CN214149467U - 一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，包括MCU，所述MCU经过检测电路与换能线圈B相连，MCU同时经过信号发生电路与换能线圈A相连。上述技术方案采用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案实现计量检测，采用板载式线圈，一致性好且成本低，功耗低，检测距离远，抗磁干扰能力强，稳定性好，能够准确的检测出液体或气体的流量。

Description

一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置

技术领域

本实用新型涉及计数器技术领域，尤其涉及一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置。

背景技术

目前水表、气表、热表等表具计量应用中，计数装置作为计量表具中的核心器件，其对计量数据的准确性具有至关重要的影响。有资料显示，现有的计量表主要分为机械式计量表(指针式计数器或字轮式计数器)、基于机械式计量表并结合光电直读检测法进行检测计数的直读式计量表以及采用磁传感器检测法进行检测计数的磁传感式计量表等。

最常见的方式是基于流体或气体流动带动机械部件转动并结合磁传感器检测法来检测液体或气体的流量。而现有磁传感器检测法中大多采用的方案是通过在旋转物件上面安装一块永久磁铁，采样端采用霍尔元件、干簧管、磁阻等方式，将磁场状态变化转为电信号，感知磁铁的位置从而得到旋转的圈数。

中国专利文献CN102221383B公开了一种“差动磁感应式流量计”。包括测量管及环绕于测量管周壁的前、后磁感环圈，两磁感环圈的电流信号方向相反，上述前、后磁感环圈沿测量管轴向设置，上述电流信号差量转化为测量管内流体介质的相关参数。上述技术方案的信号探测距离近，并且容易受到磁场干扰。

发明内容

本实用新型主要解决原有的技术方案的信号探测距离近，容易受到磁场干扰的技术问题，提供一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，采用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案实现计量检测，采用板载式线圈，一致性好且成本低，功耗低，检测距离远，抗磁干扰能力强，稳定性好，能够准确的检测出液体或气体的流量。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：包括MCU，所述MCU经过检测电路与换能线圈B相连，MCU同时经过信号发生电路与换能线圈A相连。MCU进行信号产生，通过信号发生电路实现信号转换，再经过换能线圈A发送信号，与之耦合的换能线圈B接收到的感应电动势，检测电路根据感应电动势大小进行相应变化。

作为优选，所述的检测电路包含开关电路、多级放大电路、采样保持电路和充放电电路，所述换能线圈B依次经过多级放大电路、采样保持电路与MCU相连，所述开关电路与多级放大电路相连，所述充放电电路分别与MCU、采样保持电路相连，所述开关电路和多级放大电路构成开关放大电路。

作为优选，所述的信号发生电路包含尖脉冲发生电路和信号处理放大电路，所述MCU依次经过尖脉冲发生电路、信号处理放大电路与换能线圈A相连，所述信号处理放大电路与开关电路相连。

作为优选，所述的尖脉冲发生电路包括第一电阻，第一电阻一端和第一电容一端连接后同时连接信号处理放大电路，第一电容另一端和MCU的I/O口连接，第一电阻另一端和Vcc连接；第一电阻一端和第一电容一端连接后同时连接信号处理放大电路，连接的信号放大电路是第一非门输入端，第一非门输出端和第二非门输入端连接后同时连接检测电路，第二非门输出端和第二电容一端连接，第二电容另一端和换能线圈A的一端连接，换能线圈A另一端接地。尖脉冲发生电路可以将MCU的I/O口输出的方波信号变成尖脉冲信号。信号处理放大电路由逻辑门芯片、隔直电容构成；可采用逻辑与非门，也可采用逻辑非门。

作为优选，所述的换能线圈B包括换能线圈B1、换能线圈B2、换能线圈B3和换能线圈B4，所述换能线圈B1和换能线圈B2为一对，两线圈同名端相连接，另一端分别和第一开关放大电路连接；所述换能线圈B3和换能线圈B4为一对，两线圈同名端相连接，另一端分别和第二开关放大电路连接。换能线圈A只有一个，而换能线圈B有两对，一对换能线圈B又由两个线圈组成，并且每对线圈中的两个线圈在PCB上是对称分布。

作为优选，所述的第一开关放大电路包括第二电阻，所述第二电阻一端接地，第二电阻另一端和换能线圈B1的一端连接后同时连接第一晶体管基级，第一晶体管集电极和第三电阻一端连接，第三电阻另一端和Vcc连接，第一晶体管发射极和第三晶体管基级连接，第三晶体管集电极和第三电容一端连接后同时连接第四电阻一端并连接至MCU端口1，第四电阻另一端和MCU的I/O口连接，第三电容另一端和地连接，第三晶体管发射极和第五电阻一端连接；第六电阻一端和地连接，第六电阻另一端和换能线圈B2的一端连接后同时连接第二晶体管基级，第二晶体管集电极和第七电阻一端连接，第七电阻另一端和Vcc连接，第二晶体管发射极和第四晶体管基级连接，第四晶体管集电极和第四电容一端连接后同时连接第八电阻一端并连接至MCU端口2，第八电阻另一端和MCU的I/O口连接，第四电容另一端和地连接，第四晶体管发射极和第九电阻一端连接；第九电阻另一端和第五电阻另一端连接后同时连接第十电阻一端，第十电阻另一端和第十一电阻一端连接后同时连接第五电容一端，第十一电阻另一端和地连接，第五电容另一端和第三非门输出端连接，所述U2A端口3与尖脉冲发生电路的P点相连。

作为优选，所述的第二开关放大电路包括第十二电阻，所述第十二电阻一端和地连接，第十二电阻另一端和换能线圈B3的一端连接后同时连接第五晶体管基级，第五晶体管集电极和第十三电阻一端连接，第十三电阻另一端和Vcc连接，第五晶体管发射极和第七晶体管基级连接，第七晶体管集电极和第六电容一端连接后同时连接第十四电阻一端并连接至MCU端口3，第十四电阻另一端和MCU的I/O口连接，第六电容另一端和地连接，第七晶体管发射极和第十五电阻一端连接；第十六电阻一端和地连接，第十六电阻另一端和换能线圈B4的一端连接后同时连接第六晶体管基级，第六晶体管集电极和第十七电阻一端连接，第十七电阻另一端和Vcc连接，第六晶体管发射极和第八晶体管基级连接，第八晶体管集电极和第七电容一端连接后同时连接第十八电阻一端并连接至MCU端口4，第十八电阻另一端和MCU的I/O口连接，第七电容另一端和地连接，第八晶体管发射极和第十九电阻一端连接；第十九电阻另一端和第十五电阻另一端连接后同时连接第二十电阻一端，第二十电阻另一端和第二十一电阻一端连接后同时连接第八电容一端，第二十一电阻另一端和地连接，第八电容另一端和第四非门输出端连接。第三非门输入端和第四非门输入端连接后同时连接第一非门输出端和第二非门输入端，所述U2B端口1与尖脉冲发生电路的P点相连。

本实用新型的有益效果是：

1.采用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案实现计量检测，功耗更低。

2.采用多级放大的方案，经多级放大后，使得换能线圈B接收到的微小的变化变得更直观，更明显，从而加大了检测距离。

3.在器件选型时，选择晶体管对以降低对称电路中器件间的差异性，给计量检测模块带来精确的计量。

附图说明

图1是本实用新型的一种电路原理连接结构图。

图2是本实用新型的一种检测电路连接结构图。

图3是本实用新型的一种信号发生电路连接结构图。

图4是本实用新型的一种尖脉冲发生电路图。

图5是本实用新型的一种第一开关放大电路图。

图6是本实用新型的一种第二开关放大电路图。

图中1MCU，2检测电路，2.1开关电路，2.2多级放大电路，2.3采样保持电路，2.4充放电电路，3信号发生电路，3.1尖脉冲发生电路，3.2信号处理放大电路，4换能线圈A，5换能线圈B，5.1换能线圈B1，5.2换能线圈B2，5.3换能线圈B3，5.4换能线圈B4。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。

实施例：本实施例的一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，如图1所示，包括MCU 1，所述MCU1经过检测电路2与换能线圈B5相连，MCU1同时经过信号发生电路3与换能线圈A4相连。

如图2所示，检测电路2包含开关电路2.1、多级放大电路2.2、采样保持电路2.3和充放电电路3.4，所述换能线圈B5依次经过多级放大电路2.2、采样保持电路2.3与MCU1相连，所述开关电路2.1与多级放大电路2.2相连，所述充放电电路2.4分别与MCU1、采样保持电路2.3相连，所述开关电路2.1和多级放大电路2.2构成开关放大电路。

如图3所示，信号发生电路3包含尖脉冲发生电路3.1和信号处理放大电路3.2，所述MCU1依次经过尖脉冲发生电路3.1、信号处理放大电路3.2与换能线圈A4相连，所述信号处理放大电路3.2与开关电路2.1相连。

尖脉冲发生电路由阻容器件电路组成，具体实施方案如下：第一电阻一端和第一电容一端连接后同时连接信号处理放大电路，第一电容另一端和MCU的I/O口连接，第一电阻另一端和Vcc连接；尖脉冲发生电路可以将MCU的I/O口输出的方波信号变成尖脉冲信号；

信号处理放大电路由逻辑门芯片、隔直电容构成；可采用逻辑与非门，也可采用逻辑非门，两者方案均可实现，具体选择哪种方案以设计者综合各方面考虑、择优选择；本专利方案中以采用逻辑非门进行阐述，如图4所示，具体实施方案如下：其中尖脉冲发生电路中的第一电阻一端和第一电容一端连接后同时连接信号处理放大电路，连接的信号放大电路是第一非门输入端，第一非门输出端和第二非门输入端连接后同时连接检测电路，第二非门输出端和第二电容一端连接，第二电容另一端和换能线圈A的一端连接，换能线圈A另一端和地连接，换能线圈A进行发射信号。

换能线圈A只有一个，而换能线圈B有两对，一对换能线圈B又由两个线圈组成，其中，换能线圈B1和换能线圈B2是一对换能线圈B，两线圈同名端相连接，两线圈另一端分别和开关放大电路连接，此对线圈在PCB上对称分布。换能线圈B3和换能线圈B4是另一对换能线圈B，两线圈同名端也相连接，两线圈另一端也分别和另一对开关放大电路连接，另一对线圈在PCB上也是对称分布。

开关放大电路由晶体管、逻辑门、阻容器件电路构成；由于换能线圈B有两对，因此开关放大电路也有两对，一对换能线圈B对应一对开关放大电路；开关放大电路可采用的方案较多，可采用单级放大，也可采用多级放大，两者方案均可实现，具体选择哪种方案以设计者综合各方面考虑、择优选择；本专利方案中以采用多级放大进行阐述，如图5所示，具体实施方案如下：第二电阻一端和地连接，第二电阻另一端和换能线圈B1的一端连接后同时连接第一晶体管基级，第一晶体管集电极和第三电阻一端连接，第三电阻另一端和Vcc连接，第一晶体管发射极和第三晶体管基级连接，第三晶体管集电极和第三电容一端连接后同时连接第四电阻一端并连接至MCU端口1，第四电阻另一端和MCU的I/O口连接，第三电容另一端和地连接，第三晶体管发射极和第五电阻一端连接；第六电阻一端和地连接，第六电阻另一端和换能线圈B2的一端连接后同时连接第二晶体管基级，第二晶体管集电极和第七电阻一端连接，第七电阻另一端和Vcc连接，第二晶体管发射极和第四晶体管基级连接，第四晶体管集电极和第四电容一端连接后同时连接第八电阻一端并连接至MCU端口2，第八电阻另一端和MCU的I/O口连接，第四电容另一端和地连接，第四晶体管发射极和第九电阻一端连接；第九电阻另一端和第五电阻另一端连接后同时连接第十电阻一端，第十电阻另一端和第十一电阻一端连接后同时连接第五电容一端，第十一电阻另一端和地连接，第五电容另一端和第三非门输出端连接，所述U2A端口3与尖脉冲发生电路3.1的P点相连。

同理，如图6所示，另一对开关放大电路实施方案如下：第十二电阻一端和地连接，第十二电阻另一端和换能线圈B3的一端连接后同时连接第五晶体管基级，第五晶体管集电极和第十三电阻一端连接，第十三电阻另一端和Vcc连接，第五晶体管发射极和第七晶体管基级连接，第七晶体管集电极和第六电容一端连接后同时连接第十四电阻一端并连接至MCU端口3，第十四电阻另一端和MCU的I/O口连接，第六电容另一端和地连接，第七晶体管发射极和第十五电阻一端连接；第十六电阻一端和地连接，第十六电阻另一端和换能线圈B4的一端连接后同时连接第六晶体管基级，第六晶体管集电极和第十七电阻一端连接，第十七电阻另一端和Vcc连接，第六晶体管发射极和第八晶体管基级连接，第八晶体管集电极和第七电容一端连接后同时连接第十八电阻一端并连接至MCU端口4，第十八电阻另一端和MCU的I/O口连接，第七电容另一端和地连接，第八晶体管发射极和第十九电阻一端连接；第十九电阻另一端和第十五电阻另一端连接后同时连接第二十电阻一端，第二十电阻另一端和第二十一电阻一端连接后同时连接第八电容一端，第二十一电阻另一端和地连接，第八电容另一端和第四非门输出端连接。第三非门输入端和第四非门输入端连接后同时连接第一非门输出端和第二非门输入端，所述U2B端口1与尖脉冲发生电路3.1的P点相连。

本专利方案采用的多级开关放大电路总共使用了四对晶体管对，第一晶体管和第二晶体管为第一对晶体管对，第三晶体管和第四晶体管为第二对晶体管对，第五晶体管和第六晶体管为第三对晶体管对，第七晶体管和第八晶体管为第四对晶体管对。使用单级开关放大电路只需两对晶体管对。显然不该限于本专利是使用多级放大的实施方案，而且在不背离本本方案的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现。因此，无论从哪一点来看，均应将本实施方案看作是示范性的，而且是非限制性的。

开关放大电路中，第三电容、第四电容、第六电容、第七电容均为采样保持电路。第四电阻和第三电容构成的阻容电路为充放电电路，同理，第八电阻与第四电容构成的电路、第十四电阻和第六电容构成的电路、第十八电阻和第七电容构成的电路均为充放电电路。

开关放大电路中，MCU端口1、MCU端口2、MCU端口3、MCU端口4需连接相应的MCU资源端口；此处有多种实现方案，可使用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案实现计量检测；也可使用比较器加定时器的方案实现计量检测。使用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案时，MCU端口1、MCU端口2、MCU端口3、MCU端口4需连接相应的MCU的模拟口即可；若使用比较器加定时器的方案时，需注意MCU端口1和MCU端口2需分别连接MCU同一个比较器的两输入端；同理，MCU端口3和MCU端口4也需分别连接MCU同一个比较器的两输入端。本专利实施方案采用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案。显然不该限于本专利采用的AD采样的实施方案，而且在不背离本本方案的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现。因此，无论从哪一点来看，均应将本实施方案看作是示范性的，而且是非限制性的。

开关放大电路中，晶体管工作于放大状态，换能线圈B接收到的微小变化的信号转变为晶体管基极电流Ib的变化，从而改变晶体管集电极电流Ic的变化，最终改变了采样保持电路中电容剩余电压的值，当感应式无磁计量检测模块下方金属片转到上方某个感应线圈处时，会形成电感涡流，导致更大的电能消耗，该处感应电压偏小；当感应式无磁计量检测模块下方金属片远离上方某个感应线圈时，基本不存在涡流，该点感应电压相对较大。因此，由于涡流效应的存在，及金属片所在位置的不同，导致各换能线圈B接收到的感应电动势的大小不同，从而影响了开关放大电路中各晶体管Ib的不同，导致了采样保持电路中各电容剩余电压的值的不同，从而实现计量检测。

工作时包括以下步骤：

a.分别通过连接第四电阻、第八电阻、第十四电阻、第十八电阻的MCU1的I/O口输出高电平，给采样保持电路2.3中第三电容、第四电容、第六电容、第七电容充满电；

b.将分别通过连接第四电阻、第八电阻、第十四电阻、第十八电阻的MCU的I/O口置为高阻态；

c.MCU1的I/O口通过产生脉冲信号给信号发生电路经换能线圈A4发射信号；

d.根据金属片位置的不同，各换能线圈B接收到的感应电动势的大小不同，从而影响了开关放大电路中各晶体管Ib的不同，导致了采样保持电路中各电容剩余电压的值的不同。比较第三电容和第四电容剩余电压的大小，同时比较第六电容和第七电容剩余电压的大小；若第三电容上的剩余电压大于第四电容剩余电压，则为1，否则为0；若第六电容上的剩余电压大于第七电容剩余电压，则为1，否则为0。

e.根据所计算出的结果，若为11 10 00 01，则为正转；若为01、00、10、11则为反转；显然不该限于本专利实施的正反转的方案，而且在不背离本本方案的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现。

作为优选，采取以下替代方案实现相同目的：

1)开关放大电路中，可使用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案实现计量检测；也可使用比较器加定时器的方案实现计量检测。使用比较器加定时器的方案时，需注意MCU端口1和MCU端口2需分别连接MCU同一个比较器的两输入端；同理，MCU端口3和MCU端口4也需分别连接MCU同一个比较器的两输入端；

2)当使用AD采样的方式获取采样保持电路中电容剩余电压的值的方案实现计量检测时，可将外部上拉电阻去掉，采用内部上拉的方案，即第四电阻、第八电阻、第十四电阻、第十八电阻均可省略；

3)原方案中，信号处理放大电路中使用的逻辑门是非门，可采用逻辑与非门；

4)原方案中，开关放大电路中使用的逻辑门是非门，四个换能线圈B可同时接收信号；其中第三非门、第五电容、第十电阻、第十一电阻为一组，第四非门、第八电容、第二十电阻、第二十一电阻为另一组，两组均可保留，也可保留其中任意一组，但保留一组时，第五电阻另一端和第九电阻另一端连接后同时连接第十五电阻另一端和第十九电阻一端(即四个电阻存在一个公共端的连接)；甚至在保留一组的时候，还可将保留的这组的非门去掉，将非门去掉后的输入端和输出端连接起来即可，这也是一种可变通的方案；此外，其实也可使用与非门，当使用与非门时，四个换能线圈B可同时接收信号，换能线圈B也可分时分批进行接收信号(成对换能线圈B同时接收信号、非成对换能线圈B分时接收信号)，从而使得开关放大电路多包含个通道切换、通道选择方案；

5)开关放大电路中，使用比较器加定时器且配合通道选择方案实现计量检测时，可采用两组比较器的方案，也可采用共用一组比较器的方案，当采用共用一组比较器的方案时，第四电阻、第三电容、第八电阻、第四电容为一组；第十四电阻、第六电容、第十八电阻、第七电容为另一组，两组中只保留一组，同时，第三晶体管集电极和第七晶体管集电极连接，第四晶体管集电极和第八晶体管集电极连接；

6)原方案中，开关放大电路中采用了多级放大方案，其实也可采用单级放大，即第一晶体管和第三电阻去掉，且将第二电阻另一端和换能线圈B1的一端连接后同时连接第三晶体管基级；同理，第二晶体管和第七电阻去掉，且第六电阻另一端和换能线圈B2的一端连接后同时连接第四晶体管基级；第五晶体管和第十三电阻去掉，且第十二电阻另一端和换能线圈B3的一端连接后同时连接第七晶体管基级；第六晶体管和第十七电阻去掉，且第十六电阻另一端和换能线圈B4的一端连接后同时连接第八晶体管基级；

7)原方案中，换能线圈B采用的是四个换能线圈B，且成对的换能线圈B共一个公共端；其中，换能线圈B的个数不局限为四个，同时也不局限于成对的换能线圈B共一个公共端，也可所有换能线圈B共一个公共端；而且线圈形状多样化，不局限于本专利中的线圈形状；换能线圈B的个数为2就能实现计量，但不能检测正反转，但要既能实现计量又能检测正反转，换能线圈B的个数至少3个；

原方案中，换能线圈A和换能线圈B是分开的，也可采用去掉单独的换能线圈A，采用换能线圈B即做信号发射又做信号接收。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

尽管本文较多地使用了检测电路、信号发生电路等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。

Claims (7)

1.一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，其特征在于，包括MCU(1)，所述MCU(1)经过检测电路(2)与换能线圈B(5)相连，MCU(1)同时经过信号发生电路(3)与换能线圈A(4)相连，换能线圈B(5)与换能线圈A(4)耦合。

2.根据权利要求1所述的一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，其特征在于，所述检测电路(2)包含开关电路(2.1)、多级放大电路(2.2)、采样保持电路(2.3)和充放电电路(2.4)，所述换能线圈B(5)依次经过多级放大电路(2.2)、采样保持电路(2.3)与MCU(1)相连，所述开关电路(2.1)与多级放大电路(2.2)相连，所述充放电电路(2.4)分别与MCU(1)、采样保持电路(3.3)相连，所述开关电路(2.1)和多级放大电路(2.2)构成开关放大电路。

3.根据权利要求1所述的一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，其特征在于，信号发生电路(3)包含尖脉冲发生电路(3.1)和信号处理放大电路(3.2)，所述MCU(1)依次经过尖脉冲发生电路(3.1)、信号处理放大电路(3.2)与换能线圈A(4)相连，所述信号处理放大电路(3.2)与开关电路(2.1)相连。

4.根据权利要求3所述的一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，其特征在于，所述尖脉冲发生电路(3.1)包括第一电阻，第一电阻一端和第一电容一端连接后同时连接信号处理放大电路，第一电容另一端和MCU(1)的I/O口连接，第一电阻另一端和Vcc连接；第一电阻一端和第一电容一端连接后同时连接信号处理放大电路(3.2)，连接的信号放大电路(3.2)是第一非门输入端，第一非门输出端和第二非门输入端连接后同时连接检测电路(2)，第二非门输出端和第二电容一端连接，第二电容另一端和换能线圈A(4)的一端连接，换能线圈A(4)另一端接地。

5.根据权利要求1所述的一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，其特征在于，所述换能线圈B(5)包括换能线圈B1(5.1)、换能线圈B2(5.2)、换能线圈B3(5.3)和换能线圈B4(5.4)，所述换能线圈B1(5.1)和换能线圈B2(5.2)为一对，两线圈同名端相连接，另一端分别和第一开关放大电路连接；所述换能线圈B3(5.3)和换能线圈B4(5.4)为一对，两线圈同名端相连接，另一端分别和第二开关放大电路连接。

6.根据权利要求5所述的一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，其特征在于，所述第一开关放大电路包括第二电阻，所述第二电阻一端接地，第二电阻另一端和换能线圈B1(5.1)的一端连接后同时连接第一晶体管基级，第一晶体管集电极和第三电阻一端连接，第三电阻另一端和Vcc连接，第一晶体管发射极和第三晶体管基级连接，第三晶体管集电极和第三电容一端连接后同时连接第四电阻一端并连接至MCU(1)端口1，第四电阻另一端和MCU(1)的I/O口连接，第三电容另一端和地连接，第三晶体管发射极和第五电阻一端连接；第六电阻一端和地连接，第六电阻另一端和换能线圈B2(5.2)的一端连接后同时连接第二晶体管基级，第二晶体管集电极和第七电阻一端连接，第七电阻另一端和Vcc连接，第二晶体管发射极和第四晶体管基级连接，第四晶体管集电极和第四电容一端连接后同时连接第八电阻一端并连接至MCU(1)端口2，第八电阻另一端和MCU(1)的I/O口连接，第四电容另一端和地连接，第四晶体管发射极和第九电阻一端连接；第九电阻另一端和第五电阻另一端连接后同时连接第十电阻一端，第十电阻另一端和第十一电阻一端连接后同时连接第五电容一端，第十一电阻另一端和地连接，第五电容另一端和第三非门输出端连接，所述U2A端口3与尖脉冲发生电路(3.1)的P点相连。

7.根据权利要求5所述的一种用于计量流体流量的低功耗无磁装置，其特征在于，所述第二开关放大电路包括第十二电阻，所述第十二电阻一端和地连接，第十二电阻另一端和换能线圈B3(5.3)的一端连接后同时连接第五晶体管基级，第五晶体管集电极和第十三电阻一端连接，第十三电阻另一端和Vcc连接，第五晶体管发射极和第七晶体管基级连接，第七晶体管集电极和第六电容一端连接后同时连接第十四电阻一端并连接至MCU(1)端口3，第十四电阻另一端和MCU(1)的I/O口连接，第六电容另一端和地连接，第七晶体管发射极和第十五电阻一端连接；第十六电阻一端和地连接，第十六电阻另一端和换能线圈B4(5.4)的一端连接后同时连接第六晶体管基级，第六晶体管集电极和第十七电阻一端连接，第十七电阻另一端和Vcc连接，第六晶体管发射极和第八晶体管基级连接，第八晶体管集电极和第七电容一端连接后同时连接第十八电阻一端并连接至MCU(1)端口4，第十八电阻另一端和MCU(1)的I/O口连接，第七电容另一端和地连接，第八晶体管发射极和第十九电阻一端连接；第十九电阻另一端和第十五电阻另一端连接后同时连接第二十电阻一端，第二十电阻另一端和第二十一电阻一端连接后同时连接第八电容一端，第二十一电阻另一端和地连接，第八电容另一端和第四非门输出端连接，第三非门输入端和第四非门输入端连接后同时连接第一非门输出端和第二非门输入端，所述U2B端口1与尖脉冲发生电路(3.1)的P点相连。

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