CN214154354U - 一种基于全控器件的pwm控制直流调速系统的励磁单元 - Google Patents

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冯维
胡书华
单艳梅
崔梦秋
刘海宁
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China Mining Drives and Automation Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,包括IGBT及驱动板、电阻组件、无感母线、单元外壳、过压吸收装置、主电容、吸收电容、电路板组件、风冷散热器和快速连接装置;所述电阻组件、IGBT及驱动板安装在风冷散热器上形成功率器件组件;所述功率器件组件与主电容并排放置在单元外壳内;所述快速连接装置固定安装在单元外壳上;所述无感母线与主电容、IGBT及驱动板、快速连接装置相连接;所述电路板组件、吸收电容、过压吸收装置均安装在单元外壳上,所述吸收电容与电阻组件形成阻容吸收后与过压吸收装置配合使用。本实用新型将励磁器件设计成为了单元,简化了安装过程,并且后期维护只需更换励磁单元即可,方便快捷。

Description

一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元
技术领域
本实用新型属于PWM控制直流调速系统,具体涉及一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元。
背景技术
励磁系统作为直流调速系统的重要组成部分,对系统的安全、高效运行起着重要的作用。现有的直流调速系统的励磁结构比较复杂,通常需要单独的柜体安装使用。存在以下缺点:
(1) 励磁系统使用单独的柜体安装占据了较大的使用空间;
(2) 当励磁柜出现故障后,需要更换整个柜体或者将其从柜体拆除,不便于安装维护。
发明内容
本实用新型提出了一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,将励磁器件设计成为了单元,简化了安装过程,并且后期维护只需更换励磁单元即可,方便快捷。
本实用新型按以下技术方案实现:
一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元, 包括IGBT及驱动板、电阻组件、无感母线、单元外壳、过压吸收装置、主电容、吸收电容、电路板组件、风冷散热器和快速连接装置;所述电阻组件、IGBT及驱动板安装在风冷散热器上形成功率器件组件;所述功率器件组件与主电容并排放置在单元外壳内;所述快速连接装置固定安装在单元外壳上;所述无感母线与主电容、IGBT及驱动板、快速连接装置相连接;所述电路板组件、吸收电容、过压吸收装置均安装在单元外壳上,所述吸收电容与电阻组件形成阻容吸收后与过压吸收装置配合使用。
进一步,所述风冷散热器的数量为一个,所述IGBT及驱动板的数量为两个;所述电阻组件包括四个电阻;风冷散热器上安装有两个IGBT及驱动板和四个电阻,以此构成一个功率器件组件。
进一步,所述主电容的数量为两个;所述主电容放置在功率器件组件的右边。
进一步,所述电路板组件包括脉冲分配电路板和电源分配电路板;所述电路板组件安装在功率器件组件左侧单元外壳的前板上。
进一步,所述快速连接装置的数量为多个,多个快速连接装置呈一字型排列固定在单元外壳的后板上。
进一步,所述无感母线水平放置在单元外壳中。
进一步,所述风冷散热器的进风口处在单元外壳的前板上,风冷散热器的出风口处在单元外壳的后板上。
进一步,所述吸收电容、过压吸收装置安装在功率器件组件右侧单元外壳的底板上。
进一步,所述吸收电容的数量为四个。
进一步,还包括快熔,所述快熔安装在功率器件组件右侧单元外壳的底板上,且位于吸收电容与过压吸收装置之间。
本实用新型有益效果:
将励磁器件设计成为了单元,简化了安装过程,一个励磁单元为一个完整的直流调速系统励磁PWM斩波回路,体积更紧凑,功率密度大,并且后期维护只需更换功率单元即可,方便快捷。
附图说明
附图作为本实用新型的一部分,用来提供对本实用新型的进一步的理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,但不构成对本实用新型的不当限定。显然,下面描述中的附图仅仅是一些实施例,对于本领域普通技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。
在附图中:
图1为本实用新型的励磁单元的整体结构图;
图2为图1的励磁单元的俯视图;
图3为图1的励磁单元的分解图。
图中标识:101-IGBT及驱动板,102-电阻组件,103-无感母线,104-单元外壳,105-过压吸收装置,106-主电容,107-吸收电容,108-电路板组件,109-风冷散热器,110-快速连接装置,111-快熔。
需要说明的是,这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本实用新型的构思范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本实用新型的概念。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语 “上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
如图1、图2、图3所示,一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,包括IGBT及驱动板101、电阻组件102、无感母线103、单元外壳104、过压吸收装置105、主电容106、吸收电容107、电路板组件108、风冷散热器109和快速连接装置110;电阻组件102、IGBT及驱动板101安装在风冷散热器109上形成功率器件组件;功率器件组件与主电容106并排放置在单元外壳104内;快速连接装置110固定安装在单元外壳104上;无感母线103与主电容106、IGBT及驱动板101、快速连接装置110相连接;这样主电容与IGBT的距离最近回路的杂散电感较小,也减少了二次连接等原因造成的电磁干扰等不利因素,并且使得无感母线103上的铜排对外连接更加便捷;电路板组件108、吸收电容107、过压吸收装置105均安装在单元外壳104上,吸收电容107与电阻组件102形成阻容吸收后与过压吸收装置105配合使用。
继续参照图3所示,风冷散热器109的数量为一个,IGBT及驱动板101的数量为两个;电阻组件102包括四个电阻;风冷散热器109上安装有两个IGBT及驱动板101和四个电阻,以此构成一个功率器件组件。
继续参照图3所示,主电容106的数量为两个;主电容106放置在功率器件组件的右边。
继续参照图3所示,电路板组件108包括脉冲分配电路板和电源分配电路板;电路板组件108安装在功率器件组件左侧单元外壳104的前板上。
继续参照图3所示,快速连接装置110的数量为多个,多个快速连接装置110呈一字型排列固定在单元外壳104的后板上。
优选的方案:快速连接装置110的数量为四个,四个快速连接装置110均匀相间安装在单元外104壳的后板上,采用快速插拔式,更方便安装维护。
作为本实用新型的优化方案:无感母线103水平放置在单元外壳104中,有效的消除了母线与IGBT连接处的受力问题。
作为本实用新型的优化方案:风冷散热器109的进风口处在单元外壳104的前板上,风冷散热器109的出风口处在单元外壳104的后板上。
继续参照图3所示,吸收电容107、过压吸收装置105安装在功率器件组件右侧单元外壳104的底板上。
优选的方案:吸收电容107的数量为四个。
作为本实用新型的优化方案:还包括快熔111,快熔111安装在功率器件组件右侧单元外壳104的底板上,且位于吸收电容107与过压吸收装置105之间。
综上,将励磁器件设计成为了单元,简化了安装过程,一个励磁单元为一个完整的直流调速系统励磁PWM斩波回路,体积更紧凑,功率密度大,并且后期维护只需更换功率单元即可,方便快捷。
在此处所提供的说明书中,说明了大量具体细节。然而,能够理解,本实用新型的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中,并未详细示出公知的方法、结构和技术,以便不模糊对本说明书的理解。
此外,本领域的技术人员能够理解,尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包含的某些特征而不是其它特征,但是不同实施例的特征的组合同样意味着处于本实用新型的保护范围之内并且形成不同的实施例。例如,在上面的实施例中,本领域技术人员能够根据获知的技术方案和本申请所要解决的技术问题,以组合的方式来使用。
以上所述仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专利的技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述提示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型方案的范围内。

Claims (10)

1.一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
包括IGBT及驱动板、电阻组件、无感母线、单元外壳、过压吸收装置、主电容、吸收电容、电路板组件、风冷散热器和快速连接装置;
所述电阻组件、IGBT及驱动板安装在风冷散热器上形成功率器件组件;
所述功率器件组件与主电容并排放置在单元外壳内;
所述快速连接装置固定安装在单元外壳上;
所述无感母线与主电容、IGBT及驱动板、快速连接装置相连接;
所述电路板组件、吸收电容、过压吸收装置均安装在单元外壳上,所述吸收电容与电阻组件形成阻容吸收后与过压吸收装置配合使用。
2.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述风冷散热器的数量为一个,所述IGBT及驱动板的数量为两个;
所述电阻组件包括四个电阻;
风冷散热器上安装有两个IGBT及驱动板和四个电阻,以此构成一个功率器件组件。
3.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述主电容的数量为两个;
所述主电容放置在功率器件组件的右边。
4.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述电路板组件包括脉冲分配电路板和电源分配电路板;
所述电路板组件安装在功率器件组件左侧单元外壳的前板上。
5.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述快速连接装置的数量为多个,多个快速连接装置呈一字型排列固定在单元外壳的后板上。
6.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述无感母线水平放置在单元外壳中。
7.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述风冷散热器的进风口处在单元外壳的前板上,风冷散热器的出风口处在单元外壳的后板上。
8.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述吸收电容、过压吸收装置安装在功率器件组件右侧单元外壳的底板上。
9.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
所述吸收电容的数量为四个。
10.根据权利要求1所述的一种基于全控器件的PWM控制直流调速系统的励磁单元,其特征在于:
还包括快熔,所述快熔安装在功率器件组件右侧单元外壳的底板上,且位于吸收电容与过压吸收装置之间。
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