CN213692067U - 一种新型激光重掺杂图形结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开的属于激光技术领域，具体为一种新型激光重掺杂图形结构，其技术方案是：包括第一硅片，所述第一硅片两侧连接有第二硅片，所述第一硅片上方固定安装有第一正面电极网版，所述第一正面电极网版包括第一正面主栅线、第一副栅线，所述第一正面主栅线与第一副栅线相互连接，所述第二硅片上方固定安装有第二正面电极网版，所述第二正面电极网版包括第二正面主栅线、第二副栅线，所述第二正面主栅线与第二副栅线相互连接，本实用新型的有益效果是：通过在第二硅片上第二正面电极网版、第二背面电极网版连接的第一矩形连接栅、第二矩形连接栅与第一正面电极网版、第一背面正极网版连接，使得电阻分布均匀。

Description

一种新型激光重掺杂图形结构

技术领域

本实用新型涉及激光技术领域，具体涉及一种新型激光重掺杂图形结构。

背景技术

随着硅片尺寸和扩散方块电阻进一步提高，匹配SE工艺，达到局部重掺杂目的，提升转换效率。

现有技术存在以下不足：现有的装置大尺寸硅片和方块电阻的提高带来扩散方阻均匀性变差，一般扩散后硅片边角局部方阻差异较大，丝网烧结易出现边缘云雾状烧结不良，导致良率和效率低，影响工作质量，降低生产效益。

因此，实用新型一种新型激光重掺杂图形结构很有必要。

实用新型内容

为此，本实用新型提供一种新型激光重掺杂图形结构，通过在第二硅片上第二正面电极网版、第二背面电极网版连接的第一矩形连接栅、第二矩形连接栅与第一正面电极网版、第一背面正极网版连接，使得电阻分布均匀，以解决方阻均匀性差，丝网烧结易出现边缘云雾状烧结不良导致良率和效率低的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型激光重掺杂图形结构，包括第一硅片，所述第一硅片两侧连接有第二硅片，所述第一硅片上方固定安装有第一正面电极网版，所述第一正面电极网版包括第一正面主栅线、第一副栅线，所述第一正面主栅线与第一副栅线相互连接，所述第二硅片上方固定安装有第二正面电极网版，所述第二正面电极网版包括第二正面主栅线、第二副栅线，所述第二正面主栅线与第二副栅线相互连接，所述第二正面电极网版靠近第一正面电极网版一侧固定连接有第一矩形连接栅，所述第二正面电极网版通过第一矩形连接栅与第一正面电极网版连接，所述第二硅片远离第二正面电极网版一端固定安装有第二背面电极网版，所述第二背面电极网版包括第二背面主栅线、第二矩形连接栅，所述第二背面主栅线与第二矩形连接栅相互连接，所述第一硅片远离第一正面电极网版一端固定安装有第一背面电极网版，所述第一背面电极网版包括第一背面主栅线，所述第一背面主栅线与第一硅片固定连接。

优选的，所述第一硅片与第二硅片连接处开设有第一凹槽，所述第一凹槽上方固定安装有第一凸块，所述第二硅片与第一硅片连接处开设有第二凹槽，所述第二凹槽下方固定安装有第二凸块，所述第一凸块与第二凹槽对应，所述第二凸块与第一凹槽对应，所述第一硅片与第二硅片通过第一凸块、第二凹槽、第二凸块、第一凹槽进行限位。

优选的，所述第二硅片远离第一硅片一端开设有倒角。

优选的，所述第一硅片与第二硅片通过研磨固定连接。

优选的，所述第一副栅线连接有第一防断结构。

优选的，所述第二副栅线连接有第二防断结构，所述第二副栅线远离有第二防断结构一侧连接有第三防断结构。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过在第二硅片上第二正面电极网版、第二背面电极网版连接的第一矩形连接栅、第二矩形连接栅与第一正面电极网版、第一背面正极网版连接，使得方阻分布的更加均匀，减少因方阻不均匀导致的云雾状发黑，提升电池成品良率和电池转化效率。

附图说明

图1为本实用新型提供的主视图；

图2为本实用新型提供的第一硅片与第二硅片俯视图；

图3为本实用新型提供的第一硅片与第二硅片连接剖视图；

图4为本实用新型提供的第一背面电极网版与第二背面电极网版连接图；

图中：1第一硅片、11第一凹槽、12第一凸块、13第一正面电极网版、14第一正面主栅线、15第一防断结构、16第一副栅线、17第一背面电极网版、18第一背面主栅线、2第二硅片、21第二凹槽、22第二凸块、23第二防断结构、24第三防断结构、25倒角、26第二正面主栅线、27第二副栅线、28第二背面电极网版、29第二背面主栅线、210第一矩形连接栅、211第二矩形连接栅、212第二正面电极网版。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参照附图1-4，本实用新型提供的一种新型激光重掺杂图形结构，包括第一硅片1，所述第一硅片1两侧连接有第二硅片2，所述第一硅片1上方固定安装有第一正面电极网版13，所述第一正面电极网版13包括第一正面主栅线14、第一副栅线16，所述第一正面主栅线14与第一副栅线16相互连接，所述第二硅片2上方固定安装有第二正面电极网版212，所述第二正面电极网版212包括第二正面主栅线26、第二副栅线27，所述第二正面主栅线26与第二副栅线27相互连接，所述第二正面电极网版212靠近第一正面电极网版13一侧固定连接有第一矩形连接栅210，所述第二正面电极网版212通过第一矩形连接栅210与第一正面电极网版13连接，所述第二硅片2远离第二正面电极网版212一端固定安装有第二背面电极网版28，所述第二背面电极网版28包括第二背面主栅线29、第二矩形连接栅211，所述第二背面主栅线29与第二矩形连接栅211相互连接，所述第一硅片1远离第一正面电极网版13一端固定安装有第一背面电极网版17，所述第一背面电极网版17包括第一背面主栅线18，所述第一背面主栅线18与第一硅片1固定连接；

进一步地，所述第一硅片1与第二硅片2连接处开设有第一凹槽11，所述第一凹槽11上方固定安装有第一凸块12，所述第二硅片2与第一硅片1连接处开设有第二凹槽21，所述第二凹槽21下方固定安装有第二凸块22，所述第一凸块12与第二凹槽21对应，所述第二凸块22与第一凹槽11对应，所述第一硅片1与第二硅片2通过第一凸块12、第二凹槽21、第二凸块22、第一凹槽11进行限位，使得第一硅片1、第二硅片2研磨时不会产生错位，位置更加精确；

进一步地，所述第二硅片2远离第一硅片1一端开设有倒角25，方形的第二硅片2边角处的应力是比较大的，同时也容易产生微损伤，倒角25处理可以避免这种现象发生；

进一步地，所述第一硅片1与第二硅片2通过研磨固定连接，第一硅片1和第二硅片2都是精细材料，通过研磨固定连接使得第一硅片1和第二硅片2损耗最小；

进一步地，所述第一副栅线16连接有第一防断结构15，增加第一副栅线16之间的连接强度，增加使用寿命；

进一步地，所述第二副栅线27连接有第二防断结构23，所述第二副栅线27远离有第二防断结构23一侧连接有第三防断结构24，增加第二副栅线27之间的连接强度，增加使用寿命。

本实用新型的使用过程如下：在使用本实用新型时将第一硅片1上的第一凸块12插入第二硅片2上的第二凹槽21，将第二硅片2上的第二凸块22插入第一硅片1上的第一凹槽11，使得第一硅片1与第二硅片2进行限位，第一硅片1与第二硅片2通过研磨固定连接，将第一硅片1正面均设有10条第一正面主栅线14，第一正面电极网版13包括第一副栅线16，第一副栅线16均匀分布在第一硅片1上，并与第一正面主栅线14连接，第一副栅线16之间连接有第一防断结构15，第二硅片2上均设有19条第二正面主栅线26，第二正面电极网版212包括第二正面副栅线27，第二正面副栅线27均匀分布在第二硅片2上，并与第二正面主栅线26连接，第二正面副栅线27之间连接有第二防断连接结构23和第三防断连接结构24，第二硅片2上第二正面电极网板26靠近第一硅片1一侧连接有第一矩形连接栅10，第一矩形连接栅10远离第二正面电极网板26一端与第一正面电极网版13连接，第二背面电极网版28包括第二背面主栅线29，第二背面电极网版28靠近第一硅片1一端连接有第二矩形连接栅211，第一背面电极网版17包括第一背面主栅线17，第一背面主栅线17均匀分布在第一硅片1上，并且与第二矩形连接栅211连接，使得第一正面电极网板13、第一背面电极网版17上的电流通过第一矩形连接栅10、第二矩形连接栅211均匀分布在第二正面电极网版13、第二背面电极网版28上，也使得方阻分布地更加均匀，形成良好的欧姆接触，提高晶硅太阳电池转换效率。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，任何熟悉本领域的技术人员均可能利用上述阐述的技术方案对本实用新型加以修改或将其修改为等同的技术方案。因此，依据本实用新型的技术方案所进行的任何简单修改或等同置换，尽属于本实用新型要求保护的范围。

Claims (6)

1.一种新型激光重掺杂图形结构，包括第一硅片（1），其特征在于：所述第一硅片（1）两侧连接有第二硅片（2），所述第一硅片（1）上方固定安装有第一正面电极网版（13），所述第一正面电极网版（13）包括第一正面主栅线（14）、第一副栅线（16），所述第一正面主栅线（14）与第一副栅线（16）相互连接，所述第二硅片（2）上方固定安装有第二正面电极网版（212），所述第二正面电极网版（212）包括第二正面主栅线（26）、第二副栅线（27），所述第二正面主栅线（26）与第二副栅线（27）相互连接，所述第二正面电极网版（212）靠近第一正面电极网版（13）一侧固定连接有第一矩形连接栅（210），所述第二正面电极网版（212）通过第一矩形连接栅（210）与第一正面电极网版（13）连接，所述第二硅片（2）远离第二正面电极网版（212）一端固定安装有第二背面电极网版（28），所述第二背面电极网版（28）包括第二背面主栅线（29）、第二矩形连接栅（211），所述第二背面主栅线（29）与第二矩形连接栅（211）相互连接，所述第一硅片（1）远离第一正面电极网版（13）一端固定安装有第一背面电极网版（17），所述第一背面电极网版（17）包括第一背面主栅线（18），所述第一背面主栅线（18）与第一硅片（1）固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第一硅片（1）与第二硅片（2）连接处开设有第一凹槽（11），所述第一凹槽（11）上方固定安装有第一凸块（12），所述第二硅片（2）与第一硅片（1）连接处开设有第二凹槽（21），所述第二凹槽（21）下方固定安装有第二凸块（22），所述第一凸块（12）与第二凹槽（21）对应，所述第二凸块（22）与第一凹槽（11）对应，所述第一硅片（1）与第二硅片（2）通过第一凸块（12）、第二凹槽（21）、第二凸块（22）、第一凹槽（11）进行限位。

3.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第二硅片（2）远离第一硅片（1）一端开设有倒角（25）。

4.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第一硅片（1）与第二硅片（2）通过研磨固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第一副栅线（16）连接有第一防断结构（15）。

6.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第二副栅线（27）连接有第二防断结构（23），所述第二副栅线（27）远离有第二防断结构（23）一侧连接有第三防断结构（24）。

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