CN213960115U - 一种应用于屏下摄像头的显示屏 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种应用于屏下摄像头的显示屏,包括:主屏和副屏;主屏上设置有用于容置副屏的通孔,副屏置于主屏上的通孔内,光线透过副屏射入副屏下的摄像头内;副屏包括晶体管:T1和T2,副屏还包括电容C1;T1的控制端与栅极线连接,T1的输入端与DATA线连接,T1的输出端与T2的控制端连接;T2的输出端与OVSS连接,T2的输入端与OVDD连接;C1的一端与OVDD连接,C1的另一端与T1的输出端连接。区别于现有技术,通过减少晶体管的设置,使屏下摄像头工作时,其上方显示屏有足够的透光率使摄像头接收外界光成像;同时在显示画面时,使所述主屏与所述副屏显示差异不大,弱化主副屏区域的分界线,让主副屏的边缘过渡更为自然。
Description
技术领域
本实用新型涉及应用屏下摄像头的显示面板领域,尤其涉及一种应用于屏下摄像头的显示屏。
背景技术
随着科学进步与人们生活水平提高,手机不再只是一种通讯工具,人们对于它的外观以及功能有了更高的要求,手机屏幕向全面屏方向发展,全面屏设计超高屏占比让手机外观更加充满科技感,与此同时却拥有更大更清晰的可视面积。它所带来的不仅是令人惊艳的视觉享受,更是让手机变得更加易于携带,让单手操作大屏手机变成了可能;为了实现全面屏,厂商设计出刘海屏,水滴屏,打孔屏等形式的屏幕,无论何种形式,前置摄像头的摆放注定面板不能达到真正的全面屏,因为现在网络发达,自拍与视频通话都需要前置摄像头,前置摄像头也是不可或缺的一个部件;为此,只有做到屏下摄像头的显示器,才能使真正的全面屏成为可能;然而现有全面屏,在摄像头工作的前提下摄像头上方的面板会不显示画面,且摄像头区域与主屏区域在显示画面时色差较大,过渡极其不自然。
实用新型内容
为此,需要提供一种应用于屏下摄像头的显示屏,解决置摄像头工作时,其上方区域的屏幕不显示画面的问题,同时弱化主副屏区域的分界线。
为实现上述目的,本申请提供了一种应用于屏下摄像头的显示屏,包括:主屏和副屏;所述主屏上设置有用于容置副屏的通孔,所述副屏置于所述主屏上的通孔内,光线透过所述副屏射入所述副屏下的摄像头内;
所述副屏包括晶体管:T1和T2,所述副屏还包括电容C1;所述T1的控制端与所述副屏上的第一栅极线连接,所述T1的输入端与所述副屏上的第一 DATA线连接,所述T1的输出端与所述T2的控制端连接;
所述T2的输出端与所述副屏上的VSS连接,所述T2的输入端与所述副屏上的VDD连接;
所述C1的一端与所述副屏上的VDD连接,所述C1的另一端与所述T1的输出端连接。
进一步地,所述主屏包括晶体管:T3、T4、T5、T6和T7,所述主屏还包括电容:C2和C3;
所述T3的控制端与所述主屏上的第二栅极线连接,所述T3的输入端与所述主屏上的VDD连接,所述T3的输出端与所述T6的输入端连接;
所述T4的控制端与所述主屏上的第三栅极线连接,所述T4的输入端与所述主屏上的第二DATA线连接;所述T4的输出端与所述T6的控制端连接;
所述T5的控制端与所述主屏上的第三栅极线连接,所述T5的输入端与所述C3一极板连接,所述T5的输出端与所述主屏上的VSS连接;
所述T6的输出端与所述C3另一极板连接;
所述T7的控制端与所述主屏上的第四栅极线连接,所述T7的输入端与所述T6的输出端连接;所述T7的输出端与所述主屏上的VSS连接;
所述C2的一极板与所述T6的控制端连接,所述C2的另一极板与所述T5 的输入端连接。
进一步地,还包括:过渡区;所述过渡区绕设于所述副屏周围,且所述过渡区与所述副屏一同嵌设在所述主屏上的通孔内。
进一步地,所述过渡区包括晶体管:T8、T9和T10,所述主屏还包括电容:C4和C5;
所述T8的输入端与所述第三DATA线连接,所述T8的输出端与所述C4 的一极板连接,所述T8的控制端与所述过渡区上的第五栅极线连接;
所述T9的输入端与所述过渡区上的VDD连接,所述T9的输出端与T10 的输入端连接,所述T9的控制端与所述过渡区上的EM线连接;
所述T10的输出端与所述过渡区上的VSS连接,所述T10的控制端与所述T8的输出端连接;
所述C4另一极板与所述T9的输出端连接;
所述C5的一极板与所述T9的输入端连接,所述C5的另一极板与所述T9 的输出端连接。
进一步地,所述T1、T2、T8、T9和T10均为耗尽型的晶体管。
进一步地,所述T3、T4、T5、T6和T7均为耗尽型的晶体管。
进一步地,所述T1、T2、T8、T9和T10均为薄膜晶体管。
进一步地,所述主屏、过渡区和副屏为LCD显示面板。
区别于现有技术,上述技术方案通过减少晶体管的设置,使屏下摄像头工作时,其上方显示屏有足够的透光率使摄像头接收外界光成像;同时在显示画面时,使主屏(除屏下摄像头区域外的显示区域)与副屏(摄像头所在显示区域)显示差异不大,弱化主副屏区域的分界线,让主副屏的边缘过渡更为自然。
附图说明
图1为所述主屏、副屏和过渡区结构图;
图2为所述副屏像素电路图;
图3为所述过渡区像素电路图;
图4为所述主屏像素电路图;
图5为所述主屏和副屏结构图。
附图标记说明:
1、主屏;2、副屏;3、过渡区;
11、第二栅极线;12、第三栅极线;13、第四栅极线;14、第二DATA 线;
21、第一栅极线;22、第一DATA线;
31、第五栅极线;32、第三DATA线。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图5,本申请提供了,一种应用于屏下摄像头的显示屏,包括:主屏1和副屏2;所述主屏1上设置有用于容置副屏2的通孔,所述副屏 2置于所述主屏1上的通孔内,光线透过所述副屏2射入所述副屏2下的摄像头内;所述副屏2包括晶体管:T1和T2,所述副屏2还包括电容C1;所述 T1的控制端与所述副屏2上的第一栅极线21连接,所述T1的输入端与所述副屏2上的第一DATA线22连接,所述T1的输出端与所述T2的控制端连接;所述T2的输出端与所述副屏2上的VSS连接,所述T2的输入端与所述副屏2 上的VDD连接;所述C1的一端与所述副屏2上的VDD连接,所述C1的另一端与所述T1的输出端连接。
由于晶体管以及电容均为不透光的原件,且在所述副屏2下方摄像头作业的时候需要大量的光线,为此申请通过减小晶体管以及电容数量的方式增大所述副屏2的透光率,通过防止过多的原件遮挡住光线,以此避免过多的晶体管以及电容影响摄像头接收外界光成像;即,使得所述副屏2的透光率大于所述主屏1的透光率。在所述主屏、副屏和过渡区上均设置有多个像素点,多个像素点阵列排布,且每个像素点连接所在区域上的一个电路,即,连接副屏像素电路、过渡区像素电路或者主屏像素电路。在本申请中,晶体管可以为P型晶体管或者为N型晶体管,即,在N型晶体管中输入端为漏极,输出端为源极;在P型晶体管中输入端为源极,输出端为漏极;且不论哪种晶体管控制端均为栅极。所述第一栅极线21用于控制所述T1,且VDD输入高压电位,所述第一DATA线22传输相应的像素资料。
所述副屏2上的像素电路为2T1C,所述副屏2上的像素电路为5T2C,所述副屏2上的像素电路比所述主屏1上像素电路上的TFT数量少,TFT的金属会遮挡住光线,因此2T1C的像素电路比5T2C的像素电路透光率高。所述主屏1为除屏下摄像头区域外的显示区域,而所述副屏2则为摄像头所在显示区域,在实际使用中只需使所述副屏2区域光的透过率高的同时可显示画面,副屏2即可在屏下摄像头工作时显示画面。
请参阅图2,上述技术方案通过减少晶体管的设置,使屏下摄像头工作时,其上方显示屏有足够的透光率使摄像头接收外界光成像;同时在显示画面时,使主屏1(除屏下摄像头区域外的显示区域)与副屏2(摄像头所在显示区域) 显示差异不大,弱化主副屏2区域的分界线,让主副屏2的边缘过渡更为自然。在前置摄像头工作时,提升所述副屏2的透光率,使其上方区域的屏幕依旧可以显示画面。
请参阅图4,在某些实施例中,所述主屏1包括晶体管:T3、T4、T5、T6 和T7,所述主屏1还包括电容:C2和C3;所述T3的控制端与所述主屏1上的第二栅极线11连接,所述T3的输入端与所述主屏1上的VDD连接,所述 T3的输出端与所述T6的输入端连接;所述T4的控制端与所述主屏1上的第三栅极线12连接,所述T4的输入端与所述主屏1上的第二DATA线14连接;所述T4的输出端与所述T6的控制端连接;所述T5的控制端与所述主屏1上的第三栅极线12连接,所述T5的输入端与所述C3一极板连接,所述T5的输出端与所述主屏1上的VSS连接;所述T6的输出端与所述C3另一极板连接;所述T7的控制端与所述主屏1上的第四栅极线13连接,所述T7的输入端与所述T6的输出端连接;所述T7的输出端与所述主屏1上的VSS连接;所述C2的一极板与所述T6的控制端连接,所述C2的另一极板与所述T5的输入端连接。所述T4的输出端、T6的控制端以及C1的其中一极板是连接于一点的,其在A点的电势是相等的;所述C1的另一极板、所述C2的一极板以及所述T5的输入端是连接于一点的,其在C点的电势是相同的;同理,所述T6的输出端、所述C2的另一极板以及所述T5的输入端连接于一点,其在 B点的电势是相同的。所述主屏1中的像素电路可以为现有的像素电路,只需达到显示效果即可。
所述主屏1上的VDD为工作电压,而所述主屏1上的VSS接地,其电势较低,所述主屏1上的第二栅极线11用于控制所述T3的开启或者关闭,所述主屏1上的第三栅极线12用于控制所述T4的开启或者关闭,所述主屏1 上的第四栅极线13用于控制所述T7的开启或者关闭,第二DATA线14用于传输相应的像素资料,以此达到控制所述主屏1上像素电路的目的。
请参阅图1和图4,在某些实施例中,还包括:过渡区3;所述过渡区3 绕设于所述副屏2周围,且所述过渡区3与所述副屏2一同嵌设在所述主屏1 上的通孔内。
所述副屏2的像素电路是采用2T1C电路,透光率最大;所述主屏1的像素电路采用5T2C电路,为正常显示区域,将所述副屏2与所述主屏1之间增设一个所述过渡区3使所述副屏2到所述主屏1过渡更为自然,同时弱化所述主屏1以及所述副屏2之间的分界线;所述过渡区3所采用的是2T1C架构,因晶体管(TFT)以及电容数量之间的差异,所述过渡区3的透光率比所述副屏2的透光率小,但所述过渡区3的透光率明显高于所述主屏1的透光率;所述过渡区3作为一个过渡区3域,所述过渡区3将绕设在所述副屏2的周围,使所述副屏2不直接与所述主屏1接触,使使用者在看摄像头区域的时候,不易察觉所述主屏1与所述副屏2的透光率差值较大。所述过渡区3可使所述主屏1与所述副屏2之间的过渡更自然,减小主屏1与副屏2之间的显示差异,透光率的不同是通过改变像素内TFT数量而实现的。
请参阅图3,所述过渡区3包括晶体管:T8、T9和T10,所述主屏1还包括电容:C4和C5;所述T8的输入端与所述第三DATA线32连接,所述T8的输出端与所述C4的一极板连接,所述T8的控制端与所述过渡区3上的第五栅极线31连接;所述T9的输入端与所述过渡区3上的VDD连接,所述T9的输出端与T10的输入端连接,所述T9的控制端与所述过渡区3上的EM线连接;所述T10的输出端与所述过渡区3上的VSS连接,所述T10的控制端与所述T8的输出端连接;所述C4另一极板与所述T9的输出端连接;所述C5 的一极板与所述T9的输入端连接,所述C5的另一极板与所述T9的输出端连接。具体的,所述过渡区3上的VDD为工作电压,而所述过渡区3上的VSS 接地,其电势较低,所述过渡区3上的第五栅极线31用于控制所述T8的开启或者关闭,所述第三DATA线32用于传输相应的像素资料,以此达到控制所述过渡区3上像素电路的目的。
晶体管的种类有很多,T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和T10可以为薄膜晶体管、MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET)、结场效应管等。
优选的,T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和T10均为薄膜晶体管 (Thin FilmTransistor,缩写TFT),薄膜晶体管作为开关来驱动液晶像素点可以达到高速度、高亮度、高对比度的特点。
在优选的实施例中,所述GIP电路设置在LCD显示面板上,LCD是Liquid CrystalDisplay的简称,中文为液晶显示器。LCD显示面板的优势是体积小、功耗低和高亮度。
或者在某些实施例中,所述GIP电路还可以设置在OLED显示面板上, OLED是Organic Light-Emitting Diode的简称,中文为有机电激光显示或者有机发光半导体。OLED显示面板具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等特点给,能满足消费者对显示技术的新需求。
尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此,基于本实用新型的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本实用新型的专利保护范围之内。
Claims (8)
1.一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,包括:主屏和副屏;所述主屏上设置有用于容置副屏的通孔,所述副屏置于所述主屏上的通孔内,光线透过所述副屏射入所述副屏下的摄像头内;
所述副屏包括晶体管:T1和T2,所述副屏还包括电容C1;所述T1的控制端与所述副屏上的第一栅极线连接,所述T1的输入端与所述副屏上的第一DATA线连接,所述T1的输出端与所述T2的控制端连接;
所述T2的输出端与所述副屏上的VSS连接,所述T2的输入端与所述副屏上的VDD连接;
所述C1的一端与所述副屏上的VDD连接,所述C1的另一端与所述T1的输出端连接。
2.根据权利要求1所述一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,所述主屏包括晶体管:T3、T4、T5、T6和T7,所述主屏还包括电容:C2和C3;
所述T3的控制端与所述主屏上的第二栅极线连接,所述T3的输入端与所述主屏上的VDD连接,所述T3的输出端与所述T6的输入端连接;
所述T4的控制端与所述主屏上的第三栅极线连接,所述T4的输入端与所述主屏上的第二DATA线连接;所述T4的输出端与所述T6的控制端连接;
所述T5的控制端与所述主屏上的第三栅极线连接,所述T5的输入端与所述C3一极板连接,所述T5的输出端与所述主屏上的VSS连接;
所述T6的输出端与所述C3另一极板连接;
所述T7的控制端与所述主屏上的第四栅极线连接,所述T7的输入端与所述T6的输出端连接;所述T7的输出端与所述主屏上的VSS连接;
所述C2的一极板与所述T6的控制端连接,所述C2的另一极板与所述T5的输入端连接。
3.根据权利要求1所述一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,还包括:过渡区;所述过渡区绕设于所述副屏周围,且所述过渡区与所述副屏一同嵌设在所述主屏上的通孔内。
4.根据权利要求3所述一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,所述过渡区包括晶体管:T8、T9和T10,所述主屏还包括电容:C4和C5;
所述T8的输入端与第三DATA线连接,所述T8的输出端与所述C4的一极板连接,所述T8的控制端与所述过渡区上的第五栅极线连接;
所述T9的输入端与所述过渡区上的VDD连接,所述T9的输出端与T10的输入端连接,所述T9的控制端与所述过渡区上的EM线连接;
所述T10的输出端与所述过渡区上的VSS连接,所述T10的控制端与所述T8的输出端连接;
所述C4另一极板与所述T9的输出端连接;
所述C5的一极板与所述T9的输入端连接,所述C5的另一极板与所述T9的输出端连接。
5.根据权利要求4所述一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,所述T1、T2、T8、T9和T10均为耗尽型的晶体管。
6.根据权利要求2所述一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,所述T3、T4、T5、T6和T7均为耗尽型的晶体管。
7.根据权利要求4所述一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,所述T1、T2、T8、T9和T10均为薄膜晶体管。
8.根据权利要求3所述一种应用于屏下摄像头的显示屏,其特征在于,所述主屏、过渡区和副屏为LCD显示面板。
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CN202022987061.5U CN213960115U (zh) | 2020-12-11 | 2020-12-11 | 一种应用于屏下摄像头的显示屏 |
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Publications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112689036A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-04-20 | 福建华佳彩有限公司 | 一种应用于屏下摄像头的显示屏 |
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2020
- 2020-12-11 CN CN202022987061.5U patent/CN213960115U/zh active Active
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