CN213126050U - 电子设备射频状态的识别电路及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路，包括第一电阻、第二电阻及电容；所述第一电阻的第一端用于连接电子设备的主板电源，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述电容的第一端，所述电容的第二端连接所述电子设备的射频芯片，所述第一电阻的第二端还连接识别接口，所述第二电阻的第二端还连接所述电子设备的天线的信号馈点，所述天线还包括接地馈点，所述接地馈点连接到地；所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10倍或10倍以上。本实用新型还提供一种电子设备。本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路及电子设备，无需增加SAR sensor，成本较低。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种电子设备射频状态的识别电路及电子设备。
【背景技术】
目前，电子设备(例如手机)在上市前需要进行各种认证，对于射频，其包括射频传导状态的最大发射功率标准要求及射频辐射状态的SAR(Specific Absorption Rate，电磁波吸收比值)标准要求，SAR的意义为单位质量的人体组织所吸收或消耗的电磁功率，单位为W/kg。
通常，为了防止射频辐射状态时SAR会超标，需要降低射频模块的最大发射功率，并且，同时要保证射频传导状态时最大发射功率满足标准要求，因此，需要对电子设备处于射频传导状态还是射频辐射状态进行区分。
现有的方案为，在原有的电路上添加SAR sensor(即SAR传感器)，SAR sensor通过侦测天线的电容性来判断天线状态(射频传导状态/射频辐射状态)。然而，现有的方案需要专门添加SAR sensor电路模块，电子设备的成本增加。
鉴于此，实有必要提供一种新型的电子设备射频状态的识别电路及电子设备以克服上述缺陷。
【实用新型内容】
本实用新型的目的是提供一种电子设备射频状态的识别电路及电子设备，无需增加SAR sensor，成本较低。
为了实现上述目的，第一方面，本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路，包括第一电阻、第二电阻及电容；所述第一电阻的第一端用于连接电子设备的主板电源，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述电容的第一端，所述电容的第二端连接所述电子设备的射频芯片，所述第一电阻的第二端还连接识别接口，所述第二电阻的第二端还连接所述电子设备的天线的信号馈点，所述天线还包括接地馈点，所述接地馈点连接到地；所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10倍或10倍以上；当所述电子设备装配所述天线时，所述第二电阻的第二端通过所述信号馈点及接地馈点连接到地，所述识别接口的电压为低电平，所述电子设备的主板识别所述电子设备处于射频辐射状态；当所述电子设备未装配所述天线时，所述第二电阻的第二端通过所述电容连接到所述射频芯片，所述识别接口的电压为高电平，所述主板识别所述电子设备处于射频传导状态。
在一个优选实施方式中，所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10-20倍。
在一个优选实施方式中，所述识别接口为GPIO接口。
在一个优选实施方式中，所述主板电源的电压为1.8V或3.3V。
在一个优选实施方式中，所述第一电阻的阻值为100kΩ，所述第二电阻的阻值为10kΩ。
在一个优选实施方式中，所述电容的大小为33pF。
在一个优选实施方式中，所述主板电源、射频芯片及识别接口均设置于所述主板上。
第二方面，本实用新型还提供一种电子设备，包括上述任意一项实施方式所述的电子设备射频状态的识别电路。
相比于现有技术，本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路及电子设备，通过天线的装配与否来对应控制识别接口的低/高电平状态，进而识别电子设备处于射频辐射状态或者射频传导状态，电路简单，易于实现，识别精度高，不会误判。并且，无需增加SAR sensor，成本较低。
为使实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本实用新型较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
【附图说明】
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路的电路图。
【具体实施方式】
下面将结合本实用新型实施例中附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供一种电子设备射频状态的识别电路100，包括第一电阻R1、第二电阻R2及电容C。
第一电阻R1的第一端用于连接电子设备的主板电源11，第一电阻R1的第二端连接第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端连接电容C的第一端，电容C的第二端连接所述电子设备的射频芯片12，第一电阻R1的第二端还连接识别接口13，第二电阻R2的第二端还连接所述电子设备的天线20的信号馈点S，天线20还包括接地馈点G，接地馈点G连接到地GND；进一步地，第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10倍或10倍以上。
具体的，当所述电子设备装配天线20时，第二电阻R2的第二端通过信号馈点S及接地馈点G连接到地GND，由于第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10倍或10倍以上(即第一电阻R1的阻值远大于第二电阻R2的阻值)，第二电阻R2的分压接近于0V，即识别接口13处的电压接近于0V，识别接口13的电压为低电平，主板10识别所述电子设备处于射频辐射状态，控制射频最大发射功率为辐射状态所需功率，避免SAR超标。当所述电子设备未装配天线20时，第二电阻R2的第二端通过电容C连接到射频芯片12(即未连接到地)，识别接口13处的电压被主板电源11拉高，识别接口13的电压为高电平，主板10识别所述电子设备处于射频传导状态，控制射频最大发射功率为传导功率。可以理解，天线20包括信号馈点S及接地馈点G，当电子设备装配天线20时，天线20用于将第二电阻R2通过信号馈点S及接地馈点G连接到地GND。
本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路100，通过天线20的装配与否来对应控制识别接口13的低/高电平状态，进而识别电子设备处于射频辐射状态或者射频传导状态，电路简单，易于实现，识别精度高，不会误判。并且，无需增加SAR sensor，成本较低。
具体的，识别接口13为GPIO(General-purpose input/output，通用型输入/输出)接口。本实施方式中，主板电源11、射频芯片12及识别接口13均设置于主板10上，主板电源11用于提供上拉电压，主板电源的电压可以为1.8V或3.3V，射频芯片12用于接收或发送射频信号。
可以理解，第一电阻R1的具体阻值及第二电阻R2的具体阻值可以根据产品的实际参数进行调整，但要保证第一电阻R1的阻值远大于第二电阻R2的阻值，例如第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10-20倍。本实施方式中，第一电阻R1的阻值是第二电阻R2的阻值的10倍，具体的，第一电阻R1的阻值为100kΩ，第二电阻R2的阻值为10kΩ。
进一步地，电容C用于隔断直流电，而导通射频信号，本实施方式中，电容C的大小为33pF。
本实用新型还提供一种电子设备，包括上述任意一项所述的电子设备射频状态的识别电路100。可以理解，电子设备可以为，但不限于手机、平板电脑等便携终端。本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路100的所有实施例均适用于本实用新型提供的电子设备，且均能够达到相同或相似的有益效果。
综上，本实用新型提供的电子设备射频状态的识别电路100及电子设备，通过天线20的装配与否来对应控制识别接口13的低/高电平状态，进而识别电子设备处于射频辐射状态或者射频传导状态，电路简单，易于实现，识别精度高，不会误判。并且，无需增加SARsensor，成本较低。
以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻及电容；所述第一电阻的第一端用于连接电子设备的主板电源，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述电容的第一端，所述电容的第二端连接所述电子设备的射频芯片，所述第一电阻的第二端还连接识别接口，所述第二电阻的第二端还连接所述电子设备的天线的信号馈点，所述天线还包括接地馈点，所述接地馈点连接到地；所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10倍或10倍以上；
当所述电子设备装配所述天线时，所述第二电阻的第二端通过所述信号馈点及接地馈点连接到地，所述识别接口的电压为低电平，所述电子设备的主板识别所述电子设备处于射频辐射状态；当所述电子设备未装配所述天线时，所述第二电阻的第二端通过所述电容连接到所述射频芯片，所述识别接口的电压为高电平，所述主板识别所述电子设备处于射频传导状态。
2.如权利要求1所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值是所述第二电阻的阻值的10-20倍。
3.如权利要求1所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述识别接口为GPIO接口。
4.如权利要求1所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述主板电源的电压为1.8V或3.3V。
5.如权利要求1所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为100kΩ，所述第二电阻的阻值为10kΩ。
6.如权利要求1所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述电容的大小为33pF。
7.如权利要求1所述的电子设备射频状态的识别电路，其特征在于，所述主板电源、射频芯片及识别接口均设置于所述主板上。
8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述的电子设备射频状态的识别电路。
Priority Applications (1)
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| CN202021929800.9U CN213126050U (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 电子设备射频状态的识别电路及电子设备 |
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| CN202021929800.9U CN213126050U (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 电子设备射频状态的识别电路及电子设备 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN213126050U true CN213126050U (zh) | 2021-05-04 |
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Family Applications (1)
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| CN202021929800.9U Active CN213126050U (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 电子设备射频状态的识别电路及电子设备 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN213126050U (zh) |
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2020
- 2020-09-07 CN CN202021929800.9U patent/CN213126050U/zh active Active
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