CN214073291U - 磁共振设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种磁共振设备，所述磁共振设备包括金属构件和用于检测所述金属构件的温度的温度测量设备，其中温度测量设备包括：固定设备；传感器单元；以及包含金属的屏蔽设备，其中传感器单元在固定设备与金属构件之间并且在屏蔽设备与金属构件之间设置，并且传感器单元具有与金属构件直接接触的侧面。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种磁共振设备，所述磁共振设备包括金属构件和用于检测金属构件的温度和/或温度变化的温度测量设备。
背景技术
在磁共振设备中，检查对象、尤其患者的待检查的身体通常借助于主磁体经受相对高的主磁场、例如1.5或3或7特斯拉的主磁场。附加地，借助于梯度线圈单元利用梯度脉冲。然后，经由射频天线单元，借助于合适的天线装置发出以射频变化的射频脉冲、例如激励脉冲，这引起，特定的通过所述射频脉冲共振地激发的原子的核自旋以定义的翻转角相对于主磁场的磁场线倾斜。在核自旋的弛豫中，放射射频信号、所谓的磁共振信号，所述射频信号借助于合适的射频天线接收并且然后进一步处理。最后，可以从这样获取的原始数据中重建期望的图像数据。
因此，在磁共振设备运行期间，对于特定的测量应发出特定的磁共振控制序列(MR控制序列)、也称为脉冲序列，所述磁共振控制序列由一系列射频脉冲、例如激励脉冲和重聚焦脉冲，以及与此匹配地要协调地发出的在沿着不同空间方向的不同梯度轴线中的梯度脉冲组成。在此，产生用于位置编码的磁场梯度。与此时间匹配地设置读取窗口，所述读取窗口预设时间段，在所述时间段中检测感生的磁共振信号。
为了产生梯度脉冲，将电流传导到梯度线圈单元的梯度线圈中，所述电流的幅值到达直至1.5kA并且所述电流经受具有大于100T/m/s的上升和下降率的电流方向的频繁且快速的变化。用于线圈电流的驱动电压直至几kV。由于欧姆损耗、通过在相邻的传导结构中的动态杂散场引起的涡流损耗以及通过振动引起的摩擦热，这导致发热。尤其在大梯度的MR控制序列中，如其例如用于EPI扩散，发热特别大。梯度线圈单元典型地包括冷却单元，所述冷却单元限制在梯度线圈单元运行期间的发热的程度和 /或在MR控制序列结束之后再次降低梯度线圈单元的温度。在梯度线圈单元运行中产生的热量也输出给梯度线圈单元的环境，所述环境由此经受发热。由此，磁共振设备的在梯度线圈单元的环境中的特定的部件经受强烈的温度变化，这可以限制所述部件的耐用性和/或可以对原始数据的获取和待重建的图像数据的质量产生负面影响。尤其地，由于具有温度相关的磁特性的部件、例如低温恒温器的外壳、梯度线圈单元本身或由所述梯度线圈单元包括的垫片元件的温度变化，尤其可能产生主磁场的变化。这可能损害原始数据的获取。
US9880237B2公开一种用于补偿温度波动的装置，其中能够实现减少温度波动对成像的干扰影响。EP3399325A1涉及一种用于对梯度线圈单元的至少部分地可磁化的环境进行调温的磁共振设备。
发明内容
本实用新型基于如下目的，提出一种具有温度测量设备的磁共振设备，所述温度测量设备用于特别精确地检测由磁共振设备包括的金属构件的温度和/或温度变化。所述目的通过本实用新型的特征来实现。有利的设计方案在下面的说明书中描述。
根据本实用新型的磁共振设备包括：金属构件和用于检测金属构件的温度和/或温度变化的温度测量设备，其中所述温度测量设备包括：固定设备；传感器单元；以及包含金属的屏蔽设备。传感器单元至少部分地设置在固定设备与金属构件之间，并且传感器单元至少部分地设置在屏蔽设备与金属构件之间。传感器单元具有与金属构件直接接触的侧面。
固定设备可以是至少在一侧由粘接剂覆层的带。固定设备的面向传感器单元和/或金属构件的侧典型地由粘接剂覆层。粘接剂典型地选择成，使得基于机械压力，在粘接带与另一部件、例如传感器单元和/或金属构件之间出现可松开的连接。固定设备的粘接剂优选地在机械压力之后典型地在固定设备与传感器单元之间建立连接。
包括金属的屏蔽设备典型地设置在传感器单元和/或固定设备的背离金属构件的侧上。屏蔽设备典型地构成用于，将传感器单元屏蔽免受不是来自金属构件的热影响。屏蔽设备典型地设置在热源、例如梯度线圈单元与传感器单元之间，并且为传感器单元与热源之间的热障。传感器单元与金属构件之间的直接接触典型地不具有屏蔽设备。这能够实现减少对金属构件的由传感器单元检测的温度和/或温度变化的外部影响，并且能够与不同于金属构件的热源无关地实现更精确的结果。
温度测量设备构成用于，检测金属构件的温度和/或温度变化。传感器单元典型地构成用于，检测代表传感器单元在金属构件上的位置处的温度的绝对值和/或相对值。温度测量设备典型地包括另外的部件。温度测量设备例如可以包括与传感器单元连接的温度控制单元。温度测量设备可以包括在温度控制单元与传感器单元之间的连接，所述连接可以是无线的和/或基于线缆的。
传感器单元具有至少一个平坦的侧面。传感器单元优选地不是球形的。传感器单元优选地是长方体形的。传感器单元优选地设置在金属构件处，使得具有平坦的侧面的传感器单元直接平放在金属构件上。侧面与金属构件之间的接触优选地不具有自由空间。侧面与金属构件的表面直接接触。固定设备典型地至少部分地、优选完全地覆盖传感器单元。固定设备典型地在至少一个位置处伸出传感器单元的侧面。固定设备优选地在至少一个位置处与金属构件直接接触。如果固定设备构成为粘接带，则粘接带的粘接剂在至少一个位置处，优选地在机械压力之后，典型地建立在粘接带与金属构件之间的连接。
温度测量设备也可以包括多个固定设备和传感器单元，其中传感器单元分别至少部分地设置在至少一个固定设备与金属构件之间，并且每个传感器单元具有与金属构件直接接触的侧面。
选择具有与金属构件直接接触地定位的侧面的传感器单元能够实现特别好地检测金属构件的温度和/或温度变化，因为与圆形的和/或球面的传感器相比，所述传感器单元具有与金属构件的更大的接触面积。由此，可以特别精确地检测金属构件的温度和/或温度变化。固定设备能够实现传感器单元在金属构件上的固定，并且屏蔽设备能够实现屏蔽传感器单元，尤其在金属构件外部的温度变化方面屏蔽传感器单元。例如，金属构件可以例如以小于5mm的间距与另一构件、例如梯度线圈单元相邻，所述另一构件经受大的温度波动和/或使用决定地为热源，由此金属构件间接受到影响。屏蔽设备、尤其金属能够实现屏蔽和/或减少来自另外的构件的热效应对传感器的直接影响。另外的构件为另外的热源，所述另外的热源对传感器的影响可以借助屏蔽设备消除和/或减少。传感器单元也可以与另外的干扰影响隔离。
由此，传感器单元可以更精确地检测金属构件的温度和/或温度变化。因此，例如可以检测低温恒温器的外壳上的0.05℃的变化。
尤其如果金属构件距强烈的热源具有小于一厘米的小的间距，则金属构件受所述热源的热辐射的强烈影响，并且经受大的温度波动。尽管如此磁共振设备的温度测量设备仍能够实现可靠地确定金属构件的温度和/或温度变化，因为梯度线圈单元对传感器单元的间接热辐射借助屏蔽设备屏蔽，并且传感器单元与金属构件的直接接触能够实现特别好地检测所述金属构件的温度和/或温度变化。
传感器单元与金属构件之间的大的接触面积和通过包括金属的屏蔽设备的屏蔽的组合使金属构件的所检测的温度和/或温度变化变得精确。这能够实现更好地确定金属构件的温度。基于所述认知，可以更好地调节金属构件的温度对原始数据的影响，进而间接地改进主磁场的变化和/或均匀性。在记录原始数据时，这引起质量改进的原始数据。
磁共振设备的一个实施方式提出，传感器单元具有垂直于金属构件的最大2mm、优选地最大1mm、特别优选地最大0.5mm的空间扩展。传感器单元的垂直于金属构件的小的空间扩展、即所述传感器单元的平坦的结构方式确保，在传感器单元与金属构件之间建立良好的接触，和/或通过固定设备、尤其通过粘接带的固定是可靠的并且简单可行的。附加地，传感器单元具有小的体积，由此所述传感器单元的热惯性是小的。由此，在小于0.1℃的小于一秒内，也可以检测金属构件的小的且短期的温度变化。
磁共振设备的一个实施方式提出，传感器单元垂直于金属构件具有最小的空间扩展。
根据所述实施方式，传感器单元优选地是平坦的。与金属构件直接接触的侧面优选地是传感器单元的最大的无棱边的和/或无角的表面。由此，传感器单元与金属构件之间的热接触特别好，并且可以特别好地确定温度和/或温度变化。平坦的结构方式确保，在传感器单元与金属构件之间可以建立良好的接触，和/或通过尤其呈粘接带的形式的固定设备的固定是可靠的且容易可行的。附加地，传感器单元具有小的体积，由此所述传感器单元的热惯性是小的。由此，也可以检测金属构件的小于0.1℃的小的且暂时的温度变化。
磁共振设备的一个实施方式提出，传感器单元的侧面在所述侧面与金属构件直接接触的区域中平行于金属构件的表面。金属构件典型地具有光滑的表面。如果传感器单元的侧面至少部分地对应于金属构件的表面成形，则直接接触是特别好的。因此可以特别精确地检测温度和/或温度变化。
磁共振设备的一个实施方式提出，传感器单元的侧面小于2mm2、优选地小于1.5mm2、特别优选地小于1mm2。根据所述实施方式，传感器单元具有小的体积，由此所述传感器单元的热惯性是小的。由此，也可以检测金属构件的小于0.1℃的小的且暂时的温度变化。
磁共振设备的一个实施方式提出，传感器单元是热敏电阻，优选地是 NTC热敏电阻。热敏电阻是其值随温度可复现地变化的电阻。因此，基于电阻测量，可以简单地且成本低地求取相对温度变化。NTC热敏电阻是特别适合的，因为可以特别精确地求取所述发热。因此，所述实施方式能够实现成本低的且精确的温度测量设备。尤其地，除了金属构件的温度变化之外，所述传感器单元可以通过屏蔽设备相对于外部影响特别好地屏蔽。替选地，传感器单元也可以包括例如根据PT100构成的电传感器。
磁共振设备的一个实施方式提出，传感器单元包括光学传感器。光学传感器构成用于，精确地检测温度变化。光学传感器是有利的，因为其可以不具有电部件和/或金属部件，由此所述光学传感器特别适合于磁共振设备。这种光学传感器不具有与主磁场、磁场梯度和/或射频脉冲的相互作用。
磁共振设备的一个实施方式提出，固定设备将传感器单元固定在金属构件上。所述实施方式能够实现，可以简单地且可靠地固定和屏蔽传感器单元。可以简单地实施安装，并且可以鲁棒地并且灵活地固定传感器单元。
磁共振设备的一个实施方式提出，固定设备覆盖传感器单元的至少一个背离金属构件的表面。固定设备优选地完全覆盖传感器单元的背离金属构件的表面。这能够实现特别好地屏蔽传感器单元不受对应于金属构件的和/或出自所述金属构件的外部热影响。
磁共振设备的一个实施方式提出，屏蔽设备集成到固定设备中和/或设置在固定设备的背离传感器单元的表面上。屏蔽设备典型地包括金属层和/或金属带。金属层和/或金属带可以集成到固定设备的内部中和/或可以设置在固定设备的未由粘接剂覆层的侧面和/或表面上。如果屏蔽设备设置在固定设备的背离传感器单元的表面上，则传感器单元的固定和屏蔽可以借助两个单元进行，这能够实现灵活的组合。如果屏蔽设备集成到固定设备中，则可以在一个步骤中设置两个单元，和/或通过将传感器单元与固定设备固定，可以确保屏蔽设备在传感器单元上的正确定位。
磁共振设备的一个实施方式提出，屏蔽设备包括承载设备。根据所述实施方式，屏蔽设备典型地设置在固定设备的背离传感器单元的表面上。尤其地，由屏蔽设备包括的承载设备可以使温度测量设备和/或传感器单元稳定。承载设备典型地是电绝缘的。承载设备优选地具有垂直于金属构件的最大5mm、优选地最大3mm、特别优选地最大1mm的空间扩展。承载设备例如可以由玻璃增强的塑料构成。
磁共振设备的一个实施方式提出，由屏蔽设备包括的金属是铝。铝具有特别好的导电性，并且可以特别好地屏蔽外部热源。
磁共振设备的一个实施方式提出，屏蔽设备是由金属、优选地由铝构成的表面。由金属构成的表面优选地是固定设备的背离传感器单元的侧。由此，可以特别好地将传感器单元屏蔽不受外部的热影响。可以设想具有足够的热屏蔽的其他的有导电能力的金属。
磁共振设备的一个实施方式提出，固定设备具有尺寸在1cm2与10cm2之间的表面。固定设备分别典型地与传感器单元相关联。所述尺寸典型地足以覆盖至少一个传感器单元。由此，可以良好地屏蔽传感器单元，并且通过固定设备尽可能少地影响金属构件。
磁共振设备的一个实施方式提出，直接接触不具有热胶。尤其地，直接接触不具有任何材料和/或物质。直接接触本身能够实现在传感器单元与金属构件之间的特别好的交换，使得可以放弃热胶。
磁共振设备的一个实施方式提出，金属构件具有距由磁共振设备包括的梯度线圈单元小于20mm、优选小于10mm、特别优选小于5mm的间距。
在磁共振设备的运行中，梯度线圈单元典型地是特别大的热源，所述热源可以强烈地加热周围的构件。尤其地，距梯度线圈单元的间距小于 20mm、优选地小于10mm、特别优选地小于5mm的金属构件受到所述梯度线圈单元的热辐射的强烈影响并且经受大的温度波动。然而，根据磁共振设备的所述实施方式的温度测量设备能够实现可靠地确定金属构件的温度和/或温度变化，因为从梯度线圈单元到传感器单元的间接热辐射借助屏蔽设备屏蔽，并且传感器单元与金属构件的直接接触能够实现特别好地检测所述金属构件的温度和/或温度变化。
磁共振设备的一个实施方式提出，金属构件是以下金属构件中的一个金属构件：
-低温恒温器，其包围由磁共振设备包括的超导主磁体，
-垫片元件。
低温恒温器典型地是包围由磁共振设备包括的超导主磁体的容器。低温恒温器的外壳典型地是磁共振设备的具有特别大的面积和体积的金属构件，这在温度变化时尤其强烈地影响主磁场的均匀性，因为磁效应与金属构件的质量相关。如果传感器单元设置在低温恒温器的外壳上，则基于检测到的温度和/或温度变化，可以特别好地确保主磁场的时间均匀性和/ 或空间均匀性。
附图说明
本实用新型的其他优点、特征和细节从以下描述的实施例中以及根据附图得出。
附图示出：
图1在示意图中示出根据本实用新型的磁共振设备，
图2在示意图中在第一视图中示出温度测量设备的第一实施方式，
图3在示意图中在第一视图中示出温度测量设备的第二实施方式，
图4在示意图中在第一视图中示出温度测量设备的第三实施方式，以及
图5在第二视图中示出温度测量设备的一个实施方式的示意图。
具体实施方式
图1在示意图中示出用于实施根据本实用新型的方法的磁共振设备 11。磁共振设备11包括由磁体单元13形成的探测器单元，所述探测器单元具有用于产生强的且尤其恒定的主磁场18的主磁体17。主磁体17由呈低温恒温器的形式的金属构件12包围。此外，磁共振设备11具有用于容纳患者15的柱形的患者容纳区域14，其中所述患者容纳区域14在环周方向上由磁体单元13柱形地包围。可以借助于磁共振设备11的患者支承设备16将患者15推动到患者容纳区域14中。为此，患者支承设备16 具有检查床，所述检查床可运动地设置在磁共振设备11内。
磁体单元13还具有梯度线圈单元19，所述梯度线圈单元在成像期间用于位置编码。梯度线圈单元19借助于梯度控制单元28操控。此外，磁体单元13具有：射频天线单元20，所述射频天线单元在所示出的情况下构成为固定地集成到磁共振设备11中的体线圈；以及射频天线控制单元 29，所述射频天线控制单元用于激励在由主磁体17产生的主磁场18中产生的极化。射频天线单元20由射频天线控制单元29操控，并且将以射频变化的射频脉冲射入到基本上由患者容纳区域14形成的检查空间中。呈低温恒温器的形式的金属构件12具有距梯度线圈单元19的小于10mm的间距。
附加地，磁共振设备包括温度测量设备30，所述温度测量设备用于检测呈低温恒温器的形式的金属构件12的温度和/或温度变化。金属构件 12也可以是垫片元件。呈低温恒温器的形式的金属构件12具有距梯度线圈单元19小于10mm的间距。温度测量设备30包括传感器设备40和温度控制单元37。温度控制单元37构成用于，控制传感器设备40和/或分析由传感器设备40检测到的值。温度控制单元37也可以构成用于，基于检测到的温度和/或温度变化对磁共振设备11的至少一个部件进行调温。
为了控制主磁体17、梯度控制单元28、温度控制单元37以及射频天线控制单元29，磁共振设备11具有控制单元24。控制单元24中央地控制磁共振设备11，例如执行MR控制序列。此外，控制单元24包括未详细示出的重建单元，所述重建单元用于重建在磁共振检查期间检测到的医学图像数据。磁共振设备11具有显示单元25。控制信息、例如控制参数以及重建的图像数据可以在显示单元25上、例如在至少一个监视器上为用户显示。此外，磁共振设备11具有输入单元26，借助于所述输入单元，可以由用户在测量过程期间输入信息和/或控制参数。控制单元24可以包括梯度控制单元28和/或射频天线控制单元29和/或显示单元25和/或输入单元26和/或温度控制单元37。
图2在示意图中在第一视图中示出温度测量设备30的第一实施方式。温度测量设备30构成用于检测金属构件12的温度和/或温度的变化，其中温度测量设备30包括：固定设备32、传感器单元31以及包括金属的屏蔽设备33。在此，在图1中示出的传感器设备40通过固定设备32、传感器单元31以及屏蔽设备33形成。
传感器单元31至少部分地设置在固定设备32与金属构件12之间。同样地，传感器单元31至少部分地设置在屏蔽设备33与金属构件12之间。传感器单元31具有与金属构件12直接接触的侧面。根据所述实施方式，所述单元按以下顺序逐层地设置：金属构件12、传感器单元31、固定设备32、屏蔽设备33。根据所述实施方式，屏蔽设备33设置在固定设备32的背离传感器单元31的表面上。
传感器单元31具有垂直于金属构件12沿以z标记的方向的最大 2mm、优选地最大1mm、特别优选地最大0.5mm的空间扩展。在垂直于金属构件12的以z标记的所述方向上，传感器单元31具有最小的空间扩展。在此，传感器单元31的侧面在所述侧面与金属构件12直接接触的区域中平行于金属构件12的表面。直接接触典型地不具有热胶。所示出的传感器单元31可以是热敏电阻、NTC热敏电阻或光学传感器。固定设备 32将传感器单元31固定在金属构件12上。
固定设备32在面向传感器单元31的侧上优选地包括粘接面。在固定设备32上设置有屏蔽设备33。根据第一实施方式的屏蔽设备33与固定设备32分开地构成并且施加在所述固定设备上。屏蔽设备33优选地构成为柔性层。屏蔽设备33本身可以是以金属覆层的粘接带或金属箔。固定设备32优选地构成为粘接带，特别优选地构成为双侧粘接带。如果固定设备32构成为双侧粘接带，则屏蔽设备33特别优选地构成为金属箔。由屏蔽设备33包括的金属典型地是铝。
图3在示意图中在第一视图中示出温度测量设备30的第二实施方式。第二实施方式与在图2中示出的第一实施方式的不同之处在于，屏蔽设备 33集成到固定设备32中。例如，屏蔽设备33可以构成为在固定设备32 内的金属箔。固定设备32本身也可以具有由金属、优选地由铝构成的表面，所述表面用作为屏蔽设备33。替选地或附加地，屏蔽设备33构成为金属在固定设备32内的分布。
图4在示意图中在第一视图中示出温度测量设备30的第三实施方式。第三实施方式与在图2中示出的第一实施方式的不同之处在于，屏蔽设备 33包括承载设备35。承载设备35优选地是机械的保持件。根据第三实施方式，固定设备33优选地构成为双侧的粘接带，承载设备35由玻璃增强的塑料构成并且屏蔽设备33构成为金属箔。
图5在第二视图中示出温度测量设备30的实施方式的示意图。第二视图垂直于第一视图，并且可以对于第一实施方式、第二实施方式和/或第三实施方式是有效的。在此，传感器单元31平放在金属构件12上，并且传感器单元31的背离金属构件12的表面通过固定设备32完全地覆盖。也可考虑的是，固定设备32仅部分地覆盖传感器单元31。传感器单元31的在x-y平面中的与金属构件12直接接触的侧面典型地小于2mm2、优选地小于1.5mm2、特别优选地小于1mm2。固定设备32在x-y平面中具有比传感器单元31的侧面更大的表面，并且在1cm2与10cm 2之间大。传感器设备40经由线缆设备36与温度控制单元37连接。
尽管本实用新型的细节通过优选的实施例详细地说明和描述，然而本实用新型不受公开的实例限制，并且可以由本领域技术人员从中推导出其他变型方案，而不脱离本实用新型的保护范围。
Claims (22)
1.一种磁共振设备，所述磁共振设备包括金属构件和用于检测所述金属构件的温度和/或温度变化的温度测量设备，
其中所述温度测量设备包括固定设备、传感器单元以及含金属的屏蔽设备，
其特征在于，
所述传感器单元至少部分地设置在所述固定设备与所述金属构件之间，所述传感器单元至少部分地设置在所述屏蔽设备与所述金属构件之间，并且所述传感器单元具有与所述金属构件直接接触的侧面。
2.根据权利要求1所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元具有垂直于所述金属构件的最大2mm的空间扩展。
3.根据权利要求1所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元具有垂直于所述金属构件的最大1mm的空间扩展。
4.根据权利要求1所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元具有垂直于所述金属构件的最大0.5mm的空间扩展。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元垂直于所述金属构件具有最小的空间扩展。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元的侧面在所述侧面与所述金属构件直接接触的区域中平行于所述金属构件的表面。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元的侧面小于2mm2。
8.根据权利要求7所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元的侧面小于1.5mm2。
9.根据权利要求7所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元的侧面小于1mm2。
10.根据权利要求1至4所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元是热敏电阻。
11.根据权利要求10所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元是NTC热敏电阻。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述传感器单元包括光学传感器。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述固定设备覆盖所述传感器单元的至少一个背离所述金属构件的表面。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述屏蔽设备集成到所述固定设备中和/或设置在所述固定设备的背离所述传感器单元的表面上。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中由所述屏蔽设备包括的金属是铝。
16.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述屏蔽设备包括承载设备。
17.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述固定设备具有尺寸在1cm2与10cm2之间的表面。
18.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述直接接触不具有热胶。
19.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述金属构件具有距由所述磁共振设备包括的梯度线圈单元的小于20mm的间距。
20.根据权利要求19所述的磁共振设备，
其中所述金属构件具有距由所述磁共振设备包括的梯度线圈单元的小于10mm的间距。
21.根据权利要求19所述的磁共振设备，
其中所述金属构件具有距由所述磁共振设备包括的梯度线圈单元的小于5mm的间距。
22.根据权利要求1至4中任一项所述的磁共振设备，
其中所述金属构件是以下金属构件中的一个金属构件：
-低温恒温器，所述低温恒温器包围由所述磁共振设备包括的超导主磁体，
-垫片元件。
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