CN213211074U - 中心对准结构及量子计算机的制备装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种中心对准结构及量子计算机的制备装置，其中，中心对准结构包括：板体，包括具有高度差的第一定位平面和第二定位平面，第二定位平面高于第一定位平面；第一定位立面，设置于第一定位平面和第二定位平面之间；凸起部，设置于第二定位平面上，凸起部设置有第二定位立面，其中，第一定位立面和第二定位立面之间具有预设距离D。本申请的技术方案解决了现有技术中的手动对准精度差且耗时的问题。

Description

中心对准结构及量子计算机的制备装置

技术领域

本实用新型涉及光刻胶旋涂技术领域，具体而言，涉及一种中心对准结构及量子计算机的制备装置。

背景技术

光刻胶旋涂机是在芯片加工过程中用于旋涂光刻胶在硅晶圆的表面的机器。在旋涂光刻胶之前，需要将硅晶圆放置在光刻胶旋涂机的载盘上，并将硅晶圆和载盘进行中心对准。

目前，将硅晶圆和载盘进行中心对准的操作是通过手动方式进行的，对准精度差且耗时。对准的精度对涂胶厚度的精准性，均匀性都有影响。

所以，亟待提出一个能够提高对准精度且减少操作时间的机构。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种中心对准结构及量子计算机的制备装置，以解决现有技术中的手动对准精度差且耗时的问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种中心对准结构，包括：板体，包括具有高度差的第一定位平面和第二定位平面，第二定位平面高于第一定位平面；第一定位立面，设置于第一定位平面和第二定位平面之间；凸起部，设置于第二定位平面上，凸起部设置有第二定位立面，其中，第一定位立面和第二定位立面之间具有预设距离D。

本实用新型的中心对准结构在使用时，先与光刻胶旋涂机的载盘配合，使第一定位平面与光刻胶旋涂机的载盘的底壁配合，并使第一定位立面与载盘的侧壁配合。然后，中心对准结构再与硅晶圆配合，使第二定位平面与硅晶圆的底壁配合，并使第二定位立面与硅晶圆的侧壁配合。中心对准结构的第一定位立面和第二定位立面之间具有预设距离D，这个预定间隔D等于硅晶圆和载盘同心时硅晶圆凸出于载盘的尺寸。这样，当第一定位立面与载盘配合并且第二定位平面与硅晶圆的配合时，硅晶圆和载盘正好处于同心的位置。也即，通过上述操作，即可在中心对准结构的引导下实现硅晶圆和载盘之间的中心对准。相比于手动操作的精度差且耗时，应用本实用新型的技术方案之后，能够有效地提高对准精度，并且提高操作效率。

进一步地，第一定位立面为第一弧形面。

进一步地，第二定位立面为第二弧形面或者平面。

进一步地，凸起部为弧形凸起或者直板形凸起。

进一步地，第一定位平面为第一扇环形或者扇形，和/或，第二定位平面为第二扇环形。

进一步地，第一定位平面为第一扇环形或者扇形，第一扇环形或者扇形对应的圆心角在60°至120°之间；和/或，第二定位平面为第二扇环形，第二扇环形对应的圆心角在60°至120°之间。

进一步地，凸起部的上端面的外侧边设置有第一倒角部，和/或，板体的外侧边设置有第二倒角部。

进一步地，第一定位立面的高度小于第二定位立面的高度。

进一步地，第一定位平面用于与光刻胶旋涂机的载盘的底壁配合，第一定位立面用于与载盘的侧壁配合，第二定位平面用于与硅晶圆的底壁配合，第二定位立面用于与硅晶圆的侧壁配合，预设距离D等于硅晶圆的尺寸与载盘的尺寸的差值的一半。

根据本实用新型的另一个方面，还提供了一种量子计算机的制备装置，包括光刻胶旋涂机，制备装置还包括上述的中心对准结构，中心对准结构与光刻胶旋涂机的载盘和硅晶圆配合，以使硅晶圆定位在载盘上。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本实用新型的中心对准结构的实施例一的立体结构示意图；

图2示出了图1的中心对准结构的俯视图；

图3示出了图1的中心对准结构的A-A向剖视图；

图4示出了图1的中心对准结构与载盘和硅晶圆配合状态的示意图；

图5示出了根据本实用新型的中心对准结构的实施例二的立体结构示意图；

图6示出了图5的中心对准结构的俯视图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

1、载盘；2、硅晶圆；10、板体；11、第一定位平面；12、第二定位平面；20、第一定位立面；30、凸起部；31、第二定位立面；32、第一倒角部；13、第二倒角部。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

图1示出了根据本实用新型的中心对准结构的实施例一的立体结构示意图，图2示出了图1的中心对准结构的俯视图，图3示出了图1的中心对准结构的A-A向剖视图，图4示出了图1的中心对准结构与载盘和硅晶圆配合状态的示意图。

如图1至图4所示，在实施例一中，中心对准结构包括：板体10、第一定位立面20以及凸起部30。

其中，板体10包括具有高度差的第一定位平面11和第二定位平面12，第二定位平面12高于第一定位平面11。第一定位立面20设置于第一定位平面11和第二定位平面12之间。凸起部30设置于第二定位平面12上，凸起部30设置有第二定位立面31，并且，第一定位立面20和第二定位立面31之间具有预设距离D。

实施例一的中心对准结构适用于光刻胶旋涂机的载盘为圆盘形，并且硅晶圆为圆盘形的情况。载盘的半径小于硅晶圆的半径。使用时，在中心对准结构的引导下将硅晶圆放置在载盘的上方。在图1至图3中仅示出了中心对准结构，图4中示出了中心对准结构与载盘1和硅晶圆2的配合状态示意图。图4中的载盘1和硅晶圆2仅为示意图，为了便于说明，在此对它们的结构进行了简化。

如图4所示，实施例一的中心对准结构在使用时，先与光刻胶旋涂机的载盘1配合，使第一定位平面11与光刻胶旋涂机的载盘1的底壁配合，并使第一定位立面20与载盘1的侧壁配合。然后，中心对准结构再与硅晶圆2配合，使第二定位平面12与硅晶圆2的底壁配合，并使第二定位立面31与硅晶圆2的侧壁配合。中心对准结构的第一定位立面20和第二定位立面31之间具有预设距离D，这个预定间隔D等于硅晶圆2和载盘1同心时硅晶圆2凸出于载盘1的尺寸。上述凸出的尺寸为硅晶圆的尺寸与载盘的尺寸的差值的一半。当载盘和硅晶圆均为圆盘形时，上述的D为硅晶圆2的半径和载盘1的半径的差值。

这样，当第一定位立面20与载盘1配合并且第二定位立面31与硅晶圆2配合时，硅晶圆2和载盘1正好处于同心的位置。也即，通过上述操作，即可在中心对准结构的引导下实现硅晶圆和载盘之间的中心对准。相比于手动操作的精度差且耗时，应用实施例一的技术方案之后，能够有效地提高对准精度，并且提高操作效率。

如图2所示，R1对应的是载盘1的半径，可以为28.5mm。可根据不同载盘进行更改适配。R2对应硅晶圆的半径，可以为50mm，可以更改以适配不同大小的硅晶圆。

需要说明的是，中心对准结构为轴对称结构，参见图2，中心对称结构具有轴线X，预设距离D是指第一定位立面20位于中心对准结构的轴线X上的点B与第二定位立面31位于中心对准结构的轴线X上的点C之间的距离。

由于第一定位立面和第二定位立面可能是弧形面或者平面，因此预设距离D的情况有所不同，具体可以分为以下几种情况：

当第一定位立面和第二定位立面均为弧形面时，上述预设距离D为第一定位立面所在圆弧的半径R1与第二定位立面所在圆弧的半径R2的差值。第一定位立面和第二定位立面之间的距离处处相同。

当第一定位立面和第二定位立面均为平面时，上述预设距离D为第一定位立面所在平面与第二定位立面所在平面之间的距离值。第一定位立面和第二定位立面之间的距离处处相同。

当第一定位立面和第二定位立面中一个为弧形面，另一为平面时，上述预设距离D为平面到弧形面的圆心之间的距离与圆弧的半径的差值。第一定位立面和第二定位立面之间的距离并不相同，上述预设距离D为两者之间的最小值。

对于硅晶圆的尺寸与载盘的尺寸，当硅晶圆为圆盘形时，硅晶圆的尺寸为硅晶圆的直径；当硅晶圆为正方形时，硅晶圆的尺寸为硅晶圆的边长。当载盘为圆盘形时，载盘的尺寸为载盘的直径；当载盘为正方形时，载盘的尺寸为载盘的边长。

如图2所示，在实施例一中，第一定位立面20为第一弧形面，上述第一弧形面适配于载盘1的侧壁。这样，当第一弧形面与载盘1的侧壁贴合时，中心对准结构的中心点与载盘1的中心点重合，具体为图2中示出的O点。上述的第一弧形面起到对准中心对准结构和载盘1的作用，又可将第一弧形面称为第一级别对准卡扣。

如图2所示，第二定位立面31为第二弧形面，上述第二弧形面适配于硅晶圆2的侧壁。这样，当第二弧形面与硅晶圆2的侧壁贴合时，中心对准结构的中心点与硅晶圆2的中心点也重合，同样为图2中示出的O点。上述的第二弧形面起到对准中心对准结构和硅晶圆2的作用，又可将第二弧形面称为第二级别对准卡扣。

如图1所示，凸起部30为弧形凸起，弧形凸起朝向第一定位立面20的表面形成了第二定位立面31。

在实施例一中，第一定位平面11为第一扇环形，第二定位平面12为第二扇环形。上述结构容易加工，容易实现。当然，本领域技术人员知道，在图中未示出的实施方式中，第一定位平面并不限于第一扇环形结构，第二定位平面并不限于第二扇环形结构，它们还可以为其他形状，第一定位平面还可以是扇形，第一定位平面和第二定位平面还可以是矩形等形状。

当第一定位平面11为第一扇环形或者扇形时，第一扇环形或者扇形对应的圆心角在60°至120°之间。当第二定位平面12为第二扇环形时，第二扇环形对应的圆心角在60°至120°之间。在实施例一中，考虑到兼顾操作的便利性及节约成本，第一定位平面11的圆心角为90°，第二定位平面12的圆心角为90°。

考虑到使用时方便操作人员抓握，凸起部30的上端面的外侧边设置有第一倒角部32。第一倒角部32的倒角范围在30°至60°之间，优选为45°。板体10的外侧边设置有第二倒角部13。第二倒角部13的倒角范围在30°至60°之间，优选为45°。

第一定位立面20的高度与载盘1的厚度有关，可以为3mm，第二定位立面31的高度与硅晶圆2的厚度有关，可以为5mm。板体10的厚度可以为2mm。在实施例一中。第一定位立面20的高度小于第二定位立面31的高度。为了使得载盘1和硅晶圆2的对准更加精确，第一定位立面20的高度略小于或者等于载盘1的厚度。

图5示出了根据本实用新型的中心对准结构的实施例二的立体结构示意图，图6示出了图5的中心对准结构的俯视图。如图5和图6所示，根据本申请的中心对准结构的实施例二与实施例一的区别在于，第二定位立面31和凸起部30的形状，在实施例二中，第二定位立面31为平面，凸起部30为直板形凸起。实施二的中心对准结构适用于光刻胶旋涂机的载盘为圆盘形，硅晶圆为正方形的情况。在实施例二中，第二定位立面31的长度与硅晶圆的边长相等。

实施例二的中心对准结构的操作过程和定位原理与实施例一基本相同。存在区别的地方在于，操作时需要使硅晶圆与第二定位立面对准，使得第二定位立面31的两端正好与硅晶圆的的一条边的两端对齐。

由于硅晶圆为正方形，在载盘和硅晶圆对准时，需要将两个方向均均实现对准。一个方向平行于第二定位立面的方向，另一个方向垂直于第二定位立面的方向。当第一定位立面20与载盘配合并且第二定位立面31与硅晶圆配合时，需要使第二定位立面31的两端与硅晶圆的的一条边的两端对齐。这样，硅晶圆和载盘会在两个方向同时对准，实现两者的中心对准。

为了便于第二定位立面的两端与硅晶圆的的一条边的两端对齐，在图中未示出的实施方式中，凸起部还可以为其他形状，比如凸起部的两端设置有朝向第一定位立面延伸的定位翻边，该定位翻边与第二定位立面垂直，使得凸起部在俯视角度上呈“凹”状。这样，在中心对位结构与硅晶圆配合时，只需要将硅晶圆放置于两个定位翻边之间，即可实现第二定位立面的两端与硅晶圆的的一条边的两端之间的对齐。

本申请的技术方案利用手动光刻胶旋涂机的载盘为基础，用一个辅助配件机构提供了一个简单，易用，低成本，高精度，快速的中心对准结构。

根据本实用新型的另一个方面，还提供了一种量子计算机的制备装置(图中未示出)，该制备装置包括光刻胶旋涂机，还包括上述的中心对准结构，中心对准结构与光刻胶旋涂机的载盘和硅晶圆配合，以使硅晶圆定位在载盘上。上述的制备装置能够快速实现硅晶圆在载盘上的定位，能够提高加工效率，同时保证后续的产品质量。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种中心对准结构，其特征在于，包括：

板体(10)，包括具有高度差的第一定位平面(11)和第二定位平面(12)，所述第二定位平面(12)高于所述第一定位平面(11)；

第一定位立面(20)，设置于所述第一定位平面(11)和所述第二定位平面(12)之间；

凸起部(30)，设置于所述第二定位平面(12)上，所述凸起部(30)设置有第二定位立面(31)，其中，所述第一定位立面(20)和所述第二定位立面(31)之间具有预设距离D。

2.根据权利要求1所述的中心对准结构，其特征在于，所述第一定位立面(20)为第一弧形面。

3.根据权利要求1所述的中心对准结构，其特征在于，所述第二定位立面(31)为第二弧形面或者平面。

4.根据权利要求1所述的中心对准结构，其特征在于，所述凸起部(30)为弧形凸起或者直板形凸起。

5.根据权利要求1所述的中心对准结构，其特征在于，所述第一定位平面(11)为第一扇环形或者扇形，和/或，所述第二定位平面(12)为第二扇环形。

6.根据权利要求1所述的中心对准结构，其特征在于，所述第一定位平面(11)为第一扇环形或者扇形，所述第一扇环形或者扇形对应的圆心角在60°至120°之间；和/或，所述第二定位平面(12)为第二扇环形，所述第二扇环形对应的圆心角在60°至120°之间。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的中心对准结构，其特征在于，所述凸起部(30)的上端面的外侧边设置有第一倒角部(32)，和/或，所述板体(10)的外侧边设置有第二倒角部(13)。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的中心对准结构，其特征在于，所述第一定位立面(20)的高度小于所述第二定位立面(31)的高度。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的中心对准结构，其特征在于，所述第一定位平面(11)用于与光刻胶旋涂机的载盘(1)的底壁配合，所述第一定位立面(20)用于与所述载盘(1)的侧壁配合，所述第二定位平面(12)用于与硅晶圆(2)的底壁配合，所述第二定位立面(31)用于与所述硅晶圆(2)的侧壁配合，所述预设距离D等于所述硅晶圆(2)的尺寸与所述载盘(1)的尺寸的差值的一半。

10.一种量子计算机的制备装置，包括光刻胶旋涂机，其特征在于，所述制备装置还包括权利要求1至9中任一项所述的中心对准结构，所述中心对准结构与所述光刻胶旋涂机的载盘(1)和硅晶圆(2)配合，以使所述硅晶圆(2)定位在所述载盘(1)上。

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