CN214653675U - 半导体废硅泥的二氧化硅再生设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,主要设有第一干燥装置、第一搅拌装置、第一过滤清洗装置、第二干燥装置、第二搅拌装置、第二过滤清洗装置、第三干燥装置及研磨装置,该第一干燥装置供对废硅泥进行干燥,将干燥后的废硅泥置入该第一搅拌装置内,该第一搅拌装置浸渍搅拌所得的物再经该第一过滤清洗装置进行过滤清洗,将所得的物中的第一浸渍溶液予以去除,之后经该第二干燥装置将所得的物进行干燥,再将所得的物置入该第二搅拌装置内,将所得的物经该第二过滤清洗装置进行过滤清洗,将所得的物中的第二浸渍溶液予以去除,再将所得的物经该第三干燥装置进行干燥,以去除结晶水,经该研磨装置进行研磨,即得二氧化硅粉体。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,特别系指一种凭借各装置将半导体废硅泥经纯化干燥后,制作出二氧化硅粉体的再生设备。
背景技术
半导体或太阳能晶圆厂其为晶片抛光或减薄制程,使用化学腐蚀或机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理的固体,主要成分为硅或二氧化硅,而半导体或太阳能晶圆厂经切割或研磨制程所产生的废硅泥,大都经废水处理将固体浓集后,委由清除处理机构进行掩埋处理,而掩埋处理易对环境造成污染,且废硅泥含有大量的硅或二氧化硅,直接掩埋极为浪费资源。
实用新型内容
本实用新型的主要目的,系在提供一种半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,可有效解决半导体废硅泥的处理问题。
本实用新型半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,主要设有第一干燥装置、第一搅拌装置、第一过滤清洗装置、第二干燥装置、第二搅拌装置、第二过滤清洗装置、第三干燥装置及研磨装置,该第一干燥装置供对废硅泥进行干燥,将干燥后的废硅泥置入该第一搅拌装置内,该第一搅拌装置上设有第一添加装置,该第一添加装置内装有第一浸渍溶液,经该第一搅拌装置浸渍搅拌所得的物经该第一过滤清洗装置进行过滤清洗,将所得的物中的第一浸渍溶液予以去除,将所得的物经该第二燥装置进行干燥,再将干燥后所得的物置入该第二搅拌装置内,该第二搅拌装置上设有第二添加装置,该第二添加装置内装有第二浸渍溶液,经该第二搅拌装置浸渍搅拌所得的物经该第二过滤清洗装置进行过滤清洗,将所得的物中的第二浸渍溶液予以去除,再将经该第二次过滤清洗装置所得的物经该第三干燥装置进行干燥,以去除结晶水,将所得的物经该研磨装置进行研磨,即得二氧化硅粉体。
本实用新型半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,其中,该第一添加装置中的该第一浸渍溶液的组成为无机酸及水,该无机酸的成分为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸的单一成分或混合物,该水为去离子水,使可酸溶出的不纯物溶出。
本实用新型半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,其中,该第二添加装置中的该第二浸渍溶液的组成为无机碱及水,该无机碱的成分为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠、氨水的单一成分或混合物,该水为去离子水,使可碱溶出的不纯物溶出。
本实用新型半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,其优点在于:可将半导体的废硅泥再生为二氧化硅粉体,可作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等的原料,可使废硅泥达到最佳的资源化再利用。
附图说明
图1所示是本实用新型实施例的设备示意图。
图2所示是本实用新型实施例制作方法的流程图。
附图标记说明:1第一干燥装置;2第一搅拌装置;20第一添加装置;3第一过滤清洗装置;4第二干燥装置;5第二搅拌装置;50第二添加装置;6第二过滤清洗装置;7第二干燥装置;8研磨装置;9收集包装。
具体实施方式
有关本实用新型为达上述的使用目的与功效,所采用的技术手段,兹举出较佳可行的实施例,并配合图式所示,详述如下:
本实用新型的实施例,请参阅图1所示,主要设有第一干燥装置1,该第一干燥装置1供对废硅泥进行干燥,将干燥后的废硅泥置入第一搅拌装置2内,该第一搅拌装置2上设有第一添加装置20,该第一添加装置20中装有第一浸渍溶液,该第一浸渍溶液的组成为无机酸及水,无机酸的成分为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸的单一成分或混合物,水为去离子水,使可酸溶出的不纯物溶出,经该第一搅拌装置2浸渍搅拌所得的物经第一过滤清洗装置3进行过滤清洗,将所得的物中的第一浸渍溶液予以去除,将所得的物经第二燥装置4进行干燥,再将干燥后所得的物置入第二搅拌装置5内,该第二搅拌装置5上设有第二添加装置50,该第二添加装置50内装有第二浸渍溶液,该第二浸渍溶液的组成为无机碱及水,无机碱的成分为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠、氨水的单一成分或混合物,水为去离子水,使可碱溶出的不纯物溶出,经该第二搅拌装置5浸渍搅拌所得的物经第二过滤清洗装置6进行过滤清洗,将所得的物中的第二浸渍溶液予以去除,再将经第二次过滤清洗装置6所得的物经第三干燥装置7进行干燥,以去除结晶水,再将所得的物经研磨装置8进行研磨,使颗粒通过100目数筛网,剩余颗粒大于100目数的固体继续研磨,即可得粉状的二氧化硅粉体,再将该二氧化硅粉体予以收集包装9,如此,即为一半导体废硅泥的二氧化硅再生设备。
本实用新型利用上述设备制成二氧化硅粉体的方法,请参阅第一、二图所示,其方法如下:
(1)将废硅泥经第一干燥装置1进行第一次干燥,干燥条件为150~300℃,干燥时间为1~3小时,得硅泥固体;
(2)将步骤(1)所得的硅泥固体置入第一搅拌装置2内,并由第一添加装置20加入第一浸渍溶液进行第一次搅拌,搅拌时间为1~3小时,固体与液体的重量比为1:2~1:5,该第一浸渍溶液的重量百分率浓度为10%~20%,浸渍时间为1~3小时,使可酸溶出的不纯物溶出;
(3)将步骤(2)所得的物置入第一过滤清洗装置3内进行第一次过滤及清洗,将所得的物中的第一浸渍溶液予以去除;
(4)将步骤(3)所得的物置入第二干燥装置4进行第二次干燥,干燥条件为105℃,干燥时间为1小时;
(5)将步骤(4)所得的物置入第二搅拌装置5内进行纯化,并由第二添加装置50加入第二浸渍溶液进行第二次搅拌,搅拌时间为1~3小时,固体与液体的重量比为1:2~1:5,该第二浸渍溶液的重量百分率浓度为10%~20%,浸渍时间为1~3小时,使可碱溶出的不纯物溶出;
(6)将步骤(5)所得的物置入第二过滤清洗装置6内进行第二次过滤及清洗,将所得的物中的第二浸渍溶液予以去除;
(7)将步骤(6)所得的物置入第三干燥装置7中进行第三次干燥,干燥条件为300~600℃,干燥时间为1~3小时,以去除结晶水;
(8)将步骤(7)所得的物置入研磨装置8中进行研磨,使颗粒通过100目数筛网,剩余颗粒大于100目数的固体继续研磨;
(9)将步骤(8)所的粉状二氧化硅予以收集包装9,得到粒度均匀且二氧化硅含量大于90%的二氧化硅粉体。
以上说明对本实用新型而言只是说明性的,而非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修改、变化或等效,但都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种半导体废硅泥的二氧化硅再生设备,其特征在于:设有依序连接的第一干燥装置、第一搅拌装置、第一过滤清洗装置、第二干燥装置、第二搅拌装置、第二过滤清洗装置、第三干燥装置及研磨装置,该第一干燥装置供对废硅泥进行干燥,该第一搅拌装置上设有第一添加装置,该第一添加装置内装有第一浸渍溶液,该第二搅拌装置上设有第二添加装置,该第二添加装置内装有第二浸渍溶液。
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2021
- 2021-03-12 CN CN202120517131.2U patent/CN214653675U/zh active Active
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