CN213977958U - 一种沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种沉积装置，所述沉积装置包括传输腔以及与所述传输腔相连的至少两个反应腔、缓冲腔和装卸腔；由于氮化物深紫外发光二极管结构所需的铝氮缓冲层与铝镓氮薄膜和镓氮薄膜所需的外延生长的工艺条件差异大，因此本实用新型提出了一种沉积装置反应腔的设计思路，区别于现有技术采用单一反应腔一步式外延生长结构，本实用新型采用两种类型反应腔配置的沉积系统，可以实现以分步集成方式外延生长紫外发光二极管结构，以达到提高深紫外器件的发光效率、良品率及产能，并降低外延生产的成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种沉积装置。
背景技术
宽能隙氮化物材料由于具有直接能隙的特性，因此在短波长发光器件上一直受到相当大的注目。随着铟镓氮蓝光及白光发光二极管的成功，及近几年对紫外光源杀菌净水的需求，用于紫外及深紫外的高铝含量铝镓氮材料外延结构制备开始受到重视。由于氮化物一直是在异质基板上发展器件结构外延技术，所以原先用于蓝光器件的镓氮缓冲层必须转变成对紫外光透明不吸收的铝氮缓冲层方可不影响紫外发光器件的出光效能。
紫外光的铝镓氮量子井发光结构由于缺乏了铟氮对载子特有的局部局限效应，因此紫外光量子井的发光效率容易受到结构内的缺陷影响，所以提高铝氮缓冲层的晶体质量对于制备高效能的氮化物紫外发光器件是至关重要的技术发展方向。
金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备为一种典型的外延化学气相沉积(CVD)设备，设备中设有真空的反应腔，反应腔中设有晶圆托盘，通过反应气体进气装置(例如喷淋头设计)将反应气体引入反应腔内，并输送到晶圆表面上进行反应，从而生长出特定的外延材料及结构。由于MOCVD设备优异的反应气体切换能力，能够提供高性能光电器件外延晶圆所需的量子结构界面，是现在大规模生产III/V半导体器件的关键性设备。
相较于制备蓝光发光二极管的MOCVD设备，制备紫外发光器件的MOCVD设备所需涵盖的工艺条件明显宽广许多：反应温度需涵盖到1400℃，V/III需求在10～2000之间，更高的气流速度，更低的生长反应腔压力及更复杂的化学气体组分。再以成长高质量铝氮外延薄膜为例，由于需要操作在超高温度以提高晶体质量，而超高操作温对于MOCVD反应腔的温场，流场及真空系统等设计均带来极高的挑战。此外由于三甲基铝(TMA)有机金属源与氨气之间的极强预反应效应，导致铝氮的工艺窗口通常设定在极低的V/III比条件，而这又会造成附着在反应腔内表面的副产物附着物型态与其他氮化物的副产物型态有着很大的差异，在MOCVD设备运作实际生产时缩短了生产设备的维护周期。
CN204111865U公开了一种化学气相沉积装置，至少包括：表面在竖直平面内且相互平行的固定板和调节板；该调节板设有槽；所述槽由若干并行的单元槽组成，每个单元槽包含两列且相互贯通的通孔；该两列通孔彼此交错且相邻交错通孔间的垂直距离小于10毫米；该固定板设有与每个通孔对应的螺纹孔；螺栓组件由紧固于螺纹孔中的螺丝、固定于螺丝一端且位于固定板和调节板间的方形块及固定于方形块且嵌于通孔中的支撑块组成；所述螺丝位于与该方形块接触面的非中心位置；由一支柱的一端支撑的托盘；该支柱的另一端固定于调节板。利用该实用新型的化学气相沉积装置可以实现对托盘上下移动距离的微调，使得晶圆上沉积薄膜的更加均匀，提高产品的良率。但是该装置难以适应紫外发光器件外延晶圆的制备条件，制备得到的深紫外器件的效率和良率均无法达到生产要求。
综上所述，若以既有的蓝光外延生产设备执行紫外发光器件的外延生产必定会面临到设备不适和稳定生产的技术瓶颈。
因此，本领域亟待开发一种用于深紫外发光器件(DUV LED)外延晶圆制备的沉积装置，且制备得到高发光效率和良率的深紫外发光器件。
实用新型内容
针对现有技术的不足，本实用新型的目的之一在于提供一种沉积装置，尤其在于提供一种化学气相沉积装置。所述沉积装置可以用于深紫外发光器件(DUV LED)外延晶圆制备，提高深紫外器件的发光效率、良品率及产能，并降低外延生产的成本。
为达此目的，本实用新型采用如下技术方案：
本实用新型提供一种沉积装置，所述沉积装置包括传输腔以及与所述传输腔相连的至少两个(例如两个、三个、四个、五个等)反应腔、缓冲腔和装卸腔；
所述至少两个反应腔包括第一反应腔和第二反应腔；
所述第一反应腔用于通过外延反应在衬底基板上形成铝氮缓冲层；
所述第二反应腔用于通过外延反应在已形成有铝氮缓冲层的衬底基板上形成完整的深紫外发光器件结构；
所述装卸腔用于放置已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板，或用于放置待进行外延反应的衬底基板；
所述缓冲腔用于存放从所述第一反应腔中取出的已形成有铝氮缓冲层的衬底基板，或者用于存放从所述第二反应腔中取出的已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板。
本实用新型提供了一种新型沉积装置，设置至少两个反应腔室，其中，第一反应腔用于通过在衬底基板上外延沉积高晶体质量铝氮或铝镓氮缓冲层结构，供后续制备程序使用，第二反应腔用于通过外延反应在已形成有高质量铝氮或铝镓氮缓冲层基板上继续外延沉积氮化物DUV LED结构中所需的其他材料，并形成完整的DUV LED晶圆结构。
优选地，所述沉积装置包括传输腔以及与所述传输腔相连的第一反应腔、第二反应腔、缓冲腔和装卸腔；
所述第一反应腔的下方设置有第一支撑轴，所述第二反应腔的下方设置有第二支撑轴；
所述第一支撑轴表面包裹有第一隔热保护罩，所述第二支撑轴表面包裹有第二隔热保护罩；
所述第一反应腔用于通过外延反应在衬底基板上形成铝氮缓冲层，所述衬底基板放置于托盘上；
所述第二反应腔用于通过外延反应在已形成有铝氮缓冲层的衬底基板上形成完整的深紫外发光器件结构；
所述装卸腔用于放置已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板，或用于放置待进行外延反应的衬底基板；
所述缓冲腔用于存放从所述第一反应腔中取出的已形成有铝氮缓冲层的衬底基板，或者用于存放从所述第二反应腔中取出的已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板；
所述传输腔中设置有机械手，所述机械手用于实现衬底基板在所述第一反应腔、第二反应腔、缓冲腔与装卸腔之间的转移。
本实用新型优选在支撑轴表面包裹隔热保护罩，能够使得支撑轴在高温环境下工作时，不会因为其温度过高而导致容易出现折断的问题，从而增加了支撑轴的寿命，也保证了工艺的稳定运行。
使用本实用新型的装置制备DUV LED晶圆，能够提高深紫外器件的发光效率、良品率及产能，并降低外延生产的成本。
优选地，所述第一隔热保护罩设置在靠近第一反应腔的一端；
和/或，所述第二隔热保护罩设置在靠近第二反应腔的一端。
优选地，所述第一隔热保护罩的厚度为1-3mm，例如1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm、2mm、2.2mm、2.4mm、2.6mm、2.8mm等；
和/或，所述第二隔热保护罩的厚度为0.2-3mm，例如0.5mm、1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、2.8mm等。
本实用新型中第一反应腔与第二反应腔依照不同的工艺、不同的反应腔结构以及不同的产量可以具有不同的高度。
优选地，所述第一反应腔的顶部设置有第一喷淋头，底部设置有第一晶圆托盘，所述第一喷淋头的下表面至所述第一晶圆托盘的距离记为所述第一反应腔的高度；
所述第二反应腔的顶部设置有第二喷淋头，底部设置有第二晶圆托盘，所述第二喷淋头的下表面至所述第二晶圆托盘的距离记为所述第二反应腔的高度；
所述第一反应腔和所述第二反应腔的顶部均设置有位于所述第一喷淋头或所述第二喷淋头上方的匀气板；所述第一反应腔中还设置有位于所述第一喷淋头两侧的过渡环；
所述第一反应腔的高度与所述第二反应腔的高度不同。
优选地，所述第一反应腔的高度＞所述第二反应腔的高度。本实用新型中，第一反应腔和第二反应腔的高度均具有上述定义。
在本实用新型的一个优选技术方案中，在第一反应腔中设置过渡环，以满足生产铝氮或铝镓氮高质量缓冲层的要求，第二反应腔则是用于制备氮化物紫外LED外延结构。在此基础上，进一步优选设置有过渡环的第一反应腔的高度较大，第二反应腔的高度较小，第二反应腔较小的腔室高度得到了制备氮化物紫外LED外延结构的低源耗效果，使得第二型反应腔拥有低污染、高掺杂效率及高发光效率的特点；而专为制备铝氮或铝镓氮缓冲层的第一反应腔，虽因为较大的腔室高度降低了铝源的外延效率，但却减少了反应副产物对反应腔内壁的附着，且在气流场的可调度上有较大的弹性，符合第一反应腔专为铝氮或铝镓氮高质量缓冲层生产的需求。
本实用新型中，所述过渡环的材质为金属，具体可以为不锈钢。由于第一反应腔间距增大可能会导致的气体外泄问题，影响气流的均匀性，边缘区域的成膜质量受到影响，设置过渡环可以有效改善该问题。
优选地，所述第一反应腔的高度为22-35mm，例如23mm、24mm、25mm、26mm、27mm、28mm、29mm、30mm、31mm、32mm、33mm、34mm等。
优选地，所述第二反应腔的高度为15-25mm，例如16mm、17mm、8mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm等。
优选地，所述沉积装置还包括设置在所述第一反应腔和/或第二反应腔两侧的石墨烯挡环。
优选地，所述化学气象沉积装置还包括设置在所述第一反应腔和/或第二反应腔的托盘下方的加热钨丝。
优选地，所述沉积装置还包括连接所述装卸腔的装卸台。
优选地，所述第一反应腔、第二反应腔、装卸腔和缓冲腔分别与所述传输腔之间设置有真空隔离阀。
优选地，所述第一反应腔为物理气相沉积反应腔、激光脉冲沉积反应腔或金属有机化学气相沉积反应腔。
优选地，所述第二反应腔为金属有机化学气相沉积反应腔。
优选地，所述缓冲腔中设置有包含至少两层隔板的支架，所述隔板用于放置衬底基板。
优选地，所述至少两个反应腔还包括第三反应腔和第四反应腔。
优选地，所述第三反应腔和所述第四反应腔各自独立地与所述第一反应腔的结构相同或与所述第二反应腔的结构相同。示例性地，所述第三反应腔与所述第一反应腔的结构相同，所述第四反应腔与所述第二反应腔的结构相同；或者所述第三反应腔和所述第四反应腔均与所述第一反应腔的结构相同；或者所述第三反应腔和所述第四反应腔均与所述第二反应腔的结构相同。
优选地，所述第三反应腔与所述第一反应腔的结构相同，所述第四反应腔与所述第二反应腔的结构相同。
优选地，所述第三反应腔、第四反应腔分别与所述传输腔之间设置有真空隔离阀。
相较于现有技术，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型提供了一种新型沉积装置，设置两个反应腔室，其中，第一反应腔用于通过在衬底基板上外延沉积高晶体质量铝氮缓冲层结构，供后续制备程序使用，第二反应腔用于通过外延反应在已形成有高质量铝氮缓冲层基板上继续外延沉积氮化物DUV LED结构中所需的其他材料，并形成完整的DUV LED晶圆结构。此外，本实用新型在支撑轴表面包裹隔热保护罩，能够使得支撑轴在高温环境下工作时，不会因为其温度过高而导致容易出现折断的问题，从而增加了支撑轴的寿命，也保证了工艺的稳定运行。
使用本实用新型的装置制备DUV LED晶圆，能够提高深紫外器件的发光效率、良品率及产能，并降低外延生产的成本。
附图说明
图1是本实用新型具体实施方式中提供的沉积装置的俯视图；
图2是本实用新型具体实施方式中提供的沉积装置中第一反应腔的剖面图；
图3是本实用新型具体实施方式中提供的沉积装置中第二反应腔的剖面图；
图4是本实用新型又一具体实施方式中提供的沉积装置的俯视图；
1-传输腔，2-第一反应腔，3-第二反应腔，4-缓冲腔，5-装卸腔，6-装卸台，7-机械手，8-真空隔离阀，9-衬底基板，10-托盘，11-第三反应腔，12-第四反应腔，101-第一隔热保护罩，102-第二隔热保护罩，201-第一石墨烯挡环，202-第二石墨烯挡环，301-第一加热钨丝，302-第二加热钨丝，401-匀气板，501-过渡环。
具体实施方式
需要理解的是，在本实用新型的描述中，术语“上”“下”“顶部”、“底部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
为便于理解本实用新型，本实用新型列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本实用新型，不应视为对本实用新型的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种沉积装置，俯视图如图1所示，所述沉积装置包括传输腔1以及与所述传输腔1相连的第一反应腔2(高度为25mm)、第二反应腔3(高度为20mm)、缓冲腔4和装卸腔5；其中，第一反应腔2的剖面结构如图2所示，第二反应腔3的剖面结构如图3所示；
所述第一反应腔2用于通过外延反应在衬底基板9上形成铝氮缓冲层，所述衬底基板9放置于托盘10上；
所述第二反应腔3用于通过外延反应在已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9上形成完整的深紫外发光器件结构；
所述装卸腔5用于放置已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9，或用于放置待进行外延反应的衬底基板9；
所述缓冲腔4用于存放从所述第一反应腔2中取出的已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9，或者用于存放从所述第二反应腔3中取出的已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9；
所述传输腔1中设置有机械手7，所述机械手7用于实现衬底基板9在所述第一反应腔2、第二反应腔3与装卸腔5之间的转移；
所述沉积装置还包括连接所述装卸腔5的装卸台6；
所述第一反应腔2、第二反应腔3、装卸腔5和缓冲腔4分别与所述传输腔1之间设置有真空隔离阀8；
所述第一反应腔2的下方设置有第一支撑轴，所述第二反应腔3的下方设置有第二支撑轴；所述第一支撑轴表面包裹有第一隔热保护罩101，所述第二支撑轴表面包裹有第二隔热保护罩102；所述第一隔热保护罩设置在靠近第一反应腔2的一端，所述第二隔热保护罩设置在靠近第二反应腔3的一端；
所述第一隔热保护罩101的厚度为2mm，第二隔热保护罩102的厚度为1.5mm；
所述第一反应腔2和所述第二反应腔3的顶部均设置有匀气板401；所述第一反应腔中还设置有位于所述第一喷淋头两侧的过渡环501；
所述第一反应腔2两侧设置有第一石墨烯挡环201，所述第二反应腔3两侧设置有第二石墨烯挡环202；
所述第一反应腔2的托盘下方设置有第一加热钨丝301，所述第二反应腔3的托盘下方设置有第二加热钨丝302。
实施例2
本实施例提供一种沉积装置，俯视图如图1所示，所述沉积装置包括传输腔1以及与所述传输腔1相连的第一反应腔2(高度为22mm)、第二反应腔3(高度为15mm)、缓冲腔4和装卸腔5；其中，第一反应腔2的剖面结构如图2所示，第二反应腔3的剖面结构如图3所示；
所述第一反应腔2用于通过外延反应在衬底基板9上形成铝氮缓冲层，所述衬底基板9放置于托盘10上；
所述第二反应腔3用于通过外延反应在已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9上形成完整的深紫外发光器件结构；
所述装卸腔5用于放置已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9，或用于放置待进行外延反应的衬底基板9；
所述缓冲腔4用于存放从所述第一反应腔2中取出的已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9，或者用于存放从所述第二反应腔3中取出的已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9；
所述传输腔1中设置有机械手7，所述机械手7用于实现衬底基板9在所述第一反应腔2、第二反应腔3、缓冲腔4与装卸腔5之间的转移；
所述沉积装置还包括连接所述装卸腔5的装卸台6；
所述第一反应腔2、第二反应腔3、装卸腔5和缓冲腔4分别与所述传输腔1之间设置有真空隔离阀8；
所述第一反应腔2的下方设置有第一支撑轴，所述第二反应腔3的下方设置有第二支撑轴；所述第一支撑轴表面包裹有第一隔热保护罩101，所述第二支撑轴表面包裹有第二隔热保护罩102；所述第一隔热保护罩设置在靠近第一反应腔2的一端，所述第二隔热保护罩设置在靠近第二反应腔3的一端；
所述第一隔热保护罩101的厚度为1mm，和第二隔热保护罩102的厚度为0.2mm；
所述第一反应腔2和所述第二反应腔3的顶部均设置有匀气板401；所述第一反应腔中还设置有位于所述第一喷淋头两侧的过渡环501；
所述第一反应腔2两侧设置有第一石墨烯挡环201，所述第二反应腔3两侧设置有第二石墨烯挡环202；
所述第一反应腔2的托盘下方设置有第一加热钨丝301，所述第二反应腔3的托盘下方设置有第二加热钨丝302。
实施例3
本实施例提供一种沉积装置，俯视图如图1所示，所述沉积装置包括传输腔1以及与所述传输腔1相连的第一反应腔2(高度为35mm)、第二反应腔3(高度为25mm)、缓冲腔4和装卸腔5；其中，第一反应腔2的剖面结构如图2所示，第二反应腔3的剖面结构如图3所示；
所述第一反应腔2用于通过外延反应在衬底基板9上形成铝氮缓冲层，所述衬底基板9放置于托盘10上；
所述第二反应腔3用于通过外延反应在已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9上形成完整的深紫外发光器件结构；
所述装卸腔5用于放置已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9，或用于放置待进行外延反应的衬底基板9；
所述缓冲腔4用于存放从所述第一反应腔2中取出的已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9，或者用于存放从所述第二反应腔3中取出的已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9；
所述传输腔1中设置有机械手7，所述机械手7用于实现衬底基板9在所述第一反应腔2、第二反应腔3、缓冲腔4与装卸腔5之间的转移；
所述沉积装置还包括连接所述装卸腔5的装卸台6；
所述第一反应腔2、第二反应腔3、装卸腔5和缓冲腔4分别与所述传输腔1之间设置有真空隔离阀8；
所述第一反应腔2的下方设置有第一支撑轴，所述第二反应腔3的下方设置有第二支撑轴；所述第一支撑轴表面包裹有第一隔热保护罩101，所述第二支撑轴表面包裹有第二隔热保护罩102；所述第一隔热保护罩设置在靠近第一反应腔2的一端，所述第二隔热保护罩设置在靠近第二反应腔3的一端；
所述第一隔热保护罩101的厚度为3mm，和第二隔热保护罩102的厚度为3mm；
所述第一反应腔2和所述第二反应腔3的顶部均设置有匀气板401；所述第一反应腔中还设置有位于所述第一喷淋头两侧的过渡环501；
所述第一反应腔2两侧设置有第一石墨烯挡环201，所述第二反应腔3两侧设置有第二石墨烯挡环202；
所述第一反应腔2的托盘下方设置有第一加热钨丝301，所述第二反应腔3的托盘下方设置有第二加热钨丝302。
实施例4
本实施例提供一种沉积装置，俯视图如图4所示，所述沉积装置包括传输腔1以及与所述传输腔1相连的第一反应腔2(高度为25mm)、第二反应腔3(高度为20mm)、第三反应腔11(高度为25mm)、第四反应腔12(高度为20mm)、缓冲腔4和装卸腔5；其中，第一反应腔2和第三反应腔11的剖面结构如图2所示，第二反应腔3和第四反应腔12的剖面结构如图3所示；
所述第一反应腔2用于通过外延反应在衬底基板9上形成铝氮缓冲层，所述衬底基板9放置于托盘10上；
所述第二反应腔3用于通过外延反应在已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9上形成完整的深紫外发光器件结构；
所述装卸腔5用于放置已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9，或用于放置待进行外延反应的衬底基板9；
所述缓冲腔4用于存放从所述第一反应腔2或第三反应腔11中取出的已形成有铝氮缓冲层的衬底基板9，或者用于存放从所述第二反应腔3或第四反应腔12中取出的已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板9；
所述传输腔1中设置有机械手7，所述机械手7用于实现衬底基板9在所述第一反应腔2、第二反应腔3、缓冲腔4与装卸腔5之间的转移，以及衬底基板9在所述第三反应腔11、第四反应腔12、缓冲腔4与装卸腔5之间的转移；
所述沉积装置还包括连接所述装卸腔5的装卸台6；
所述第一反应腔2、第二反应腔3、第三反应腔11、第四反应腔12、装卸腔5和缓冲腔4分别与所述传输腔1之间设置有真空隔离阀；
所述第一反应腔2的下方设置有第一支撑轴，所述第二反应腔3的下方设置有第二支撑轴；所述第一支撑轴表面包裹有第一隔热保护罩101，所述第二支撑轴表面包裹有第二隔热保护罩102；所述第一隔热保护罩设置在靠近第一反应腔2的一端，所述第二隔热保护罩设置在靠近第二反应腔3的一端；
所述第一隔热保护罩101的厚度为2mm，第二隔热保护罩102的厚度为1.5mm；
所述第一反应腔2和所述第二反应腔3的顶部均设置有匀气板401；所述第一反应腔中还设置有位于所述第一喷淋头两侧的过渡环501；
所述第一反应腔2两侧设置有第一石墨烯挡环201，所述第二反应腔3两侧设置有第二石墨烯挡环202；
所述第一反应腔2的托盘下方设置有第一加热钨丝301，所述第二反应腔3的托盘下方设置有第二加热钨丝302；
第三反应腔11的结构与第一反应腔2相同，第四反应腔12的结构与第二反应腔3相同。
申请人声明，本实用新型通过上述实施例来说明本实用新型的详细方法，但本实用新型并不局限于上述详细方法，即不意味着本实用新型必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本实用新型的任何改进，对本实用新型产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。
Claims (6)
1.一种沉积装置，其特征在于，所述沉积装置包括传输腔以及与所述传输腔相连的至少两个反应腔、缓冲腔和装卸腔；
所述至少两个反应腔包括第一反应腔和第二反应腔；
所述第一反应腔用于通过外延反应在衬底基板上形成铝氮缓冲层；
所述第二反应腔用于通过外延反应在已形成有铝氮缓冲层的衬底基板上形成完整的深紫外发光器件结构；
所述装卸腔用于放置已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板，或用于放置待进行外延反应的衬底基板；
所述缓冲腔用于存放从所述第一反应腔中取出的已形成有铝氮缓冲层的衬底基板，或者用于存放从所述第二反应腔中取出的已形成完整的深紫外发光器件结构的衬底基板。
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述第一反应腔的顶部设置有第一喷淋头，底部设置有第一晶圆托盘，所述第一喷淋头的下表面至所述第一晶圆托盘的距离记为所述第一反应腔的高度；
所述第二反应腔的顶部设置有第二喷淋头，底部设置有第二晶圆托盘，所述第二喷淋头的下表面至所述第二晶圆托盘的距离记为所述第二反应腔的高度；
所述第一反应腔和所述第二反应腔的顶部均设置有位于所述第一喷淋头或所述第二喷淋头上方的匀气板；所述第一反应腔中还设置有位于所述第一喷淋头两侧的过渡环；
所述第一反应腔的高度与所述第二反应腔的高度不同。
3.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述第一反应腔的高度＞所述第二反应腔的高度。
4.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括连接所述装卸腔的装卸台。
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述第一反应腔为物理气相沉积反应腔、激光脉冲沉积反应腔或金属有机化学气相沉积反应腔。
6.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述第二反应腔为金属有机化学气相沉积反应腔。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113718331A (zh) * | 2021-11-02 | 2021-11-30 | 芯三代半导体科技(苏州)有限公司 | 一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法 |
| CN114540946A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-05-27 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 提高制备效率的mocvd外延设备及其使用方法 |
| CN114645264A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-06-21 | 上海德瀛睿创半导体科技有限公司 | 镀膜系统 |
| CN116288269A (zh) * | 2023-02-20 | 2023-06-23 | 拓荆科技(上海)有限公司 | 一种薄膜沉积设备和一种薄膜沉积方法 |
| WO2023123567A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 半导体加工系统及半导体加工方法 |
-
2020
- 2020-12-18 CN CN202023069498.7U patent/CN213977958U/zh active Active
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