CN213878359U - 减小端口耦合量的介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种减小端口耦合量的介质滤波器，包括介质块，介质块的第一表面设有一排贯通孔，介质块的位于第一表面以外的其它外表面均设有外导体层，介质块的第二表面上设有两个绝缘部，两个绝缘部将其所在表面的外导体层隔断形成第一I/O端子和第二I/O端子；介质块的第一表面上围绕电路局部导体部设置为绝缘区域，该绝缘区域内设有两组端子耦合量减小结构，其中一组端子耦合量减小结构位于第一I/O端子和电路局部导体部之间设置，另一组端子耦合量减小结构位于第二I/O端子和电路局部导体部之间设置。本实用新型的介质滤波器，通过结构设计，在保留第一种方式设计I/O端子的位置的同时能够减小端口耦合量，符合特定下游客户群的应用要求。

Description

减小端口耦合量的介质滤波器

技术领域

本实用新型涉及通信器件技术领域，具体涉及一种减小端口耦合量的介质滤波器。

背景技术

连体式介质滤波器具有由高介电材料一体成型的介质块，在该介质块上同方向开设有多个贯通孔，各个贯通孔均构成一个谐振腔。在该介质块的上、下、左、右四个平整的外表面上包覆外导体层，在每个贯通孔的内表面涂覆内导体层。在该介质块的后端外表面上设置金属镀层形成短路面，外导体层通过短路面连接内导体层。介质块的前端外表面形成开放面，该开放面上对应每个贯通孔均设有形成滤波器电路结构的电路局部导体部。对于滤波器来说，常见的I/O端子的设计方式有两种，第一种是，如图1所示，在介质块的下表面上通过两个条状结构的绝缘部从外导体层中隔断出两个I/O端子；第二种是，如图2所示，分别在介质块的左表面和右表面上通过两个条状结构的绝缘部从外导体层中隔断出两个I/O端子。其中，第一种方式产生的I/O端子的输入输出耦合量比较大，适合于设计宽通带的滤波器；第二种方式产生的I/O端子的输入输出耦合量比较小，适合于设计窄通带的滤波器。但是，在一些特定的下游客户群体中，需要第一种方式的I/O端子位置设计，但又要求很窄的通带，这时现有技术设计的介质滤波器不能满足要求。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种窄通带的介质滤波器，通过结构设计，在保留第一种方式设计I/O端子的位置的同时能够减小端口耦合量(或称“端子耦合量”)，符合特定下游客户群的应用要求。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种减小端口耦合量的介质滤波器，包括长方体状介质块，所述介质块的第一表面设有一排贯通孔，所述贯通孔内均设有内导体层，所述介质块的位于所述第一表面以外的其它外表面均设有外导体层，所述介质块的第一表面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体部、且所述电路局部导体部之间具有绝缘间隙；所述介质块的第二表面上设有两个绝缘部，所述两个绝缘部将其所在表面的外导体层隔断形成第一I/O端子和第二I/O端子；所述介质块的第一表面上围绕所述电路局部导体部设置为绝缘区域，该绝缘区域内设有两组端子耦合量减小结构，其中一组所述端子耦合量减小结构位于第一I/O端子和电路局部导体部之间设置、且连接所述介质块的第二表面的外导体层和第三表面的外导体层，另一组所述端子耦合量减小结构位于第二I/O端子和电路局部导体部之间设置、连接所述介质块的第二表面的外导体层和第四表面的外导体层。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述两组端子耦合量减小结构对称设置。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述端子耦合量减小结构的轮廓设置为宽度在1mm～3mm的直线条。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述端子耦合量减小结构设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜导体部。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述金属膜导体部为银膜导体部或者铜膜导体部或者金膜导体部。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述电路局部导体部的面积能够调节。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述电路局部导体部的轮廓为多边形、圆形或者椭圆形。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述电路局部导体部设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜导体部；所述第一I/O端子和第二I/O端子设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜端子。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述介质块设置为由固态介电材料制成的一体式结构。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述介质块设置为由陶瓷材料制成的一体式结构。

本实用新型的有益效果：

本实用新型的介质滤波器，在介质滤波器本体的第一表面对应第一I/O端子和第二I/O端子分别设置有一组端子耦合量减小结构，该端子耦合量减小结构的增加使得在保留第一种方式设计I/O端子的位置的同时能够减小端口耦合量(或称“端子耦合量”)，符合特定下游客户群的应用要求。

附图说明

图1为现有技术中第一种方式的介质滤波器的结构示意图；

图2为现有技术中第二种方式的介质滤波器的结构示意图；

图3为本实用新型优选实施例中减小端口耦合量的介质滤波器的结构示意图。

图中标号说明：

2-介质块，4-第一表面，6-贯通孔，8-内导体层，10-外导体层，12-电路局部导体部，14-第二表面，16-绝缘部，18-第一I/O端子，20-第二I/O端子，22-端子耦合量减小结构，24-第三表面，26-第四表面。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”、“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当元件被称为“固设于”另一个元件，或与另一个元件“固定连接”，它们之间可以是可拆卸固定方式也可以是不可拆卸的固定方式。当一个元件被认为是“连接”、“转动连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实时方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在约束本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本实用新型中所述“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等类似用于不代表具体的数量及顺序，仅仅是用于名称的区分。

如图3所示，其中一个实施例中，本实用新型公开一种减小端口耦合量的介质滤波器，包括由高介电常数的固态介电材料(比如陶瓷粉末)干粉压铸成型的长方体状介质块2，所述介质块2的第一表面4设有一排贯通孔6，一排贯通孔6水平横向设置在长方体状的介质块2上，且一排贯通孔6“一”字型依次间隔排布。所述贯通孔6内均设有内导体层8，所述介质块2的位于所述第一表面4以外的其它外表面均设有外导体层10；其中，所述内导体层8、外导体层10设置为金属镀层，通常基于电镀工艺或者浸透工艺加工银膜层或者铜膜层或者金膜层形成所述内导体层8、外导体层10。所述介质块2的第一表面4上对应每个贯通孔6均设有电路局部导体部12、且所述电路局部导体部12之间具有绝缘间隙；所述介质块2的第二表面14上设有两个绝缘部16，所述两个绝缘部16将其所在表面的外导体层10隔断形成第一I/O端子18和第二I/O端子20；所述介质块2的第一表面4上围绕所述电路局部导体部12设置为绝缘区域，该绝缘区域内设有两组端子耦合量减小结构22，其中一组所述端子耦合量减小结构22位于第一I/O端子18和电路局部导体部12之间设置、且连接所述介质块2的第二表面14的外导体层10和第三表面24的外导体层10，另一组所述端子耦合量减小结构22位于第二I/O端子20和电路局部导体部12之间设置、连接所述介质块2的第二表面14的外导体层10和第四表面26的外导体层10。

以上，通过在介质滤波器本体的第一表面4上对应第一I/O端子18和第二I/O端子20分别设置有一组端子耦合量减小结构22，该端子耦合量减小结构22的增加使得在保留第一种方式设计I/O端子的位置的同时能够减小端口耦合量(或称“端子耦合量”)，符合特定下游客户群的应用要求。

其中，所述两组端子耦合量减小结构22对称设置，通过结构的对称性来匹配输入输出耦合量的对称性。

其中一个实施技术方案中，所述端子耦合量减小结构22的轮廓设置为宽度在1mm～3mm的直线条。

通常，所述端子耦合量减小结构22设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜导体部，可以为银膜导体部或者铜膜导体部或者金膜导体部。通常，该端子耦合量减小结构22与介质块2的第一表面4的电路局部导体部12同步加工获得，不会增加工艺步骤，且工艺易于实现。

对应各个所述贯通孔6的所述电路局部导体部12配合构成滤波器的电路结构，本实施例技术方案中，所述电路局部导体部12的面积能够调节，通过调节所述电路局部导体部12的面积一方面调节谐振器的频率，另一方面调节两个谐振腔之间的正、负耦合量(此处的正耦合量为感性耦合量，负耦合量为容性耦合量)。

进一步的，所述电路局部导体部12的轮廓为多边形、圆形或者椭圆形。如此，可以根据实际使用需求或工艺要求对电路局部导体部12的轮廓进行灵活的加工或设计以适应使用需求。所述电路局部导体部12的轮廓优选为多边形，便于加工。

其中，所述电路局部导体部12设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜导体部；所述第一I/O端子18和第二I/O端子20设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜端子。印刷工艺、激光工艺均为很成熟的成膜工艺，易于批量化生产，且成本可控。

以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例，本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换，均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。

Claims (10)

1.一种减小端口耦合量的介质滤波器，包括长方体状介质块，所述介质块的第一表面设有一排贯通孔，所述贯通孔内均设有内导体层，所述介质块的位于所述第一表面以外的其它外表面均设有外导体层，所述介质块的第一表面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体部、且所述电路局部导体部之间具有绝缘间隙；所述介质块的第二表面上设有两个绝缘部，所述两个绝缘部将其所在表面的外导体层隔断形成第一I/O端子和第二I/O端子；其特征在于：所述介质块的第一表面上围绕所述电路局部导体部设置为绝缘区域，该绝缘区域内设有两组端子耦合量减小结构，其中一组所述端子耦合量减小结构位于第一I/O端子和电路局部导体部之间设置、且连接所述介质块的第二表面的外导体层和第三表面的外导体层，另一组所述端子耦合量减小结构位于第二I/O端子和电路局部导体部之间设置、连接所述介质块的第二表面的外导体层和第四表面的外导体层。

2.如权利要求1所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述两组端子耦合量减小结构对称设置。

3.如权利要求1或2所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述端子耦合量减小结构的轮廓设置为宽度在1mm～3mm的直线条。

4.如权利要求3所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述端子耦合量减小结构设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜导体部。

5.如权利要求4所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述金属膜导体部为银膜导体部或者铜膜导体部或者金膜导体部。

6.如权利要求1所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述电路局部导体部的面积能够调节。

7.如权利要求6所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述电路局部导体部的轮廓为多边形、圆形或者椭圆形。

8.如权利要求1所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述电路局部导体部设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜导体部；所述第一I/O端子和第二I/O端子设置为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属膜端子。

9.如权利要求1所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述介质块设置为由固态介电材料制成的一体式结构。

10.如权利要求9所述的减小端口耦合量的介质滤波器，其特征在于：所述介质块设置为由陶瓷材料制成的一体式结构。

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