CN213817850U - 导电薄膜、触控组件及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种导电薄膜、触控组件及电子设备。所述导电薄膜包括基体，具有相对的第一表面和第二表面；及第一导电层，设于所述第一表面和所述第二表面中的至少一者，所述第一导电层包括依次设置的第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜，所述第一薄膜及所述第三薄膜为金属氧化物薄膜，所述第二薄膜为金属薄膜。上述导电薄膜通过将第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜复合为第一导电层，通过第二薄膜增加第一导电层的柔韧性，从而使导电薄膜具有优良的耐绕折性能，导电薄膜在折叠的过程中不容易断裂，能够更好地满足折叠的需求。
Description
技术领域
本申请涉及触控技术领域，尤其涉及一种导电薄膜、触控组件及电子设备。
背景技术
现有折叠屏手机配套的可折叠触控方案通常有以下两种：(1)外嵌式触摸屏面板有源矩阵有机发光二极管(Y-OCTA，YOUME On-Cell Touch AMOLED)集成触控方案，该方案是把触控网格集成到触控模组里面，并且触控网格避开三原色光(RGB：Red，Green，Blue)像素点，不会产生摩尔纹；(2)外挂触控方案，该方案通常有以下三种方案：1、单层架桥方案，该方案是在单面蚀刻出信号输出、信号接收图案，并且通过架桥的方式避免短路，该方案的优势在于单面就可以触控，光学效果比较好；2、纳米银丝方案，该方案采用绕折性能非常好的纳米银丝作为导电材料，该方案的优势在于纳米银丝具有优秀的折叠性能；3、金属网格(Metal Mesh)方案，分为凸版和凹版两种模式，凸版方案一般使用折叠性能好的铜作为导电层，并在导电层上蚀刻出图案，形成金属网格来实现触控；凹版是通过先形成凹槽，在凹槽中填加导电银胶，形成触控网格，金属网格方案的优势在于工艺简单、良率高、价格便宜。
在实现本申请的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：目前Y-OCTA集成触控方案的良率很低，导致售价很高；单层架桥方案的缺点是图案为氧化铟锡(ITO)，耐绕折性能不是很优越，特别是在弯折半径要求越来越小的情况下；纳米银丝方案的缺点是纳米银丝容易发生银迁移，且抗静电能力弱；金属网格方案的缺点是上下层网格图案叠加容易形成摩尔纹。
实用新型内容
鉴于以上内容，有必要提出一种导电薄膜、触控组件及电子设备，以解决上述问题中的至少一种。
本申请的一实施例提供一种导电薄膜，包括：
基体，具有相对的第一表面和第二表面；及
第一导电层，设于所述第一表面和所述第二表面中的至少一者，所述第一导电层包括依次设置的第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜，所述第一薄膜及所述第三薄膜为金属氧化物薄膜，所述第二薄膜为金属薄膜。
上述导电薄膜通过将第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜复合为第一导电层，通过第二薄膜增加第一导电层的柔韧性，从而使导电薄膜具有优良的耐绕折性能，导电薄膜在折叠的过程中不容易断裂，能够更好地满足折叠的需求。
在一些实施例中，所述第一薄膜和/或所述第三薄膜沿与所述第一表面相垂直方向的厚度范围为10nm-100nm。
如此，第一薄膜和第三薄膜通过满足上述的结构限定，第一薄膜和第三薄膜与第二薄膜配合使用，有利于满足导电薄膜对厚度的范围的要求。
在一些实施例中，所述第二薄膜沿与所述第一表面相垂直方向的厚度范围为2nm-30nm。
如此，第二薄膜通过满足上述结构的限定，第二薄膜与第一薄膜和第三薄膜配合使用，有利于满足导电薄膜对厚度的范围的要求。
在一些实施例中，所述第一导电层还包括：
多个第一蚀刻部，多个所述第一蚀刻部均沿与所述第一表面相垂直的方向贯穿所述第一薄膜、所述第二薄膜及所述第三薄膜，形成第一导电图案。
如此，第一导电层通过满足上述结构的限定，导电薄膜能够被用于触控组件中。
在一些实施例中，所述第一导电层设于所述第一表面和所述第二表面中的一者时，所述导电薄膜还包括：
第二导电层，设于所述第一表面和所述第二表面中的另一者。
如此，通过在导电薄膜的两侧分别设置第一导电层和第二导电层，有利于提高导电薄膜的透光率。
在一些实施例中，所述第二导电层沿与所述第一表面相垂直方向的厚度范围为70nm-2μm。
如此，第二导电层通过满足上述结构的限定，有利于提高导电薄膜的透光率，同时，有利于满足导电薄膜对厚度的范围的要求。
在一些实施例中，所述第二导电层包括：
多个第二蚀刻部，多个所述第二蚀刻部均沿与所述第一表面相垂直的方向贯穿所述第二导电层，形成第二导电图案。
如此，第一导电层通过满足上述结构的限定，导电薄膜能够被用于触控组件中。
在一些实施例中，所述第一导电图案或所述第二导电图案的线宽范围为1nm-20nm。
如此，第一导电图案和第二导电图案通过满足上述线宽范围的限定，有利于提高导电薄膜的抗静电能力，同时，有利于满足导电薄膜的导电性能。
本申请的实施例还提供了一种触控组件，包括如上所述的导电薄膜。
上述触控组件通过将第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜复合为第一导电层，通过第二薄膜增加第一导电层的柔韧性，从而使触控组件具有优良的耐绕折性能，触控组件在折叠的过程中不容易断裂，能够更好地满足触控组件折叠的需求。
本申请的实施例还提供了一种电子设备，包括如上所述的触控组件。
上述电子设备通过将第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜复合为第一导电层，通过第二薄膜增加第一导电层的柔韧性，从而使电子设备的触控组件具有优良的耐绕折性能，触控组件在折叠的过程中不容易断裂，能够更好地满足电子设备的触控组件折叠的需求。
附图说明
图1是本申请第一实施例提供的导电薄膜的结构示意图。
图2是本申请第二实施例提供的导电薄膜的结构示意图。
图3是本申请第三实施例提供的导电薄膜的结构示意图。
图4是本申请第四实施例提供的电子设备的结构示意图。
主要元件符号说明
电子设备 1000
触控组件 100
导电薄膜 10、210、310
基体 12、212、312
第一表面 122、2122、3122
第二表面 124、2124、3124
第一导电层 14、214、314
第一薄膜 142、2142
第二薄膜 144、2144
第三薄膜 146、2146
第一蚀刻部 148
第二导电层 16、216
第二蚀刻部 162
壳体 20
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所实用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
请参见图1，本申请第一实施例提出了一种导电薄膜10。导电薄膜10至少包括基体12和第一导电层14。
基体12具有相对的第一表面122和第二表面124；第一导电层14设于第一表面122和第二表面124中的至少一者，第一导电层14包括依次设置的第一薄膜142、第二薄膜144及第三薄膜146，第一薄膜142及第三薄膜146为金属氧化物薄膜，第二薄膜144为金属薄膜。为了便于说明，本实施例中，第一导电层14设于基体12的第一表面122，即第一导电层14的第一薄膜142或第三薄膜146贴合于基体12的第一表面122。
上述导电薄膜10通过将第一薄膜142、第二薄膜144及第三薄膜146复合成为第一导电层14，通过第二薄膜144增加第一导电层14的柔韧性，从而使导电薄膜10具有优良的耐折弯性能，导电薄膜10在折叠的过程中不容易断裂，能够更好地满足折叠屏折叠的需求。
本实施例中，基体12为透明高分子基体，基体12具有高透光率，基体12由非晶性或结晶性聚合物薄膜形成。其中，非晶形聚合物薄膜的材料包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：Polyethylene terephthalate)或聚碳酸酯(PC：Polycarbonate)；结晶性聚合物薄膜的材料包括但不限于环烯烃共聚物(COP：Cyclo Olefin Polymer)。
本实施例中，第一导电层14设于第一表面122和第二表面124中的至少一者，即基体12的第一表面122和第二表面124可以同时设置第一导电层14，也可以在基体12的其中一面设置第一导电层14，而另一侧可以设置其他结构的导电层，以形成导电薄膜10。需要说明的是，本实施例中，对导电层结构不做具体的限定，可以根据实际情况进行选择。
本实施例中，第一薄膜142和第三薄膜146为相同的结构并采用相同的材料。第一薄膜142和第三薄膜146沿与第一表面122相垂直方向的厚度范围大致为10nm-100nm，优选的厚度范围为20nm-50nm。第一薄膜142和第三薄膜146均可以采用磁控溅射的方式制备。当第一薄膜142或第三薄膜146的厚度小于10nm时，会增加第一薄膜142和第三薄膜146的溅射工艺难度，第一薄膜142和第三薄膜146难以均匀地溅射于基体12和第二薄膜144上；当第一薄膜142和第三薄膜146的厚度大于100nm时，会增加导电薄膜10的厚度，不利于降低最终产品的厚度。
本实施例中，第一薄膜142和第三薄膜146为氧化铟锡(ITO)薄膜。第一薄膜142和第三薄膜146与第二薄膜144配合使用，不需要再对第一薄膜142和第三薄膜146进行老化处理，有利于提高第一薄膜142和第三薄膜146的柔韧性，即能够提高第一导电层14的耐绕折性能。同时，第三薄膜146作为导电薄膜146其中一侧最外层的薄膜，能够避免导电薄膜10产生摩尔纹以影响导电薄膜10的外观。
需要说明的是，氧化铟锡薄膜在出厂时为非晶形材料，氧化铟锡薄膜被用于导电薄膜时，如果导电薄膜的一侧仅有一层氧化铟锡薄膜，则需要对氧化铟锡薄膜做老化处理，使其结晶；但氧化铟锡薄膜在结晶后，会改变其物理特性，会变硬，即氧化铟锡的柔韧性降低，也就导致导电薄膜的耐折性降低。本实施例通过增加一层第二薄膜144，通过将第二薄膜144设于两层氧化铟锡薄膜之间，不需再对氧化铟锡薄膜进行老化处理，故不会降低氧化铟锡的柔韧性，相当于提高了导电薄膜10的柔韧性(耐绕折性)。
可以理解地，在其他的实施例中，第一薄膜142和第三薄膜146还可以为氧化铝锌(AZO)薄膜、氧化铟锌(IZO)薄膜和氧化铟镓锌(IGZO)薄膜等其他金属氧化物薄膜。
可以理解地，在其他的实施例中，第一薄膜142和第三薄膜146还可以为不同的金属氧化物薄膜，例如，第一薄膜142为氧化铝锌薄膜，第三薄膜146为氧化铟锡薄膜；或者第一薄膜142为氧化铟锡薄膜，第三薄膜146为氧化铝锌薄膜。
本实施例中，第二薄膜144沿与第一表面122相垂直方向的厚度范围大致为2nm-30nm，优选的厚度范围为5nm-15nm，第二薄膜144具有优良的导电性能。当第二薄膜144的厚度小于2nm时，会增加第二薄膜144的附着难度，第二薄膜144难以均匀地设于第一薄膜142上；当第二薄膜144的厚度大于30nm时，会降低导电薄膜10的透光率，同时会增加导电薄膜10的厚度，不利于降低最终产品的厚度。
第二薄膜144与第一薄膜142和第三薄膜146配合使用，能够降低导电薄膜10被用于触控组件时的阻抗。在本实施例中，如果仅有第二薄膜144和第三薄膜146，则存在以下缺陷：第二薄膜144附着在基体12上的难度增加，第二薄膜144一般采用刷浆的方式附着在被附着物的表面，如果直接附着在基体12上，会存在第二薄膜144附着不均匀的现象，导致导电薄膜10存在空白区域，会影响导电薄膜10的性能；另一方面，由于第二薄膜144直接附着于基体12，导电薄膜10被用于下述的触控组件100时，会增加触控组件100的阻抗，影响下述电子设备1000的触控性能。
本实施例中，第二薄膜144的材料为银，银具有优良的导电性能，通常采用刷银浆的方式制备第二薄膜144。
可以理解地，在其他的实施例中，第二薄膜144的材料还可以为银的混合材料，银的混合材料包括但不限于银与铝、锆、钛、锌和金中一者或多者混合所形成的混合材料；第二薄膜144的材料还可以为其他导电性和柔韧性较好的金属材料。
请继续参见图1，第一导电层14设于第一表面和122和第二表面124中的一者时，导电薄膜10还包括第二导电层16，第二导电层16设于第一表面122和第二表面124中的另一者。
本实施例中，第一导电层14设于基体12的第一表面122，第二导电层16设于基体12的第二表面124，以形成导电薄膜10。第二导电层16沿与第一表面122相垂直方向的厚度范围大致为70nm-2μm，优选厚度的范围为200nm-300nm。当第二导电层16的厚度小于70nm时，第二导电层16单独作为一层电极的厚度偏低，会影响导电薄膜10被用于触控组件100时的触控导电性能；当第二导电层16的厚度大于2μm时，会增加导电薄膜10的厚度，不利于降低最终产品的厚度。
本实施例中，第二导电层16的材料为铜，铜具有优良的导电性能。
可以理解地，在其他的实施例中，第二导电层16的材料还可以为氧化铜或铜镍合金。
需要说明的是，当基材12的第一表面122和第二表面124均为金属层时，导电薄膜10容易产生摩尔纹，从而影响产品的外观。
本实施例中，通过合理采用第一薄膜142、第二薄膜144、第三薄膜146及第二导电层16的厚度和材料，增加导电薄膜10的耐绕折性能，降低导电薄膜10被用于触控组件100时的阻抗，提高导电薄膜10的透明性，避免导电薄膜10产生摩尔纹而影响外观，同时提升导电薄膜10的抗静电能力。
请参见图2，本申请第二实施例提供的导电薄膜210与第一实施例提供的导电薄膜10的结构大致相似，不同之处在于：本实施例中，第一导电层214还包括多个第一蚀刻部148，第二导电层216还包括多个第二蚀刻部162。
多个第一蚀刻部146均沿与第一表面2122相垂直的方向贯穿第一薄膜2142、第二薄膜2144和第三薄膜2146，以形成第一导电图案，第一导电图案即第一薄膜2142、第二薄膜2144、第三薄膜2146及多个第一蚀刻部146所形成的电极图案，用于作为触控组件100的电极层；多个第二蚀刻部162均沿与第一表面2122相垂直的方向贯穿第二导电层216，以形成第二导电图案。第二导电图案的形状与第一导电图案的形状大致相似，二者在第一表面212或第二表面2124上的投影相互垂直，且交叉点排列规律。可以理解地，在其他的实施例中，二者在第一表面2122或第二表面2124上的投影也可以相交但不垂直，但交叉点仍需排列规律。
本实施例中，第一导电图案和第二导电图案大致为均匀的网格形状，网格线的线宽范围大致为1nm-20nm，即第一导电图案和第二导电图案的线宽范围大致为1nm-20nm，优选线宽范围为3nm-10nm。当线宽的宽度小于1nm时，会增加第一导电图案和第二导电图案的制作难度，不利于生产，同时，线宽偏小的话，会影响导电薄膜210的电学性能；当线宽的宽度大于20nm时，在相同触控性能的前提下，会增加导电薄膜210为增加触控点所需要的面积，会增加最终产品的成本，且不利于最终产品的小型化。
需要说明的是，第一导电图案的线宽是指相邻第一蚀刻部146之间的距离，第二导电图案的线宽是指相邻第二蚀刻部162之间的距离。
本实施例中的导电薄膜210被用于触控组件100中，第一导电图案和第二导电图案作为触控组件100的导电层和触控层，两层相互作用可实现触控功能。本实施例中的导电薄膜210被用于折叠屏的触控组件100中时，导电薄膜210的弯折半径可为1mm，图案不可见，具有优良的抗静电能力，能够减少触控时的阻抗。
请参见图3，本申请第三实施例提供的导电薄膜310与第一实施例提供的导电薄膜10的结构大致相似，不同之处在于：本实施例中，基体312的第一表面3122和第二表面3124均设有第一导电层314。在基体312的两侧均设置第一导电层314，能够增强导电薄膜310的耐绕折性能；同时，由于导电薄膜310的两侧的最外侧面均为氧化铟锡薄膜，而非金属材料，能够完全避免导电薄膜310产生摩尔纹。
请参见图4，本申请第四实施例提出了一种电子设备1000，电子设备1000至少包括壳体20、触控组件100及第一实施例至第三实施例中的任意一项的导电薄膜，本实施例以第二实施例的导电薄膜210为例进行说明。导电薄膜210被用于触控组件100，触控组件100设于壳体20内。
上述电子设备1000通过将第一薄膜2142、第二薄膜2144及第三薄膜2146复合为第一导电层214，通过第二薄膜2144增加第一导电层214的柔韧性，从而使电子设备1000的触控组件100具有优良的耐绕折性能，触控组件100在折叠的过程中不容易断裂，能够更好地满足电子设备1000的触控组件100折叠的需求。
可以理解地，上述电子设备1000的结构并不构成对电子设备1000的限定，可以包括比上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件设置。
本实施例的电子设备1000为手机，触控组件100为手机的触控屏。
可以理解地，在其他的实施例中，电子设备1000还可以为平板电脑、可触控笔记本电脑、可触控智能手表等。触控组件100还可以为触控屏的一部分。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本申请内。
最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本申请技术方案的精神和范围。
Claims (11)
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括：
基体，具有相对的第一表面和第二表面；及
第一导电层，设于所述第一表面和所述第二表面中的至少一者，所述第一导电层包括依次设置的第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜，所述第一薄膜及所述第三薄膜为金属氧化物薄膜，所述第二薄膜为金属薄膜。
2.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第一薄膜和/或所述第三薄膜沿与所述第一表面相垂直方向的厚度范围为10nm-100nm。
3.如权利要求2所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二薄膜沿与所述第一表面相垂直方向的厚度范围为2nm-30nm。
4.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第一导电层还包括：
多个第一蚀刻部，多个所述第一蚀刻部均沿与所述第一表面相垂直的方向贯穿所述第一薄膜、所述第二薄膜及所述第三薄膜，形成第一导电图案。
5.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第一导电层设于所述第一表面和所述第二表面中的一者时，所述导电薄膜还包括：
第二导电层，设于所述第一表面和所述第二表面中的另一者。
6.如权利要求5所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二导电层沿与所述第一表面相垂直方向的厚度范围为70nm-2μm。
7.如权利要求5所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二导电层包括：
多个第二蚀刻部，多个所述第二蚀刻部均沿与所述第一表面相垂直的方向贯穿所述第二导电层，形成第二导电图案。
8.如权利要求4所述的导电薄膜，其特征在于，所述第一导电图案的线宽范围为1nm-20nm。
9.如权利要求7所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二导电图案的线宽范围为1nm-20nm。
10.一种触控组件，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的导电薄膜。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求10所述的触控组件。
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