CN209584418U - 一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,设置在直拉单晶炉底部,包括防漏容器和排气管,所示防漏容器为环绕直拉单晶炉大轴护套设置的槽状物,所示排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道,排气出口管道末端贯穿直拉单晶炉底,排气进口管道顶端排气入口连通直拉单晶炉内腔,排气进口管道倾斜向下。本实用新型的有益效果是:将炉内挥发物的混合气体排出,减少挥发物在炉膛排气管口的聚集与沉积;排气进口管道倾斜向下,排气入口处避免形成气体对流,涡流,能够快速顺畅的将气体排出;底部设有防漏容器,当发生漏硅现象时,可将溢出的硅液固定在防漏容器中,避免漏硅沿排气管道流出造成事故。
Description
技术领域
本实用新型属于直拉硅单晶制造领域,尤其是涉及一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置。
背景技术
直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术,而直拉单晶炉内的排气系统是重要的系统之一,其直接影响单晶的成晶。排气的主要作用是带走炉内挥发物,而排气不畅则导致以下几点:第一、影响炉内挥发物的排出,进而影响单晶的成晶率;第二、排气不畅可引局部气体对流,涡流,从而引起机械震动,进而导致液面震动,最终不利于单晶生长;第三、排气管道位于热场底部,一旦发生漏硅,很容易进入排气管道,导致安全事故发生。因此,需要改善排气装置,减少或避免因发生漏硅而导致的重大安全事故。
中国专利CN102312284B公开的一种具有多个均布向下的排气管道的直拉式硅单晶炉排气方式,其特点是增大了排气管道通径,提高了排气效率。其不足在于:一方面排气过程中存在较大排气阻力,容易诱导产生因排气然后可使得气体在管道口附近产生涡流,这可直接降低排气效率;另一方面一旦发生漏硅,极易导致单晶设备、泵室电控及人身安全等隐患。
发明内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置。
本实用新型采用的技术方案是:一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,设置在直拉单晶炉底部,包括防漏容器和排气管,防漏容器为环绕直拉单晶炉大轴护套设置的槽状物,排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道,排气出口管道末端贯穿直拉单晶炉底,排气进口管道顶端排气入口连通直拉单晶炉内腔,排气进口管道倾斜向下。
优选地,排气进口管道和排气出口管道为一体成型。
优选地,排气进口管道为直管或弧形管。
优选地,排气口设置在防漏容器上方。
优选地,防漏容器为环形,防漏容器截面为矩形或半圆形。
优选地,防漏容器内壁为延长的大轴护套。
本实用新型具有的优点和积极效果是:将炉内挥发物的混合气体排出,减少挥发物在炉膛排气管口的聚集与沉积;排气进口管道倾斜向下,排气入口处避免形成气体对流,涡流,能够快速顺畅的将气体排出;底部设有防漏容器,当发生漏硅现象时,可将溢出的硅液固定在防漏容器中,避免漏硅沿排气管道流出造成事故,避免漏硅堵塞排气入口;将熔硅停留于防漏硅容器中,也能有效避免发生漏硅后的安全事故。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例的结构示意图。
图中:
1、排气出口 2、排气出口管道 3、排气入口管道
4、排气入口 5、保温毡 6、防漏容器
7、大轴护套 8、加热器 9、石英坩埚
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的一个实施例做出说明。
如图1所述,本实用新型涉及一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,设置在直拉单晶炉底部,包括防漏容器6和排气管,防漏容器6为环绕直拉单晶炉大轴护套7设置的槽状物。防漏容器6为环形,环绕连接在石英坩埚9下方大轴护套7周围,防漏容器6截面为矩形或半圆形,用于装载漏出的熔硅,避免对单晶设备、泵室电控及人身安全等造成危险,防漏容器6可以是固定设置也可使是可移动设置;当其为固定设置时,防漏容器6内壁为延长的大轴护套7,外侧向外伸出形成容器状物。
排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道2,排气出口管道2末端贯穿直拉单晶炉底,形成排气出口1,排气进口管道顶端连通直拉单晶炉内腔,在直拉单晶炉内壁上形成排气入口4,排气进口管道倾斜向下,可为直管或弧形管,排气进口管道和排气出口管道2可为可拆卸连接,例如套接,螺旋连接或者卡接,或者排气进口管道和排气出口管道2为一体成型,避免出现漏气,并且不容易损坏。排气口设置在防漏容器6上方,能够避免被漏硅堵塞排气入口4,顺应内壁方向倾斜向下的排气入口管道3,在排气过程中能够快速顺畅的将气体排出,避免在排气入口4处形成气体对流,涡流,引起机械震动,进而导致液面震动;另外,还能够有效将炉内挥发物的混合气体排出,减少挥发物在炉膛排气管口的聚集与沉积。
石英坩埚外设有加热器8,加热器8外侧设有保温毡5,石英坩埚9内装有熔硅,在保护气的作用下直拉单晶,相应的炉内的挥发物也会产生气体形成混合气体,这些混合气体溢出口在直拉单晶炉内穿过石英坩埚9与加热器8间隙通过排气入口4进入排气管,再通过排气出口1排出,如果石英坩埚9内熔硅过多导致熔硅漏出,熔硅会掉入到防漏容器6中,避免堵塞排气入口4。
本实例的工作过程:一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,设置在直拉单晶炉底部,包括防漏容器6和排气管,防漏容器6为环绕直拉单晶炉大轴护套7设置的槽状物,防漏容器6为环形,防漏容器6截面为半圆形,排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道2,排气进口管道和排气出口管道2为一体成型,排气出口管道2末端贯穿直拉单晶炉底,排气进口管道顶端排气入口4连通直拉单晶炉内腔,排气进口管道为直管,排气进口管道倾斜向下,排气口设置在防漏容器6上方。在22寸热场中使用如上排气装置,可有效排出挥发混合气体,同时当发生漏硅事故后,防漏容器6可容纳60kg以上熔体,直接避免熔硅进入排气管道,避免安全事故的发生。
以上对本实用新型的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
Claims (6)
1.一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,设置在直拉单晶炉底部,其特征在于:包括防漏容器和排气管,所述防漏容器为环绕直拉单晶炉大轴护套设置的槽状物,所述排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道,所述排气出口管道末端贯穿所述直拉单晶炉底,所述排气进口管道顶端排气入口连通所述直拉单晶炉内腔,所述排气进口管道倾斜向下。
2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,其特征在于:所述排气进口管道和排气出口管道为一体成型。
3.根据权利要求2所述的直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,其特征在于:所述排气进口管道为直管或弧形管。
4.根据权利要求3所述的直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,其特征在于:所述排气口设置在所述防漏容器上方。
5.根据权利要求4所述的直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,其特征在于:所述防漏容器为环形,所述防漏容器截面为矩形或半圆形。
6.根据权利要求4所述的直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置,其特征在于:所述防漏容器内壁为延长的所述大轴护套。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201822187657.XU CN209584418U (zh) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201822187657.XU CN209584418U (zh) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209584418U true CN209584418U (zh) | 2019-11-05 |
Family
ID=68378814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201822187657.XU Active CN209584418U (zh) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN209584418U (zh) |
Cited By (2)
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CN114197059A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-18 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 单晶炉 |
CN117305972A (zh) * | 2023-11-28 | 2023-12-29 | 内蒙古鼎泰万邦新材料有限公司 | 一种单晶炉 |
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2018
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