CN213887476U - 一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐 - Google Patents
一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐 Download PDFInfo
- Publication number
- CN213887476U CN213887476U CN202022893874.8U CN202022893874U CN213887476U CN 213887476 U CN213887476 U CN 213887476U CN 202022893874 U CN202022893874 U CN 202022893874U CN 213887476 U CN213887476 U CN 213887476U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gettering
- impurity
- tank body
- pipe
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，该吸杂罐包括罐体，罐体的一端采用密封板密封，罐体的另一端插装有吸杂管，吸杂管的一端由外至内贯穿罐体、并延伸至罐体的内部，在罐体内的吸杂管与罐体的内壁之间形成有便于盛装杂质底料的吸杂腔室，在罐体内的吸杂管的端部与密封板之间形成有便于杂质底料进入吸杂腔室的吸杂间隙。该吸杂罐设计合理、简单实用，能够将单晶炉内拉棒后剩余的高杂质含量的埚底料吸出，既增加了单晶炉的单次拉棒量，又降低了多次拉棒晶棒间的质量差异性。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶拉晶技术领域，特别是一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐。
背景技术
目前，单晶拉棒由于采用了二次加料的方式，较传统的拉制一根棒停炉一次有显著改善，现有技术一般可达到多根棒才停炉一次。但是，由于多次加料导致杂质富集在坩埚底部，因而拉制多根单晶棒后即无法再通过二次加料的方式进行继续拉棒，需停炉清理，造成了无形的成本增加；并且，由于杂质的富集，拉制晶棒到三根以后，晶棒质量也会呈现明显的降低趋势。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种能够将单晶炉内拉棒后剩余的高杂质含量的埚底料吸出，有效增加拉棒量，并且显著降低多次拉棒晶棒间质量差异性的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐。
本实用新型所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本实用新型是一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，该吸杂罐包括罐体，罐体的一端采用密封板密封，罐体的另一端插装有吸杂管，吸杂管的一端由外至内贯穿罐体、并延伸至罐体的内部，在罐体内的吸杂管与罐体的内壁之间形成有便于盛装杂质底料的吸杂腔室，在罐体内的吸杂管的端部与密封板之间形成有便于杂质底料进入吸杂腔室的吸杂间隙。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，所述吸杂管垂直插装在罐体上。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，所述罐体呈圆柱状，密封板呈圆盘状，吸杂管呈圆管状。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，所述罐体的直径为200-400mm，罐体的高度为250-400mm，罐体的厚度为8-20mm；密封板的厚度为10-40mm；吸杂管的总长度为280-400mm，罐体外的吸杂管的长度为70-150mm，吸杂管的内径为10-20mm，吸杂管的厚度为8-30mm。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，吸杂管侧的罐体的端部均设置有倒圆角。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，所述罐体、密封板、吸杂管均采用高纯二氧化硅或氧化铝制成。
与现有技术相比，本实用新型是针对单晶炉拉棒多次加料后，杂质富集无法拉制更多晶棒和后期晶棒质量降低的问题而设计的，通过此吸杂罐将拉棒后剩余的高杂质含量的埚底料吸出，从而达到增加拉棒量的拉制目的，并且由于高杂质埚底料被吸出，多次拉棒晶棒间质量差异性显著降低，综合达到了降低拉晶成本和提高产品质量的目标；使用时，先将罐体抽成负压，然后将吸杂罐伸入单晶炉，利用气压差将单晶炉内的杂质底料吸入罐体内，从而完成单晶炉的快速除杂，便于继续拉棒。该吸杂罐设计合理、简单实用，能够将单晶炉内拉棒后剩余的高杂质含量的埚底料吸出，既增加了单晶炉的单次拉棒量，又降低了多次拉棒晶棒间的质量差异性。
附图说明
图1为本实用新型的一种结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参照图1，一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，该吸杂罐包括罐体1，罐体1的一端采用密封板2密封，罐体1的另一端插装有吸杂管3，吸杂管3的一端由外至内贯穿罐体1、并延伸至罐体1的内部，在罐体1内的吸杂管3与罐体1的内壁之间形成有便于盛装杂质底料的吸杂腔室4，在罐体1内的吸杂管3的端部与密封板2之间形成有便于杂质底料进入吸杂腔室4的吸杂间隙5。罐体1的一端通过密封板2密封，另一端插装吸杂管3，从而在罐体1内形成封闭的空间，只有吸杂管3一个进出口，从而便于利用吸杂管3伸入单晶炉内，利用压力差，将单晶炉内的杂质底料从吸杂管3吸入，经过吸杂间隙5，进入吸杂腔室4内，从而实现对单晶炉的不停炉，提高单晶炉的拉棒量，保证单晶炉的拉棒质量；吸杂腔室4的设置，用于防止在吸杂管3拉出单晶炉时，杂质底料从罐体1内掉落，保证吸杂效果。
所述吸杂管3垂直插装在罐体1上，方便将吸杂管3与罐体1进行固定连接，也便于吸杂管3的使用，在将吸杂管3伸入单晶炉时，罐体1不容易与单晶炉发生碰撞。
所述罐体1呈圆柱状，密封板2呈圆盘状，吸杂管3呈圆管状，方便设计和制作，同时，便于将吸杂管3插入单晶炉内，对单晶炉内的杂质底料进行吸取。
所述罐体1的直径为200-400mm，罐体1的高度为250-400mm，罐体1的厚度为8-20mm；密封板2的厚度为10-40mm；吸杂管3的总长度为280-400mm，罐体1外的吸杂管3的长度为70-150mm，吸杂管3的内径为10-20mm，吸杂管3的厚度为8-30mm；优选的，所述罐体1的直径为300mm，罐体1的高度为300mm，罐体1的厚度为15mm；密封板2的厚度为30mm；吸杂管3的总长度为300mm，罐体1外的吸杂管3的长度为100mm，吸杂管3的内径为15mm，吸杂管3的厚度为15mm。
吸杂管3侧的罐体1的端部均设置有倒圆角6，便于吸杂管3更好的插装到单晶炉内，避免在将吸杂管3插入单晶炉内时，罐体1的端部与单晶炉发生碰撞，影响吸杂操作。
所述罐体1、密封板2、吸杂管3均采用高纯二氧化硅或氧化铝制成。高纯二氧化硅通常指二氧化硅中含有的金属杂质总量小于十万分之一，单个非金属杂质含量小于十万分之一，其用途主要是作集成电路封装剂的填料和制造高纯石英玻璃的原料。耐高温：二氧化硅玻璃的软化点温度约1730℃，可在1180℃下长时间使用,短时间最高使用温度可达1450℃ ；氧化铝氧化铝是一种无机物，是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，在高温下可电离的离子晶体，常用于制造耐火材料。采用高纯二氧化硅或氧化铝制作罐体1、密封板2、吸杂管3可有效适用于单晶炉的高温环境，实际应用时，可在吸杂罐外加装石墨外壳加以保护，进一步保证吸杂的可靠性。
Claims (6)
1.一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，其特征在于：该吸杂罐包括罐体，罐体的一端采用密封板密封，罐体的另一端插装有吸杂管，吸杂管的一端由外至内贯穿罐体、并延伸至罐体的内部，在罐体内的吸杂管与罐体的内壁之间形成有便于盛装杂质底料的吸杂腔室，在罐体内的吸杂管的端部与密封板之间形成有便于杂质底料进入吸杂腔室的吸杂间隙。
2.根据权利要求1所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，其特征在于：所述吸杂管垂直插装在罐体上。
3.根据权利要求1所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，其特征在于：所述罐体呈圆柱状，密封板呈圆盘状，吸杂管呈圆管状。
4.根据权利要求3所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，其特征在于：所述罐体的直径为200-400mm，罐体的高度为250-400mm，罐体的厚度为8-20mm；密封板的厚度为10-40mm；吸杂管的总长度为280-400mm，罐体外的吸杂管的长度为70-150mm，吸杂管的内径为10-20mm，吸杂管的厚度为8-30mm。
5.根据权利要求1所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，其特征在于：吸杂管侧的罐体的端部均设置有倒圆角。
6.根据权利要求1所述的用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐，其特征在于：所述罐体、密封板、吸杂管均采用高纯二氧化硅或氧化铝制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022893874.8U CN213887476U (zh) | 2020-12-07 | 2020-12-07 | 一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022893874.8U CN213887476U (zh) | 2020-12-07 | 2020-12-07 | 一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213887476U true CN213887476U (zh) | 2021-08-06 |
Family
ID=77100687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202022893874.8U Active CN213887476U (zh) | 2020-12-07 | 2020-12-07 | 一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213887476U (zh) |
-
2020
- 2020-12-07 CN CN202022893874.8U patent/CN213887476U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112538653A (zh) | 一种用于在线清理单晶炉内杂质底料的方法 | |
| CN113584573B (zh) | 一种单晶炉用外置式吸杂加料方法 | |
| CN1292106C (zh) | 铝酸钇晶体的生长方法 | |
| WO2021244234A1 (zh) | 一种单晶炉热场结构、单晶炉及晶棒 | |
| CN213887476U (zh) | 一种用于清理单晶炉内杂质底料的吸杂罐 | |
| CN110552057A (zh) | 一种新型石英坩埚及提高单晶硅棒尾部寿命的方法 | |
| CN101709506A (zh) | 一种单晶炉热场的排气方法和装置 | |
| CN104512913B (zh) | 一种卧式高浓度Na131I生产装置 | |
| CN206486622U (zh) | 一种用于gt多晶炉铸造g7多晶硅锭的装置 | |
| CN203065556U (zh) | 海绵钛槽式反应装置 | |
| CN209584418U (zh) | 一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置 | |
| CN208532964U (zh) | 一种单晶炉及石英多次加料装置 | |
| CN215828916U (zh) | 一种用于吸取坩埚埚底料的装置 | |
| CN215517736U (zh) | 一种提高单晶少子寿命的高纯石英吸料装置 | |
| CN202220214U (zh) | 一种直拉单晶炉二次加料装置 | |
| CN207944171U (zh) | 一种单晶硅炉内导流筒 | |
| CN205420601U (zh) | 一种连续加料器 | |
| CN216585311U (zh) | 一种单晶炉用外置式吸杂加料装置 | |
| CN206814402U (zh) | 一种多晶硅铸锭用提纯炉 | |
| CN206828681U (zh) | 单晶炉石英导流筒 | |
| CN219121056U (zh) | 一种旋转炉 | |
| CN221055497U (zh) | 一种立式高纯石英砂氯化炉 | |
| CN205127960U (zh) | 一种2-氯-5-氯甲基噻唑的反应结晶釜装置 | |
| CN216303277U (zh) | 一种用于金刚石合成原料深加工的高度提纯装置 | |
| CN217745788U (zh) | 一种铝灰海绵砖生产用氨气和氢气分离装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |