CN214378485U - 发光二极管及发光装置 - Google Patents

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Abstract

公开一种发光二极管及发光装置。根据一实施例的一种发光二极管包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，其中，所述活性层具有多个势垒层和多个阱层堆叠的单个多量子阱结构，所述活性层发出白色光。

Description

发光二极管及发光装置
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管，尤其，涉及一种在单芯片级别发出多带光的发光二极管。
背景技术
氮化物半导体可以用作显示器装置、信号灯、照明或光通信装置的光源，并且主要用于发出蓝色光或绿色光的发光二极管(light emitting diode)或激光二极管(laserdiode)。并且，氮化物半导体还可以用于异质结双极性晶体管(HBT)及高电子迁移率晶体管(HEMT)等。
通常，利用氮化物半导体的发光二极管具有在N接触层与P接触层之间具有量子阱结构的异质结结构。发光二极管根据量子阱结构内的阱层的组成而发光。为了提高内部量子效率并减少由光吸收引起的损失，发光二极管被设计为发出具有单峰值的光谱的光(即，单色光)。
从照明灯发出的混色光(例如，白色光)不能利用单峰值的单色光实现。因此，实现白色光的技术通常一起使用发出彼此不同的单色光的多个发光二极管，或者使用对从发光二极管发出的光进行波长转换的荧光体。
荧光体的使用伴随着诸如磷光体本身的成本或被称为斯托克斯位移的效率降低等的问题。进而，在利用频带较宽的可见光来传输信息的Li-Fi中，使用黄色荧光体的一般的白色LED的数据传输速率通常较慢。使用黄色荧光体的一般的白色LED因较低的频率响应而不适合于可见光通信(VLC：visible light communication)。并且，要求在发光二极管上涂覆荧光体的工艺，荧光体涉及承载荧光体的载体的黄变。
另外，混合使用多个发光二极管会使工艺复杂。准备利用彼此不同的材料制造的发光二极管是不方便的。
实用新型内容
可以利用单芯片的发光二极管来实现具有多光谱带的光，并且可以回避多个发光二极管或荧光体的使用。
在现有技术中，尝试通过多样地构成量子阱结构内的阱层的组成来实现多光谱带的光，但是未获得令人满意的成果。尤其，电子和空穴的再结合主要发生在特定阱层中，因此难以生成多光谱带的光。
本实用新型期望解决的技术问题在于，提供一种能够在单芯片级别实现多光谱带的光的新型结构的发光二极管。
本实用新型期望解决的又一技术问题在于，提供一种适合于诸如Li-Fi的可见光通信(VLC)的LED光源。
在根据本实用新型的教导的一个以上的实施例中，一种发光二极管包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上。所述活性层具有多个势垒层和多个阱层堆叠的单个多量子阱结构，所述活性层发出白色光。
所述活性层随着驱动电流增加而可以发出两个峰值波长的光。
从所述活性层发出的光随着驱动电流增加而可以从黄色光变为白色光。
所述发光二极管还可以包括：V型凹坑生成层，布置于所述n型氮化物半导体层与所述活性层之间，并且所述活性层的一部分可以形成于所述V型凹坑生成层的V型凹坑内。
所述V型凹坑生成层可以具有大于450nm的厚度，形成于所述V型凹坑生成层的V型凹坑可以包括入口宽度大于230nm的V型凹坑。
所述发光二极管还可以包括：p型AlGaN层，夹设于所述活性层与所述p型氮化物半导体层之间，所述p型AlGaN层内的Al的组成比x可以大于0且小于0.3。
所述p型AlGaN层可以具有小于100nm的厚度。
所述活性层可以具有多个势垒层和多个阱层堆叠的多量子阱结构，并且所述发光二极管还可以包括：封盖层，布置于所述阱层与势垒层之间，并且覆盖所述阱层，其中，所述封盖层可以包括Al。
在一实施例中，所述发光二极管可以具有倒装芯片型结构。
在一实施例中，所述发光二极管可以具有多个发光单元。
各个所述发光单元可以具有彼此不同的发光面积。
进而，所述发光单元可以串联连接。
在根据本实用新型的教导的一个以上的实施例中，一种发光装置包括发光二极管以及滤色器。所述发光二极管包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，其中，所述活性层具有多个势垒层和多个阱层堆叠的单个多量子阱结构，所述活性层发出至少两个峰值波长的光。
所述滤色器可以是带通滤光器、长波长透射滤光器或者短波长透射滤光器。
根据本实用新型的实施例的发光二极管可以在不使用荧光体的情况下在可见光区域发出具有多个峰值波长的光，并且可以利用该发光二极管在无荧光体的情况下实现白色光。
由于根据本实用新型的实施例的发光二极管发出多个能够明显区分的峰值波长的光，因此有利于利用滤色器来提取所需的峰值波长的光而使用。
根据本实用新型的实施例的发光二极管不仅可以应用于照明领域，还可以应用于无线通信领域。尤其，由于可以在可见区域发出多峰值波长的光，因此可以适合用于诸如Li-Fi的可见光通信(VLC)。
附图说明
图1是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光二极管的示意性的剖视图。
图2A是为了说明发光二极管而扩大示出图1的一部分的示意性的局部剖视图。
图2B是为了说明发光二极管而扩大示出图2A的一部分的示意性的局部剖视图。
图3是为了说明发光二极管而扩大示出V型凹坑生成层的示意性的立体图。
图4A是示出根据本实用新型的一实施例的倒装芯片型发光二极管的示意性的平面图。
图4B是沿图4A的截取线A-A而截取的示意性的剖视图。
图5A是用于说明根据又一实施例的具有多个发光单元的发光二极管的示意性的平面图。
图5B是沿图5A的截取线B-B而截取的示意性的剖视图。
图5C是沿图5A的截取线C-C而截取的示意性的剖视图。
图6是用于说明根据又一实施例的具有多个发光单元的发光二极管的示意性的平面图。
图7A是示出根据比较例的蓝色发光二极管的电流的光谱的曲线图。
图7B是示出根据实施例的发光二极管的电流的光谱的曲线图。
图8A是示出在比较例中应用荧光体的白色发光二极管封装件的色坐标的曲线图。
图8B是用于说明根据本实用新型的一实施例的白色发光二极管封装件的电流的色坐标的曲线图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本实用新型的实施例。为了能够将本实用新型的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本实用新型并不局限于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。并且，在附图中，可能为了便利而夸张示出构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或“之上”时，不仅包括各部分均“直接”位于另一部分的“上部”或“之上”的情形，还包括各构成要素与另一构成要素之间夹设有又一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
图1是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光二极管的示意性的剖视图，图2A是为了说明发光二极管而扩大示出图1的一部分的示意性的局部剖视图，图2B是为了说明发光二极管而扩大示出图2A的一部分的示意性的局部剖视图，图3是为了说明发光二极管而扩大示出V型凹坑生成层的示意性的立体图。
首先，参照图1，发光二极管可以包括基板21、核层23、高温缓冲层25、n型氮化物半导体层27、V型凹坑生成层29、活性层30、p型AlGaN层31、p型氮化物半导体层33。
基板21用于使氮化镓系半导体层生长，可以利用蓝宝石基板、SiC基板、GaN基板、Si基板、尖晶石基板等。如图1所示，基板21可以具有凸出部，例如，可以是图案化的蓝宝石基板。然而，本实用新型并不限于此，也可以是具有平坦的上表面的基板，例如，可以是蓝宝石基板。
核层23可以在400℃至600℃的低温下利用(Al,Ga)N形成于基板21上，作为一例，可以利用AlGaN或GaN形成。核层23的组成可以根据基板21而改变。例如，在基板21为图案化的蓝宝石基板的情况下，核层23可以利用AlGaN形成，而在基板21为具有平坦的上表面的蓝宝石基板的情况下，核层23可以利用GaN形成。例如，核层23可以形成为约25nm的厚度。
为了减轻在基板21与n型氮化物半导体层27之间产生位错等缺陷，高温缓冲层25可以在相对高温下生长。高温缓冲层25可以利用未掺杂的GaN或掺杂有n型杂质的GaN形成。在形成高温缓冲层25期间，因基板21与高温缓冲层25之间的晶格失配而产生穿透位错。例如，高温缓冲层25可以形成为约4.2μm的厚度。
n型氮化物半导体层27是掺杂有n型杂质的氮化物系半导体层，例如，可以利用掺杂有Si的GaN层形成。掺杂至n型氮化物半导体层27的Si掺杂浓度可以是5E17/cm2至5E19/cm2。通过使用金属有机化学气相沉积(MOCVD：Metal-Organic ChemicalVapor Depositon)技术将金属源气体供应到腔室内，可以在1000℃至1200℃(例如，1050℃至1100℃)下在150Torr至200Torr的生长压力下生长n型氮化物半导体层27。此时，n型氮化物半导体层27可以连续地形成于高温缓冲层25上，形成于高温缓冲层25内的穿透位错可以转移到n型氮化物半导体层27。n型氮化物半导体层27可以形成为比高温缓冲层25相对较薄，例如，可以形成为约2.5μm的厚度。
V型凹坑生成层29位于n型氮化物半导体层27的上部。在本实用新型的一实施例中，例如，V型凹坑生成层29可以利用GaN层形成。V型凹坑生成层29可以在比n型氮化物半导体层27的生长温度相对低的温度(例如，约900℃)下生长，据此，在V型凹坑生成层29形成V型凹坑。
由于V型凹坑生成层29在比n型氮化物半导体层27相对低的温度下生长，因此可以人为地降低晶体质量并促进三维生长来生成V型凹坑29v。
如图3所示，在氮化物半导体层的生长表面为C表面的情况下，V型凹坑29v可以具有六棱锥形状。V型凹坑29v可以在穿透位错的上端形成。
V型凹坑生成层29可以形成为比n型氮化物半导体层27薄的厚度，例如，可以形成为约450nm至600nm的厚度。形成于V型凹坑生成层29内的V型凹坑29v的大小可以通过V型凹坑生成层29的生长条件及生长时间等来调节。在一实施例中，形成于V型凹坑生成层29的V型凹坑29v的入口的最大宽度可以大致大于约230nm。
V型凹坑生成层29的厚度尤其影响V型凹坑29v的大小。此外，V型凹坑29v的大小被认为影响多光谱带的光的生成。
在本实施例中，说明为V型凹坑29为单层，但是并不限于此，也可以是多层。例如，V型凹坑生成层29可以包括GaN层、AlGaN层、InGaN层或AlGaInN层中的至少两个层。
活性层30位于V型凹坑生成层29上。活性层30借由电子和空穴的再结合而发光。并且，活性层30可以具有单量子阱结构或交替堆叠势垒层30b和阱层30w的多量子阱(MQW)结构。具体地讲，活性层30可以具有势垒层30b和阱层30w交替堆叠的单个多量子阱(MQW)结构。
活性层30可以相接于V型凹坑生成层29，但是本实用新型并不限于此。活性层30可以沿着V型凹坑29v而形成。形成在V型凹坑29v内的活性层30的厚度小于形成在V型凹坑生成层29的平坦的表面上的活性层30的厚度。V型凹坑29v内的活性层30的厚度可以根据V型凹坑29v的深度而不同。在V型凹坑29v的中间程度的深度处的活性层30的厚度可以是形成在V型凹坑生成层29的平坦的表面上的活性层30的厚度的约1/3以下。尤其，在V型凹坑29v的中间程度的深度处的阱层30w的厚度可以是形成在V型凹坑生成层29的平坦的表面上的阱层30w的厚度的约1/3以下。
另外，阱层30w可以利用InxAlyGa1-x-yN(0<x<1，0≤y<1)形成。可以根据所需的光来选择In、Al、Ga的组成比。尤其，形成在V型凹坑生成层29的平坦的表面上的阱层30w(以下，第一阱层部分)具有发出多带的长波长侧光谱的光的组成。另外，形成在V型凹坑29v内的阱层30w(以下，第二阱层部分)具有发出多带的短波长侧光谱的光的组成。例如，第一阱层部分内的In的组成比高于第二阱层部分内的In的组成比，并且第一阱层部分可以以发出黄色系的光的方式利用InGaN形成，第二阱层部分可以以发出绿色和/或蓝色系的光的方式利用InGaN形成。
第二阱层部分可以利用相同的组成形成在V型凹坑29v内的各个面上，但是并不限于此，也可以利用彼此不同的组成形成在各个面上。据此，本实用新型的发光二极管可以利用第一阱层部分和第二阱层部分在单芯片级别实现具有至少两个带的光。
势垒层30b可以利用带隙比阱层30w宽的GaN、InGaN、AlGaN或AlInGaN等的氮化物半导体层形成。例如，在第一阱层部分以发出黄色光的方式利用InGaN形成的情况下，势垒层30b可以利用In含量小于阱层30w的InGaN形成。
另外，如图2B所示，封盖层30c可以夹设于阱层30w与势垒层30b之间。为了防止阱层30w内的铟(In)在沉积势垒层30b期间被解离，封盖层30c可以在沉积势垒层30b之前形成。封盖层30c可以包括Al，例如，可以利用AlGaN或AlInGaN形成。封盖层30c内包含的Al的组成可以在第一封盖层部分(即，布置于V型凹坑生成层29的平坦的表面上部的封盖层部分)和第二封盖层部分(即，形成于V型凹坑29v内的封盖层部分)彼此不同。第一封盖层部分内的Al含量大于第二封盖层部分内的Al含量。例如，第一封盖层部分内的Al组成相对于封盖层内的总组成可以为10原子％以上，进而可以为12原子％以上，第二封盖层部分内的Al组成相对于封盖层内的总组成可以为约5原子％以上。
除了最靠近p型氮化物半导体层33的最后一个封盖层30c之外的其余封盖层30c可以形成为与相邻的阱层30w大致相似或比其小的厚度。最后一个封盖层30c可以形成为比与其相邻的阱层30w更厚。
p型AlGaN层31位于活性层30上。p型AlGaN层31也可以形成于V型凹坑29v内。p型AlGaN层31内的Al组成比相对低于用于电子阻挡层的Al组成比。并且，p型AlGaN层31内的Al组成比可以小于封盖层30c内的Al组成比。例如，p型AlGaN层31可以由通式AlxGa1-xN表示，在此，x可以大于0且小于0.3。另外，在一实施例中，p型AlGaN层31的厚度可以小于约100nm，在至少一个变形例中，可以为约70nm。
p型氮化物半导体层33可以利用掺杂有诸如Mg的p型杂质的半导体层(例如，GaN)形成。p型氮化物半导体层33可以是单层或多层，可以包括p型接触层。如图1所示，p型氮化物半导体层33可以在V型凹坑29v中具有凹陷的槽。由于p型氮化物半导体层33不完全填充V型凹坑29v，因此可以防止在V型凹坑29v内的阱层30w中生成的光的损失。
发光二极管可以制造为在本技术领域中可使用的水平型、倒装芯片型等多样的类型。
图4A是示出根据本实用新型的一实施例的倒装芯片型发光二极管100的示意性的平面图，图4B是沿图4A的截取线A-A而截取的示意性的剖视图。
参照图4A及图4B，所述倒装芯片型发光二极管包括基板121、第一导电型半导体层127、活性层130、第二导电型半导体层133、导电性氧化物层135、介电层137、金属反射层139、下部绝缘层141、第一垫金属层143a、第二垫金属层143b及上部绝缘层145。进而，所述发光二极管还可以包括第一凸起垫147a及第二凸起垫147b。
所述基板121与上述的基板21相同，为了避免重复，省略详细说明。如图4A所示，基板121可以具有矩形或正方形的外形，但是并非一定限于此。基板121的大小不受特别限制，可以多样地选择。
第一导电型半导体层127布置于基板121上。第一导电型半导体层127与上述的n型氮化物半导体层27相同，为了避免重复，省略详细说明。如图1所示，核层23及高温缓冲层25可以夹设于基板121与第一导电型半导体层127之间。
在若干形态中，第一导电型半导体层127的边缘与基板121的边缘对齐。然而，本实用新型并不限于此，在另一形态中，第一导电型半导体层127也可以位于被基板121的边缘围绕的区域内侧。在此情况下，基板121的上部表面中一部分区域可以沿着第一导电型半导体层127的周围而被暴露。
在第一导电型半导体层127上布置有台面M。台面M可以限定位于被第一导电型半导体层127围绕的区域内侧，因此，第一导电型半导体层127的边缘附近区域不被台面M覆盖而暴露于外部。
台面M包括活性层130和第二导电型半导体层133。所述活性层130夹设于第一导电型半导体层127与第二导电型半导体层133之间。另外，尽管未示出，在第一导电型半导体层127与活性层130之间夹设有V型凹坑生成层。V型凹坑生成层可以限定位于台面M的下部区域内，但是并不限于此，也可以遍布第一导电型半导体层127的整个上表面而布置。由于V型凹坑生成层与上文中参照图1说明的V型凹坑生成层29大致相似，因此，为了避免重复，省略详细说明。
由于活性层130也与参照图1至图3说明的活性层30相似，因此，为了避免重复，省略详细说明。随着电流密度增加，活性层130发出具有多峰值波长的光。
另外，由于第二导电型半导体层133与参照图1说明的p型氮化物半导体层33相同，因此，为了避免重复，省略详细说明。并且，尽管未在图4B中示出，但是如参照图1所述，在第二导电型半导体层133与活性层130之间布置有p型AlGaN层31。
在若干形态中，第二导电型半导体层133的p型杂质的浓度可以具有8×10-18～4×10-21/cm3的范围。在另一形态中，第二导电型半导体层133内的p型杂质的浓度可以不具有预定值，而是具有在所述范围内根据厚度而变化的浓度分布。尤其，可以在第二导电型半导体层133的表面具有更高的杂质浓度。
如图4A所示，在所述台面M可以形成有向内部渗透的凹入部140，并且第一导电型半导体层127的上表面可以借由凹入部140而暴露。凹入部140可以从台面M的一侧边缘朝向与其对向的另一侧边缘向台面M内部较长地形成。凹入部140的长度并不被特别地限定，可以是台面M长度的1/2或比其更长。并且，尽管图4A示出了两个凹入部140，但是凹入部140的数量可以是一个，也可以是三个以上。随着凹入部140的数量增加，后述的第一垫金属层143a的内部接触部143a2的数量增加，从而改善电流扩散性能。
另外，如图4A所示，凹入部140在末端部宽度变宽并具有圆形形状。通过使凹入部140的末端部的形状具有如上所述的形状，可以以相似的形状图案化下部绝缘层141。尤其，在下部绝缘层141包括分布式布拉格反射器的情况下，如图4A所示，宽度在末端部变宽的下部绝缘层141可以防止在分布式布拉格反射器的侧壁形成严重的双重台阶。进而，由于侧壁的倾斜角变大，因此还可以防止在第一垫金属层143a发生破裂。因此，通过使凹入部140的末端部的形状及下部绝缘层141的第一开口部141a2的末端部的形状具有与本实施例相同的形状，下部绝缘层141的边缘可以形成为具有平缓的倾斜角，从而能够提高发光二极管的良率。
在本实施例中，尽管示出并说明了在台面M形成有凹入部140的情形，但是台面M也可以具有贯通第二导电型半导体层133及活性层130的至少一个贯通孔而不是凹入部140。
另外，导电性氧化物层135布置于台面M上部并接触于第二导电型半导体层133。导电性氧化物层135可以在台面M上部区域遍布台面M整个区域的一部分或者几乎大部分区域而布置。例如，导电性氧化物层135可以覆盖台面M上部区域的80％以上，进而，可以是90％以上。
导电性氧化物层135利用使在活性层130生成的光透射的氧化物层形成。例如，导电性氧化物层135可以利用ITO(铟锡氧化物)或ZnO等形成。导电性氧化物层135可以形成为足以与第二导电型半导体层133欧姆接触的厚度，例如，可以在3nm至50nm的厚度范围内形成。更具体而言，导电性氧化物层135的厚度可以在6nm至30nm的厚度范围内。若导电性氧化物层135的厚度过薄，则不能提供足够的欧姆特性，并且正向电压增加。并且，若导电性氧化物层135的厚度过厚，则发生因光吸收而导致的损失，从而降低发光效率。
另外，介电层137覆盖导电性氧化物层135，进而，可以覆盖第二导电型半导体层133、活性层130及第一导电型半导体层127的侧表面。介电层137的边缘可以被下部绝缘层141覆盖。因此，如图4B所示，介电层137的边缘比下部绝缘层141的边缘更远离基板121的边缘而布置。然而，本实用新型并不限于此，介电层137的一部分也可以暴露于下部绝缘层141的外部。
如图4A所示，介电层137具有暴露导电性氧化物层135的开口部137a。多个开口部137a可以布置于导电性氧化物层135上部。开口部137a用作连接通道，使得金属反射层139可以连接到导电性氧化物层135。介电层137还在台面M周围暴露第一导电型半导体层127，并在凹入部140内暴露第一导电型半导体层127。
介电层137利用具有比第二导电型半导体层133及导电性氧化物层135低的折射率的绝缘物质形成。例如，介电层137可以利用SiO2形成。
介电层137的厚度影响发光二极管的正向电压及光输出。介电层137的厚度可以具有200nm至1000nm的范围内的厚度，具体而言，可以具有300nm至800nm范围内的厚度。在介电层137的厚度小于200nm的情况下，由于正向电压高且光输出低而不是优选的。另外，若介电层137的厚度大于400nm，则光输出饱和，并表现出正向电压再次增加的趋势。因此，介电层137的厚度最好是不大于1000nm，尤其，所述厚度可以是800nm以下。此外，介电层137的厚度可以是活性层130上的第二导电型半导体层133的厚度的4倍以上，并且可以是13倍以上。
另外，金属反射层139布置于介电层137上并通过开口部137a连接到导电性氧化物层135。金属反射层139可以包括反射性金属，例如，可以包括Ag或Ni/Ag。进而，金属反射层139可以包括用于保护反射金属物质层的势垒层，例如，可以包括Ni，并且可以为了防止金属层的氧化而包括Au层。进而，为了提高Au层的粘合力，也可以在Au层的下部包括Ti层。金属反射层139相接于介电层137的上表面，因此，所述介电层137的厚度与导电性氧化物层135与金属反射层139之间的隔开距离相同。
利用导电性氧化物层135形成欧姆接触，并且在介电层137上布置有金属反射层139。因此，可以防止因焊料等而导致欧姆电阻增加。进而，通过将导电性氧化物层135、介电层137及金属反射层139布置于第二导电型半导体层133上，能够提高光的反射率，从而能够改善发光效率。
下部绝缘层141覆盖台面M及金属反射层139。下部绝缘层141也可以沿着台面M周围而覆盖第一导电型半导体层127，并且可以在台面M内部的凹入部140内覆盖第一导电型半导体层127。尤其，下部绝缘层141覆盖台面M的侧表面。下部绝缘层141也可以覆盖介电层137。
另外，下部绝缘层141具有暴露第一导电型半导体层的第一开口部141a1、141a2及暴露金属反射层139的第二开口部141b。第一开口部141a1沿着台面M周围暴露第一导电型半导体层127，第一开口部141a2在所述凹入部140内暴露第一导电型半导体层127。在形成有贯通孔而不是凹入部140的情况下，第一开口部141a2在贯通孔内暴露第一导电型半导体层127。
如图4A所示，所述第一开口部141a1和第一开口部141a2可以彼此连接。然而，本实用新型并不限于此，第一开口部141a1、141a2也可以彼此隔开。
在本实施例中，下部绝缘层141的第一开口部141a1形成为暴露包括第一导电型半导体层127的边缘在内的其全部周边区域。然而，本实用新型并不限于此，下部绝缘层141的第一开口部141a1可以沿着台面M的周围而形成为带状。在此情况下，第一导电型半导体层127的边缘可以被下部绝缘层141覆盖，或者可以与下部绝缘层141的边缘对齐。
第二开口部141b暴露金属反射层139。第二开口部141b可以形成有多个，这些第二开口部141b可以与所述凹入部140对向而布置于基板121的一侧边缘附近。关于第二开口部141b的位置将在下文进行再次说明。
另外，下部绝缘层141可以利用SiO2或Si3N4的单层形成，但是并不限于此。例如，下部绝缘层141可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构。下部绝缘层141可以包括交替堆叠氧化硅膜和氧化钛膜的分布式布拉格反射器。
另外，第一垫金属层143a布置于所述下部绝缘层141上，并且借由下部绝缘层141而与台面M及金属反射层139绝缘。第一垫金属层143a通过下部绝缘层141的第一开口部141a1、141a2而接触于第一导电型半导体层127。第一垫金属层143a可以包括：外部接触部143a1，沿着台面M周围而接触于第一导电型半导体层127；以及内部接触部143a2，在所述凹入部140或贯通孔内接触于第一导电型半导体层127。外部接触部143a1沿着台面M周围而在基板121的边缘附近接触于第一导电型半导体层127，内部接触部143a2在被外部接触部143a1围绕的区域内部接触于第一导电型半导体层127。外部接触部143a1和内部接触部143a2可以彼此连接，但是并不限于此，也可以彼此隔开。并且，在若干形态中，外部接触部143a1可以沿着台面M周围而连续地接触于第一导电型半导体层127，但是并不限于此。在另一形态中，多个外部接触部143a1可以彼此隔开布置。
另外，第二垫金属层143b在下部绝缘层141上布置于台面M上部区域，并通过下部绝缘层141的第二开口部141b而电连接于金属反射层139。第二垫金属层143b可以被第一垫金属层143a围绕，并且在其之间可以形成有边界区域143ab。下部绝缘层141在边界区域143ab暴露，该边界区域143ab被后述的上部绝缘层145覆盖。
在若干形态中，第一垫金属层143a和第二垫金属层143b可以在一个工艺中利用相同材料一起形成。在另一形态中，第一垫金属层143a和第二垫金属层143b可以单独形成。第一垫金属层143a及第二垫金属层143b可以包括诸如Al层的欧姆反射层，欧姆反射层可以形成于Ti、Cr或者Ni等的粘合层上。并且，在所述欧姆反射层上可以形成有Ni、Cr、Au等的单层或者复合层结构的保护层。例如，第一垫金属层143a及第二垫金属层143b可以具有Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的多层结构。
上部绝缘层145覆盖第一垫金属层143a及第二垫金属层143b。并且，上部绝缘层145可以沿着台面M周围而覆盖第一导电型半导体层127。在本实施例中，上部绝缘层145可以沿着基板121的边缘而暴露第一导电型半导体层127。然而，本实用新型并不限于此，上部绝缘层145也可以覆盖全部第一导电型半导体层127，也可以与基板121的边缘对齐。
另外，如图4B所示，上部绝缘层145具有暴露第一垫金属层143a的第一开口部145a以及暴露第二垫金属层143b的第二开口部145b。第一开口部145a及第二开口部145b可以布置于台面M上部区域，可以布置为彼此对向。尤其，第一开口部145a及第二开口部145b可以靠近台面M的两侧边缘而布置。
上部绝缘层145可以利用SiO2或Si3N4的单层形成，但是并不限于此。在若干形态中，上部绝缘层145可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构。在另一形态中，上部绝缘层145也可以包括交替堆叠氧化硅膜和氧化钛膜的分布式布拉格反射器。
另外，第一凸起垫147a电接触于通过上部绝缘层145的第一开口部145a而暴露的第一垫金属层143a，第二凸起垫147b电接触于通过第二开口部145b而暴露的第二垫金属层143b。如图4A所示，第一凸起垫147a可以布置于上部绝缘层145的第一开口部145a内，第二凸起垫147b可以布置于上部绝缘层145的第二开口部145b内。然而，本实用新型并不限于此，第一凸起垫147a及第二凸起垫147b也可以分别将第一开口部145a及第二开口部145b全部覆盖而密封。并且，所述第二凸起垫147b可以覆盖下部绝缘层141的第二开口部141b的上部区域。第二凸起垫147b可以实质上覆盖下部绝缘层141的全部第二开口部141b，但是并不限于此。在另一形态中，如图4B所示，开口部141b中的一部分可以延伸至第二凸起垫147b的外部而布置。
并且，如图4A所示，第二凸起垫147b也可以限定位于第二垫金属层143b的上部区域内。然而，本实用新型并不限于此，第二凸起垫147b的一部分也可以与第一垫金属层143a重叠。但是，上部绝缘层145可以布置于第一垫金属层143a与第二凸起垫147b之间而使其绝缘。
根据本实用新型的一个以上的实施例，使用导电性氧化物层135、介电层137及金属反射层139的反射结构而不是现有的欧姆反射层。据此，可以阻断焊料等接合(bonding)剂渗透到接触区域，可以确保稳定的欧姆接触电阻，从而可以提高发光二极管的可靠性。尤其，通过将介电层137的厚度设置为300nm以上，可以实现高光输出及低正向电压。
根据本实用新型的一个以上的实施例，第一凸起垫147a及第二凸起垫147b均可以布置于第二导电型半导体层133上部，因此，可以倒装接合成通过基板121发光。尤其，第一凸起垫147a在第二导电型半导体层133侧电连接于第一导电型半导体层127，为此，第二导电型半导体层133被图案化而暴露第一导电型半导体层127。所述倒装芯片型发光二极管包括参照图1至图3说明的V型凹坑，并且在多个波长处具有峰值。
根据本实用新型的教导，可以提供一种在无荧光体的情况下能够实现白色光的倒装芯片型发光二极管。由于可以省略用于制造白色光二极管的荧光体工艺，因此可以减小生产成本，进而，可以将减小了与涂覆荧光体的厚度的薄厚度的白色光源应用于应用产品。
可选地或附加地，在所述倒装芯片型发光二极管的基板121上可以布置有滤色器(未示出)。例如，滤色器可以是交替堆叠具有彼此不同的折射率的物质层而形成的干涉滤光器(例如，带通滤光器、长波长透射滤光器或短波长透射滤光器)，或者可以是吸收滤光器。可以利用滤色器发出从发光二极管发出的多个峰值波长中的特定峰值波长的光并阻断其他峰值波长的光。例如，可以应用用于阻断短波长侧光的滤色器以选择性地透射长波长侧光，与此相反地，可以应用用于阻断长波长侧光的滤色器以选择性地透射短波长侧光。在干涉滤光器的情况下，可以根据欲透射的光的波长来设定滤色器的各个层的厚度及堆叠数。并且，可以调节所透射的光的透射率，并且，通过调节所透射的光的透射率，可以容易地控制颜色混合比。
图5A是用于说明根据又一实施例的具有多个发光单元的发光二极管的示意性的平面图，图5B是沿图5A的截取线B-B而截取的示意性的剖视图，图5C是沿图5A的截取线C-C而截取的示意性的剖视图。
参照图5A、图5B及图5C，根据本实施例的发光二极管200包括基板221、第一导电型半导体层227、活性层230、第二导电型半导体层233、透明电极层235、绝缘层241a、241b、241c、241d、第一电极垫245、第二电极垫247、第一延伸部245a、第二延伸部247a及第三延伸部247b。在此，半导体层227、230、233分离为多个发光单元C1、C2、C3，在各个发光单元C1、C2、C3上布置有第一延伸部245a、第二延伸部247a、第三延伸部247b。
在本实施例中，基板221、第一导电型半导体层227、活性层230、第二导电型半导体层233与参照图1的说明相似，因此，省略关于重复的内容的详细说明。并且，尽管未在此示出，但是如参照图1所述，核层及高温缓冲层可以夹设于基板221与第一导电型半导体层227之间，并且V型凹坑生成层可以夹设于第一导电型半导体层227与活性层230之间。并且，p型AlGaN层可以夹设于活性层230与第二导电型半导体层233之间。
如图5A的平面图所示，基板221可以具有矩形或正方形的外形，但是并非一定限于此。基板221的大小不受特别限制，可以多样地选择。
半导体层227、230、233被单元分离区域I1、I2分离为多个(n个)发光单元C1、C2、C3。尽管在图5A示出了三个发光单元C1、C2、C3，但是并不限于此。n可以是2以上的整数，尤其，可以是3以上的整数。进而，在n为奇数的情况下，有利地，可以将电极垫245、247布置于基板221的对角方向。
发光单元C1、C2、C3可以具有较长的矩形形状，并且可以彼此平行地布置。据此，在奇数发光单元C1、C3之间布置有偶数发光单元C2。
单元分离区域I1、I2的两侧壁利用光刻及蚀刻工艺而形成，并且考虑到连接部246的可靠性，具有相对平缓的形状。
但是，与单元分离区域I1、I2不同，基板221的侧表面(参照图5B的基板221的左侧侧表面)可以利用激光划线形成，因此，具有相对急剧的倾斜度。尤其，基板221和第一导电型半导体层227可以利用激光划线一起与其他发光二极管分离，因此，基板221和第一导电型半导体层227的侧表面可以彼此对齐。
另外，第一导电型半导体层227的上表面可以沿着各个发光单元C1、C2、C3的边缘而暴露。即，第二导电型半导体层233被暴露的第一导电型半导体层227的上表面围绕。第一导电型半导体层227的上表面可以沿着第二导电型半导体层233的整个周围而暴露。
另外，透明电极层235位于各个发光单元C1、C2、C3的第二导电型半导体层233上。透明电极层235可以利用导电性氧化物层(例如，ITO或ZnO)形成，并且接触于第二导电型半导体层233。即，透明电极层235电接触于第二导电型半导体层233，并且具有低于第二导电型半导体层233的电阻率，从而遍布发光二极管的较宽的区域而扩散电流。
透明电极层235具有与第二导电型半导体层233大致相同的平面形状。然而，透明电极层235可以具有比第二导电型半导体层233窄的面积。透明电极层235的下部表面都可以接触于第二导电型半导体层233的上表面。
在透明电极层235利用ZnO形成的情况下，只要是Zn及O构成化合物的大部分并保留ZnO的纤锌矿晶体结构，透明电极层235可以包括又一材料。例如，ZnO透明电极层235包括掺杂有铝的锌氧化物(AZO)、掺杂有镓的锌氧化物(GZO)以及掺杂有铟的锌氧化物(IZO)。ZnO透明电极235不仅包括具有少量的其他掺杂剂和/或其他杂质或内含物材料的材料，还包括由空位(vacancy)及嵌入材料缺陷的存在引起的非化学计量的材料。
ZnO透明电极层235可以具有ITO膜的一般厚度的约5倍以上的厚度。例如，ITO透明电极层235可以形成为约
Figure BDA0003019979650000161
以下的厚度，但是，由于ZnO透明电极层235的吸收率较低，因此可以形成为
Figure BDA0003019979650000162
以上，进而可以形成为约
Figure BDA0003019979650000163
以上的厚度。ZnO透明电极层235的上限并不被特别地限定，但是可以为约1um以下。
在利用ZnO形成透明电极层235的情况下，透明电极层235可以形成为比ITO或其他导电性氧化物相对更厚，从而减小面电阻，因此，可以更容易地扩散电流。但是，在本实施例中，透明电极层235并不限于ZnO。
如图5A所示，第一电极垫245可以布置于第一发光单元C1上，第二电极垫247可以布置于第三发光单元C3上。第一电极垫245可以布置于暴露的第一导电型半导体层227的上表面上。但是，本实用新型并不限于此，第一电极垫245也可以夹设绝缘层而布置于第二导电型半导体层233上。并且，第一电极垫245可以布置于第一发光单元C1的一侧边角附近。
另外，第一延伸部245a电连接于通过台面蚀刻工艺暴露的第一导电型半导体层227。第一发光单元C1上的第一延伸部245a可以从第一电极垫245延伸，此外，发光单元C2、C3上的第一延伸部245a可以分别从连接部246延伸。
第二电极垫247可以布置于透明电极层235上。第二电极垫247可以与第一电极垫245对向而布置于基板221的另一侧的边角附近，据此，可以容易地进行接合导线的工艺。
另外，如图5A所示，各个发光单元C1、C2、C3上的第二延伸部247a及第三延伸部247b可以以围绕第一延伸部245a的方式位于透明电极层235上。在本实施例中，由于第二电极垫247并非布置于所有发光单元C1至C3上，因此第二延伸部247a及第三延伸部247b并非全部从第二电极垫247延伸。如图5A所示，第三发光单元C3上的第二延伸部247a及第三延伸部247b从第二电极垫247延伸，但是第一发光单元C1及第二发光单元C2上的第二延伸部247a及第三延伸部247b与第二电极垫247隔开，并从电连接发光单元的连接部246延伸。
第二延伸部247a及第三延伸部247b位于各个发光单元C1、C2、C3上的透明电极层235上而分别电连接于透明电极层235。
另外，连接部246电连接相邻的发光单元。具体而言，连接部246连接一个发光单元的第一延伸部245a与相邻的发光单元的第二延伸部247a及第三延伸部247b。如图5C所示，连接部246的一侧端部位于第一导电型半导体层227上并连接于第一延伸部245a，另一侧端部可以位于第二导电型半导体层233上。如图5A所示，位于第二导电型半导体层233上的连接部246的另一侧端部连接于第二发光单元C2的第二延伸部247a及第三延伸部247b。
如图5A所示，在除了第一发光单元C1和第三发光单元C3以外的剩余发光单元(例如，发光单元C2)中，两个连接部246布置于对角方向的边角附近。如图5A所示，连接于第一发光单元C1的连接部246与第一电极垫245对向而布置于对角方向的边角附近，连接于第三发光单元C3的连接部246与第二电极垫247对向而布置于对角方向的边角附近。另外，第一发光单元C1上的第一延伸部245a、第二延伸部247a及第三延伸部247b与第二发光单元C2上的第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部具有大致相似的形状。在若干形态中，第二发光单元C2上的第一延伸部245a、第二延伸部247a及第三延伸部247b与第三发光单元C3上的第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部也具有大致相似的形状。由于相邻的发光单元上的第一延伸部245a、第二延伸部247a及第三延伸部247b布置为彼此反转的形状，从而可以将第一延伸部245a以单线相对较长地形成，并将第二延伸部247a和第三延伸部247b的长度设计为大致相同或相似。在第一延伸部245a的两侧可以实现大致均匀的电流扩散。
在若干形态中，第一电极垫245、第二电极垫247、第一延伸部245a、连接部246、第二延伸部247a及第三延伸部247b可以通过一个工艺利用相同材料一起形成。但是，本实用新型并不限于此，在另一形态中，可以为了形成第一电极垫245、第二电极垫247、第一延伸部245a、连接部246、第二延伸部247a及第三延伸部247b或这些的组合而使用其他材料和/或其他工艺。
另外，如图5A所示，第一绝缘层241a可以位于第一电极垫245下部。第一绝缘层241a减轻电流从第一电极垫245直接流入第一导电型半导体层227，从而有助于电流扩散。第一绝缘层241a可以布置于第一电极垫245的部分区域下部，因此，第一电极垫245的边缘区域可以连接于第一导电型半导体层227。通过调节第一绝缘层241a的宽度及第一电极垫245的宽度，可以调节第一电极垫245接触于第一导电型半导体层227的面积，据此，可以控制正向电压。
第二绝缘层241b可以布置于第二电极垫247的下部而将第二电极垫247与透明电极层235隔开。例如，如图5A所示，第二绝缘层241b可以形成为圆盘形，并且可以具有大于第二电极垫247的面积。第二电极垫247可以布置于第二绝缘层241b上而与透明电极层235隔开。但是，本实用新型并不限于此，第二绝缘层241b可以形成为具有开口部，并且第二电极垫247可以局部地接触于透明电极层235。通过在第二绝缘层241b上布置第二电极垫247，可以减轻电流集中到第二电极垫247下部。
另外，为了防止一个发光单元内的第一导电型半导体层227与第二导电型半导体层233因连接部246而短路，在连接部246下部可以夹设有第三绝缘层241c。
并且，第四绝缘层241d可以覆盖在第一电极垫245周围暴露的活性层230及第二导电型半导体层233的侧壁。在将导线接合于第一电极垫245的情况下，第四绝缘层241d防止接合导线与第二导电型半导体层233或活性层230短路。在若干形态中，第四绝缘层241d可以形成为连续的曲线形，并且第一延伸部245a可以经过第四绝缘层241d的上部。但是，本实用新型并不限于此。在另一形态中，可以省略第四绝缘层241d的一部分，并且第一延伸部245a可以经过第四绝缘层241d的省略的部分。
在若干形态中，所述第一绝缘层241a、第二绝缘层241b、第三绝缘层241c及第四绝缘层241d可以通过一个工艺利用相同材料一起形成。尤其，这些绝缘层241a、241b、241c、241d可以利用剥离工艺形成，并且可以形成为分布式布拉格反射器。在另一形态中，所述第一绝缘层241a、第二绝缘层241b、第三绝缘层241c及第四绝缘层241d可以单独地形成。
根据一个以上的实施例，发光二极管包括被分离区域I1、I2分离的多个发光单元C1、C2、C3，这些发光单元C1、C2、C3彼此串联电连接。但是，本实用新型并不限于此，发光单元C1、C2、C3也可以并联连接或串并联连接。尤其，在发光单元C1、C2、C3串联连接的情况下，可以提高发光二极管的工作电压。
图6是用于说明根据又一实施例的具有多个发光单元的发光二极管300的示意性的平面图。
参照图6，发光二极管300包括与参照图5A、图5B及图5C说明的发光二极管相似的多个发光单元C1、C2、C3、C4、C5。发光单元C1、C2、C3、C4、C5的发光面积彼此不同。
发光二极管包括基板321、第一导电型半导体层327、活性层、第二导电型半导体层333、第一电极垫345、第二电极垫347及延伸部345a、345b、347a、347b。并且，尽管未示出，但是与参照图5A、图5B及图5C说明的发光二极管相似地，透明电极层可以布置于各个发光单元的第二导电型半导体层233上。并且，与上文中参照图1至图3说明的实施例相似地，发光二极管300可以包括核层、高温缓冲层、V型凹坑生成层及p-AlGaN层。
由于发光单元C1、C2、C3、C4、C5的堆叠结构和第一电极垫345、第二电极垫347及延伸部345a、345b、347a、347b的连接结构与参照图5A、图5B及图5C说明的情形相似，因此，为了避免重复，省略详细的说明。并且，为了电绝缘，绝缘层可以至少局部地覆盖发光单元C1、C2、C3、C4、C5并且可以至少局部地覆盖它们之间的区域。
另外，发光单元C1、C2、C3、C4、C5可以借由单元分离区域I1、I2、I3、I4而彼此分离。例如，第一导电型半导体层327也借由单元分离区域I1、I2、I3、I4而彼此分离。在一实施例中，布置于同一行的发光单元可以共享第一导电型半导体层327。即，在图6中布置于同一行的三个发光单元可以布置于连续的第一导电型半导体层327上。在另一实施例中，位于同一行的发光单元也可以借由单元分离区域而彼此分离。
在本实施例中，发光单元C1、C2、C3、C4、C5串并联连接。即，布置于同一行的发光单元并联连接，这些发光单元在第一电极垫345与第二电极垫347之间借由延伸部345a、345b、347a、347b而彼此串联连接。
另外，发光单元C1、C2、C3、C4、C5具有彼此不同的大小。例如，发光单元C3可以具有小于发光单元C2的发光面积，发光单元C2可以具有小于发光单元C1的面积。发光单元C1可以具有与发光单元C5相同的发光面积，发光单元C2可以具有与发光单元C4相同的发光面积。
在实质上相同的电流下，电流密度根据发光面积的大小而改变。电流密度高的发光单元可以发出多个峰值波长的光，电流密度低的发光单元可以发出黄色系列的光。因此，通过使发光单元的大小不同，可以调节从各个发光单元发出的光的颜色。
虽然在本实施例中示出了发光单元以从第一电极垫345朝向第二电极垫347发光面积变小之后再次变大的顺序排列的情形，但是本实用新型并不限于此。发光面积不同的发光单元可以以多样的方式排列。进而，布置于同一行的发光单元也可以具有彼此不同的大小的发光面积。
根据本实用新型的实施例，可以提供一种在无荧光体的情况下能够实现白色光的多单元发光二极管。由于可以省略用于制造白色光二极管的荧光体工艺，因此可以减小生产成本，进而，可以将减小了涂覆荧光体的厚度的薄厚度的白色光源应用于应用产品。
图7A是示出根据比较例的蓝色发光二极管的电流的光谱的曲线图，图7B是示出根据实施例的发光二极管的电流的光谱的曲线图。
参照图7A，比较例的蓝色发光二极管的蓝色光的强度随着电流的增加而增加，但是发光波长几乎没有变化。因此，为了实现白色光，除了蓝色发光二极管之外，还需要添加其他颜色的发光二极管，或者需要使用荧光体。
参照图7B，根据本实用新型的实施例的发光二极管，在电流具有小值的情况下，在黄色区域具有峰值波长，但是随着电流增加，在黄色区域和蓝色区域也观察到峰值波长。即，根据本实施例的发光二极管随着驱动电流的增加而可以实现蓝色光和黄色光混合的混色光，例如，可以实现白色光。
图8A是示出在比较例中应用荧光体的白色发光二极管封装件的色坐标的曲线图，图8B是用于说明根据本实用新型的一实施例的白色发光二极管封装件的电流的色坐标的曲线图。在此，比较例及实施例的发光二极管封装件均利用首尔半导体公司的5630封装件制造。然而，比较例在封装件内贴装了蓝色芯片，并且，为了实现白色光而使用了分散有荧光体的模制构件。与此相反，实施例在封装件内贴装了根据本实用新型的实施例的水平型发光芯片。
首先，参照图8A，比较例的发光二极管封装件示出一个点的色坐标，该位置对应于白色区域。
参照图8B，实施例的发光二极管封装件随着电流增加，发出的光的颜色从黄色光改变到白色光。在3mA的电流条件下显示黄色光，但在100mA下显示白色光。
在表1简略示出了在100mA的驱动电流下的比较例及实施例的电学及光学特性。
【表1】
PKG@100mA 电压(V) x-坐标 y-坐标 CCT/K
比较例 3.0 0.34 0.35 5096
实施例 3.1 0.36 0.34 4264
参照表1，可以确认实施例的发光二极管封装件示出与使用荧光体的比较例的白色发光二极管封装件大致相似的x-y坐标。
根据本实用新型的实施例的发光二极管可以在不使用荧光体的情况下在可见光区域发出具有多个峰值波长的光，并且可以利用该发光二极管在无荧光体的情况下实现白色光。
由于根据本实用新型的实施例的发光二极管发出多个能够明显区分的峰值波长的光，因此有利于利用滤色器来提取所需的峰值波长的光而使用。
根据本实用新型的实施例的发光二极管不仅可以应用于照明领域，还可以应用于无线通信领域。尤其，由于可以在可见区域发出多峰值波长的光，因此可以适合用于诸如Li-Fi的可见光通信(VLC)。
可见区域包括380THz～750THz范围，比现有的无线通信整体频率区域宽约1万倍以上。由于现有的利用荧光体的白色发光二极管因荧光体而发生响应延迟，从而频率响应变慢，因此不适合用于VLC，但是根据本实施例的发光二极管在无荧光体的情况下在可视区域内发出多峰值波长的光，因此可以适合用于VLC。
如上所述，通过参照附图的实施例实现了关于本实用新型的具体的说明，但上述说明仅是列举本实用新型的实施例而说明的，不应理解为本实用新型局限于所述实施例，本实用新型的权利范围应理解为权利要求书及其等价概念。

Claims (14)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
n型氮化物半导体层；
活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及
p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，
其中，所述活性层具有多个势垒层和多个阱层堆叠的单个多量子阱结构，
所述活性层发出白色光。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述活性层随着驱动电流增加而发出两个峰值波长的光。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
从所述活性层发出的光随着驱动电流增加而从黄色光变为白色光。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述发光二极管还包括：V型凹坑生成层，布置于所述n型氮化物半导体层与所述活性层之间，
所述活性层的一部分形成于所述V型凹坑生成层的V型凹坑内。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，
所述V型凹坑生成层具有大于450nm的厚度，
形成于所述V型凹坑生成层的V型凹坑包括入口宽度大于230nm的V型凹坑。
6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，
所述发光二极管还包括：p型AlGaN层，夹设于所述活性层与所述p型氮化物半导体层之间，
所述p型AlGaN层内的Al的组成比大于0且小于0.3。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，
所述p型AlGaN层具有小于100nm的厚度。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
封盖层，布置于所述阱层与势垒层之间，并且覆盖所述阱层，
其中，所述封盖层包括Al。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述发光二极管具有倒装芯片型结构。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述发光二极管具有多个发光单元。
11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，
各个所述发光单元具有彼此不同的发光面积。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，
所述发光单元串联连接。
13.一种发光装置，其特征在于，包括：
根据权利要求1至12中的任一项权利要求所述的发光二极管；以及
滤色器，布置于所述发光二极管上部，
其中，所述发光二极管包括：
n型氮化物半导体层；
活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及
p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，
其中，所述活性层具有多个势垒层和多个阱层堆叠的单个多量子阱结构，
所述活性层发出至少两个峰值波长的光。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，
所述滤色器是带通滤光器、长波长透射滤光器或者短波长透射滤光器。
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