CN213305412U - 电子设备射频状态的识别电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路，包括第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块；第一射频通路包括识别接口端及输出连接端，中间射频模块包括第一连接端及第二连接端，第二射频通路包括输入连接端；输出连接端连接所述第一连接端，第二连接端连接输入连接端；第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块均包括射频测试座。本实用新型还提供一种电子设备。本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路及电子设备，通过一个识别接口端的电压来识别包括多个射频通路的电子设备的射频状态，避免了平台芯片的识别接口不够用的情况，硬件连接及软件处理均比较简单。

Description

电子设备射频状态的识别电路及电子设备

【技术领域】

本实用新型涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种电子设备射频状态的识别电路及电子设备。

【背景技术】

目前，电子设备(例如手机)在上市前需要进行各种认证，对于射频，其包括射频传导状态的最大发射功率标准要求，同时，电子设备产品由于空间局限，天线的效率相对较差，需要提升射频辐射状态的辐射功率，因此，需要对电子设备处于射频传导状态还是射频辐射状态进行识别。

现有的识别电路如图1所示，第一射频通路包括上拉电阻R11、下拉电阻R12、第一测试座J11、第一电感L11、第一电容C11、第二电容C12及第一天线T11，具体的，上拉电阻R11的阻值远大于下拉电阻R12的阻值，上拉电阻R11的第一端连接主板电源，以提供上拉电压，上拉电阻R11的第二端连接下拉电阻R12的第一端，下拉电阻R12的第二端连接第一测试座J11的第二端，上拉电阻R11的第二端还连接主板的第一识别接口GPIO1；第一天线T11通过第一电容C11连接第一测试座J11的第二端，第一测试座J11的第一端通过第一电感L11接地，第一测试座J11的第一端还通过第二电容C12接入第一射频信号。

可以理解，当第一测试座J11未接入测试头时，第一测试座J11的第一端和第二端导通，第一识别接口GPIO1的电压为低电平，则识别电子设备处于射频辐射状态；当第一测试座J11接入测试头时，第一测试座J11的第一端和第二端断开，第一识别接口GPIO1的电压为高电平，则识别电子设备处于射频传导状态。

图1所示的识别电路还包括第二射频通路及第三射频通路，第二射频通路及第三射频通路的识别原理与第一射频通路相同，也即，现有技术中，若电子设备内包括三个射频通路，则需要连接三个识别接口来识别电子设备的射频状态(即每个射频通路需要对应连接一个识别接口)。

然而，目前的5G技术中，射频通路较多，在进行射频状态识别时，则需要对应连接更多的识别接口。因此，现有的识别电路会存在平台芯片的识别接口不够用的情况，硬件连接及软件处理均比较复杂。

鉴于此，实有必要提供一种新型的电子设备射频状态的识别电路及电子设备以克服上述缺陷。

【实用新型内容】

本实用新型的目的是提供一种电子设备射频状态的识别电路及电子设备，实现了通过一个识别接口端的电压来识别包括多个射频通路的电子设备的射频状态，避免了平台芯片的识别接口不够用的情况，硬件连接及软件处理均比较简单。

为了实现上述目的，第一方面，本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路，包括包括第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块；所述第一射频通路包括识别接口端及输出连接端，所述中间射频模块包括第一连接端及第二连接端，所述第二射频通路包括输入连接端；所述输出连接端连接所述第一连接端，所述第二连接端连接所述输入连接端；所述第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块均包括射频测试座；当任意一个所述射频测试座接入测试头时，所述识别接口端的电压为高电平，则识别所述电子设备处于射频传导状态；当所有射频测试座均未接入所述测试头时，所述识别接口端的电压为低电平，则识别所述电子设备处于射频辐射状态。

在一个优选实施方式中，所述第一射频通路包括第一电阻、第二电阻、第一测试座、第一电感及第一电容；所述第一电阻的第一端用于连接电子设备的主板电源，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述第一测试座的第二端，所述第一测试座的第一端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接第一射频信号端，所述第一电阻的第二端还引出所述识别接口端；所述第一测试座的第一端还连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端引出所述输出连接端；所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10倍或10倍以上；所述第二射频通路包括第二电感、第二测试座、第三电感及第二电容；所述第二电感的第一端引出所述输入连接端，所述第二电感的第二端连接所述第二测试座的第二端，所述第二测试座的第一端连接所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端接地，所述第二测试座的第一端还连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接第二射频信号端；所述中间射频模块包括第三射频通路，所述第三射频通路包括第四电感、第三电容、第三测试座、第五电感、第四电容及第五电容；所述第四电感的第一端引出所述第一连接端，所述第四电感的第一端还通过所述第三电容接地，所述第四电感的第二端连接所述第三测试座的第二端，所述第三测试座的第一端连接所述第五电感的第一端，所述第五电感的第二端通过所述第四电容接地，所述第三测试座的第一端还连接所述第五电容的第一端，所述第五电容的第二端连接第三射频信号端。

在一个优选实施方式中，所述第一射频通路还包括第一天线及第六电容，所述第一测试座的第二端通过所述第六电容连接所述第一天线的信号馈点；所述第二射频通路还包括第二天线及第七电容，所述第二测试座的第二端通过所述第七电容连接所述第二天线的信号馈点；所述第三射频通路还包括第三天线及第八电容，所述第三测试座的第二端通过所述第八电容连接所述第三天线的信号馈点。

在一个优选实施方式中，所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10-20倍。

在一个优选实施方式中，所述识别接口端连接所述电子设备的GPIO接口。

在一个优选实施方式中，所述主板电源的电压为1.8V或3.3V。

在一个优选实施方式中，所述第一射频信号端、第二射频信号端及第三射频信号端均连接所述电子设备的射频芯片。

第二方面，本实用新型还提供一种电子设备，包括上述任意一项实施方式所述的电子设备射频状态的识别电路。

相比于现有技术，本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路及电子设备，中间射频模块连接于第一射频通路与第二射频通路之间，且第一射频通路包括识别接口端，当第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块内的任意一个射频测试座接入测试头时，识别接口端的电压为高电平，则识别所述电子设备处于射频传导状态；当所有射频测试座均未接入所述测试头时，识别接口端的电压为低电平，则识别所述电子设备处于射频辐射状态，实现了通过一个识别接口端的电压来识别包括多个射频通路的电子设备的射频状态，避免了平台芯片的识别接口不够用的情况，硬件连接及软件处理均比较简单。

为使实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本实用新型较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

【附图说明】

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为现有技术的电子设备射频状态的识别电路的电路图；

图2为本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路的原理框图；

图3为本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路的电路图。

【具体实施方式】

下面将结合本实用新型实施例中附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图2，本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路100，包括第一射频通路10、第二射频通路20及中间射频模块30。

第一射频通路10包括识别接口端11及输出连接端12，中间射频模块30包括第一连接端31及第二连接端32，第二射频通路20包括输入连接端21。具体的，输出连接端12连接第一连接端31，第二连接端32连接输入连接端21；第一射频通路10、第二射频通路20及中间射频模块30均包括射频测试座101。

进一步地，当任意一个射频测试座101接入测试头时，识别接口端11的电压为高电平，则识别所述电子设备处于射频传导状态；当所有射频测试座101均未接入所述测试头时，识别接口端11的电压为低电平，则识别所述电子设备处于射频辐射状态。具体的，第一射频通路10内的射频测试座101可以间接连接于识别接口端11与输出连接端12之间，第二射频通路20内的射频测试座101可以间接连接输入连接端21，中间射频模块30内的射频测试座101可以间接连接于第一连接端31及第二连接端32之间。

本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路100，中间射频模块30连接于第一射频通路10与第二射频通路20之间，且第一射频通路10包括识别接口端11，当第一射频通路10、第二射频通路20及中间射频模块30内的任意一个射频测试座101接入测试头时，识别接口端11的电压为高电平，则识别所述电子设备处于射频传导状态；当所有射频测试座101均未接入所述测试头时，识别接口端11的电压为低电平，则识别所述电子设备处于射频辐射状态，实现了通过一个识别接口端11的电压来识别包括多个射频通路的电子设备的射频状态，避免了平台芯片的识别接口不够用的情况，硬件连接及软件处理均比较简单。

请一并参阅图3，第一射频通路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一测试座J1、第一电感L1及第一电容C1。第一电阻R1的第一端用于连接电子设备的主板电源，以提供上拉电压，主板电源的电压为1.8V或3.3V。第一电阻R1的第二端连接第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端连接第一测试座J1的第二端，第一测试座J1的第一端连接第一电容C1的第一端，第一电容C1的第二端连接第一射频信号端。第一电阻R1的第二端还引出所述识别接口端；第一测试座J1的第一端还连接第一电感L1的第一端，第一电感L1的第二端引出所述输出连接端。具体的，第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10倍或10倍以上；第一射频信号端连接所述电子设备的射频芯片，以实现射频信号的接收或发射；识别接口端连接所述电子设备的GPIO(General-purpose input/output，通用型输入/输出)接口。

第二射频通路包括第二电感L2、第二测试座J2、第三电感L3及第二电容C2。第二电感L2的第一端引出所述输入连接端，第二电感L2的第二端连接第二测试座J2的第二端，第二测试座J2的第一端连接第三电感L3的第一端，第三电感L3的第二端接地，第二测试座J2的第一端还连接第二电容C2的第一端，第二电容C2的第二端连接第二射频信号端。具体的，第二射频信号端连接所述电子设备的射频芯片，以实现射频信号的接收或发射。

本实施方式中，中间射频模块30包括第三射频通路，第三射频通路包括第四电感L4、第三电容C3、第三测试座J3、第五电感L5、第四电容C4及第五电容C5。第四电感L4的第一端引出所述第一连接端，第四电感L4的第一端还通过第三电容C3接地，第四电感L4的第二端连接第三测试座J3的第二端，第三测试座J3的第一端连接第五电感L5的第一端，第五电感L5的第二端引出所述第二连接端，第五电感L5的第二端还通过第四电容C4接地，第三测试座J3的第一端还连接第五电容C5的第一端，第五电容C5的第二端连接第三射频信号端。具体的，第三射频信号端连接所述电子设备的射频芯片，以实现射频信号的接收或发射。

图3所示的电子设备射频状态的识别电路100的应用原理如下：当第一测试座J1、第二测试座J2及第三测试座J3中任意一个测试座接入测试头时，该测试座的第一端与第二端断开，使得识别接口端与地之间的连接断开，识别接口端的电压被主板电源的上拉电压拉高，处于高电平状态，则识别电子设备处于射频传导状态。当第一测试座J1、第二测试座J2及第三测试座J3均未接入测试头时，所有测试座的第一端与第二端均连通，识别接口端的电压通过第二电阻R2、第一测试座J1、第一电感L1、第四电感L4、第三测试座J3、第五电感L5、第二电感L2、第二测试座J2及第三电感L3导通到地，由于第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10倍或10倍以上(即第一电阻R1的阻值远大于第二电阻R2的阻值)，第二电阻R2的分压接近于0V，即识别接口端的电压接近于0V，识别接口端的电压为低电平，则识别所述电子设备处于射频辐射状态。

具体的，第一电容C1、第二电容C2及第五电容C5为隔直电容，用于导通射频信号，隔断直流电信号，第一电容C1、第二电容C2及第五电容C5的大小为100pF。第三电容C3及第四电容C4用于增加射频通路之间射频隔离度，第三电容C3及第四电容C4的大小为100pF。第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4及第五电感L5用于各射频通路之间的直流连接，并隔断射频高频信号，第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4及第五电感L5的大小为100nH。

可以理解，第一电阻R1的具体阻值及第二电阻R2的具体阻值可以根据产品的实际参数进行调整，但要保证第一电阻R1的阻值远大于第二电阻R2的阻值，例如第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10-20倍。本实施方式中，第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10倍，具体的，第一电阻R1的阻值为100kΩ，第二电阻R2的阻值为10kΩ。

进一步地，第一射频通路10还包括第一天线T1及第六电容C6，第一测试座J1的第二端通过第六电容C6连接第一天线T1的信号馈点。第二射频通路20还包括第二天线T2及第七电容C7，第二测试座J2的第二端通过第七电容C7连接第二天线T2的信号馈点。第三射频通路还包括第三天线T3及第八电容C8，第三测试座J3的第二端通过第八电容C8连接第三天线T3的信号馈点。可以理解，当电子设备处于射频辐射状态时，射频信号通过第一天线T1、第二天线T2及第三天线T3辐射出去。具体的，第六电容C6、第七电容C7及第八电容C8为隔直电容，用于导通射频信号，隔断直流电信号，第六电容C6、第七电容C7及第八电容C8的大小为100pF。

需要说明的是，图3所示的实施方式中，中间射频模块30包括一个射频通路(即第三射频通路)，可以理解，在其他实施方式中，中间射频模块30也可以包括多个射频通路，例如，当中间射频模块30包括两个射频通路时，则其中一个射频通路的第一连接端连接第一射频通路10，且该射频通路的第二连接端连接另一个射频通路的第一连接端，另一个射频通路的第二连接端连接第二射频通路20，在该种情况下，也即其中一个射频通路的第一连接端为中间射频模块30的第一连接端，而另一个射频通路的第二连接端为中间射频模块30的第二连接端。进一步地，中间射频模块30包括三个或三个以上射频通路的连接原理与上述的连接原理相同，此处不再赘述。

本实用新型还提供一种电子设备，包括上述任意一项所述的电子设备射频状态的识别电路100。可以理解，电子设备可以为，但不限于手机、平板电脑等便携终端。本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路100的所有实施例均适用于本实用新型提供的电子设备，且均能够达到相同或相似的有益效果。

综上，本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路100及电子设备，中间射频模块30连接于第一射频通路10与第二射频通路20之间，且第一射频通路10包括识别接口端11，当第一射频通路10、第二射频通路20及中间射频模块30内的任意一个射频测试座101接入测试头时，识别接口端11的电压为高电平，则识别所述电子设备处于射频传导状态；当所有射频测试座101均未接入所述测试头时，识别接口端11的电压为低电平，则识别所述电子设备处于射频辐射状态，实现了通过一个识别接口端11的电压来识别包括多个射频通路的电子设备的射频状态，避免了平台芯片的识别接口不够用的情况，硬件连接及软件处理均比较简单。

以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，包括第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块；所述第一射频通路包括识别接口端及输出连接端，所述中间射频模块包括第一连接端及第二连接端，所述第二射频通路包括输入连接端；所述输出连接端连接所述第一连接端，所述第二连接端连接所述输入连接端；所述第一射频通路、第二射频通路及中间射频模块均包括射频测试座；

当任意一个所述射频测试座接入测试头时，所述识别接口端的电压为高电平，则识别所述电子设备处于射频传导状态；当所有射频测试座均未接入所述测试头时，所述识别接口端的电压为低电平，则识别所述电子设备处于射频辐射状态。

2.如权利要求1所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述第一射频通路包括第一电阻、第二电阻、第一测试座、第一电感及第一电容；所述第一电阻的第一端用于连接电子设备的主板电源，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述第一测试座的第二端，所述第一测试座的第一端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接第一射频信号端，所述第一电阻的第二端还引出所述识别接口端；所述第一测试座的第一端还连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端引出所述输出连接端；所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10倍或10倍以上；

所述第二射频通路包括第二电感、第二测试座、第三电感及第二电容；所述第二电感的第一端引出所述输入连接端，所述第二电感的第二端连接所述第二测试座的第二端，所述第二测试座的第一端连接所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端接地，所述第二测试座的第一端还连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接第二射频信号端；

所述中间射频模块包括第三射频通路，所述第三射频通路包括第四电感、第三电容、第三测试座、第五电感、第四电容及第五电容；所述第四电感的第一端引出所述第一连接端，所述第四电感的第一端还通过所述第三电容接地，所述第四电感的第二端连接所述第三测试座的第二端，所述第三测试座的第一端连接所述第五电感的第一端，所述第五电感的第二端通过所述第四电容接地，所述第三测试座的第一端还连接所述第五电容的第一端，所述第五电容的第二端连接第三射频信号端。

3.如权利要求2所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述第一射频通路还包括第一天线及第六电容，所述第一测试座的第二端通过所述第六电容连接所述第一天线的信号馈点；所述第二射频通路还包括第二天线及第七电容，所述第二测试座的第二端通过所述第七电容连接所述第二天线的信号馈点；所述第三射频通路还包括第三天线及第八电容，所述第三测试座的第二端通过所述第八电容连接所述第三天线的信号馈点。

4.如权利要求2所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10-20倍。

5.如权利要求2所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述识别接口端连接所述电子设备的GPIO接口。

6.如权利要求2所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述主板电源的电压为1.8V或3.3V。

7.如权利要求2所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述第一射频信号端、第二射频信号端及第三射频信号端均连接所述电子设备的射频芯片。

8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述的电子设备射频状态的识别电路。

Images