CN213583724U - 太阳能电池成膜用托盘 - Google Patents
太阳能电池成膜用托盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN213583724U CN213583724U CN202023138850.8U CN202023138850U CN213583724U CN 213583724 U CN213583724 U CN 213583724U CN 202023138850 U CN202023138850 U CN 202023138850U CN 213583724 U CN213583724 U CN 213583724U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tray
- solar cell
- silicon wafer
- silicon
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种太阳能电池成膜用托盘。所述托盘包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘的硅片支撑区以及位于其中部的中空区，所述中空区上跨设有不高于所述硅片支撑区的辅助支撑件，所述辅助支撑件用于辅助支撑硅片且沿着硅片的预设切割线设置，在所述硅片对应制成太阳能电池之后所述预设切割线被切割而使所述太阳能电池相应分成多片。本实用新型可有效减小硅片的下垂量，从而能降低碎片率，避免硅片边缘绕镀、硅片整批报废。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及太阳能电池成膜用托盘。
背景技术
薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或HJT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，其结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景。
为获得更高组件功率以降低单位成本，光伏企业纷纷发布规格或边长为18Xmm(例如180mm、182mm或188mm)以及210mm等大尺寸硅片(简称“大硅片”)，当采用大硅片制作异质结太阳能电池时，其核心制造工艺包括：利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在表面织构化后的N型晶体硅的一面上沉积很薄的I型本征非晶硅薄膜和P 型非晶硅薄膜，并在晶体硅的另一面沉积薄的I型本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜，两面的非晶硅薄膜制作可同步进行也可分步进行；再在电池的两面沉积透明氧化物导电(ITO)薄膜，然后在ITO薄膜上制作金属电极。
在硅片上沉积非晶硅薄膜或ITO薄膜时，会将硅片放置在如图1 所示的托盘中进行。如图1及图2所示，所述托盘包括由多个凹槽单元10组成的盘体1，所述凹槽单元10的硅片支撑区10A用于支撑硅片 2，其中部区域10B为中空的，100-200μm的薄硅片设置在硅片支撑区 10A上时，会产生如图2所示的下垂。硅片越大越薄，下垂量越大。
硅片下垂量过大会带来如下问题：第一、硅片边缘发生绕镀，使得制成的太阳能电池导通；第二、硅片易卡住而产生碎片，需暂停进行清理而影响生产；第三、硅片在从凹槽单元10掉下后，使其中空区 10B无遮盖，会导致整个托盘上的太阳能电池报废。
因此，如何提供一种太阳能电池成膜用托盘既能避免硅片悬垂弯曲造成的边缘绕镀，又能避免悬垂过大造成的碎片及批量报废，已成为业内亟待解决的技术问题。
发明内容
针对现有技术的上述问题，本实用新型提出了一种太阳能电池成膜用托盘，包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘的硅片支撑区以及位于其中部的中空区，所述中空区上跨设有不高于所述硅片支撑区的辅助支撑件，所述辅助支撑件用于辅助支撑硅片且沿着硅片的预设切割线设置，在所述硅片对应制成太阳能电池之后所述预设切割线被切割而使所述太阳能电池相应分成多片。
在一实施例中，所述硅片支撑区呈方框状，所述中空区的横截面为正方形。
在一实施例中，所述硅片支撑区的宽度为5mm-10mm。
在一实施例中，所述硅片的预设切割线位于所述硅片的中部，所述辅助支撑件横跨所述中空区的中部。
在一实施例中，所述辅助支撑件为沿着所述盘体的长或宽横跨所述中空区的支撑肋或金属线。
在一实施例中，所述支撑肋与所述盘体为一体成型，所述盘体及支撑肋的材质相同并且均为石墨、铝、不锈钢、陶瓷、玻璃、聚酰亚胺或聚芳醚。
在一实施例中，所述金属线通过焊接点或固定件跨设在所述中空区中，所述盘体的材质为石墨、铝、不锈钢、陶瓷、玻璃、聚酰亚胺或聚芳醚，所述金属线的材质为不锈钢或铝。
在一实施例中，所述凹槽单元适于容纳180mm×180mm、 182mm×182mm、188mm×188mm或210mm×210mm尺寸的单晶硅片。
在一实施例中，所述盘体的宽度范围为150cm-200cm，长度范围为 150cm-200cm，厚度范围为0.3cm-1cm。
本实用新型的太阳能电池成膜用托盘的盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘的硅片支撑区以及位于其中部的中空区，所述中空区上跨设有不高于所述硅片支撑区的辅助支撑件，所述辅助支撑件用于辅助支撑硅片且沿着硅片的预设切割线设置，在所述硅片对应制成太阳能电池之后所述预设切割线被切割而使所述太阳能电池相应分成多片。
本实用新型特别是其辅助支撑件通过在中部支撑而有效减小硅片的下垂量，从而能降低碎片率，避免硅片边缘绕镀、硅片整批报废。所述辅助支撑件用于辅助支撑硅片且沿着硅片的预设切割线设置，不会对制成的太阳能电池的性能或效率造成不良影响。
附图说明
在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本实用新型的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1为现有技术中太阳能电池成膜用托盘的俯视示意图。
图2为图1中的凹槽单元10的剖面结构示意图。
图3为本实用新型中太阳能电池成膜用托盘的俯视示意图。
图4为图3中的凹槽单元30的纵向剖面结构示意图。
图5为图3中的凹槽单元30的横向剖面结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作详细描述，以便更清楚理解本实用新型的目的、特点和优点。应理解的是，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本实用新型的保护范围进行任何限制。除非上下文明确地另外指明，否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。
以下将结合附图所示的具体实施例对本实用新型进行详细描述。值得说明的是，下文所记载的实施例并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施例所做出的结构或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
图3为本实用新型中的太阳能电池成膜用托盘的俯视示意图。如图3所示，太阳能电池成膜用托盘包括盘体3，盘体3上以阵列方式排布有多个用于承载硅片的凹槽单元30。所述盘体3的材质可为石墨、铝、不锈钢、陶瓷或玻璃，也可为聚酰亚胺或聚芳醚等聚合物。
盘体3的宽度范围为150cm-200cm，长度范围为150cm-200cm，厚度范围为0.3cm-1cm。所述凹槽单元30适于容纳180mm×180mm、 182mm×182mm、188mm×188mm或210mm×210mm等较大尺寸的单晶硅片。
图4和图5分别为图3中的凹槽单元30的纵向剖面结构示意图以及横向剖面结构示意图。参见图3至图5，所述凹槽单元30包括硅片支撑区30A、中空区30B、辅助支撑件30C以及限位阻挡区30D，限位阻挡区30D以及硅片支撑区30A位于凹槽单元30的边缘，硅片支撑区30A位于限位阻挡区30D的内侧并且与硅片的形状相匹配，限位阻挡区 30D用于将硅片限位在硅片支撑区30A上，中空区30B位于凹槽单元 30的中部。在本实施例中，所述硅片支撑区30A及限位阻挡区30D均呈方框状，所述硅片支撑区30A的宽度为5mm-10mm，所述中空区30B的横截面为正方形。
辅助支撑件30C跨设在所述中空区30B上且不高于硅片支撑区 30A。辅助支撑件30C提供的支撑高度可等于或小于硅片支撑区30A提供的支撑高度。所述辅助支撑件30C用于辅助支撑硅片2且沿着硅片的预设切割线(未图示)设置，在所述硅片对应制成太阳能电池之后沿着所述预设切割线进行切割而将所述太阳能电池相应分成多片。在本实施例中，所述硅片的预设切割线可位于所述硅片的中部，所述辅助支撑件30C横跨所述中空区30B的中部，对应制成的每片太阳能电池在沿着所述预设切割线切割后分成两片。
所述凹槽单元30也可设置有呈阶梯状减缩排列的多个硅片支撑区，可相应放置多种规格的硅片。所述辅助支撑件30C可设置成不高于尺寸最小的硅片支撑区。
如图3至图5所示的，所述辅助支撑件30C可为沿着所述盘体的长或宽横跨所述中空区的支撑肋。所述支撑肋与所述盘体30A可为一体成型，两者的材质为相同的，支撑肋的材质因此可为石墨、铝、不锈钢、陶瓷或玻璃，也可为聚酰亚胺或聚芳醚等聚合物。
所述辅助支撑件30C可为沿着所述盘体的长或宽横跨所述中空区的金属线。所述金属线通过焊接点或固定件跨设在所述中空区30B，当所述盘体3的材质为铝、不锈钢时，所述金属线的材质可与所述盘体3 相同。当所述盘体3的材质为陶瓷、玻璃、聚酰亚胺或聚芳醚时，所述金属线的材质为与其不同的不锈钢或铝。
在硅片上沉积非晶硅薄膜或ITO薄膜时，将单晶硅片2放置在如图3至图5所示的凹槽单元30中，硅片2由硅片支撑区30A以及辅助支撑件30C支撑，设置在如图4或图5所示的凹槽单元30中的硅片2 的下垂量明显小于设置在如图2所示的凹槽单元10中的硅片2的下垂量，本实用新型的凹槽单元30能有效减小硅片的下垂量及与之相关的各种问题。
本实用新型的太阳能电池成膜用托盘的盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘的硅片支撑区以及位于其中部的中空区，所述中空区上跨设有不高于所述硅片支撑区的辅助支撑件，所述辅助支撑件用于辅助支撑硅片且沿着硅片的预设切割线设置，在所述硅片对应制成太阳能电池之后所述预设切割线被切割而使所述太阳能电池相应分成多片。
本实用新型特别是其辅助支撑件通过在中部支撑而有效减小硅片的下垂量，从而能降低碎片率，避免硅片边缘绕镀、硅片整批报废。所述辅助支撑件用于辅助支撑硅片且沿着硅片的预设切割线设置，不会对制成的太阳能电池的性能或效率造成不良影响。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上述实施例是提供给熟悉本领域内的人员来实现或使用本实用新型的，熟悉本领域的人员可在不脱离本实用新型的发明思想的情况下，对上述实施例做出种种修改或变化，因而本实用新型的保护范围并不被上述实施例所限，而应该是符合权利要求书提到的创新性特征的最大范围。
Claims (9)
1.一种太阳能电池成膜用托盘，包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，所述凹槽单元包括位于其边缘的硅片支撑区以及位于其中部的中空区，其特征在于，所述中空区上跨设有不高于所述硅片支撑区的辅助支撑件，所述辅助支撑件用于辅助支撑硅片且沿着硅片的预设切割线设置，在所述硅片对应制成太阳能电池之后所述预设切割线被切割而使所述太阳能电池相应分成多片。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述硅片支撑区呈方框状，所述中空区的横截面为正方形。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述硅片支撑区的宽度为5mm-10mm。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述硅片的预设切割线位于所述硅片的中部，所述辅助支撑件横跨所述中空区的中部。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述辅助支撑件为沿着所述盘体的长或宽横跨所述中空区的支撑肋或金属线。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述支撑肋与所述盘体为一体成型，所述盘体及支撑肋的材质相同并且均为石墨、铝、不锈钢、陶瓷、玻璃、聚酰亚胺或聚芳醚。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述金属线通过焊接点或固定件跨设在所述中空区中，所述盘体的材质为石墨、铝、不锈钢、陶瓷、玻璃、聚酰亚胺或聚芳醚，所述金属线的材质为不锈钢或铝。
8.根据权利要求2所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述凹槽单元适于容纳180mm×180mm、182mm×182mm、188mm×188mm或210mm×210mm尺寸的单晶硅片。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述盘体的宽度范围为150cm-200cm，长度范围为150cm-200cm，厚度范围为0.3cm-1cm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023138850.8U CN213583724U (zh) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 太阳能电池成膜用托盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023138850.8U CN213583724U (zh) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 太阳能电池成膜用托盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213583724U true CN213583724U (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=76550388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202023138850.8U Active CN213583724U (zh) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 太阳能电池成膜用托盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213583724U (zh) |
-
2020
- 2020-12-22 CN CN202023138850.8U patent/CN213583724U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8344245B2 (en) | Thin film solar cell module of see-through type | |
| Verlinden et al. | Sliver® solar cells: A new thin-crystalline silicon photovoltaic technology | |
| US9117957B2 (en) | Thin-film solar battery and method for manufacturing the same | |
| CN111916533B (zh) | 切片电池的制备方法、切片电池及光伏组件 | |
| JP2002083990A (ja) | 光起電力素子集合体及びそれを用いた太陽電池モジュールと太陽電池モジュールの製造方法 | |
| US20110126876A1 (en) | Light-transmission thin film solar module and a process thereof | |
| WO2003073516A1 (fr) | Module solaire et son procede de fabrication | |
| CN101937948B (zh) | 一种用于制备聚光薄膜电池的接收器的掩模板 | |
| CN102005488A (zh) | 光电装置及其制造方法 | |
| TW200301332A (en) | Cover glass for a solar battery, a method for production the cover glass and a cover glass and a solar battery module using the cover glass | |
| CN111129179A (zh) | 一种异质结电池及其制备方法 | |
| WO2013100856A2 (en) | Bus bars for solar modules | |
| CN111106208A (zh) | 一种异质结切片电池的制备方法 | |
| CN215731738U (zh) | 一种单晶perc太阳能电池背面激光开槽结构 | |
| CN213583724U (zh) | 太阳能电池成膜用托盘 | |
| CN210711711U (zh) | 用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备 | |
| US20100031995A1 (en) | Photovoltaic module comprising thin laminae configured to mitigate efficiency loss due to shunt formation | |
| CN212934640U (zh) | 一种适用于异质结电池非晶硅沉积的pecvd载板结构 | |
| CN215266223U (zh) | 太阳能电池成膜用托盘 | |
| JP2007088434A (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2003243689A (ja) | 太陽電池用カバーガラス、その製法及び該カバーガラスを使用した太陽電池モジュール | |
| CN102201464B (zh) | 包括柔性或硬性基板的光电装置及其制造方法 | |
| CN216250761U (zh) | 一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置 | |
| CN219861566U (zh) | 成膜用立式载板 | |
| JP4684126B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 201306 plant 3, Lane 2699, Jiangshan Road, Lingang xinpian District, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee after: Ideal Wanlihui Semiconductor Equipment (Shanghai) Co.,Ltd. Address before: 201306 No.3 workshop, Lane 2699, Jiangshan Road, Lingang New District, Pudong New Area Free Trade Zone, Shanghai Patentee before: SHANGHAI LIXIANG WANLIHUI FILM EQUIPMENT Co.,Ltd. |