CN213485163U - 一种mems麦克风芯片和mems麦克风 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种MEMS麦克风芯片和MEMS麦克风。MEMS麦克风芯片包括层叠设置的基板、振膜和电极板，其中基板的中部设有声腔；振膜边缘与基板边缘之间设有第一固定部；振膜与电极板之间通过第二固定部隔离而构成电容结构；振膜上设有第一凹凸结构和第二凹凸结构，第一凹凸结构和第二凹凸结构分别包括由振膜的上表面朝向基板凹陷而形成的第一凹陷部和第二凹陷部，以及由振膜的下表面朝向基板凸起而形成的第一凸起部和第二凸起部，第二凸起部的端部与基板的上表面之间具有间隙；第一凹凸结构与第二凹凸结构之间设有排气孔。本实用新型的MEMS麦克风芯片，可抑制因空气流通引起的振膜不必要振动，提高信噪比。

Description

一种MEMS麦克风芯片和MEMS麦克风

技术领域

本实用新型涉及电子器件技术领域。更具体地，涉及一种MEMS麦克风芯片和MEMS麦克风。

背景技术

MEMS(Micro Electro Machining Systems，微机电系统)麦克风是基于MEMS技术制作的麦克风。与传统驻极体电容式麦克风(ECM)相比，MEMS麦克风具有封装体积小、可靠性高、封装便利性等特点，因此在移动终端设备中得到了广泛应用。

典型的MEMS麦克风一般包括印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)和外壳，二者结合成一个腔体；MEMS麦克风芯片和专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)芯片通过表面贴装技术(Surface Mount Technology，SMT)安装于印刷电路板上且位于腔体内。

MEMS麦克风芯片是MEMS麦克风的关键部件，其主要包括由振膜(membrane)和电极板构成的微型电容器，能将声压变化转化为电容变化，然后由ASIC芯片将电容变化转化为电信号并进行放大。典型的MEMS麦克风芯片结构如图1所示，由下至上依次为基板100、振膜200'和电极板300，其中基板100上设置有声腔101，电极板300上设有若干声孔301。振膜200'对应于声腔101的区域上开设有排气孔203'，用以调整其两侧的气压，形成平衡。但是由于空气不可避免地通过排气孔203'，引起振膜200'的振动，形成不必要的噪音，从而带来信噪比(Signal-Noise Ratio)降低等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种MEMS麦克风芯片和MEMS麦克风，该MEMS麦克风芯片能够避免振膜因空气流通而产生的不必要的噪音，提高其信噪比。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种MEMS麦克风芯片，包括层叠设置的基板、振膜和电极板，其中：

基板的中部设有声腔；

振膜的下表面朝向基板，且振膜的边缘与基板的边缘之间设有第一固定部；振膜的上表面朝向电极板，且振膜与电极板之间通过第二固定部隔离而构成电容结构；

振膜上分别设有靠近振膜边缘的第一凹凸结构和靠近声腔的第二凹凸结构，第一凹凸结构和第二凹凸结构在基板上的正投影均位于第一固定部在基板上的正投影与声腔之间；第一凹凸结构包括由振膜的上表面朝向基板凹陷而形成的第一凹陷部，以及由振膜的下表面朝向基板凸起而形成的第一凸起部，第一凹陷部与第一凸起部的轴线重合；第二凹凸结构包括由振膜的上表面朝向基板凹陷而形成的第二凹陷部，以及由振膜的下表面朝向基板凸起而形成的第二凸起部，第二凹陷部与第二凸起部的轴线重合，第二凸起部的端部与基板的上表面之间具有间隙；振膜上开设有位于第一凹凸结构与第二凹凸结构之间的排气孔。

优选地，基板的上表面开设有凹槽，第一凸起部的端部伸入凹槽内。

优选地，间隙的高度大于等于第二凸起部的宽度；和/或，间隙的高度小于等于第二凸起部与第一凸起部之间距离的一半。

优选地，排气孔为多个长条形开孔，并环绕声腔均匀间隔布置。

优选地，前述开孔的面积为第二凸起部沿振膜厚度方向的纵向截面面积的1.4～2倍。

优选地，排气孔为多个U型切缝，并环绕声腔均匀间隔布置。

优选地，振膜的中间区域朝向电极板凸起而形成台阶部，台阶部的端部在基板上的正投影位于第二凹凸结构在基板上的正投影与声腔之间。

优选地，前述台阶部的高度为第一固定部厚度的六分之一至五分之一。

优选地，前述MEMS麦克风芯片还包括位于电极板上表面的背板。

根据本实用新型的另一个方面，提供了一种MEMS麦克风，该MEMS麦克风包括上述的MEMS麦克风芯片。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提供的MEMS麦克风芯片，通过在振膜边缘内侧设有特定的第一凹凸结构和第二凹凸结构而形成腔室，并将排气孔设置在第一凹凸结构与第二凹凸结构之间，使该腔室分别与声腔和外部连通，形成压力平衡空间，可抑制振膜因空气流通所产生的不必要振动，提高麦克风芯片的信噪比。同时，该腔室能够将外部传来的强气压迅速进行平衡，使振膜不易破损，从而提高MEMS麦克风芯片的耐久性。

进一步地，通过在振膜中部区域设置台阶部，能够增大振膜的振幅及振动弹性，提高电容结构对声学信号的静电容量变化幅度，从而提高MEMS麦克风芯片的灵敏度。

本实用新型提供的MEMS麦克风，由于包括上述MEMS麦克风芯片，因此也具有相同或相似的优点。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出了现有MEMS麦克风芯片的截面示意图。

图2示出本实用新型一实施方式中MEMS麦克风芯片的截面示意图。

图3示出本实用新型一实施方式中MEMS麦克风芯片的局部截面示意图。

图4示出本实用新型一实施方式中MEMS麦克风芯片的俯视图。

图5示出本实用新型一实施方式中MEMS麦克风芯片的局部俯视图。

图6示出本实用新型另一实施方式中MEMS麦克风芯片的俯视图。

图7示出本实用新型另一实施方式中MEMS麦克风芯片的局部俯视图。

图8示出本实用新型另一实施方式中MEMS麦克风芯片的局部截面示意图。

图9至图14分别示出本实用新型MEMS麦克风芯片制作过程中的截面示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型，下面结合优选实施例和附图对本实用新型做进一步的说明。附图中相似的部件以相同或相似的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本实用新型的保护范围。

实施例一

如图2至图8所示，本实施例所提供的MEMS麦克风芯片，由下至上包括层叠设置的基板100、振膜200和电极板300。

其中，基板100具体可以采用半导体材料制成，一般为单晶硅。基板100具有朝向振膜200的上表面、与上表面相对应的下表面、以及贯穿上下表面的声腔101。其中声腔101可以通过深反应离子刻蚀(DRIE)等技术，形成于基板100的中部区域，声腔101中部一般为声学共鸣区。

振膜200的下表面与基板100的上表面之间通过第一固定部201隔离。具体而言，在振膜200的边缘与基板100的边缘之间设有第一固定部201。第一固定部201既可以起到支撑振膜200的作用，也可以保证基板100与振膜200之间的绝缘。

振膜200的上表面与电极板300的下表面之间通过第二固定部202隔离，使层叠设置的振膜200与电极板300构成平行板电容器，其中振膜200与电极板300分别构成了平行板电容器的平行极板，第二固定部202的厚度即为两平行极板之间的距离。

电极板300上开设有若干第一声孔301，外部的空气振动能够通过第一声孔301作用于振膜200，引起振膜200的振动和变形，从而使平行板电容器的电容值发生变化，这样就将声音的振动信号转换成电信号。

振膜200上分别设有靠近其边缘的第一凹凸结构和靠近声腔101的第二凹凸结构，第一凹凸结构和第二凹凸结构在基板100上的正投影均位于第一固定部201在基板100上的正投影与声腔101的上方开口之间。

以下为方便说明，将第一固定部201朝向声腔101的一侧(即自基板100的边缘指向声腔101的方向)定义为“内侧”，将声腔101朝向第一固定部201的一侧定义为“外侧”。按照此定义，则第一凹凸结构位于第一固定部201的内侧，第二凹凸结构位于第一凹凸结构的内侧，且第一凹凸结构和第二凹凸均位于声腔101的外侧。

如图3所示，第一凹凸结构包括由振膜200上表面朝向基板100凹陷而形成的第一凹陷部410，以及由振膜200下表面朝向基板100凸起而形成的第一凸起部420，且第一凹陷部410与第一凸起部420的轴线重合。或者说，第一凹凸结构是由振膜200边缘内侧部分区域朝向基板100方向延伸而形成。

第二凹凸结构包括由振膜200上表面朝向基板100凹陷而形成的第二凹陷部510，以及由振膜200下表面朝向基板100凸起而形成的第二凸起部520，且第二凹陷部510与第二凸起部520的轴线重合。或者说，第二凹凸结构是由位于第一凹凸结构内侧的振膜200部分区域朝向基板100方向延伸而形成。

第一凸起部420、基板100、第二凸起部520和振膜200围合形成一腔室600，其中腔室600的外侧壁由第一凸起部420形成，腔室600的内侧壁由第二凸起部520形成，腔室600的顶部由振膜200形成。

第二凸起部520的端部与基板100的上表面之间具有间隙530，使得腔室600能够通过此间隙530与声腔101连通。腔室600顶部处的振膜200上开设有排气孔203，即排气孔203位于第一凹凸结构与第二凹凸结构之间，使腔室600能够通过排气孔203与振膜200和背板300之间的空间连通。

上述MEMS麦克风芯片中，当振膜200两侧的空气流通时，外部气流首先依次通过第一声孔301和排气孔203进入腔室600，然后经过间隙530再进入声腔101中。或者，声腔101内的空气通过间隙530进入腔室600，然后再依次通过排气孔203和第一声孔301排出到外部。这样腔室600构成了平衡振膜200两侧压力的空间，可抑制因空气流动引起的振膜200发生的不必要振动，提高MEMS麦克风芯片的信噪比。此外，腔室600还能够对流入的气流起到一定的缓冲作用，在一定程度上对从外部传来的强气压进行平衡，避免振膜200发生破损，从而提高MEMS麦克风芯片的耐久性。

由于第二凸起部520朝向基板100凸起，且第二凸起部520与基板100的上表面之间设有间隙530，因此第二凸起部520实际上相当于止挡机构，用于限定振膜200的振动幅度/形变幅度，避免振膜200振动幅度过大而造成破损。并且，第二凸起部520还可在振膜200受到冲击时，向基板100分散冲击力，防止振膜200破损。

可以理解的是，第一凸起部420的凸起高度与第一凹陷部410的凹陷深度、以及第二凸起部520的凸起高度与第二凹陷部510的凹陷深度可以相同，也可以不同。优选地，第一凸起部420的凸起高度与第一凹陷部410的凹陷深度相同，第二凸起部520的凸起高度与第二凹陷部510的凹陷深度相同，以利于应力的释放，避免应力差过大。其中，第一凸起部420和第二凸起部520的凸起高度，指的是振膜200的下表面朝向基板100方向凸起的高度。同理，第一凹陷部410和第二凹陷部510的凹陷深度，指的是振膜200的上表面朝向基板100方向凹陷的深度。

本实施例的一种实现方式中，振膜200上设有多个第一凹凸结构和多个第二凹凸结构。其中，多个第一凹凸结构和多个第二凹凸结构均环绕声腔101间隔设置，二者分别构成同心圆环的外圆和内圆。进一步地，多个第一凹凸结构和多个第二凹凸结构沿各自的圆周均匀排布。

优选地，第一凸起部420为柱形体结构、圆台状结构或棱台状结构；第二凸起部520为柱形体结构、圆台状结构或棱台状结构，以充分扩大振膜200的振动面积，提高振膜200的机械性能。所谓柱形体结构，指的是沿振膜200厚度的方向，第一凸起部420和第二凸起部520的纵截面呈矩形；沿垂直于振膜200厚度的方向，第一凸起部420和第二凸起部520的横截面呈圆形或多边形。所谓圆台状或棱台状结构，指第一凸起部420和第二凸起部520的纵截面呈梯形，且梯形的上底(对应于圆台/棱台的底面)更靠近基板100，第一凸起部420和第二凸起部520的横截面呈圆形或多边形。

更优选地，第一凸起部420的形状与第一凹陷部410的形状相同，以更有利于应力的释放，避免应力差过大，从而能够进一步提高振膜200的抗冲击能力，防止振膜200在振动过程中发生破损。比如第一凸起部420和第一凹陷部410均为柱形体结构。再比如第一凸起部420和第一凹陷部410均呈圆台状或均呈棱台状，且在纵截面中，第一凸起部420的腰与第一凹陷部410的腰平行。同理，第二凸起部520的形状也最好与第二凹陷部510的形状相同，以提高振膜200的抗冲击能力，防止振膜200在振动过程中发生破损。

如图4至图7所示，在本实施例的另一种实现方式中，第一凹凸结构和第二凹凸结构分别环绕声腔101设置，且第一凹凸结构和第二凹凸结构均为连续的整体，二者的横截面均呈圆环形。换言之，第一凹凸结构和第二凹凸结构均是由振膜200环绕声腔101的环形区域整体向基板100方向延伸而成；相应的，腔室300的横截面呈圆环形。在此种实现方式中，第一凸起部420和第二凸起部520的纵截面具体可以呈矩形或梯形。

发明人研究发现，合理控制第一凸起部420与第二凸起部520之间的尺寸比例，能够使腔室600侧壁的第一凸起部420和第二凸起部520能够承受相近或相同的空气压力。一般可控制第一凸起部420的宽度不超过第二凸起部520的宽度，比如第一凸起部420的宽度等于或者略小于第二凸起部520的宽度。在具体实施过程中，一般控制第一凸起部420的宽度与第二凸起部520的宽度比例为五分之四以上或相同。

需要说明的是，本申请中所谓的“宽度”，指的是沿垂直于振膜200厚度的方向，第一凸起部420及第二凸起部520的横截面的宽度。比如图3中，d1代表第一凸起部420的宽度，d2代表第二凸起部520的宽度。当然，若第一凸起部420和第二凸起部520的纵截面为梯形时，则第一凸起部420和第二凸起部520的宽度是指其与振膜200的下表面结合处横截面的宽度。腔室600的宽度，指的是腔室600横截面的宽度，即第一凸起部420与第二凸起部520之间的距离，比如图3中，d3代表腔室600的宽度。若第一凸起部420和第二凸起部520中至少其一的纵截面为梯形，则腔室600的宽度指的是位于第一固定部201高度一半的横截面处的第一凸起部420与第二凸起部520之间的距离。

优选地，第一凸起部420的凸起高度大于第二凸起部520的凸起高度。如图2和图3所示，在更为优选地实施方式中，第一凸起部420的凸起高度大于第一固定部201的厚度，且基板100的上表面开设有凹槽，第一凸起部420的端部伸入所述凹槽内，使得腔室600仅通过间隙530与声腔101连通，提高第一凸起部420对腔室600的封闭效果，从而提升腔室600的气密性。

进一步地，第二凸起部520的端部与基板100上表面之间的间隙530的高度最好与腔室600的宽度相对应，避免因间隙530过大，影响腔室600的气密性，从而失去调节气压的作用。在具体实施过程中，一般控制间隙530的高度不超过腔室600宽度的一半，即控制间隙530的高度小于或等于第一凸起部420与第二凸起部520之间距离的一半。

进一步地，合理控制间隙530的高度，还还能够部分抑制自声腔101内部传来的气压，引导空气从声腔101流入腔室600方向，降低第二凸起部520对气流的阻力。在具体实施过程中，一般控制间隙530的高度大于或等于第二凸起部520的宽度。

如图2至图8所示，排气孔203开设于第一凹凸结构与第二凹凸结构之间的振膜200上，即排气孔203位于腔室600的顶部。进一步参考图4和图5，在本实施例的一种实现方式中，排气孔203为长条形开孔，并且环绕声腔101均匀间隔布置。

进一步地，排气孔203的开孔面积与第二凸起部520的纵向截面面积成正比例关系，以保证流入和流出腔室600的气体量为相同比例，更好地维持振膜200的两侧气压平衡。在具体实施过程中，一般控制排气孔203的开孔面积为第二凸起部520的纵向截面面积的1.4～2倍。

如图6-8所示，在本实施例的另一种实现方式中，排气孔203为大体呈U型的切缝，多个所述U型切缝均匀地环绕声腔101布置。具有U型切缝形状的排气孔203的两侧振膜200分别形成悬臂梁结构，在气流压力的作用下，两侧的悬臂梁结构能够产生弹性变形，使得排气孔203处于打开状态，形成气体流通，并且排气孔203还可根据气压的大小而调节其打开程度。当振膜200两侧的气压减小平衡后，排气孔203变为闭合状态。排气孔203可因空气压力形成开关，从而能够避免振膜200因受外部突然增大的气压而破损。

进一步参考图2，在第二凹凸结构的内侧，即振膜200中部区域设有台阶部204，台阶部204的端部在基板100上的正投影位于第二凸起部520在基板100上的正投影与声腔101之间。也就是说，台阶部204是振膜200中部区域的上下表面均朝向背板300延伸而形成，并且台阶部204完全覆盖声腔101。通过在振膜200上设置台阶部204，能够提高振膜200的敏感性，提高电容结构对声学信号的静电容量变化，提高MEMS麦克风芯片的灵敏性。

更优选地，台阶部204的高度，即台阶部204突出于振膜200上表面的高度值为第一固定部201厚度的1/6至1/5。当台阶部204的高度超过第一固定部201厚度的五分之一时，由声腔101传递来的空气压力使振膜200的灵敏度过分提高，抑制噪音的效果减小；而当台阶部204的高度不足第一固定部201厚度的六分之一时，台阶部204与振膜200其余部分之间不能形成足够的高度差，振膜200的振动弹性较小，导致MEMS麦克风芯片的灵敏度达不到预期。

进一步参考图2，本实用新型MEMS芯片还包括与电极板300层叠设置的背板400，背板400设置于电极板300上表面。背板400上开设有多个第二声孔401，第二声孔401与第一声孔301同轴设置，外部的空气振动通过第二声孔401和第一声孔301进入芯片内部。背板400用于保护电极板300免受外部冲击，同时也可保护整个MEMS麦克风芯片。背板400一般可采用绝缘且低应力的氮化硅材料制成。可以理解的是，背板400可以与第二固定部202连接，电极板300贴合于背板400的下表面。

下面结合图9-14对本实用新型的MEMS麦克风芯片的制作工艺进行说明：

S1、如图9所示，在基板100的上表面形成第一牺牲层610。

此步骤在基板100上设置第一牺牲层610，是为了后续在振膜200上形成台阶部204。具体地，第一牺牲层610覆盖基板100的中部区域并暴露出基板100的边缘区域，且第一牺牲层610的横截面积略大于后续形成的声腔101的横截面积。

S2、如图10所示，在基板100以及第一牺牲层610的上表面形成第二牺牲层620，并对第二牺牲层620进行图案化，从而在靠近第二牺牲层620的边缘处形成第一凹槽621和第二凹槽622。

此步骤中所形成的第二牺牲层620，后续经部分腐蚀后得到第一固定部201；优选地，第二牺牲层620的厚度约为第一牺牲层610厚度的5～6倍。第二牺牲层620的材质和第一牺牲层610的材质可以相同或不同，一般均选择二氧化硅。

在第二牺牲层620上形成第一凹槽621和第二凹槽622，是为了能够在振膜200上相应形成第一凹凸结构和第二凹凸结构。具体地，第一凹槽621和第二凹槽622均位于第一牺牲层610外侧，且第一凹槽621位于第二凹槽622的外侧。优选地，第一凹槽621贯穿第二牺牲层620并延伸至基板100的上表面内，第二凹槽622的深度小于第二牺牲层620的厚度。

S3、如图11所示，在第二牺牲层620的上表面形成振膜200，并在振膜200上开设排气孔203。

由于第二牺牲层620上设有第一凹槽621和第二凹槽622，则振膜200分别填充第一凹槽621和第二凹槽622，对应形成第一凹凸结构和第二凹凸结构。其中第一凸起部420和第二凸起部520的形状分别与第一凹槽621和第二凹槽622的形状对应。

振膜200以低应力的掺杂多晶硅为宜。在振膜200上开设若干个贯通振膜200的排气孔203，且排气孔203位于第一凹凸结构与第二凹凸结构之间。

S4、如图12所示，在振膜200的上表面形成第三牺牲层630。

此步骤中形成第三牺牲层630，目的是为了后续形成第二固定部202，以分隔电极板300和振膜200。

S5、如图13所示，在第三牺牲层630的上表面形成电极板300，并对电极板300进行图案化，从而在电极板300上形成第一声孔301。

电极板300的材质可以与振膜200的材质相同，以掺杂的多晶硅为宜。

S6、如图14所示，在电极板300以及第三牺牲层630的上表面形成背板400，并对背板400进行图案化，以形成与第一声孔301对应的第二声孔401。

背板400用于保护电极板300免受外部冲击，同时也用于保护整个MEMS麦克风芯片，以使用绝缘且低应力的氮化硅为宜。

S7、采用深反应离子刻蚀(DRIE)技术对基板100进行选择性刻蚀，形成声腔101，并通过声腔101对第一牺牲层610和第二牺牲层620、以及通过第二声孔401和第一声孔301对第三牺牲层630进行选择性刻蚀，从而得到如图2所示截面的MEMS麦克风芯片。

实施例二

本实施例提供一种MEMS麦克风，包括MEMS麦克风芯片，MEMS麦克风芯片为以上实施例一中所描述的MEMS麦克风芯片。由于采用了上述实施例中所描述的MEMS麦克风芯片，因此该MEMS麦克风产品也具有此芯片所带来的全部优点。

具体而言，本实施例的MEMS麦克风包括外壳、线路板、ASIC芯片以及MEMS麦克风芯片。其中，外壳通常为金属外壳，线路板通常为印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)，且外壳与线路板形成了收容空间；ASIC芯片和MEMS麦克风芯片位于收容空间内且与PCB板连接；ASIC芯片与MEMS麦克风芯片电连接，二者一般采用金属线电连接。

本实施例提供的MEMS麦克风可以为前进声形式的MEMS麦克风或后进声形式的MEMS麦克风。例如前进声式MEMS麦克风，其用于采集声音的进音孔开设在外壳上，MEMS麦克风芯片和ASIC芯片安装在线路板上，其中MEMS麦克风芯片的背板400朝向进音孔。对于后进音式MEMS麦克风，进音孔一般开设在线路板上，MEMS麦克风芯片的振膜200朝向进音孔。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本实用新型的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种MEMS麦克风芯片，其特征在于，包括层叠设置的基板、振膜和电极板，其中：

所述基板的中部设有声腔；

所述振膜的下表面朝向所述基板，且所述振膜的边缘与所述基板的边缘之间设有第一固定部；所述振膜的上表面朝向所述电极板，且所述振膜与所述电极板之间通过第二固定部隔离而构成电容结构；

所述振膜上分别设有靠近振膜边缘的第一凹凸结构和靠近所述声腔的第二凹凸结构，所述第一凹凸结构和第二凹凸结构在基板上的正投影均位于所述第一固定部在基板上的正投影与所述声腔之间；所述第一凹凸结构包括由所述振膜的上表面朝向基板凹陷而形成的第一凹陷部，以及由所述振膜的下表面朝向基板凸起而形成的第一凸起部，所述第一凹陷部与所述第一凸起部的轴线重合；所述第二凹凸结构包括由所述振膜的上表面朝向基板凹陷而形成的第二凹陷部，以及由所述振膜的下表面朝向基板凸起而形成的第二凸起部，所述第二凹陷部与所述第二凸起部的轴线重合，所述第二凸起部的端部与所述基板的上表面之间具有间隙；所述振膜上开设有位于所述第一凹凸结构与所述第二凹凸结构之间的排气孔。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述基板的上表面开设有凹槽，所述第一凸起部的端部伸入所述凹槽内。

3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述间隙的高度大于等于所述第二凸起部的宽度；和/或，

所述间隙的高度小于等于所述第二凸起部与所述第一凸起部之间距离的一半。

4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述排气孔为多个长条形开孔，并环绕所述声腔均匀间隔布置。

5.根据权利要求4所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述开孔的面积为所述第二凸起部沿振膜厚度方向的纵向截面面积的1.4～2倍。

6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述排气孔为多个U型切缝，并环绕所述声腔均匀间隔布置。

7.根据权利要求1-6任一项所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述振膜的中部区域朝向所述电极板凸起而形成台阶部，所述台阶部的端部在所述基板上的正投影位于所述第二凹凸结构在基板上的正投影与所述声腔之间。

8.根据权利要求7所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述台阶部的高度为所述第一固定部厚度的六分之一至五分之一。

9.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述MEMS麦克风芯片还包括位于所述电极板上表面的背板。

10.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的MEMS麦克风芯片。

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