不同折射率材料叠加组成的叠层结构。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第四介电层为厚度1-10nm的氧化铝层。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第五介电层厚度为1-150nm的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第五介电层为不同折射率材料叠加组成的叠层结构。
9.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括权利要求1～8任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括硅衬底，以及从硅衬底的正表面至外依次设置的N++重扩散区、N+轻扩散区、第五介电层和第六介电层。
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