CN213694299U - 一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备 - Google Patents

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CN213694299U CN202121265564.XU CN202121265564U CN213694299U CN 213694299 U CN213694299 U CN 213694299U CN 202121265564 U CN202121265564 U CN 202121265564U CN 213694299 U CN213694299 U CN 213694299U
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Abstract

本申请公开一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备,涉及终端设备领域,该结构解决了在屏蔽罩内部需要额外分腔的问题,减少了布局局限和对电路板布板面积的占用,使得第一器件和其它器件可以放置于同一腔内,提高了布局灵活性。该结构包括电路板以及设置在电路板上的第一器件和其它器件,还包括设置在电路板上的环形的第一屏蔽板,第一屏蔽板上设置有第二屏蔽板,电路板、第一屏蔽板和第二屏蔽板形成一封闭的屏蔽罩,第一器件和其它器件位于屏蔽罩内,第二屏蔽板靠近电路板的一侧设置有吸波板,吸波板与第一器件正对设置,吸波板用于吸收第一器件所产生的电磁波。

Description

一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备
技术领域
本申请实例涉及终端设备技术领域,尤其涉及一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备。
背景技术
现有的电子产品中,如手机、平板等内部都设置有大功率的辐射器件,这些大功率的辐射器件一般设置在一个屏蔽罩内,而屏蔽罩内一般还设置有其它的器件,如发射器件、接收器件、发射端前端器件、接收端前端器件、射频芯片等。辐射器件的电磁波辐射到发射端前端器件/表层线后,会通过发射通路传导到天线端,进而造成传导/辐射杂散测试指标恶化;辐射器件的电磁波辐射到接收端的前端器件/表层线/射频芯片后,会造成接收灵敏度恶化。
目前常规的手段是屏蔽罩内部加隔筋,将辐射器件单独隔开。但该方式会占用电路板上较多的布板面积,而且隔筋会对电路板产生分割,使得电路板上难以布置大器件,使得布局灵活性大大受限。
实用新型内容
本申请提供一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备,该结构解决了在屏蔽罩内部需要额外分腔的问题,减少了布局局限和对电路板布板面积的占用,使得第一器件和其它器件可以放置于同一腔内,提高了布局灵活性。
第一方面,本申请提供一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构,包括电路板以及设置在电路板上的第一器件和其它器件,还包括设置在电路板上的环形的第一屏蔽板,第一屏蔽板上设置有第二屏蔽板,电路板、第一屏蔽板和第二屏蔽板形成一封闭的屏蔽罩,第一器件和其它器件位于封闭空间内,第二屏蔽板靠近电路板的一侧设置有吸波板,吸波板与第一器件正对设置,吸波板用于吸收第一器件所产生的电磁波。
在此基础上,通过将第一屏蔽板和第二屏蔽板设置为一个完整的、封闭的屏蔽罩,避免了屏蔽罩内辐射外泄的问题。通过在屏蔽罩内部增设吸波板,吸波板位于第一器件的正上方,用于吸收第一器件所产生的电磁波,减小第一器件所产生的电磁波对其它器件造成干扰。解决了屏蔽罩内部需要额外分腔以放置第一器件的问题,避免了分腔对电路板面积的占用,减小了在电路板上的布局局限。吸波板将第一器件的辐射杂散及时吸收,使得第一器件和其它器件可以放置于同一腔体内,使得走线也可以更加灵活。
在第一方面的一种可能的设计方式中,第二屏蔽板上设有一开口,开口正对第一器件设置,第二屏蔽板上设置有第三屏蔽板,第三屏蔽板将开口完全覆盖,第三屏蔽板包括基板和设置在基板上的吸波板,基板连接在第二屏蔽板上,吸波板位于开口处,且与第一器件正对设置。
在此基础上,通过在第二屏蔽板上设置开口,并用第三屏蔽板将开口覆盖,使得第一屏蔽板、第二屏蔽板和第三屏蔽板形成一个完整的、封闭的屏蔽罩,通过将吸波板设置在第三屏蔽板上,使得第一屏蔽板可以采用表面贴装技术连接在电路板上,提高了屏蔽罩与电路板的连接强度,同时提高了导电性能的可靠性。
在第一方面的一种可能的设计方式中,基板完全覆盖开口,吸波板穿过开口位于屏蔽罩内,基板可拆卸连接在第二屏蔽板上。
在此基础上,通过设置基板完全覆盖开口,提高了基板与第二屏蔽板的接触面积,有利于提高基板与第二屏蔽板的连接强度,通过设置吸波板可以穿过开口,且基板可拆卸连接在第二屏蔽板上,使得第三屏蔽板可拆卸地连接在第二屏蔽板上,便于更换第三屏蔽板,使得维修更加方便。
在第一方面的一种可能的设计方式中,吸波板通过导电胶层粘接在基板上,基板通过导电胶层粘接在第二屏蔽板上。
在第一方面的一种可能的设计方式中,基板的外形尺寸大于或等于导电胶层的外形尺寸,导电胶层的外形尺寸大于第二屏蔽板上开口的外形尺寸,第二屏蔽板上开口的外形尺寸大于吸波板的外形尺寸。
在第一方面的一种可能的设计方式中,第一屏蔽板、第二屏蔽板和基板均为金属板。
在第一方面的一种可能的设计方式中,基板为铜箔。
在第一方面的一种可能的设计方式中,第一屏蔽板通过表面贴装技术连接在电路板上。提高了第一屏蔽板与电路板之间的连接强度和回流可靠性。
在第一方面的一种可能的设计方式中,第一屏蔽板和第二屏蔽板一体成型。
第二方面,本申请提供一种电子设备,包括机身以及如上述第一方面及其任一种可能的设计方式中所提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构,该结构设置于机身内。
可以理解地,上述提供的第二方面所述的电子设备所能达到的有益效果,可参考如第一方面及其任一种可能的设计方式中的有益效果,此处不再赘述。
附图说明
图1为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之一;
图2为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之二;
图3为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之三;
图4为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之四;
图5为本申请实施例提供的一种电子设备的示意图;
图6为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之一;
图7为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之二;
图8为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构中第三屏蔽板的结构示意图;
图9为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之三。
具体实施方式
下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行描述。
在本申请实施例中,“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
在本申请的实施例中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
应理解,在本文中对各种所述示例的描述中所使用的术语只是为了描述特定示例,而并非旨在进行限制。如在对各种所述示例的描述中所使用的那样,单数形式“一个(“a”,“an”)”和“该”旨在也包括复数形式,除非上下文另外明确地指示。
本申请中,“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达,是指的这些项中的任意组合,包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如,a,b,或c中的至少一项(个),可以表示:a, b, c, a-b, a-c, b-c,或a-b-c,其中a,b,c可以是单个,也可以是多个。
还应理解,本文中所使用的术语“和/或”是指并且涵盖相关联的所列出的项目中的一个或多个项目的任何和全部可能的组合。术语“和/或”,是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本申请中的字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
还应理解,在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是滑动连接,还可以是可拆卸连接,或成一体等;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。
还应理解,术语“包括”(也称“includes”、“including”、“comprises”和/或“comprising”)当在本说明书中使用时指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或部件,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、部件、和/或其分组。
应理解,说明书通篇中提到的“一实施例”、“另一实施例”、“一种可能的设计方式”意味着与实施例或实现方式有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此,在整个说明书各处出现的“在本申请一实施例中”或“在本申请另一实施例中”、“一种可能的设计方式”未必一定指相同的实施例。此外,这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
为了方便本申请的技术方案进行介绍,下面先介绍相关的现有技术。
在手机、平板等电子产品中,射频腔或者组件内部一般安装有较大功率的辐射器件,因此一般会在具有高辐射器件的外侧设置屏蔽罩,屏蔽罩内一般还设置有发射器件、接收器件7以及射频IC等器件,屏蔽罩内部的辐射器件会对屏蔽罩内部的耦合造成干扰。以电子设备内的射频腔为例,辐射器件产生的信号辐射到发射端的前端器件或者表层线后,可以通过发射通路传导到天线端,进而造成传导/辐射杂散测试指标恶化。辐射器件产生的信号辐射到接收端的前端器件或者表层线或者射频IC后,会造成接收灵敏度的指标恶化。
为了解决上述问题,现有技术中可以通过对辐射器件进行隔离,以实现减少辐射器件对其它器件的影响。参考图1,图1为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之一,如图1所示,该结构包括电路板1,电路板1上设有一屏蔽罩,电路板1与屏蔽罩之间形成一封闭空间,屏蔽罩内设置有辐射器件、发射器件、接收器件7和射频芯片10,屏蔽罩内部设置有横向的隔板,将屏蔽罩分为两层,其中辐射器件和接收器件7位于隔板上方,辐射器件和发射器件位于隔板下方。该方案中,为了减小辐射器件对其他器件造成的干扰,在辐射器件与发射器件之间再设置了一块纵向的隔板,将辐射器件和发射器件分隔开来。发射器件与辐射器件之间通过纵向的隔板进行隔离,接收器件7和射频芯片10通过横向的隔板与辐射器件实现了隔离。两块隔板以及部分金属罩在辐射器件的周围形成了一个封闭的隔离罩,减小了辐射器件产生的谐波对其它器件或其它器件的前端走线产生的干扰。但这种方案需要增加隔板,隔板在加工时具有一定的公差,而且隔板在布局时,需要对电路板1上的相关器件进行避让,会占用一部分电路板1上的安装空间。由于隔板会对电路板1进行一定的分割,在隔板相对辐射器件的另一侧难以布局较大体型的器件,极大的影响了电路板1上器件的布局灵活性。而且在内部增加隔板,隔板需要与屏蔽罩进行固定,这对屏蔽罩的工艺要求较高,导致整体的成本增加。
参考图2,图2为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之二,如图2所示,该结构包括电路板1,在电路板1上设置有一封闭的屏蔽罩,屏蔽罩内部的电路板1上设置有辐射器件、接收器件7和接收端前端器件8,在屏蔽罩的顶部开设有一开口,开口处通过一金属板进行封口,可以有效解决射频腔整体向外辐射的问题,射频腔内的辐射器件仍然会通过腔内的空间耦合到腔内的接收器件7和接收端前端器件8,对接收器件7和接收端前端器件8造成干扰,因此仍然需要在腔内设置隔板,将辐射器件进行单独的隔离。该结构同样会产生占用电路板1空间、影响电路板1上器件的布局灵活性等问题。
参考图3,图3为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之三,如图3所示,该结构包括电路板1,电路板1上设置有多块吸波板4,多块吸波板4与电路板1之间形成一封闭的空间,在电路板1上还设置有辐射器件、接收器件7和接收端前端器件8,上述器件均位于该封闭空间内。该结构将吸波板4直接贴附在电路板1上进行固定,吸波板4一般为软性材料,其自身可靠性较差,直接贴附在较硬的、不平整的电路板1上,在长期的使用过程中,变形严重。此外,若采用粘性较强的绝缘胶进行固定,吸波板4与电路板1之间无法形成可靠的法拉第笼,使得整个腔体内的辐射泄漏问题无法解决。
参考图4,图4为现有技术中的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之四,如图4所示,该结构包括电路板1和设置在电路板1上的屏蔽罩,屏蔽罩与电路板1形成一封闭空间,电路板1上设置有辐射器件、接收器件7和接收端前端器件8,上述器件均位于该封闭空间内。在屏蔽罩的内侧贴附有一层吸波板4,吸波板4可以通过粘合剂粘接在屏蔽罩内侧,由于吸波板4和粘合剂不耐高温,在屏蔽罩的内侧增加吸波板4以后,屏蔽罩无法采用SMT工艺焊接在电路板1上,而需要通过其它的连接方式进行多点接地连接。如采用螺钉、导电胶进行连接。
采用螺钉连接的方式,会占用较多的空间,而且也会导致整个结构的重量和成本增加,不适用于手机、平板电脑等电子产品。而如果采用导电胶进行粘接,由于导电胶的粘性较差,加之屏蔽罩的整体重量较大,小面积的粘接无法保障中长期的使用可靠性,因此也难用于电子产品中。
为了解决现有技术中的上述问题,本申请实施例提供一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备,该结构可以减少辐射器件对其它器件造成干扰的同时,减少对电路板1面积的占用,使得电路板1上的器件布局更加灵活。
本申请实施例提供一种电子设备。该电子设备可以包括手机(mobile phone)、平板电脑(pad)、电视、智能穿戴产品(例如,智能手表、智能手环)、物联网(internet ofthings,IOT)、虚拟现实(virtual reality,VR)终端设备、增强现实(augmented realityAR)终端设备、无人机等电子产品,该电子产品内部具有射频腔,或者具有屏蔽罩,该屏蔽罩内的器件易受其它辐射器件的干扰。本申请实施例对上述电子设备的具体形式不做特殊限制。
参考图5,图5为本申请实施例提供的一种电子设备的示意图。如图5所示,本申请实施例中的电子设备为手机,该手机包括机身11和用于改善腔内耦合与向外辐射性能的结构12,其中,机身11可以包括中框13和背板14,该结构12设置在背板14上。
下面,对本申请实施例中的改善腔内耦合与向外辐射性能的结构进行介绍。
参考图6,图6为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之一。如图6所示,本申请实施例中改善腔内耦合与向外辐射性能的结构包括电路板1和设置在电路板1上的第一器件9和其它器件,电路板1上还设置有环形的第一屏蔽板2,第一屏蔽板2上设置第二屏蔽板3,第一屏蔽板2、第二屏蔽板3和电路板1形成一个封闭的屏蔽罩,第一电器和其它电器均位于该屏蔽罩内。在第二屏蔽板3靠近电路板1的一侧设置有吸波板4,吸波板4与第一器件9正对设置,吸波板4用于吸收辐射器所产生的电磁波。
吸波板4与第一器件9正对设置是指吸波板4在电路板1上的垂直投影覆盖第一器件9在电路板1上的垂直投影,一般情况下,吸波板4的横截面大于第一器件9的横截面,这样设置有利于吸波板4充分吸收第一器件9所产生的电磁波。吸波板4的横截面和第一器件9的横截面均与电路板1平行。本申请中,如图6所示,吸波板4与第一器件9正对设置是指吸波板4位于第一器件9的正上方。由于第一器件9为辐射器件,将吸波板4与第一器件9正对设置,有利于吸波板4充分吸收辐射器件所产生的电磁波,避免辐射器件的电磁波对其它器件的正常工作造成干扰。
本申请实施例中,第一器件9为辐射器件,该辐射器件可以是功率放大器(PowerAmplifier,PA),具体的,可以是射频功率放大器、音频放大器、WIFI放大器、蓝牙(Bluetooth,BT)放大器、屏幕有机发光半导体(Organic Electroluminescence Display,OLED)OLED、液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)芯片处理器或摄像头模组芯片处理器等。其它器件可以是一个或者多个第二器件,第二器件可以为电路板1上或电路板1周围的器件,例如,第二器件可以是用于射频发射的发射器件,或者发射端前端器件,如连接到发射器件上的一些走线。第二器件也可以是用于射频接收的接收器件7,或者接收端前端器件8,如连接到接收器件7的一些走线,或者是射频芯片10等。
需要说明的是,本申请实施例中,其它器件可以是指代发射器件、发射端前端器件、接收器件7、接收端前端器件8、射频芯片10中的一种或者多种。其中,第一器件9和第二器件可以是直接设置在电路板1上,也可以是不直接设置于电路板1上,但位于上述的封闭空间内。例如,如图1所示,在封闭空间内设置有隔板,可以将第二器件或者部分第二器件设置在隔板上。如图6所示,本申请实施例中的其它器件包括接收器件7和接收端前端器件8。
本申请实施例中,将第一屏蔽板2设置为环形,有利于配合第二屏蔽板3和电路板1形成封闭的空间。第一屏蔽板2可以是圆环形,或者是由多块屏蔽板首尾相连所围成的环形,如长方体形、正方体形、正多边体形或者其它不规则的环形。本申请实施例中的第一屏蔽板2的形状为长方体形。第二屏蔽板3的形状可以与第一屏蔽板2的截面的形状相同,以实现刚好与第一屏蔽板2配合形成一封闭的空间,第二屏蔽板3的形状也可以设置为大于第一屏蔽板2的截面,上述的第一屏蔽板2的截面与电路板1平行。
如图6所示,本申请实施例中的第一屏蔽板2为长方体形,第二屏蔽板3的形状为一长方形,且第二屏蔽板3的形状与第一屏蔽板2的截面相同,即第二屏蔽板3刚好覆盖在第一屏蔽板2上,形成一个封闭的长方体空间。其中,第二屏蔽板3可以通过焊接或者粘接的方式固定在第一屏蔽板2上,当采用粘接的方式相连时,一般采用导电胶进行粘接,以使得第一屏蔽板2和第二屏蔽板3形成一个完整的法拉第笼,以对辐射器件所产生的电磁波形成良好的屏蔽。此外,第二屏蔽板3与第一屏蔽板2还可以一体成型。本申请实施例中,第一屏蔽板2和第二屏蔽板3均为导电材质。具体的,可以采用金属材质,例如,可以采用铜片或者铁片等。
其中,第一屏蔽板2和电路板1之间固定连接。本申请实施例中第一屏蔽板2和电路板1之间采用表面贴装技术(Surface Mounted Technology,SMT)进行固定连接,表面贴装技术的主要工艺流程包括:锡膏印刷、零件贴装、回流焊接、自动光学检测(AutomatedOptical Inspection、AOI)、维修和分板。采用表面贴装技术将第一屏蔽板2连接在电路板1上,可以提高第一屏蔽板2与电路板1之间的连接强度,以保障该结构在长期使用中的可靠性,而且采用该技术无需增加额外的连接件,不会增加整体的重量,采用回流焊接的方式也不会占用较多连接面积。
图6所示的方式中,吸波板4直接固定在第二屏蔽板3上,当第一屏蔽板2采用表面贴装技术连接在电路板1上时,第二屏蔽板3不宜与第一屏蔽板2一体成型,因为在进行表面贴装技术的回流焊接工艺时,回流焊接的焊接温度可达到245℃左右,而吸波板4一般不耐高温。因此若将第一屏蔽板2和第二屏蔽板3一体成型,在采用表面贴装技术连接第一屏蔽板2与电路板1时,可能由于温度过高,导致吸波板4损坏。因此在采用图6所示的结构时,可以先采用表面贴装技术将第一屏蔽板2固定连接在电路板1上,在将第二屏蔽板3固定在第一屏蔽板2上,可以采用胶粘或者其它的连接方式。
参考图7,图7为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之二。如图7所示,在第二屏蔽板3上设有一开口,开口正对辐射器件设置,在第二屏蔽板3上设置有第三屏蔽板,第三屏蔽板将开口完全覆盖,第三屏蔽板包括基板5和设置在基板5上的吸波板4,基板5连接在第二屏蔽板3上,吸波板4位于开口处,且与辐射器件正对设置。
本申请实施例中,通过在第二屏蔽板3上设置开口,并将第三屏蔽板安装在第二屏蔽板3的开口处,并且实现对开口的完全覆盖,第一屏蔽板2、第二屏蔽板3、第三屏蔽板和电路板1形成一个封闭的空间,从而形成一个完整的法拉第笼。其中,第三屏蔽板包括基板5和吸波板4,基板5为导电材质,可以为金属板,具体的,基板可以为铜箔。基板5连接在第二屏蔽板3上,用于与第一屏蔽板2和第二屏蔽板3形成完整的法拉第笼。第三屏蔽板上的吸波板4用于吸收第一器件9所产生的电磁波,为了更好的吸收第一电器产生的电磁波,将吸波板4设置在第一器件9的正上方,由于吸波板4位于第二屏蔽板3上的开口处,因此将第二屏蔽板3上的开口也设置在第一器件9的正上方。
参考图8,图8为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构中第三屏蔽板的结构示意图。如图8所示,第三屏蔽板包括基板5和吸波板4,其中,基板5连接在第二屏蔽板3上,吸波板4固定在基板5上,吸波板4可以通过胶粘或者螺钉连接的方式固定在基板5上。基板5可以固定连接在第二屏蔽板3上,也可以可拆卸连接在第二屏蔽板3上。
由于第一屏蔽板2、第二屏蔽板3、第三屏蔽板和电路板1要形成一个完整的法拉第笼,第三屏蔽板是连接在第二屏蔽板3上的,具体的,是第三屏蔽板上的基板5与第二屏蔽板3相连。因此,基板5在与第二屏蔽板3相连时,两者的连接处需要保持良好的导电性。第三屏蔽板的基板5与第二屏蔽板3相连时,可以采用焊接或者导电胶的形式进行连接,本申请实施例中基板5与第二屏蔽板3之间采用导电胶进行连接。采用导电胶进行连接,可以保证第三屏蔽板和第二屏蔽板3之间具有良好的导电性和一定的连接强度,同时,在第三屏蔽板的吸波板4使用一段时间后,需要进行更换时,可以直接将第三屏蔽板从第二屏蔽板3上拆卸下来,更换新的第三屏蔽板粘接在第二屏蔽板3的开口处即可,使得维修十分方便,相比于传统的维修方式中需要采用人工风枪高温吹化连接的锡膏,避免了芯片局部受热导致报废的问题,同时,也降低了维修成本。
本申请实施例中,由于基板5与第二屏蔽板3之间采用导电胶进行连接,为了方便生产第三屏蔽板,吸波板4与基板5之间也采用导电胶进行粘接。具体的,第三屏蔽板的基板5可以采用铜等良导体制成,然后再基板5上铺设导电胶,将吸波板4放置于铺设有导电胶的基板5上,并将吸波板4与基板5压合。
为了方便第三屏蔽板的连接,在第二屏蔽板3上开设开口时,开口的大小大于吸波板4的横截面,但小于基板5的横截面,吸波板4的横截面和基板5的横截面均平行于第二屏蔽板3。设置开口的大小小于吸波板4的横截面,是为了方便吸波板4通过开口,从而使得吸波板4位于第一屏蔽板2、第二屏蔽板3、第三屏蔽板和电路板1要形成封闭空间内,并位于第一器件9的正上方。设置开口的大小小于基板5的横截面,是保证基板5在与第二屏蔽板3连接时,基板5与第二屏蔽板3之间有足够的接触面积,以保证基板5与第二屏蔽板3之间的连接强度。
如图8所示,本申请实施例中,基板5的横截面积大于吸波板4的横截面积,在基板5上未被吸波板4覆盖的地方也涂有导电胶,形成导电胶层6。在将第三屏蔽板与第二屏蔽板3连接时,将吸波板4放置于第二屏蔽板3的开口内,并将基板5贴在第二屏蔽板3上,然后将基板5与第二屏蔽板3压合,使得导电胶层6将基板5与第二屏蔽板3粘接在一起。
本申请实施例中,基板5的外形尺寸大于或等于导电胶层6的外形尺寸,导电胶层6的外形尺寸大于第二屏蔽板3上开口的外形尺寸,这样设置是为了保证基板5可以通过导电胶层6实现与第二屏蔽板3之间进行粘接。第二屏蔽板3上开口的外形尺寸大于吸波板的外形尺寸,这样设置方便将吸波板设置于屏蔽罩内,以吸收第一器件所产生的电磁波。外形尺寸包括长、宽、直径、周长等。基板5的外形尺寸大于或等于导电胶层6的外形尺寸是指基板5可以完全覆盖导电胶层6,或者基板5与导电胶层6重合;导电胶层6的外形尺寸大于第二屏蔽板3上开口的外形尺寸是指导电胶层6可以完全覆盖住第二屏蔽板3上的开口;第二屏蔽板3上开口的外形尺寸大于吸波板的外形尺寸是指吸波板与第二屏蔽板3平行时,仍可穿过第二屏蔽板3上的开口。
在采用上述结构的第三屏蔽板时,由于第三屏蔽板可以通过导电胶粘接的形式连接在第二屏蔽板3上,因此,第一屏蔽板2和第二屏蔽板3可以是一体成型。如图9所示,图9为本申请实施例提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构的示意图之三。第一屏蔽板2和第二屏蔽板3一体成型之后,可以采用SMT连接到电路板1上。具体的,由于第二屏蔽板3上设置有开口,因此可以将一体成型的第一屏蔽板2和第二屏蔽板3采用SMT连接到电路板1上,然后再将第三屏蔽板粘接到第二屏蔽板3上,这样设置可以避免SMT工艺中的高温对吸波板4造成损伤。
本申请实施例,通过将第一屏蔽板2、第二屏蔽板3和/或第三屏蔽板设置为一个完整的、封闭的屏蔽罩,避免了屏蔽罩内辐射外泄的问题。通过在屏蔽罩内部增设吸波板4,吸波板4位于第一器件9的正上方,用于吸收第一器件9所产生的电磁波,减小第一器件9所产生的电磁波对其它器件造成干扰。解决了屏蔽罩内部需要额外分腔以放置第一器件9的问题,避免了分腔对电路板1面积的占用,减小了在电路板1上的布局局限。吸波板4将第一器件9的辐射杂散及时吸收,使得第一器件9和第二器件可以放置于同一腔体内,使得走线也可以更加灵活。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
尽管已描述了本申请实施例的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,本申请保护范围包括优选实施例以及落入本申请实施例范围的所有变更和修改。
以上对本申请所提供的一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
以上内容,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构,包括电路板以及设置在所述电路板上的第一器件和其它器件,其特征在于,还包括设置在所述电路板上的环形的第一屏蔽板,所述第一屏蔽板上设置有第二屏蔽板,所述电路板、所述第一屏蔽板和所述第二屏蔽板形成一封闭的屏蔽罩,所述第一器件和所述其它器件位于所述屏蔽罩内,所述第二屏蔽板靠近所述电路板的一侧设置有吸波板,所述吸波板与所述第一器件正对设置,所述吸波板用于吸收所述第一器件所产生的电磁波。
2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述第二屏蔽板上设有一开口,所述开口正对所述第一器件设置,所述第二屏蔽板上设置有第三屏蔽板,所述第三屏蔽板将所述开口完全覆盖,所述第三屏蔽板包括基板和设置在所述基板上的所述吸波板,所述基板连接在所述第二屏蔽板上,所述吸波板位于所述开口处,且与所述第一器件正对设置。
3.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,所述基板完全覆盖所述开口,所述吸波板穿过所述开口位于所述屏蔽罩内,所述基板可拆卸连接在所述第二屏蔽板上。
4.根据权利要求2或3所述的结构,其特征在于,所述吸波板通过导电胶层粘接在所述基板上,所述基板通过所述导电胶层粘接在所述第二屏蔽板上。
5.根据权利要求4所述的结构,其特征在于,所述基板的外形尺寸大于或等于所述导电胶层的外形尺寸,所述导电胶层的外形尺寸大于所述第二屏蔽板上所述开口的外形尺寸,所述第二屏蔽板上所述开口的外形尺寸大于所述吸波板的外形尺寸。
6.根据权利要求4所述的结构,其特征在于,所述第一屏蔽板、所述第二屏蔽板和所述基板均为金属板。
7.根据权利要求6所述的结构,其特征在于,所述基板为铜箔。
8.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述第一屏蔽板通过表面贴装技术连接在所述电路板上。
9.根据权利要求8所述的结构,其特征在于,所述第一屏蔽板和所述第二屏蔽板一体成型。
10.一种电子设备,其特征在于,包括机身以及如权利要求1至9任意一项所述的结构,所述结构设置于所述机身内。
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