CN214411170U - 一种大功率散热型碳化硅二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种大功率散热型碳化硅二极管，包括碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括碳化硅芯片、包覆在所述碳化硅芯片外侧的绝缘外壳，所述碳化硅芯片的阴极焊接有阴极导电脚，所述绝缘外壳内还设有金属散热板，所述金属散热板中部设有向上凹陷的凹槽，所述碳化硅芯片的阳极焊接在所述凹槽内侧，所述碳化硅芯片一侧还设有阳极导电脚，所述阳极导电脚上端与所述金属散热板焊接，所述绝缘外壳上端还设有第一散热槽、第二散热槽，所述金属散热板两端分别连接有第一弯折部、第二弯折部，所述第一弯折部位于所述第一散热槽内侧，所述第二弯折部位于所述第二散热槽内侧。本实用新型的散热型碳化硅二极管，功率大，散热性能优异。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种大功率散热型碳化硅二极管。
背景技术
碳化硅材料具有宽带隙，高击穿场强，高热导率，高饱和电子迁移速率，以及极好的物理化学稳定性等特性，适于在高温、高频、大功率和极端环境下工作，因此部分二极管应用碳化硅材料取代传统的硅材料制作成了碳化硅二极管。现有技术的碳化硅二极管，普遍存在散热性能不足的问题，存在较大的缺陷。
实用新型内容
针对以上问题，本实用新型提供一种大功率散热型碳化硅二极管，功率大，散热性能优异。
为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：
一种大功率散热型碳化硅二极管，包括碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括碳化硅芯片、包覆在所述碳化硅芯片外侧的绝缘外壳，所述碳化硅芯片的阴极焊接有阴极导电脚，所述绝缘外壳内还设有金属散热板，所述金属散热板中部设有向上凹陷的凹槽，所述碳化硅芯片的阳极焊接在所述凹槽内侧，所述碳化硅芯片一侧还设有阳极导电脚，所述阳极导电脚上端与所述金属散热板焊接，所述绝缘外壳上端还设有第一散热槽、第二散热槽，所述金属散热板两端分别连接有第一弯折部、第二弯折部，所述第一弯折部位于所述第一散热槽内侧，所述第二弯折部位于所述第二散热槽内侧。
具体的，所述绝缘外壳下端设有陶瓷散热层。
具体的，所述碳化硅芯片下侧设有若干第三散热槽。
具体的，所述阴极导电脚上设有第一安装槽。
具体的，所述阳极导电脚上设有第二安装槽。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型的碳化硅二极管，绝缘外壳上端还设有第一散热槽、第二散热槽，在绝缘外壳内增加了金属散热板，金属散热板两端分别连接有第一弯折部、第二弯折部，第一弯折部位于第一散热槽内侧，第二弯折部位于第二散热槽内侧，碳化硅芯片产生的热量通过金属导热板快速的导出到外界，使得碳化硅二极管具有优异的散热性能。
附图说明
图1为本实用新型的一种大功率散热型碳化硅二极管的俯视图。
图2为图1中A-A面的剖面图。
附图标记为：碳化硅芯片1、绝缘外壳2、第一散热槽21、第二散热槽22、第三散热槽23、阴极导电脚3、第一安装槽31、金属散热板4、凹槽41、第一弯折部42、第二弯折部43、阳极导电脚5、第二安装槽51、陶瓷散热层6。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1-2所示：
一种大功率散热型碳化硅二极管，包括碳化硅二极管，碳化硅二极管包括碳化硅芯片1、包覆在碳化硅芯片1外侧的绝缘外壳2，碳化硅芯片1的阴极焊接有阴极导电脚3，绝缘外壳2内还设有金属散热板4，金属散热板4中部设有向上凹陷的凹槽41，碳化硅芯片1的阳极焊接在凹槽41内侧，碳化硅芯片1一侧还设有阳极导电脚5，阳极导电脚5上端与金属散热板4焊接，绝缘外壳2上端还设有第一散热槽21、第二散热槽22，金属散热板4两端分别连接有第一弯折部42、第二弯折部43，第一弯折部42位于第一散热槽21内侧，第二弯折部43位于第二散热槽22内侧，将碳化硅芯片1的阳极直接与金属散热板4焊接，碳化硅芯片1工作时产生的热量通过金属散热板4迅速导出，提升了碳化硅二极管的散热性能。
优选的，为了提升碳化硅二极管下端的散热效率，绝缘外壳2下端设有陶瓷散热层6。
优选的，为了进一步提升碳化硅二极管下端的散热效率，碳化硅芯片1下侧设有若干第三散热槽23。
优选的，阴极导电脚3上设有第一安装槽31。
优选的，阳极导电脚5上设有第二安装槽51。
以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种大功率散热型碳化硅二极管，其特征在于，包括碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括碳化硅芯片(1)、包覆在所述碳化硅芯片(1)外侧的绝缘外壳(2)，所述碳化硅芯片(1)的阴极焊接有阴极导电脚(3)，所述绝缘外壳(2)内还设有金属散热板(4)，所述金属散热板(4)中部设有向上凹陷的凹槽(41)，所述碳化硅芯片(1)的阳极焊接在所述凹槽(41)内侧，所述碳化硅芯片(1)一侧还设有阳极导电脚(5)，所述阳极导电脚(5)上端与所述金属散热板(4)焊接，所述绝缘外壳(2)上端还设有第一散热槽(21)、第二散热槽(22)，所述金属散热板(4)两端分别连接有第一弯折部(42)、第二弯折部(43)，所述第一弯折部(42)位于所述第一散热槽(21)内侧，所述第二弯折部(43)位于所述第二散热槽(22)内侧。
2.根据权利要求1所述的一种大功率散热型碳化硅二极管，其特征在于，所述绝缘外壳(2)下端设有陶瓷散热层(6)。
3.根据权利要求1所述的一种大功率散热型碳化硅二极管，其特征在于，所述碳化硅芯片(1)下侧设有若干第三散热槽(23)。
4.根据权利要求1所述的一种大功率散热型碳化硅二极管，其特征在于，所述阴极导电脚(3)上设有第一安装槽(31)。
5.根据权利要求1所述的一种大功率散热型碳化硅二极管，其特征在于，所述阳极导电脚(5)上设有第二安装槽(51)。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202120654443.8U CN214411170U (zh) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 一种大功率散热型碳化硅二极管 |
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Publications (1)
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| CN214411170U true CN214411170U (zh) | 2021-10-15 |
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Family Applications (1)
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| CN202120654443.8U Active CN214411170U (zh) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 一种大功率散热型碳化硅二极管 |
Country Status (1)
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|---|---|
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2021
- 2021-03-31 CN CN202120654443.8U patent/CN214411170U/zh active Active
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